JP6925243B2 - クリーニング方法及び成膜方法 - Google Patents

クリーニング方法及び成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6925243B2
JP6925243B2 JP2017218558A JP2017218558A JP6925243B2 JP 6925243 B2 JP6925243 B2 JP 6925243B2 JP 2017218558 A JP2017218558 A JP 2017218558A JP 2017218558 A JP2017218558 A JP 2017218558A JP 6925243 B2 JP6925243 B2 JP 6925243B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
gas
cleaning
substrate holder
processing container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017218558A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019091763A (ja
Inventor
岡田 充弘
充弘 岡田
豊 本山
豊 本山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2017218558A priority Critical patent/JP6925243B2/ja
Priority to KR1020180137390A priority patent/KR102443968B1/ko
Priority to US16/186,921 priority patent/US10676820B2/en
Priority to CN201811346299.0A priority patent/CN109778140B/zh
Publication of JP2019091763A publication Critical patent/JP2019091763A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6925243B2 publication Critical patent/JP6925243B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24Deposition of silicon only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/28Deposition of only one other non-metal element
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、クリーニング方法及び成膜方法に関する。
処理容器内に所定の回転軸の周りに回転可能に設けられ、複数の基板を上下方向に所定間隔を有して略水平に保持するウエハボートを使用して、複数の基板に一括で熱処理を行う縦型熱処理装置が知られている。縦型熱処理装置では、熱処理を繰り返し行うと、処理容器の内壁やウエハボートに反応生成物が付着する。付着した反応生成物は、パーティクルとなって浮遊し、基板に付着して歩留まりの低下を引き起こす場合がある。
そこで、従来では、処理容器内に三フッ化塩素(ClF)ガス等のフッ素含有ガスを導入して処理容器の内壁やウエハボートに付着した反応生成物を除去するクリーニングを行っている(例えば、特許文献1参照)。
特開平4−157161号公報
しかしながら、上記の方法では、クリーニングを行った後に成膜処理を行うと、処理容器内に残留したフッ素が下地表面上に吸着、及び膜中に混入し、デバイス特性が低下する場合がある。
そこで、本発明の一態様では、下地表面上へのフッ素の吸着、及び膜中へのフッ素の混入を防止することが可能なクリーニング方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るクリーニング方法は、処理容器内において、基板保持具に搭載された基板にシリコン膜、ゲルマニウム膜又はシリコンゲルマニウム膜を成膜する成膜処理を実行する成膜装置のクリーニング方法であって、前記成膜処理後に前記処理容器から前記基板保持具を搬出する工程と、搬出された前記基板保持具に付着されている前記シリコン膜、前記ゲルマニウム膜又は前記シリコンゲルマニウム膜に自然酸化膜が形成されないように前記基板が冷却されるまで前記基板保持具を露点管理された雰囲気で保管する工程と、保管された前記基板保持具に前記基板が搭載されていない状態で前記処理容器に前記基板保持具を搬入する工程と、前記処理容器内にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給して前記基板保持具を含む前記処理容器内に付着している前記シリコン膜、前記ゲルマニウム膜又は前記シリコンゲルマニウム膜をエッチングして除去するクリーニング工程と、を含む。
開示のクリーニング方法によれば、膜中へのフッ素の混入を防止することができる。
本発明の実施形態に係るクリーニング方法を実施するための成膜装置の一例の概略図 第1実施形態に係る成膜方法の一例を示すフローチャート 第2実施形態に係る成膜方法の一例を示すフローチャート
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
〔成膜装置〕
