JP5235142B2 - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5235142B2 JP5235142B2 JP2009010610A JP2009010610A JP5235142B2 JP 5235142 B2 JP5235142 B2 JP 5235142B2 JP 2009010610 A JP2009010610 A JP 2009010610A JP 2009010610 A JP2009010610 A JP 2009010610A JP 5235142 B2 JP5235142 B2 JP 5235142B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing chamber
- silicon
- etching
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
れている。この両立を実現するために、MOSFETのソース/ドレインの課題として、
リーク電流低減及び低抵抗化などが求められており、これらの問題を解決する方法の一つ
としてソース/ドレイン上にシリコンエピタキシャル膜を選択成長させる方法がある。
同時供給する方法と、交互供給する方法の2つの方法がある。
の確保の両立が困難である。選択性を高めると基板の中央部が厚く周辺部が薄くなり均一
性が著しく低下する。また、均一性を確保すると、選択性が低下し絶縁膜上にも膜が成長
してしまうという問題があった。さらに、プロセスパラメータが非常に多くなるため、プ
ロセス制御が困難であるという問題や、成膜中にエッチングガスを導入することで成膜レ
ートが大幅に減少してしまうという問題があった。
プとエッチングのみを行うエッチングステップを有するが、成膜ステップでは、シリコン
上と絶縁膜上での成長開始時間の差を利用して選択成長を進めるために、選択性の確保で
きる条件が狭いという問題があった。さらに、エッチング力の強いガスによって絶縁膜上
に発生した核を取り除く際に、基板上の多結晶シリコン膜やシリコン基板等の膜質の違い
によるエッチング依存性よりエッチング量が異なり、必要以上にエッチングしてしまう部
分が発生してしまうという問題があった。
での膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることが困難であった
。
いエピタキシャル膜を成長させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面と
を備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給する第1のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第2の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第3の処
理ガスを供給する第2のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第1のガス供給工程と前記第2のガス供給工程とを少なくとも1回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させて
なる半導体装置の製造方法が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内に所定の膜を形成するための処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内を所定の圧力とし前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気部と、
少なくとも前記処理室内を第1の圧力とし、前記処理室内の前記基板を第1の温度に加熱した状態で、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを前記処理室内に供給し、前記基板のシリコン露出面に選択的に成膜し、
少なくとも前記処理室内を前記第1の圧力よりも高圧にし、若しくは前記処理室内の前記基板を第1の温度よりも高温にし、または前記第2の処理ガスより第2の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第3の処理ガスを供給し、前記シリコン酸化膜もしくは前記シリコン窒化膜上のシリコン核を除去するよう前記加熱機構及び前記ガス供給部、前記ガス排気部とを制御する制御部とが構成される基板処理装置が提供される。
ャル膜を成長させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置が提供される。
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC等)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行なう縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。
本発明の第1の実施形態における好ましい実施例を説明する。
本発明の第1の実施形態における好ましい実施例では、表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面も露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内にシラン系のガス(SiGeの混晶膜を成長する場合は、ゲルマン系のガスをも供給する)と同時に水素ガスおよびフッ素ガス、塩化水素ガスなどのエッチングガスを同時に導入することでシラン系もしくはゲルマン系ガスが気相中で反応するのを抑制しながらシリコン表面のみに選択的にシリコンエピタキシャル成長を行う第1のステップと、第1のステップで用いたエッチングガスよりエッチング力が強い塩素ガスなどのエッチングガスのみ導入してシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜上に付着したシリコン原子を除去する第2ステップとを順に所定回数繰返すことにより選択エピタキシャル成長を行う。このようにすることで、選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることが出来る。
プでは共にエッチングガスを使用する。第1ステップではエッチング力の弱いガス、例え
ば塩化水素のようなガスを用いることを特徴としており、基板上のシリコン表面に選択的
に膜厚均一性良く成膜することが可能となる。また、塩化水素のようなエッチング力の弱
いガスを使用することによって、基板周辺部だけが極端にエッチングされることを防ぎ、
面内の膜厚均一性を向上させることができる。また、基板表面のシリコン窒化膜や酸化膜
、シリコンの多結晶膜や単結晶膜などの膜質によるエッチング力の差を小さくすることが
可能となる。
シリコン膜成膜の初期段階のシリコン核が発生してしまう。第2ステップでは、この絶縁
膜上に発生したシリコン核の除去を小流量、短時間で行う目的でエッチング力の強いガス
であるフッ素系ガス、例えば、フッ素ガス、フッ化水素ガス、三フッ化窒素ガスなどのフ
ッ素およびフッ素化合物ガスや塩素系ガス、例えば、塩素ガス、や三フッ化塩素などのガ
スによってシリコンの核を取り除くことが可能になる。また、短時間でのエッチングが可
能なため、不純物拡散や形状変形などデバイス特性を劣化させるような熱による基板への
ダメージの低減、スループットを向上させることなどが可能となる。
ハキャリアとしてのカセット110が使用されている本発明の処理装置101は、筐体1
11を備えている。筐体111の正面壁111aの下方にはメンテナンス可能なように設
けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口