本発明の実施形態に係るクリーニング方法を実施するための成膜装置について、複数の基板に一括で処理を行うバッチ式の縦型熱処理装置を例に挙げて説明する。但し、本発明の実施形態に係るクリーニング方法は、縦型熱処理装置とは異なる装置、例えば基板を1枚ずつ処理する枚葉式の装置にも適用可能である。図1は、本発明の実施形態に係るクリーニング方法を実施するための成膜装置の一例の概略図である。
図1に示されるように、成膜装置1は、加熱炉2を備えている。加熱炉2は、天井部を備えた筒状の断熱体3と、断熱体3の内周面に設けられたヒータ4とを有する。加熱炉2は、ベースプレート5上に設置されている。加熱炉2内には、処理容器10が設けられている。
処理容器10は、二重管構造をなしており、上端が閉口した外管11と、外管11内に同心状に配置された内管12とを有する。外管11及び内管12は、石英等の耐熱性材料により形成されている。処理容器10の外側は、ヒータ4によって囲まれている。
外管11及び内管12は、各々その下端にてステンレス鋼等により形成される筒状のマニホールド13に保持されている。マニホールド13の下端開口部には、開口部を気密に封止するためのキャップ部14が開閉自在に設けられている。
キャップ部14の中心部には、例えば磁気シールにより気密な状態で回転可能な回転軸15が挿通されており、回転軸15の下端は昇降台16の回転機構17に接続され、上端はターンテーブル18に固定されている。ターンテーブル18には、保温筒19を介して基板である半導体ウエハ(以下「ウエハW」という。)を保持する基板保持具であるウエハボート20が載置されている。ウエハボート20は、炭化珪素(SiC)、石英等の耐熱性材料により形成されている。ウエハボート20は、複数(例えば50〜150枚)のウエハWを上下方向に所定間隔を有して略水平に保持する。
そして、昇降機構(図示せず)により昇降台16を昇降させることにより、ウエハボート20を処理容器10内へ搬入搬出可能となっている。ウエハボート20を処理容器10内に搬入した際に、キャップ部14がマニホールド13に密接し、その間が気密にシールされる。
成膜装置1は、成膜ガス供給機構21と、クリーニングガス供給機構22と、不活性ガス供給機構23と、を有する。
成膜ガス供給機構21は、処理容器10内へ成膜ガスを導入する。成膜ガス供給機構21は、成膜ガス供給源25と、成膜ガス配管26と、成膜ガスノズル26aとを有する。成膜ガス配管26は、成膜ガス供給源25から成膜ガスを導く。成膜ガス配管26には、開閉弁27と、マスフローコントローラ等の流量制御器28とが介設されており、成膜ガスの流量を制御しつつ供給可能となっている。成膜ガスノズル26aは、石英製であり、成膜ガス配管26に接続され、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられている。成膜ガスとしては、アモルファスシリコン膜、ポリシリコン膜等のシリコン膜を成膜する場合には、モノシラン(SiH)ガス、ジシラン(Si)ガス等のシラン系ガスを用いることができる。また、ゲルマニウム膜を成膜する場合には、モノゲルマン(GeH)ガス、ジゲルマン(Ge)ガス等のゲルマン系ガスを用いることができる。また、シリコンゲルマニウム膜を成膜する場合には、シラン系ガスとゲルマン系ガスとを用いることができる。
クリーニングガス供給機構22は、処理容器10内へクリーニングガスを導入する。クリーニングガス供給機構22は、クリーニングガス供給源29と、クリーニングガス配管30と、クリーニングガスノズル30aとを有する。クリーニングガス配管30は、クリーニングガス供給源29からクリーニングガスを導く。クリーニングガス配管30には、開閉弁31と、マスフローコントローラ等の流量制御器32とが介設されており、クリーニングガスの流量を制御しつつ供給可能となっている。クリーニングガスノズル30aは、クリーニングガス配管30に接続され、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられている。クリーニングガスとしては、塩素(Cl)ガス、塩化水素(HCl)ガス、臭素(Br)ガス、臭化水素(HBr)ガス、ヨウ化水素(HI)ガス等のフッ素(F)を含まないハロゲン含有ガスを用いることができる。
不活性ガス供給機構23は、処理容器10内へパージガス等として用いられる不活性ガスを導入する。不活性ガス供給機構23は、不活性ガス供給源33と、不活性ガス配管34と、不活性ガスノズル34aとを有する。不活性ガス配管34は、不活性ガス供給源33から不活性ガスを導く。不活性ガス配管34には、開閉弁35と、マスフローコントローラ等の流量制御器36が介設されており、不活性ガスの流量を制御しつつ供給可能になっている。不活性ガスノズル34aは、不活性ガス配管34に接続され、マニホールド13の側壁下部を貫通して設けられている。不活性ガスとしては、Arガス等の希ガス、Nガス等を用いることができる。
マニホールド13の側壁の上部には、外管11と内管12との間隙から処理ガスを排出するための排気管38が接続されている。排気管38は、処理容器10内を排気するための真空ポンプ39に連結されている。排気管38には、圧力調整バルブ等を含む圧力調整機構40が介設されている。これにより、真空ポンプ39で処理容器10内を排気しつつ圧力調整機構40で処理容器10内を所定の圧力に調整可能となっている。