103を開閉する正面メンテナンス扉104が建て付けられている。メンテナンス扉10
4には、カセット搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111内外を連通す
るように開設されており、カセット搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬
入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。カセット搬入搬出口1
12の筐体111内側にはカセットステージ(基板収容器受渡し台)114が設置されて
いる。カセット110はカセットステージ114上に工程内搬送装置(図示せず)によっ
て搬入され、かつまた、カセットステージ114上から搬出されるようになっている。カ
セットステージ114は、工程内搬送装置によって、カセット110内のウエハ200が
垂直姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置されるよ
うに構成されている。
設置されており、カセット棚105は複数段複数列にて複数個のカセット110を保管し
、カセット110内のウエハ200を出し入れする可能となるように配置されている。カ
セット棚105はスライドステージ(水平移動機構)106上に横行可能に設置されてい
る。また、カセット棚105の上方にはバッファ棚(基板収容器保管棚)107が設置さ
れており、カセット110を保管するように構成されている。
器搬送装置)118が設置されている。カセット搬送装置118は、カセット110を保
持したまま昇降可能なカセットエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと搬送機構と
してのカセット搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、カセット
エレベータ118aとカセット搬送機構118bとの連続動作により、カセットステージ
114、カセット棚105、バッファ棚107との間で、カセット110を搬送するよう
に構成されている。
り、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移
載装置(基板移載装置)125aおよびウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエ
ハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。図1に模
式的に示されているように、ウエハ移載装置エレベータ125bは、筐体111左側
端部に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびウエハ移載装
置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125
cをウエハ200の載置部として、ボート(基板保持具)217に対してウエハ200を
装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。
リーンエアを供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット1
34aが設けられておりクリーンエアを筐体111の内部に流通させるように構成されて
いる。また、ウエハ移載装置エレベータ125b側と反対側である右側端部には、クリー
ンエアを供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成された図示しないクリーンユ
ニットが設置されており、クリーンユニットから吹き出されたクリーンエアは、ウエハ移
載装置125aを流通した後に、図示しない排気装置に吸い込まれて、筐体111の外部
に排気されるようになっている。
という。)を維持可能な機密性能を有する筐体(以下、耐圧筐体という。)140が設置
されており、この耐圧筐体140によりボート217を収容可能な容積を有するロードロ
ック方式の待機室であるロードロック室141が形成されている。
設されており、ウエハ搬入搬出口142はゲートバルブ(基板搬入搬出口開閉機構)14
3によって開閉されるようになっている。耐圧筐体140の一対の側壁にはロードロック
室141へ窒素ガス等の不活性ガスを給気するためのガス供給管144と、ロードロック
室141を負圧に排気するための図示しない排気管とがそれぞれ接続されている。
部は炉口ゲートバルブ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。
せるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエ
レベータ115に連結された連結具としての図示しないアームには蓋体としてのシールキ
ャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直
に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保
持するように構成されている。
図1に示されているように、カセット110がカセットステージ114に供給されるに先
立って、カセット搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放される。その
後、カセット110はカセット搬入搬出口112から搬入され、カセットステージ114
の上にウエハ200が垂直姿勢であって、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を
向くように載置される。
から救い上げられるとともに、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセ
ット110のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向90
°回転させられる。引き続いて、カセット110は、カセット搬送装置118によって、
カセット棚105ないしバッファ棚107の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け
渡され、一時的に保管された後、カセット搬送装置118によってカセット棚105に移
載されるか、もしくは直接カセット棚105に搬送される。
ト110をウエハ移載装置125aに対峙する様に位置決めする。
ゲートバルブ143の動作により開放されると、ウエハ200はカセット110からウエ
ハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップ
され、ウエハ搬入搬出口142を通じてロードロック室141に搬入され、ボート217
へ移載されて装填(ウエハチャージング)される。ボート217にウエハ200を受け渡
したウエハ移載装置125aはカセット110に戻り、次のウエハ110をボート217
に装填する。
142がゲートバルブ143によって閉じられ、ロードロック室141は排気管から真空
引きされることにより、減圧される。ロードロック室141が処理炉202内の圧力と同
圧に減圧されると、処理炉202の下端部が炉口ゲートバルブ147によって開放される
。続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されて、シール
キャップ219に支持されたボート217が処理炉202内へ搬入(ローディング)され
て行く。
は、ボートエレベータ115によりボート217が引き出され更に、ロードロック室14
0内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ143が開かれる。その後は、概上述の逆
の手順で、ウエハ200およびカセット110は筐体111の外部へ払出される。