成膜装置1は、制御部50を有する。制御部50は、例えばコンピュータであり、CPUと、ユーザインタフェースと、記憶部とを有する。CPUは、成膜装置1の各構成部、例えばバルブ類、マスフローコントローラ、ヒータ電源、昇降機構等の駆動機構を制御する。ユーザインタフェースは、オペレータが成膜装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。記憶部は、成膜装置1で実行される各種の処理のパラメータや、処理条件に応じて成膜装置1の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわち処理レシピ等を格納する。制御部50は、ユーザインタフェースからの指示等にて任意の処理レシピを記憶部から呼び出してコンピュータに実行させる。これにより、CPUの制御の下で、成膜装置1での所定の処理が行われる。
〔成膜方法〕
(第1実施形態)
次に、第1実施形態に係るクリーニング方法を含む成膜方法の一例について説明する。図2は、第1実施形態に係る成膜方法の一例を示すフローチャートである。第1実施形態に係る成膜方法は、制御部50が成膜装置1の各構成部を制御することによって繰り返し実行される。
以下、原料ガスとしてSiHガスを用いてポリシリコン膜を成膜し、クリーニングガスとしてClガスを用いて処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜を除去する場合を例に挙げて説明する。
図2に示されるように、本発明の実施形態に係る成膜方法は、成膜工程S1と、クリーニング工程S2と、を含む。
成膜工程S1は、処理容器10内において、ウエハボート20に搭載されたウエハWにシリコン膜、ゲルマニウム膜又はシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程である。本実施形態では、最初に、搬送装置(図示せず)を用いて、FOUP(Front-Opening Unified Pod)等の搬送容器(図示せず)から処理容器10の外部に保管されたウエハボート20にウエハWを搬送して搭載する。続いて、ターンテーブル18に保温筒19を介して複数のウエハWを搭載したウエハボート20を載置し、昇降台16を上昇させることにより、マニホールド13の下端開口部から処理容器10内へウエハボート20を搬入する。続いて、処理容器10内を所定圧力に調整した後、成膜ガス供給源25から成膜ガス配管26を介して処理容器10内に成膜ガスとして所定流量のSiHガスを供給し、ウエハボート20を回転させた状態で、所定温度(例えば620℃)でポリシリコン膜の成膜を実施する。ウエハボート20の材質としては、ウエハWがシリコンウエハである場合には、SiC製であることが好ましい。これは、SiCとSiとの熱膨張係数の差が小さいので、ウエハを搭載したウエハボート20を昇温した時にウエハボート20とウエハWとが略一体となって膨張するため両者間での擦れが少なく、パーティクルの発生抑止効果があるためである。成膜終了後、成膜ガスであるSiHガスの供給を停止し、真空ポンプ39により排気管38を介して処理容器10内を排気し、且つ不活性ガス供給源33から不活性ガス配管34を介して処理容器10内に不活性ガスを供給して処理容器10内をパージする。続いて、処理容器10内を常圧に戻した後、昇降台16を下降させてウエハボート20を露点管理された雰囲気にある領域に搬出する。露点管理された雰囲気とは、不活性ガス雰囲気、ドライエア雰囲気、又は真空雰囲気を意味する。搬出されたウエハボート20に搭載されたウエハWは、露点管理された雰囲気にある領域で冷却された後、搬送装置(図示せず)により、ウエハボート20からFOUP(Front-Opening Unified Pod)等の搬送容器に回収される。このように、ウエハボート20は、処理容器10内から搬出された後、露点管理された雰囲気にある領域で保管される。
クリーニング工程S2は、処理容器10内に、成膜工程S1の後に露点管理された雰囲気で保管され、ウエハWを搭載しないウエハボート20を収容した状態で、処理容器10内にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給してウエハボート20に付着しているシリコン膜、ゲルマニウム膜又はシリコンゲルマニウム膜をエッチングして除去する工程である。本実施形態では、ターンテーブル18に保温筒19を介して、成膜工程S1の後に露点管理された雰囲気で保管され、ウエハWを搭載しないウエハボート20を載置し、昇降台16を上昇させることにより、マニホールド13の下端開口部から処理容器10内へウエハボート20を搬入する。続いて、処理容器10内を所定圧力に調整し、処理容器10の壁面を所定温度に調整した後、クリーニングガス供給源29からクリーニングガス配管30を介して処理容器10内にクリーニングガスとして所定流量のClガスを供給し、成膜工程S1において処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜をエッチングして除去する。所定温度は、高いエッチングレートを確保してクリーニング工程S2に要する時間を短縮できるという観点から、300℃以上であることが好ましく、400℃以上であることがより好ましい。また、所定温度は、処理容器10の内壁及びウエハボート20がエッチングされて損傷することを防止するという観点から、700℃未満であることが好ましく、600℃以下であることがより好ましい。なお、クリーニングガスと共に、不活性ガス供給源33から不活性ガス配管34を介して処理容器10内に不活性ガスを供給してもよい。