図2は本発明の第1の実施形態で好適に用いられる処理装置の処理炉202及び処理炉周辺の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
タ206は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材より構成され、
図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。
205が配設されている。アウターチューブ205は、石英(SiO2)または炭化シリ
コン(SiC)等の耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され
ている。アウターチューブ205の内側の筒中空部には、処理室201が形成されており
、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段
に整列した状態で収容可能に構成されている。
ド209が配設されている。マニホールド209は、例えば、ステンレス等からなり、上
端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールド209はアウターチ
ューブ205を支持するように設けられている。尚、マニホールド209とアウターチュ
ーブ205との間には、シール部材としてのOリングが設けられている。このマニホール
ド209が図示しない保持体に支持されることにより、アウターチューブ205は垂直に
据え付けられた状態となっている。このアウターチューブ205とマニホールド209に
より反応容器が形成される。
貫通するよう設けられている。ガス供給管232は、上流側で4つに分かれており、バル
ブ521、522、523、524とガス流量制御装置としてのMFC(マスフローコン
トローラ)511、512、513、514を介して第1のガス供給源501、第2のガ
ス供給源502、第3のガス供給源503、第4のガス供給源504にそれぞれ接続され
ている。MFC511、512、513、514及びバルブ521、522、523、5
24には、ガス流量制御部235が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望
の流量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。尚、これらガス供給管232、バルブ521、522、523、524、MFC511、512、513、514、第1のガス供給源501、第2のガス供給源502、第3のガス供給源503、第4のガス供給源504にてガス供給部2321が構成されている。尚、ガス供給部としてはこの形態に限らず、例えば、ガス供給管232を複数設けるようにしても良い。また、例えば、バルブ521、MFC511、第1のガス供給源501を他のバルブ、MFC、ガス供給源と独立させてガス供給管を設けることで、第1ガス供給部として構成しても良い。また、バルブ522、MFC512、第2のガス供給源502を他のバルブ、MFC、ガス供給源と独立させてガス供給管を設けることで、第2ガス供給部として構成しても良い。また、バルブ523、MFC513、第3のガス供給源503を他のバルブ、MFC、ガス供給源と独立させてガス供給管を設けることで、第3ガス供給部として構成しても良い。また、バルブ524、MFC514、第4のガス供給源504を他のバルブ、MFC、ガス供給源と独立させてガス供給管を設けることで、第4ガス供給部として構成しても良い。
ガス排気管231の下流側には、図示しない圧力検出器としての圧力センサ及び圧力調整器としてのAPCバルブ242を介して真空ポンプ等の真空排気装置246が接続されている。圧力センサ及びAPCバルブ242には、圧力制御部236が電気的に接続されており、圧力制御部236は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてAPCバルブ242の開度を調節することにより、処理室201内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。尚、これらガス排気管231、圧力センサ、APCバルブ242、真空排気装置246にて処理室201内を所定の圧力とし処理室201内の雰囲気を排気するガス排気部2311が構成されている。
の炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、
例えばステンレス等の金属よりなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の
上面には、マニホールド209の下端と当接するシール部材としてのOリングが設けられ
ている。シールキャップ219には、回転機構254が設けられている。回転機構254
の回転軸255はシールキャップ219を貫通して後述するボート217に接続されてお
り、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。
シールキャップ219は、処理炉202の外側に設けられた昇降機構としての後述する昇
降モータ248によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート
217を処理室201に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構254及び
昇降モータ248には、駆動制御部237が電気的に接続されており、所望の動作をする
よう所望のタイミングにて制御するよう構成されている。
複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持
するように構成されている。尚、ボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐
熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板216が水平姿勢で多段に複数
枚配置されており、ヒータ206からの熱がマニホールド209側に伝わりにくくなるよ
う構成されている。
サ(図示せず)が設けられる。ヒータ206及び温度センサには、電気的に温度制御部2
38が接続されており、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ206への
通電具合を調節することにより処理室201内の温度が所望の温度分布となるよう所望の
タイミングにて制御するように構成されている。
給され、MFC511でその流量が調節された後、バルブ521を介して、ガス供給管2
32により処理室201内に導入される。
第2の処理ガスは、第2のガス供給源502から供給され、MFC512でその流量が調
節された後、バルブ522を介して、ガス供給管232により処理室201内に導入され
る。
第3の処理ガスは、第3のガス供給源503から供給され、MFC513でその流量が調
節された後、バルブ523を介して、ガス供給管232により処理室201内に導入され
る。
第4の処理ガスは、第4のガス供給源504から供給され、MFC514でその流量が調
節された後、バルブ524を介して、ガス供給管232により処理室201内に導入され
る。
処理室201内のガスは、ガス排気管231に接続された排気装置としての真空ポンプ2
46により、処理室201から排気される。
5には昇降台249と嵌合するガイドシャフト264及び昇降台249と螺合するボール
螺子244が設けられる。下基板245に立設したガイドシャフト264及びボール螺子
244の上端に上基板247が設けられる。ボール螺子244は上基板247に設けられ
た昇降モータ248により回転される。ボール螺子244が回転することにより昇降台2
49が昇降するように構成されている。
250の連結部は気密となっている。昇降シャフト250は昇降台249と共に昇降する
ようになっている。昇降シャフト250はロードロック室140の天板251を遊貫する
。昇降シャフト250が貫通する天板251の貫通穴は昇降シャフト250に対して接触
することがない様充分な余裕がある。ロードロック室140と昇降台249との間には昇
降シャフト250の周囲を覆うように伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ265
がロードロック室140を気密に保つために設けられる。ベローズ265は昇降台249
の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有し、ベローズ265の内径は昇降シャフト250
の外形に比べ充分に大きくベローズ265の伸縮で接触することがないように構成されて
いる。
下面にはOリング等のシール部材を介して駆動部カバー253が気密に取付けられる。昇
降基板252と駆動部カバー253とで駆動部収納ケース256が構成されている。この
構成により、駆動部収納ケース256内部はロードロック室140内の雰囲気と隔離され
る。
回転機構254の周辺は、冷却機構257により、冷却される。
を通って回転機構254に導かれて接続されている。又、冷却機構257、シールキャッ
プ219には冷却流路259が形成されており、冷却流路259には冷却水を供給する冷
却水配管260が接続され、昇降シャフト250の上端から昇降シャフト250の中空部
を通っている。
降シャフト250を介して駆動部収納ケース256を昇降させる。
ールキャップ219が処理炉202の開口部である炉口161を閉塞し、ウエハ処理が可
能な状態となる。駆動部収納ケース256が下降することにより、シールキャップ219
とともにボート217が降下され、ウエハ200を外部に搬出できる状態となる。
操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接
続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、
温度制御部238、主制御部239は、コントローラ240として構成されている。
200などの基板上に、Epi−Si膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説
明において、基板処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ240により制御され
る。
のウエハ200を保持したボート217は、昇降モータ248による昇降台249及び昇
降シャフト250の昇降動作により処理室201内に搬入(ボートローディング)される
。この状態で、シールキャップ219はOリングを介してマニホールド209の下端をシ
ールした状態となる。
排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサで測定され、この測定された
圧力に基づき圧力調節器242がフィードバック制御される。また、処理室201内が所
望の温度となるようにヒータ206により加熱される。この際、処理室201内が所望の
温度分布となるように温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合
がフィードバック制御される。続いて、回転機構254により、ボート217が回転され
ることでウエハ200が回転される。
ガス供給源504には、処理ガスとして、それぞれ第1の処理ガスとしてのシラン系ガス
又はハロゲン含有ガスであって例えばジクロルシランガス(SiH2Cl2)、第2の処
理ガスとしての塩化水素ガス(HCl)、第3の処理ガスとしての塩素ガス(Cl2)、第4の処理ガスとしての水素ガス(H2)が封入されており、次いで、これら処理ガス供給源からそれぞれの処理ガスが供給される。所望の流量となるようにMFC511、512、513、514の開度が調節された後、バルブ521、522、523、524が開かれ、それぞれの処理ガスがガス供給管232を流通して、処理室201の上部から処理室201内に導入される。
導入されたガスは、処理室201内を通り、ガス排気管231から排気される。処理ガス
は、処理室201内を通過する際にウエハ200と接触し、ウエハ200の表面上にEp
i−Si膜が選択エピタキシャル成長される。
され、処理室201内が不活性ガスで置換されると共に、処理室201内の圧力が常圧に
復帰される。
9の下端が開口されると共に、処理済ウエハ200がボート217に保持された状態でマ
ニホールド209の下端からアウターチューブ205の外部に搬出(ボートアンローディ
ング)される。その後、処理済のウエハ200は、ボート217より取出される(ウエハ
ディスチャージ)。
(ステップ302)。
エッチングガスとしての塩化水素ガスを同時に処理室201内に導入してウエハ200に
照射する(ステップ303)。このとき、処理室201の圧力は100Pa以上大気圧未満、ジクロルシランガス流量は1〜300sccm(1sccm以上300sccm以下)、塩化水素ガス流量は1〜300sccm(1sccm以上300sccm以下)、水素ガス流量は1〜20000sccm(1sccm以上20000sccm以下)とすることが好ましい。成膜ステップでは、これらのガスを同一ノズルから流すことにより、成膜ガスのみ、エッチングガスのみが反応することを避け、選択成長を行うことができるようなガス供給を行う。
ップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強い塩素ガスを処理室201内に導入
してウエハ200に照射する(ステップ304)。このとき、温度は第1のステップと同
じ温度で行うが、処理室201の圧力は1Pa以上50Pa以下程度の低圧下で行い、エッチングガスが基板周辺部のみでなく、基板中央部まで到達し反応できるようにすると好ましい。また、塩素ガス流量は1〜100sccm(1sccm以上100sccm以下)とすることが好ましい。さらに、第2ステップでは水素ガスを流量10〜5000sccm(10sccm以上5000sccm以下)、好ましくは、100
0〜3000sccm(1000sccm以上3000sccm以下)程度を流すと良い。
供給するパージステップを行う(ステップ305)。
膜の選択エピタキシャル成長を行う。また、成膜ステップ、エッチングステップ、パージ
ステップは順に所定回数繰り返しても良い。
ジクロルシランガスが気相中で反応するのを抑制しながらシリコン表面のみに選択的にシ
リコンエピタキシャル成長を行う。
化膜もしくはシリコン酸化膜上に付着したシリコン原子核を除去する。
塩素を除去する。
回数繰返す若しくは行うことにより、選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキ
シャル膜を成長させることが出来る。
50000sccm(10sccm以上5000sccm以下)、同じくキャリアガスとしての窒素ガスは1〜30000sccm(1sccm以上30000sccm以下)流
すことが好ましい。キャリアガスとしての水素ガスおよび窒素ガスは、成膜ガスやエッチ
ングガスと同時に流す。窒素ガスを流す場合には、窒素ガス供給源、MFCおよびバルブ
を備えるガス供給ラインをもう一本追加する。
択成長させた後は、ガスを止め、処理室201を排気する。