ところで、Clガスは、SiO及びSiCに対するポリシリコン膜のエッチング選択比が大きいガスである。また、本実施形態では、成膜工程S1が終了してからクリーニング工程S2を開始するまでの間、ウエハボート20が露点管理された雰囲気で保管されているので、ウエハボート20に付着したポリシリコン膜の表面には自然酸化膜が形成されていない。これにより、クリーニング工程S2では、Clガスに曝露された処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜が選択的にエッチングされて除去される。一方、処理容器10は石英(SiO)等の耐熱性材料により形成され、ウエハボート20は石英(SiO)、SiC等の耐熱性材料により形成されているので、Clガスによりほとんどエッチングされない。そのため、処理容器10及びウエハボート20に損傷を与えることなく、処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜を除去することができる。
クリーニング終了後、クリーニングガスであるClガスの供給を停止し、真空ポンプ39により排気管38を介して処理容器10内を排気し、且つ不活性ガス供給源33から不活性ガス配管34を介して処理容器10内に不活性ガスを供給して処理容器10内をパージする。続いて、処理容器10内を常圧に戻した後、昇降台16を下降させてウエハボート20を露点管理された雰囲気にある領域に搬出する。
以上に説明したように、第1実施形態では、クリーニング工程S2において、処理容器10内に、成膜処理の後に露点管理された雰囲気で保管され、ウエハWを搭載しないウエハボート20を収容した状態で、処理容器10内にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給してウエハボート20を含む処理容器10内に付着しているポリシリコン膜をエッチングして除去する。これにより、クリーニング工程S2において処理容器10内にフッ素(F)が導入されることがない。そのため、下地表面上へのフッ素(F)の吸着、及び膜中へのフッ素(F)の混入を防止することができる。
また、第1実施形態では、処理容器10及びウエハボート20の材料であるSiO及びSiCに対するポリシリコン膜のエッチング選択比が大きいClガスを用いてクリーニングを行う。これにより、処理容器10及びウエハボート20が損傷することがほとんどない。
また、第1実施形態では、クリーニング工程S2が、成膜工程S1が行われるごとに実行される。言い換えると、成膜工程S1とクリーニング工程S2とが交互に繰り返し実行される。これにより、成膜工程S1において処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着するポリシリコン膜の膜厚が厚くなる前に、クリーニング工程S2によって除去される。そのため、処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜が剥離して処理容器10でパーティクルとして浮遊してウエハWに付着することを防止できる。さらに、成膜工程S1を行う際の処理容器10内の状態が略同一となるので、プロセス安定性が向上する。
なお、上記の実施形態では、成膜工程S1においてポリシリコン膜を成膜する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、成膜工程S1において成膜する膜は、アモルファスシリコン膜等の別のシリコン膜であってもよく、ゲルマニウム膜、シリコンゲルマニウム膜であってもよい。また、シリコン膜、ゲルマニウム膜、及びシリコンゲルマニウム膜は、ノンドープの膜であってもよく、カーボン(C)、リン(P)、ボロン(B)等がドーピングされた膜であってもよい。
また、上記の実施形態では、クリーニング工程S2において、クリーニングガスとしてClガスを用いる場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。クリーニングガスは、フッ素を含まないハロゲンガスであればよく、例えばHClガス、Brガス、HBrガス、HIガスであってもよい。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係るクリーニング方法を含む成膜方法の一例について説明する。図3は、第2実施形態に係る成膜方法の一例を示すフローチャートである。第2実施形態に係る成膜方法は、制御部50が成膜装置1の各構成部を制御することによって繰り返し実行される。
以下、原料ガスとしてSiHガスを用いてポリシリコン膜を成膜し、クリーニングガスとしてClガスを用いて処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜を除去する場合を例に挙げて説明する。
図3に示されるように、本発明の実施形態に係る成膜方法は、予め設定された所定回数を超えるまで成膜工程S11を繰り返し実行し、所定回数を越えた後にクリーニング工程S13を実行する。所定回数は、成膜工程S11において処理容器10の内壁及びウエハボート20に付着した膜が剥離する膜厚に到達しない回数であればよく、成膜工程S11において成膜する膜種に応じて定めることができる。成膜工程S11は、第1実施形態の成膜工程S1と同様とすることができる。クリーニング工程S13は、第1実施形態のクリーニング工程S2と同様とすることができる。また、クリーニング工程S13において、処理容器10及びウエハボート20に付着した膜を除去した後、処理容器10内にウエハボート20を収容した状態で、次の成膜工程S11において成膜する膜と同様の膜を成膜してもよい。
以上に説明したように、第2実施形態では、クリーニング工程S13において、処理容器10内に、成膜処理の後に露点管理された雰囲気で保管され、ウエハWを搭載しないウエハボート20を収容した状態で、処理容器10内にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給してウエハボート20を含む処理容器10内に付着しているポリシリコン膜をエッチングして除去する。これにより、クリーニング工程S13において処理容器10内にフッ素(F)が導入されることがない。そのため、下地表面上へのフッ素(F)の吸着、及び膜中へのフッ素(F)の混入を防止することができる。
また、第2実施形態では、処理容器10及びウエハボート20の材料であるSiO及びSiCに対するポリシリコン膜のエッチング選択比が大きいClガスを用いてクリーニングを行う。これにより、処理容器10及びウエハボート20が損傷することがほとんどない。
なお、上記の実施形態では、成膜工程S11においてポリシリコン膜を成膜する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、成膜工程S11において成膜する膜は、アモルファスシリコン膜等の別のシリコン膜であってもよく、ゲルマニウム膜、シリコンゲルマニウム膜であってもよい。また、シリコン膜、ゲルマニウム膜、及びシリコンゲルマニウム膜は、ノンドープの膜であってもよく、カーボン(C)、リン(P)、ボロン(B)等がドーピングされた膜であってもよい。
また、上記の実施形態では、クリーニング工程S13において、クリーニングガスとしてClガスを用いる場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。クリーニングガスは、フッ素を含まないハロゲンガスであればよく、例えばHClガス、Brガス、HBrガス、HIガスであってもよい。
〔実施例〕
次に、本発明の実施形態に係るクリーニング方法による効果について、以下の実施例を用いて説明する。
(実施例1)
実施例1では、SiCのClガスに対するエッチング耐性について評価した。
まず、SiC製チップを用意し、光学顕微鏡によりSiC製チップの表面状態を観察し、且つSiC製チップの質量を測定した。
続いて、前述した成膜装置1のウエハボート20にSiC製チップを載置した後、処理容器10内に収容し、前述したクリーニング工程を実行した。なお、クリーニング工程における処理条件は以下の通りである。
<処理条件>
Clガスの流量:2000sccm
Clガスの供給時間:約200分
処理容器10の壁面温度:550℃
続いて、光学顕微鏡によりクリーニング工程の後のSiC製チップの表面状態を観察し、且つSiC製チップの質量を測定した。
SiC製チップの表面状態の観察の結果、クリーニング工程の前後におけるSiC製チップの表面状態に違いは認められなかった。また、SiC製チップの質量測定の結果、クリーニング工程の前後におけるSiC製チップの質量に違いは認められなかった。これらのことから、550℃の温度において、SiCはClガスに対するエッチング耐性を有すると考えられる。
(実施例2)
実施例2では、実施例1よりも高い温度(600℃)でSiCのClガスに対するエッチング耐性について評価した。
まず、SiC製チップを用意し、光学顕微鏡によりSiC製チップの表面状態を観察し、且つSiC製チップの質量を測定した。
続いて、前述した成膜装置1のウエハボート20にSiC製チップを載置した後、処理容器10内に収容し、前述したクリーニング工程を実行した。なお、クリーニング工程における処理条件は以下の通りである。
<処理条件>
Clガスの流量:2000sccm
Clガスの供給時間:約70分
処理容器10の壁面温度:600℃
続いて、光学顕微鏡によりクリーニング工程の後のSiC製チップの表面状態を観察し、且つSiC製チップの質量を測定した。
SiC製チップの表面状態の観察の結果、クリーニング工程の前後におけるSiC製チップの表面状態に違いは認められなかった。また、SiC製チップの質量測定の結果、クリーニング工程の前後におけるSiC製チップの質量に違いは認められなかった。これらのことから、600℃の温度において、SiCはClガスに対するエッチング耐性を有すると考えられる。
(実施例3)
実施例3では、Clガスを用いたクリーニングにより、ウエハボート20に付着したポリシリコン膜が除去されるかについて評価した。
まず、ウエハWが搭載されておらず、厚さが100nmのポリシリコン膜が付着したウエハボート20を処理容器10内に収容した状態で、Clガスを用いてクリーニング工程を実施した。なお、クリーニング工程における処理条件は以下の通りである。
<処理条件>
Clガスの流量:2000sccm
Clガスの供給時間:5分
処理容器10の壁面の温度:600℃
続いて、ウエハボート20に付着したポリシリコン膜が除去されたか否かを目視で確認した。
Clガスを用いて上記の処理条件でクリーニング工程を実施した結果、クリーニング工程の前にウエハボート20に付着していたポリシリコン膜が除去されていることが確認できた。このことから、Clガスを用いたクリーニングにより、ウエハボート20に付着したポリシリコン膜を除去できると考えられる。
(実施例4)
実施例4では、クリーニング工程がウエハボート20に与える損傷の有無について評価した。
まず、ウエハWが搭載されておらず、厚さが1.5μmのポリシリコン膜が付着したウエハボート20を処理容器10内に収容した状態で、Clガスを用いてクリーニング工程を実施した。なお、クリーニング工程における処理条件は以下の通りである。
<処理条件>
Clガスの流量:2000sccm
Clガスの供給時間:約70分
処理容器10の壁面の温度:600℃
ウエハボート20:SiC製