(1)表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面も露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内にシラン系のガス(SiGeの混晶膜を成長する場合は、ゲルマン系のガスをも供給する)と同時に水素ガスおよびフッ素ガス、塩化水素ガスなどのエッチングガスを同時に導入することでシラン系もしくはゲルマン系ガスが気相中で反応するのを抑制しながらシリコン表面のみに選択的にシリコンエピタキシャル成長を行う成膜ステップと、成膜ステップで用いたエッチングガスよりエッチング力が強い塩素ガスなどのエッチングガスを導入してシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜上に付着したシリコン原子を除去するエッチングステップとを順に少なくとも1回以上行うことにより選択エピタキシャル成長を行う。このようにすることで、選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることが出来る。
(2)成膜ステップではエッチング力の弱いガスを用いることで、基板上のシリコン表面に選択的に膜厚均一性良く成膜することが可能となる。また、エッチング力の弱いガスを使用することによって、基板周辺部だけが極端にエッチングされることを防ぎ、面内の膜厚均一性を向上させることができる。また、基板表面のシリコン窒化膜や酸化膜、シリコンの多結晶膜や単結晶膜などの膜質によるエッチング力の差を小さくすることが可能となる。
また、成膜ステップでは、エッチング力が弱いためにシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の絶縁膜上にもシリコン膜成膜の初期段階のシリコン原子やシリコン原子核が発生してしまうが、エッチングステップにおいて、この絶縁膜上に発生したシリコン原子核の除去を小流量、短時間で行う目的で成膜ステップよりもエッチング力の強いガスによってシリコン原子やシリコンの原子核を取り除くことが可能になる。また、低い温度で且つ短時間でのエッチングが可能となり、不純物拡散や形状変形などデバイス特性を劣化させるような熱による基板へのダメージの低減、スループットを向上させることなどが可能となる。
第2の実施形態について説明する。
第2の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、エッチングガスとして、成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガス、例えば塩素ガスを、処理室201内に導入してウエハ200に照射する際のガス供給量、処理室201内の圧力条件を第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
また、第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、下表1に示すように処理室201内に導入してウエハ200に照射する際に、エッチングガスとして、第1ステップである成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガスとして塩素ガスの供給量を1sccm以上300sccm以下とする。また、この時の処理室201内の圧力を50Pa以上大気圧未満とする。
すなわち、成膜ステップとエッチングステップとを、処理室201内の圧力条件とエッチングガスの供給量条件とを同様にして実施する。
第3の実施形態について説明する。
第3の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、エッチングガスとして、成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガス、例えば塩素ガスを、処理室201内に導入してウエハ200に照射する際のガス供給量、処理室201内の圧力条件を第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
また、第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、下表2に示すように処理室201内に導入してウエハ200に照射する際に、エッチングガスとして、第1ステップである成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガスとして塩素ガスを供給する際の処理室201内の圧力を1Pa以上20Pa以下とする。
すなわち、成膜ステップよりもエッチングステップの処理室201内の圧力を低くする。
第4の実施形態について説明する。
第4の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第1ステップである成膜ステップ(ステップ303)において、処理室201内の温度、特にウエハ200の温度条件と、第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、エッチングガスとして、成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガス、例えば塩素ガスを、処理室201内に導入してウエハ200に照射する際の処理室201内の温度、特にウエハ200の温度条件を、第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
また、第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、下表3に示すように処理室201内に導入してウエハ200に照射する際に、エッチングガスとして、第1ステップである成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガスとして塩素ガスを供給する際の処理室201内の温度、特にウエハ200の温度を、成膜ステップよりも高い温度であって、650℃より高く800℃以下に一時的に昇温させる。例えば、成膜ステップにおける処理室201内の温度を650℃とした場合、エッチングステップでは、800℃に一時的に昇温させる。これにより、エッチングステップにおいて、より一層エッチング力を高めることができる。また、より好ましくは、エッチングステップにおける処理室内201の温度は、成膜ステップからエッチングステップに移行する際には、成膜ステップと同じ温度とし、その後、一旦昇温させて、その後、降温させ、エッチングステップが終了する前に再び、成膜ステップと同じ温度に戻すようにすると良い。例えば、成膜ステップにおける処理室201内の温度を650℃とした場合、成膜ステップからエッチングステップに移行する際には、処理室201内の温度を650℃で維持し、その後、一旦800℃まで昇温させて、その後、降温させ、エッチングステップが終了する前に再び、成膜ステップと同じ温度である650℃に戻す。これにより、昇温・降温させる際にもエッチングすることができ、より一層エッチング時間を短縮することができる。
なお、エッチングステップ中に処理室201内の温度を一時的に昇温させることなく、すなわち、エッチングステップ中に処理室201内の温度を変化させることなく、エッチングステップ当初から成膜ステップより高温にし、一定温度でのエッチングを行う方法も有効である。
第5の実施形態について説明する。
第5の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第1ステップである成膜ステップ(ステップ303)において、処理室201内の圧力条件と、第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、エッチングガスとして、成膜ステップで用いたエッチングガス、例えば塩化水素ガスをそのまま使用して、処理室201内に導入してウエハ200に照射する際の処理室201内の圧力条件を第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
また、第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、下表4に示すように処理室201内に導入してウエハ200に照射する際に、エッチングガスとして、第1ステップである成膜ステップで用いたエッチングガス、例えば、塩化水素ガスをそのまま使用する。また、エッチングステップにおいて、エッチングガスを供給する際の処理室201内の圧力を、成膜ステップにおける処理室201内の圧力よりも一時的に高い圧力にする。例えば、エッチングステップにおける処理室201内の圧力を500Pa以上1000Pa以下に一時的に昇圧させる。これにより、エッチングステップにおいて、エッチング力を高めることができる。
また、より好ましくは、エッチングステップにおける処理室内201の圧力は、成膜ステップからエッチングステップに移行する際には、成膜ステップと同じ圧力とし、その後、一旦昇圧させて、その後、降圧させ、エッチングステップが終了する前に再び、成膜ステップと同じ圧力に戻すようにすると良い。例えば、成膜ステップにおける処理室201内の圧力を100Paとした場合、成膜ステップからエッチングステップに移行する際には、処理室201内の圧力を100Paで維持し、その後、一旦1000Paまで昇圧させて、その後、降圧させ、エッチングステップが終了する前に再び、成膜ステップと同じ圧力である100Paに戻す。これにより、昇圧・降圧させる際にもエッチングすることができ、より一層エッチング時間を短縮することができる。
なお、エッチングステップ中に処理室201内の圧力を一時的に昇圧させることなく、すなわち、エッチングステップ中に処理室201内の圧力を変化させることなく、エッチングステップ当初から成膜ステップより高圧にし、一定圧力でのエッチングを行う方法も有効である。
(1)表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面も露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内にシラン系のガス(SiGeの混晶膜を成長する場合は、ゲルマン系のガスをも供給する)と同時に水素ガスおよびフッ素ガス、塩化水素ガスなどのエッチングガスを同時に導入することでシラン系もしくはゲルマン系ガスが気相中で反応するのを抑制しながらシリコン表面のみに選択的にシリコンエピタキシャル成長を行う成膜ステップと、処理室内の圧力を成膜ステップよりも高い圧力とし、成膜ステップで用いたエッチングガスを導入してシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜上に付着したシリコン原子を除去するエッチングステップとを順に少なくとも1回以上行うことにより選択エピタキシャル成長を行う。このようにすることで、選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることが出来る。
(2)成膜ステップではエッチング力の弱いガスを用いることで、基板上のシリコン表面に選択的に膜厚均一性良く成膜することが可能となる。また、エッチング力の弱いガスを使用することによって、基板周辺部だけが極端にエッチングされることを防ぎ、面内の膜厚均一性を向上させることができる。また、基板表面のシリコン窒化膜や酸化膜、シリコンの多結晶膜や単結晶膜などの膜質によるエッチング力の差を小さくすることが可能となる。
また、成膜ステップでは、エッチング力が弱いためにシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の絶縁膜上にもシリコン膜成膜の初期段階のシリコン原子核が発生してしまうが、成膜ステップにおいて、この絶縁膜上に発生したシリコン原子核の除去を小流量、短時間で行う目的で成膜ステップと同じエッチングガスを用い、かつ成膜ステップよりも処理室内の圧力を高くすることでシリコン原子やシリコンの原子核を取り除くことが可能になる。また、低い温度で且つ短時間でのエッチングが可能となり、不純物拡散や形状変形などデバイス特性を劣化させるような熱による基板へのダメージの低減、スループットを向上させることなどが可能となる。
第6の実施形態について説明する。
第6の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、エッチングガスとして、成膜ステップで用いたエッチングガス、例えば塩化水素ガスをそのまま使用して、処理室201内に導入してウエハ200に照射する際の処理室201内へのエッチングガスの供給量を第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
(1)表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面も露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内にシラン系のガス(SiGeの混晶膜を成長する場合は、ゲルマン系のガスをも供給する)と同時に水素ガスおよびフッ素ガス、塩化水素ガスなどのエッチングガスを同時に導入することでシラン系もしくはゲルマン系ガスが気相中で反応するのを抑制しながらシリコン表面のみに選択的にシリコンエピタキシャル成長を行う成膜ステップと、成膜ステップで用いたエッチングガスを成膜ステップよりも処理室内へのエッチングガス供給量を多く導入して、シリコン窒化膜もしくはシリコン酸化膜上に付着したシリコン原子を除去するエッチングステップとを順に少なくとも1回以上行うことにより選択エピタキシャル成長を行う。このようにすることで、選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長させることが出来る。
(2)成膜ステップではエッチング力の弱いガスを用いることで、基板上のシリコン表面に選択的に膜厚均一性良く成膜することが可能となる。また、エッチング力の弱いガスを使用することによって、基板周辺部だけが極端にエッチングされることを防ぎ、面内の膜厚均一性を向上させることができる。また、基板表面のシリコン窒化膜や酸化膜、シリコンの多結晶膜や単結晶膜などの膜質によるエッチング力の差を小さくすることが可能となる。
また、成膜ステップでは、エッチング力が弱いためにシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の絶縁膜上にもシリコン膜成膜の初期段階のシリコン原子核が発生してしまうが、成膜ステップにおいて、この絶縁膜上に発生したシリコン原子核の除去を小流量、短時間で行う目的で成膜ステップと同じエッチングガスを用い、かつ成膜ステップよりも処理室内へ供給するエッチングガスの供給量を多くすることでシリコン原子やシリコンの原子核を取り除くことが可能になる。また、低い温度で且つ短時間でのエッチングが可能となり、不純物拡散や形状変形などデバイス特性を劣化させるような熱による基板へのダメージの低減、スループットを向上させることなどが可能となる。
第7の実施形態について説明する。
第7の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、第1ステップである成膜ステップで導入する成膜ガス、還元ガスを処理室201内にそのまま導入し続け、且つ、成膜ステップで用いたエッチングガスよりもエッチング力の強いガス、例えば塩素ガスを、処理室201内に導入する点において、第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
第8の実施形態について説明する。
第8の実施形態で、第1の実施形態と異なる点は、基板処理におけるプロセスシーケンスである。具体的には、主に第2ステップであるエッチングステップ(ステップ304)において、第1ステップである成膜ステップで導入する成膜ガス、還元ガス、エッチングガスを処理室201内にそのまま導入し続け、且つ処理室201内の温度、特にウエハ200の温度を成膜ステップ時の温度より低く且つ成膜ガスの熱分解温度よりも低い温度条件で行う点において、第1の実施形態と異ならせている。その他のプロセスシーケンスや処理装置、処理炉の構成、動作については第1の実施形態と同様である。