続いて、光学顕微鏡により、ウエハボート20に損傷が生じていないかを確認した。
Clガスを用いて上記の処理条件でクリーニング工程を実施した結果、クリーニング工程の前にウエハボート20に付着していたポリシリコン膜が除去されていた。また、光学顕微鏡での観察の結果、ウエハボート20の形状に変化は見られなかった。これらのことから、Clガスを用いたクリーニングによって、SiC製のウエハボート20に損傷が生じないと考えられる。
(実施例5)
実施例5では、クリーニング工程が成膜工程で成膜されるポリシリコン膜の膜厚に与える影響の有無について評価した。
まず、前述した成膜工程によりウエハW上にポリシリコン膜を成膜した後、前述したクリーニング工程により処理容器10及びウエハボート20に付着したポリシリコン膜を除去し、その後、前述した成膜工程によりウエハW上にポリシリコン膜を成膜した。また、クリーニング工程の前後の成膜工程において成膜されたポリシリコン膜の膜厚を測定した。なお、クリーニング工程における処理条件は以下の通りである。
<処理条件>
Clガスの流量:2000sccm
Clガスの供給時間:約70分
処理容器10の壁面の温度:600℃
クリーニング工程の前後のポリシリコン膜の膜厚の測定結果を表1に示す。表1において、「TOP」はウエハボート20の上部に配置されたウエハW、「CTR」はウエハボート20の中央に配置されたウエハ、「BTM」はウエハボート20の下部に配置されたウエハに成膜されたポリシリコン膜の膜厚の測定結果を示す。
Figure 0006925243
表1に示されるように、ポリシリコン膜の膜厚の平均値及び面内均一性は、ウエハボート20の上下方向の位置に関わらず、クリーニング工程の前後でほとんど変化していないことが確認できた。また、ポリシリコン膜の膜厚の面間均一性は、クリーニング工程の前後でほとんど変化していないことが確認できた。これらのことから、クリーニング工程が成膜工程で成膜されるポリシリコン膜の膜厚に与える影響は小さいと考えられる。
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
例えば、上記の成膜装置1において、処理容器10を介さずに排気管38にフッ素含有ガスを供給可能なフッ素含有ガス供給源を備えていてもよい。これにより、処理容器10内にフッ素を供給することなく、排気管38内に付着した反応生成物を効率的に除去することができる。
また、上記の実施形態では、基板がウエハである場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板はガラス基板、LCD基板等であってもよい。
1 成膜装置
10 処理容器
20 ウエハボート
22 クリーニングガス供給機構
W ウエハ

Claims (13)

  1. 処理容器内において、基板保持具に搭載された基板にシリコン膜、ゲルマニウム膜又はシリコンゲルマニウム膜を成膜する成膜処理を実行する成膜装置のクリーニング方法であって、
    前記成膜処理後に前記処理容器から前記基板保持具を搬出する工程と、
    搬出された前記基板保持具に付着されている前記シリコン膜、前記ゲルマニウム膜又は前記シリコンゲルマニウム膜に自然酸化膜が形成されないように前記基板が冷却されるまで前記基板保持具を露点管理された雰囲気で保管する工程と、
    保管された前記基板保持具に前記基板が搭載されていない状態で前記処理容器に前記基板保持具を搬入する工程と、
    記処理容器内にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給して前記基板保持具を含む前記処理容器内に付着している前記シリコン膜、前記ゲルマニウム膜又は前記シリコンゲルマニウム膜をエッチングして除去するクリーニング工程と、
    を含む、
    クリーニング方法。
  2. 前記クリーニング工程は、前記成膜処理が行われるごとに実行される、
    請求項1に記載のクリーニング方法。
  3. 前記クリーニング工程は、前記成膜処理が複数回行われた後に実行される、
    請求項1に記載のクリーニング方法。
  4. 前記クリーニング工程は、前記処理容器の壁面を300℃以上700℃未満の温度に加熱して行われる、
    請求項1乃至3のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  5. 前記クリーニング工程は、前記処理容器の壁面を400℃以上600℃以下の温度に加熱して行われる、
    請求項1乃至3のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  6. 前記基板保持具は、炭化珪素又は石英により形成されている、
    請求項1乃至5のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  7. 前記基板保持具は、複数の前記基板を上下方向に所定間隔を有して略水平に保持する、
    請求項1乃至6のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  8. 前記ハロゲン含有ガスは、Clガス、HClガス、Brガス、HBrガス、又はHIガスである、
    請求項1乃至7のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  9. 前記露点管理された雰囲気は、不活性ガス雰囲気、ドライエア雰囲気、又は真空雰囲気である、