上述した第1の実施形態〜第8の実施形態の他、種々の変更が可能である。
例えば、上述した第1の実施形態〜第4の実施形態、第7の実施形態では、成膜ステップ303とエッチングステップ304とで、エッチングガスの種類が異なるため、成膜ステップ303とエッチングステップ304との間に、エッチングガス及び成膜ガスを処理室201内に供給することなく、還元ガス、例えば水素ガスなどを処理室201内に供給するステップとしてパージステップを設けるようにしても良い。さらに好ましくは、成膜ステップ303とエッチングステップ304との間に、処理室201内を真空排気し、成膜ステップにおける処理室201内の残留ガスを全て除去するステップを設けるようにすると良い。 これらパージステップを追加することによって、成膜ステップ、エッチングステップにおいてガス種が変更となっても、ガス供給管内における成膜ステップ時の残留ガスとの混入等の問題等を抑制することができ、より良い条件にて同一のガス供給口からの供給を行うことができる。
Claims (8)
- 表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを共に供給して前記基板のシリコン露出面に選択的に成膜する第1のガス供給工程と、
前記処理室内の圧力が前記第1のガス供給工程における前記処理室内の圧力より低圧になるように前記第2の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第3の処理ガスを供給して前記シリコン酸化膜もしくは前記シリコン窒化膜上のシリコン核を除去する第2のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第1のガス供給工程と前記第2のガス供給工程とを少なくとも1回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させてなる半導体装置の製造方法。 - 前記第2のガス供給工程における前記処理室内の圧力は、前記第1のガス供給工程における前記処理室内の圧力より一時的に低圧である請求項1の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のガス供給工程における前記処理室内への前記第3の処理ガスの供給量は、前記第1のガス供給工程における前記第2の処理ガスの供給量より多量である請求項1の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のガス供給工程における前記基板の温度は、前記第1のガス供給工程における前記所定の温度より高温である請求項1の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のガス供給工程における前記基板の温度は、前記第1のガス供給工程における前記所定の温度より一時的に高温である請求項1の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のガス供給工程から前記第2のガス供給工程への移行時には、前記所定の温度と同等し、その後、一時的に前記所定の温度より高い温度とし、その後、前記所定の温度に戻す請求項1の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のガス供給工程では、さらに前記第1の処理ガスを前記処理室内に供給する請求項1の半導体装置の製造方法。
- 表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を収容する処理室と、
前記基板を加熱する加熱機構と、
前記処理室内に所定の膜を形成するための処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内を所定の圧力とし前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気部と、
少なくとも前記処理室内を第1の圧力とし、前記処理室内の前記基板を第1の温度に加熱した状態で、少なくともシリコンを含む第1の処理ガスとエッチング系の第2の処理ガスとを前記処理室内に供給し、前記基板のシリコン露出面に選択的に成膜し、
少なくとも前記処理室内を前記第1の圧力よりも低圧になるように第2の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第3の処理ガスを供給し、前記シリコン酸化膜もしくは前記シリコン窒化膜上のシリコン核を除去するよう前記加熱機構及び前記ガス供給部、前記ガス排気部とを制御する制御部とが構成される基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009010610A JP5235142B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
US12/410,836 US8293592B2 (en) | 2008-04-16 | 2009-03-25 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
KR1020090027649A KR101070668B1 (ko) | 2008-04-16 | 2009-03-31 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009010610A JP5235142B2 (ja) | 2009-01-21 | 2009-01-21 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010171101A JP2010171101A (ja) | 2010-08-05 |
JP5235142B2 true JP5235142B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=42702968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009010610A Active JP5235142B2 (ja) | 2008-04-16 | 2009-01-21 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5235142B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012026241A1 (ja) * | 2010-08-26 | 2012-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 |
JP5931780B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2016-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 選択エピタキシャル成長法および成膜装置 |
JP6327094B2 (ja) | 2014-10-02 | 2018-05-23 | 株式会社Sumco | 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
JP6867188B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2021-04-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6778139B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-10-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6843087B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2021-03-17 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