    請求項1乃至8のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  10. 処理容器内において、基板保持具に搭載された基板にシリコン膜、ゲルマニウム膜又はシリコンゲルマニウム膜を成膜する成膜工程と、
    前記成膜工程が行われた後に前記処理容器から前記基板保持具を搬出する工程と、
    搬出された前記基板保持具に付着されている前記シリコン膜、前記ゲルマニウム膜又は前記シリコンゲルマニウム膜に自然酸化膜が形成されないように前記基板が冷却されるまで前記基板保持具を露点管理された雰囲気で保管する工程と、
    保管された前記基板保持具に前記基板が搭載されていない状態で前記処理容器に前記基板保持具を搬入する工程と、
    記処理容器内にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給して前記基板保持具を含む前記処理容器内に付着している前記シリコン膜、前記ゲルマニウム膜又は前記シリコンゲルマニウム膜をエッチングして除去するクリーニング工程と、
    を含む、
    成膜方法。
  11. 前記成膜工程と前記クリーニング工程とが交互に繰り返し実行される、
    請求項10に記載の成膜方法。
  12. 前記成膜工程が複数回行われた後に前記クリーニング工程が実行される、
    請求項10に記載の成膜方法。
  13. 前記ハロゲン含有ガスは、HClガス、Br ガス、HBr、又はHIガスである、
    請求項1乃至9のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
JP2017218558A 2017-11-13 2017-11-13 クリーニング方法及び成膜方法 Active JP6925243B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017218558A JP6925243B2 (ja) 2017-11-13 2017-11-13 クリーニング方法及び成膜方法
KR1020180137390A KR102443968B1 (ko) 2017-11-13 2018-11-09 클리닝 방법 및 성막 방법
US16/186,921 US10676820B2 (en) 2017-11-13 2018-11-12 Cleaning method and film forming method
CN201811346299.0A CN109778140B (zh) 2017-11-13 2018-11-13 清洁方法和成膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017218558A JP6925243B2 (ja) 2017-11-13 2017-11-13 クリーニング方法及び成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019091763A JP2019091763A (ja) 2019-06-13
JP6925243B2 true JP6925243B2 (ja) 2021-08-25

Family

ID=66431942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017218558A Active JP6925243B2 (ja) 2017-11-13 2017-11-13 クリーニング方法及び成膜方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10676820B2 (ja)
JP (1) JP6925243B2 (ja)
KR (1) KR102443968B1 (ja)
CN (1) CN109778140B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6597740B2 (ja) * 2017-08-30 2019-10-30 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7365820B2 (ja) * 2019-08-20 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び基板処理装置
CN111346871A (zh) * 2020-03-13 2020-06-30 浙江晶科能源有限公司 一种lpcvd石英舟的清理方法及清理设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222518A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JP3047248B2 (ja) 1990-10-19 2000-05-29 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
US6042654A (en) * 1998-01-13 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Method of cleaning CVD cold-wall chamber and exhaust lines
JP2001185489A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Tokyo Electron Ltd クリ−ニング方法
US20030221708A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Chun-Hao Ly Method of cleaning a semiconductor process chamber
TWI365919B (en) * 2004-12-28 2012-06-11 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method of using the same
JP4640800B2 (ja) * 2005-06-22 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 被処理体の処理方法、処理装置、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP4939864B2 (ja) * 2006-07-25 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP2008218984A (ja) * 2007-02-06 2008-09-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP6393574B2 (ja) * 2014-10-09 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190054958A (ko) 2019-05-22
CN109778140A (zh) 2019-05-21
US20190144994A1 (en) 2019-05-16
CN109778140B (zh) 2022-07-12
KR102443968B1 (ko) 2022-09-19
US10676820B2 (en) 2020-06-09
JP2019091763A (ja) 2019-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6159536B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の保守方法及び移載方法並びにプログラム
JP5393895B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5495847B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および基板処理方法
US5294262A (en) Method of cleaning a process tube with ClF3 gas and controlling the temperature of process
JP5084508B2 (ja) クリーニング方法
US7938080B2 (en) Method for using film formation apparatus
JP5902073B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
US8808452B2 (en) Silicon film formation apparatus and method for using same
JP6925243B2 (ja) クリーニング方法及び成膜方法
JP2014067796A5 (ja)
JP2008085198A (ja) 半導体装置の製造方法
JP5235142B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2020087993A (ja) ポリシリコン膜の形成方法及び成膜装置
TWI579947B (zh) 處理基板的設備
WO2014192870A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
JP2008277777A (ja) 半導体装置の製造方法
JP6584348B2 (ja) 凹部の埋め込み方法および処理装置
JP2021057439A (ja) 成膜方法、及び成膜装置
KR20200011876A (ko) 성막 방법 및 성막 장치
US20220364228A1 (en) Cleaning method and substrate processing apparatus
JP2009177202A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2009289807A (ja) 半導体装置の製造方法
JP7190915B2 (ja) 基板処理装置の洗浄方法、および基板処理装置
JP2013058561A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008227143A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200501

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210406

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210601

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210706

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210803

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6925243

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150