SG11202100439PA (en) * | 2018-07-17 | 2021-02-25 | Kokusai Electric Corp | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and program |
JPWO2022180659A1 (ja) * | 2021-02-24 | 2022-09-01 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS587819A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Nec Corp | 気相成長の方法 |
JPH0497519A (ja) * | 1990-08-15 | 1992-03-30 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04333288A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Canon Inc | 太陽電池の製造方法 |
JP3149464B2 (ja) * | 1991-06-28 | 2001-03-26 | 日本電気株式会社 | シリコンエピタキシャル膜の選択成長方法及びその装置 |
JPH0521357A (ja) * | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH0992621A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜の選択成長方法 |
JP2950272B2 (ja) * | 1997-01-24 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 半導体薄膜の製造方法 |
KR100434698B1 (ko) * | 2001-09-05 | 2004-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 선택적 에피성장법 |
US7682940B2 (en) * | 2004-12-01 | 2010-03-23 | Applied Materials, Inc. | Use of Cl2 and/or HCl during silicon epitaxial film formation |
JP4274566B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2009-06-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2008103508A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法 |
JP5380794B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2014-01-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体層の形成方法 |
-
2009
- 2009-01-21 JP JP2009010610A patent/JP5235142B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010171101A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5235142B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP5393895B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
KR101233031B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법과 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4809175B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8791031B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate and substrate processing apparatus | |
KR100996689B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법, 막생성방법 및 기판처리장치 | |
JPWO2014192870A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法 | |
US8012885B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR101070668B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101455251B1 (ko) | 기판 처리 방법과 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101550590B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4324632B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2009260015A (ja) | 基板の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2013045884A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012195355A (ja) | 基板処理装置及び基板の製造方法 | |
JP2008103508A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP5032059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
JP2009289807A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012124255A (ja) | 基板の製造方法、半導体デイバスの製造方法及び基板処理装置 | |
JP2009117555A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007056288A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2012069636A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2009088305A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2007234937A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2007088225A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130321 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5235142 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |