JP7365820B2 - クリーニング方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、クリーニング方法及び基板処理装置に関する。
処理容器の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給してウエハボートを含む処理容器の内部の堆積物をエッチングして除去する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１９－９１７６３号公報
本開示は、ＳｉＣ部材を用いる基板処理装置のドライクリーニングが可能な技術を提供する。
本開示の一態様によるクリーニング方法は、排気管を介して排気可能な処理容器の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給して第１の膜のクリーニングを行う第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記処理容器の内部及び前記排気管の内部の少なくともいずれかにフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う第２の工程と、を有し、前記第１の膜は、金属元素を含まず、かつ珪素（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の少なくともいずれかの元素を含み、前記第１の工程では、前記ハロゲン含有ガスと前記膜に含まれる前記元素との反応により、前記排気管の内部に前記元素と前記ハロゲン含有ガスのハロゲンを含む生成物が生成され、前記第２の工程は、少なくとも前記排気管の内部に堆積した前記生成物を除去することを含む。
本開示によれば、ＳｉＣ部材を用いる基板処理装置のドライクリーニングが可能である。
一実施形態の基板処理装置を示す断面図 図１の基板処理装置の平面図 図１の基板処理装置の熱処理部の一例を示す断面図 一実施形態の基板処理装置の動作を示すフローチャート クリーニング処理の第１実施例を示す図 クリーニング処理の第２実施例を示す図 クリーニング処理の第３実施例を示す図 クリーニング処理の第４実施例を示す図 クリーニング処理の第５実施例を示す図 クリーニング処理の第６実施例を示す図 クリーニング処理の第７実施例を示す図
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板処理装置〕
図１は、一実施形態の基板処理装置を示す断面図である。図２は、図１の基板処理装置の平面図である。
基板処理装置１は、縦型の処理容器を有する熱処理装置である。基板処理装置１は、筐体１１に収容されている。筐体１１は、基板処理装置１の外装体を構成する。筐体１１内には、容器搬送領域Ａ１及び基板搬送領域Ａ２が形成されている。容器搬送領域Ａ１は、基板Ｗを収容した容器であるキャリア（図示せず）が装置に対して搬入出される領域である。基板搬送領域Ａ２は、キャリア内の基板Ｗを搬送して後述の熱処理部１００内に搬入する移載領域である。キャリアは、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）である。基板Ｗは、例えば半導体ウエハである。
容器搬送領域Ａ１と基板搬送領域Ａ２とは、隔壁２により仕切られている。容器搬送領域Ａ１は、大気雰囲気下にある領域であり、キャリアに収容した基板Ｗを搬送する領域である。各装置の間の領域が容器搬送領域Ａ１に該当し、一実施形態では、基板処理装置１の外部のクリーンルーム内の空間が容器搬送領域Ａ１に該当する。一方、基板搬送領域Ａ２は、搬入された基板Ｗに自然酸化膜が形成されることを防ぐために、不活性ガス雰囲気、例えば窒素（Ｎ２）ガス雰囲気とされており、容器搬送領域Ａ１よりも清浄度が高く、且つ、低い酸素濃度、水分濃度に維持されている。以後の説明では、容器搬送領域Ａ１及び基板搬送領域Ａ２の配列方向を基板処理装置１の前後方向とする。
隔壁２には、容器搬送領域Ａ１と基板搬送領域Ａ２とを連通させて基板Ｗを搬送するための搬送口２０が設けられている。搬送口２０には、当該搬送口２０を基板搬送領域Ａ２側から塞ぐ開閉扉５が設けられている。開閉扉５には駆動機構（図示せず）が接続されており、駆動機構が開閉扉５を前後方向及び上下方向に移動させることで搬送口２０が開閉される。搬送口２０及び開閉扉５は、ＦＩＭＳ（Front-Opening Interface Mechanical Standard）規格に従って構成されている。
容器搬送領域Ａ１には、ロードポート、保管棚、容器載置台、搬送装置等（いずれも図示せず）が設けられている。ロードポートは、キャリアが基板処理装置１に搬入されたときに、キャリアを受け入れる載置台である。保管棚は、キャリアを一時的に保管するための載置台であり、例えばバッファ、ストッカとも称される。容器載置台は、搬送口２０と対応して設けられる。搬送装置は、ロードポート、容器載置台及び保管棚の間でキャリアを搬送する。
基板搬送領域Ａ２には、熱処理部１００、ウエハ搬送機構２７、ボート保持台２９、シャッタ３０が設けられている。
熱処理部１００は、処理容器１１０、加熱部１４０を有する。処理容器１１０は、基板Ｗを収容可能であり、石英製の円筒形状を有する。処理容器１１０は、下端が炉口として開口されている。加熱部１４０は、処理容器１１０の周囲に設けられ、円筒形状を有する。加熱部１４０は、処理容器１１０内に収容された基板Ｗを加熱する。
熱処理部１００の下方には、基板保持具１５０が保温筒１５６を介して蓋体１５１の上に載置されている。基板保持具１５０は、複数の基板Ｗを棚状に保持する。蓋体１５１は、昇降機構１５３の上に支持されており、昇降機構１５３により基板保持具１５０が処理容器１１０に対して搬入又は搬出される。
ウエハ搬送機構２７は、基板保持具１５０と搬送口２０との間に設けられている。ウエハ搬送機構２７は、容器搬送領域Ａ１内の容器載置台に載置されたキャリアと、基板搬送領域Ａ２内の基板保持具１５０との間でウエハＷを搬送する。ウエハ搬送機構２７は、ガイド機構２７ａ、移動体２７ｂ、フォーク２７ｃ、昇降機構２７ｄ、回転機構２７ｅを有する。ガイド機構２７ａは、直方体状である。ガイド機構２７ａは、鉛直方向に延びる昇降機構２７ｄに取り付けられ、昇降機構２７ｄにより鉛直方向への移動が可能であると共に、回転機構２７ｅにより回動が可能に構成されている。移動体２７ｂは、ガイド機構２７ａ上に長手方向に沿って進退移動可能に設けられている。フォーク２７ｃは、移動体２７ｂを介して取り付けられる移載機であり、複数（例えば５つ）設けられている。複数のフォーク２７ｃを有することで、複数の基板Ｗを同時に移載できるので、基板Ｗの搬送に要する時間を短縮できる。ただし、フォーク２７ｃは１つであってもよい。
ボート保持台２９は、基板保持具１５０を保持する。ボート保持台２９は、ウエハ搬送機構２７及び基板保持具１５０を搬送する搬送装置（図示せず）によりアクセス可能な位置に設けられている。基板保持具１５０は、搬送装置により保温筒１５６上とボート保持台２９上との間で移載される。図２では、２つのボート保持台２９を示しているが、ボート保持台２９は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。
シャッタ３０は、処理容器１１０の下端の開口を開閉する。シャッタ３０は、駆動機構（図示せず）により、処理容器１１０の下端の開口を開放する位置（図１の実線で示す位置）と、処理容器１１０の下端の開口を密閉する位置（図１の二点鎖線で示す位置）との間を移動する。
基板処理装置１には、例えばコンピュータからなる制御部９０が設けられている。制御部９０は、プログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えている。プログラムには、制御部９０から基板処理装置１の各部に制御信号を送り、既述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。その制御信号によりキャリアの搬送、基板Ｗの搬送、蓋体１５１の開閉、開閉扉５の開閉、シャッタ３０の開閉等の動作が制御され、基板Ｗの搬送及び処理が行われる。プログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、メモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部９０にインストールされる。
図３は、図１の基板処理装置１の熱処理部１００の一例を示す断面図である。図３に示されるように、熱処理部１００は、処理容器１１０、ガス供給部１２０、排気部１３０、加熱部１４０を有する。
処理容器１１０は、外管１１１と内管１１２とを含む二重管構造を有する。外管１１１は、有天井の円筒形状を有する。内管１１２は、円筒形状を有し、外管１１１内に同心状に配置されている。
外管１１１及び内管１１２は、例えば石英、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱材料により形成されている。外管１１１及び内管１１２は、それぞれ下端にてステンレス鋼等により形成される筒状のマニホールド１１３に保持されている。マニホールド１１３の下端の開口には、開口を気密に封止するための蓋体１５１が開閉自在に設けられている。
蓋体１５１の中心部には、例えば磁性流体シールにより気密な状態で回転可能な回転軸１５２が挿通されており、回転軸１５２の下端は昇降機構１５３の回転機構１５４に接続され、上端はターンテーブル１５５に固定されている。ターンテーブル１５５には、保温筒１５６を介して基板Ｗを保持する基板保持具１５０が載置されている。基板保持具１５０は、例えばウエハボートである。基板保持具１５０は、ＳｉＣ、石英等の耐熱材料により形成されている。基板保持具１５０は、複数（例えば５０～１５０枚）の基板Ｗを上下方向に所定間隔を有して水平に保持する。
昇降機構１５３により蓋体１５１を昇降させることにより、基板保持具１５０を処理容器１１０の内部へ搬入又は処理容器１１０の内部から搬出できるようになっている。基板保持具１５０を処理容器１１０の内部に搬入した際に、蓋体１５１がマニホールド１１３に密接し、その間が気密にシールされる。
ガス供給部１２０は、成膜ガス供給部１２１、クリーニングガス供給部１２２、パージガス供給部１２３を含む。
成膜ガス供給部１２１は、処理容器１１０の内部に成膜ガスを導入する。成膜ガス供給部１２１は、ガス供給源１２１ａ、ガス供給管１２１ｂ、ガスノズル１２１ｃ、開閉弁１２１ｄ、流量制御器１２１ｅを有する。ガス供給源１２１ａは、成膜ガスの供給源である。ガス供給管１２１ｂは、ガス供給源１２１ａからガスノズル１２１ｃに成膜ガスを導く。ガスノズル１２１ｃは、マニホールド１１３の側壁の下部を貫通して設けられており、内管１１２内で例えばＬ字状に屈曲して先端が上方を向いている。ガスノズル１２１ｃは、先端から成膜ガスを内管１１２内に導入する。ガスノズル１２１ｃは、例えば石英により形成されている。開閉弁１２１ｄは、ガス供給管１２１ｂに介設されており、ガス供給管１２１ｂ内の流路を開閉する。流量制御器１２１ｅは、ガス供給管１２１ｂに介設されており、ガス供給管１２１ｂ内の流路を流れる成膜ガスの流量を制御する。流量制御器１２１ｅは、例えばマスフローコントローラである。
係る成膜ガス供給部１２１では、成膜ガスの流量を制御しながら内管１１２内に成膜ガスを供給できる。
成膜ガスは、形成する膜の種類に応じて選択される。形成される膜は、例えばシリコン（Ｓｉ）膜、ゲルマニウム（Ｇｅ）膜、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）膜である。Ｓｉ膜を形成する場合、成膜ガスとしては、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガス等のシラン系ガスを利用できる。Ｇｅ膜を成膜する場合、成膜ガスとしては、例えばモノゲルマン（ＧｅＨ４）ガス、ジゲルマン（Ｇｅ２Ｈ６）ガス等のゲルマン系ガスを利用できる。ＳｉＧｅ膜を成膜する場合、成膜ガスとしては、例えばシラン系ガスとゲルマン系ガスとの混合ガスを利用できる。
クリーニングガス供給部１２２は、処理容器１１０の内部にクリーニングガスを導入する。クリーニングガス供給部１２２は、ガス供給源１２２ａ、ガス供給管１２２ｂ、ガスノズル１２２ｃ、開閉弁１２２ｄ、流量制御器１２２ｅを有する。ガス供給源１２２ａは、クリーニングガスの供給源である。ガス供給管１２２ｂは、ガス供給源１２２ａからガスノズル１２２ｃにクリーニングガスを導く。ガスノズル１２２ｃは、マニホールド１１３の側壁の下部を貫通して設けられており、内管１１２内で例えばＬ字状に屈曲して先端が上方を向いている。ガスノズル１２２ｃは、先端からクリーニングガスを内管１１２内に導入する。ガスノズル１２２ｃは、例えば石英により形成されている。開閉弁１２２ｄは、ガス供給管１２２ｂに介設されており、ガス供給管１２２ｂ内の流路を開閉する。流量制御器１２２ｅは、ガス供給管１２２ｂに介設されており、ガス供給管１２２ｂ内の流路を流れるクリーニングガスの流量を制御する。流量制御器１２２ｅは、例えばマスフローコントローラである。
係るクリーニングガス供給部１２２では、クリーニングガスの流量を制御しながら内管１１２内にクリーニングガスを供給できる。
クリーニングガスは、例えばフッ素含有ガス、塩素含有ガス、臭素含有ガス、ヨウ素含有ガス等のハロゲン含有ガスである。フッ素含有ガスは、例えばフッ素（Ｆ２）ガス、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）ガス、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスである。塩素含有ガスは、例えば塩素（Ｃｌ２）ガス、塩化水素ガス（ＨＣｌ）ガスである。臭素含有ガスは、例えば臭素（Ｂｒ２）ガス、臭化水素（ＨＢｒ）ガスである。ヨウ素含有ガスは、例えばヨウ素（Ｉ２）ガス、ヨウ化水素（ＨＩ）ガスである。
パージガス供給部１２３は、処理容器１１０の内部にパージガスを導入する。パージガス供給部１２３は、ガス供給源１２３ａ、ガス供給管１２３ｂ、ガスノズル１２３ｃ、開閉弁１２３ｄ、流量制御器１２３ｅを有する。ガス供給源１２３ａは、パージガスの供給源である。ガス供給管１２３ｂは、ガス供給源１２３ａからガスノズル１２３ｃにパージガスを導く。ガスノズル１２３ｃは、マニホールド１１３の側壁の下部を貫通して設けられており、パージガスを内管１１２内に導入する。ガスノズル１２３ｃは、例えば石英により形成されている。開閉弁１２３ｄは、ガス供給管１２３ｂに介設されており、ガス供給管１２３ｂ内の流路を開閉する。流量制御器１２３ｅは、ガス供給管１２３ｂに介設されており、ガス供給管１２３ｂ内の流路を流れるパージガスの流量を制御する。流量制御器１２３ｅは、例えばマスフローコントローラである。
係るパージガス供給部１２３では、パージガスの流量を制御しながら内管１１２内にパージガスを供給できる。
パージガスは、例えばＡｒガス等の希ガス、Ｎ２ガス等の不活性ガスである。
排気部１３０は、処理容器１１０の内部を排気可能に構成されている。排気部１３０は、排気管１３１、排気装置１３２、圧力調整機構１３３を含む。
排気管１３１は、マニホールド１１３の側壁の上部に設けられており、外管１１１と内管１１２との隙間から成膜ガス、クリーニングガス、パージガス等のガスを排出する。
排気装置１３２は、排気管１３１に接続されており、処理容器１１０の内部を排気する。排気装置１３２は、例えば真空ポンプである。
圧力調整機構１３３は、排気管１３１の途中に介設されている。圧力調整機構１３３は、例えば自動圧力制御（ＡＰＣ：Auto Pressure Controller）バルブである。
加熱部１４０は、断熱体１４１、ヒータ１４２を含む。断熱体１４１は、処理容器１１０の周囲に設けられており、ベースプレート１６０上に設置されている。断熱体１４１は、有天井の円筒形状を有する。ヒータ１４２は、断熱体１４１の内周面に設けられている。ヒータ１４２は、電源（図示せず）に接続されており、電源から電力が供給されることにより発熱する。
なお、上記の熱処理部１００では、ガス供給部１２０が、成膜ガス供給部１２１、クリーニングガス供給部１２２及びパージガス供給部１２３を１つずつ含む場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、成膜ガス供給部１２１、クリーニングガス供給部１２２及びパージガス供給部１２３の数は、使用するガスの種類等に応じて定めることができ、複数であってもよい。
〔基板処理装置の動作〕
図４は、一実施形態の基板処理装置１の動作を示すフローチャートである。図４には、基板処理装置１のクリーニング処理に先立って行われる、基板Ｗに対する成膜処理についても示している。クリーニング処理では、第１クリーニング工程Ｓ４、第２クリーニング工程Ｓ５及び第３クリーニング工程Ｓ６がこの順に行われる。成膜処理では、搬入工程Ｓ１、成膜工程Ｓ２及び搬出工程Ｓ３がこの順に行われる。
図４に示される基板処理装置１の動作は、制御部９０の制御の下で、基板Ｗを替えて繰り返し実施される。なお、図４では、成膜処理を１回行うごとにクリーニング処理を１回行う場合を示しているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、成膜処理を複数回行った後にクリーニング処理を行ってもよい。以下、各工程について説明する。
搬入工程Ｓ１は、基板Ｗを処理容器１１０の内部に搬入する工程である。搬入工程Ｓ１では、まず、制御部９０は、ウエハ搬送機構２７を制御して、処理容器１１０の外部で複数の基板Ｗを基板保持具１５０に載置する。基板保持具１５０は、複数の基板Ｗを鉛直方向に間隔をおいて水平に保持する。次いで、制御部９０は、昇降機構１５３を制御して、蓋体１５１及び基板保持具１５０を上昇させる。これにより、基板保持具１５０と共に基板Ｗが処理容器１１０の内部に搬入され、処理容器１１０の下端の開口が蓋体１５１で密閉される。
成膜工程Ｓ２は、基板Ｗに膜を形成する工程である。成膜工程Ｓ２では、制御部９０は、熱処理部１００の各部を制御して、基板Ｗの温度及び処理容器１１０の内部の圧力を調整し、基板保持具１５０を回転させ、処理容器１１０の内部に成膜ガスを供給することで、基板Ｗに膜を形成する。形成する膜は、例えばＳｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜である。Ｓｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜は、ノンドープの膜であってもよく、カーボン、リン、ボロン等がドーピングされた膜であってもよい。基板Ｗに所望の膜を形成した後、制御部９０は、熱処理部１００の各部を制御して、成膜ガスの代わりにパージガスを処理容器１１０の内部に供給し、処理容器１１０内をパージする。続いて、制御部９０は、熱処理部１００の各部を制御して、処理容器１１０の内部の排気を停止し、処理容器１１０の内部の圧力を大気圧に戻す。
搬出工程Ｓ３は、基板Ｗを処理容器１１０の外部に搬出する工程である。搬出工程Ｓ３では、制御部９０は、昇降機構１５３を制御して、蓋体１５１及び基板保持具１５０を下降させる。これにより、蓋体１５１が処理容器１１０の下端の開口を開放し、基板保持具１５０と共に基板Ｗが処理容器１１０の外部に搬出される。その後、制御部９０は、ウエハ搬送機構２７を制御して、基板Ｗを基板保持具１５０から取り出す。
第１クリーニング工程Ｓ４は、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給することにより、処理容器１１０の内部に堆積した堆積物を除去する工程である。堆積物は、例えば成膜工程Ｓ２で堆積したＳｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜である。
第１クリーニング工程Ｓ４では、制御部９０は、シャッタ３０を開位置から閉位置に移動させて処理容器１１０の下端の開口を密閉する。続いて、制御部９０は、熱処理部１００の各部を制御して、処理容器１１０の内部の温度及び圧力を調整し、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給することで、処理容器１１０の内部に堆積した堆積物を除去する。フッ素含有ガスは、例えばＦ２ガス、ＣｌＦ３ガス、ＮＦ３ガスである。フッ素含有ガスは、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅに対するエッチング反応が低温でも進行するため、処理容器１１０の内部に堆積した堆積物に加えて、処理容器１１０の内部と比較して低温である排気管１３１の内部に堆積した堆積物を除去できる。なお、第１クリーニング工程Ｓ４における処理容器１１０の内部の温度は、短時間で処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部に堆積した堆積物を除去できるという観点から、３００℃～４００℃であることが好ましい。
第２クリーニング工程Ｓ５は、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在する状態で、処理容器１１０の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給することにより、少なくとも基板保持具１５０に堆積した堆積物を除去する工程である。堆積物は、例えば成膜工程Ｓ２で堆積したＳｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜である。
第２クリーニング工程Ｓ５では、制御部９０は、シャッタ３０を閉位置から開位置に移動させて処理容器１１０の下端の開口を開放し、昇降機構１５３を制御して、蓋体１５１及び基板保持具１５０を上昇させる。これにより、基板保持具１５０が処理容器１１０の内部に搬入され、処理容器１１０の下端の開口が蓋体１５１で密閉される。基板保持具１５０は、搬出工程Ｓ３で基板Ｗが搬出された後の基板保持具であり、例えば空の状態の基板保持具、ダミー基板のみが搭載された基板保持具である。ダミー基板は、例えばＳｉＣダミー、石英ダミーである。
続いて、制御部９０は、処理容器１１０の内部の温度及び圧力を調整し、処理容器１１０の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給する。フッ素を含まないハロゲン含有ガスは、例えばＣｌ２ガス、ＨＣｌガス等の塩素含有ガス、Ｂｒ２ガス、ＨＢｒガス等の臭素含有ガス、Ｉ２ガス、ＨＩガス等のヨウ素含有ガスである。フッ素を含まないハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガスに比べてＳｉＣをエッチングしにくい。そのため、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０やダミー基板が形成される場合に、基板保持具１５０やダミー基板の損傷を抑制し、且つ、堆積物であるＳｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜を除去できる。ただし、フッ素を含まないハロゲン含有ガスは、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅに対するエッチング反応が低温では進行しにくいため、処理容器１１０の内部と比較して低温である排気管１３１の内部等に堆積した堆積物が除去されずに残る場合がある。また、フッ素を含まないハロゲン含有ガスは、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅと反応してＳｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅとハロゲンを含む生成物を生じやすい。そのため、排気管１３１の内部、ガスノズル１２１ｃ，１２２ｃ，１２３ｃの内部等の比較的低温部に生成物が付着することがある。生成物が付着した状態で、処理容器１１０の内部を大気に曝すと腐食の原因となる場合がある。なお、第２クリーニング工程Ｓ５における処理容器１１０の内部の温度は、例えば５００℃～６５０℃である。
第３クリーニング工程Ｓ６は、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部の少なくともいずれかにフッ素含有ガスを供給することにより、少なくとも排気管１３１の内部に堆積した堆積物を除去する工程である。堆積物は、例えば第２クリーニング工程Ｓ５で生じたＳｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅとハロゲンを含む生成物、成膜工程Ｓ２で堆積したＳｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜のうち第１クリーニング工程Ｓ４、第２クリーニング工程Ｓ５で除去しきれなかった残膜である。
第３クリーニング工程Ｓ６は、例えば処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在する状態で行われる。この場合、基板保持具１５０が処理容器１１０の内部に存在する状態で、制御部９０は、熱処理部１００の各部を制御して、処理容器１１０の内部の温度及び圧力を調整し、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給する。フッ素含有ガスは、例えばＦ２ガス、ＣｌＦ３ガス、ＮＦ３ガスである。ＳｉＣ部材で基板保持具１５０やダミー基板が形成される場合には、以下の理由により基板保持具１５０やダミー基板の損傷を抑制できる。第３クリーニング工程Ｓ６では、除去する堆積物が少ないため、フッ素含有ガスの供給は短時間でよい。また、ＳｉＣ部材上の堆積物であるＳｉ膜、Ｇｅ膜、ＳｉＧｅ膜は第２クリーニング工程Ｓ５で除去しており、堆積膜とフッ素含有ガスの反応熱がＳｉＣ部材上では生じにくいため、ＳｉＣに対するエッチング反応が起こりにくい。なお、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在する状態で行われる第３クリーニング工程Ｓ６における処理容器１１０の内部の温度は、例えば１００℃～３００℃である。除去する堆積物が少なく、フッ素含有ガスのエッチング反応は低温でも進行するため、ＳｉＣ部材の損傷をより抑制するためである。
また、第３クリーニング工程Ｓ６は、例えば処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で行われてもよい。この場合、制御部９０は、昇降機構１５３を制御して、蓋体１５１及び基板保持具１５０を下降させる。これにより、蓋体１５１が処理容器１１０の下端の開口を開放し、基板保持具１５０が処理容器１１０の外部に搬出される。その後、制御部９０は、シャッタ３０を開位置から閉位置に移動させて処理容器１１０の下端の開口を密閉する。続いて、制御部９０は、処理容器１１０の内部の温度及び圧力を調整し、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給する。なお、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で行われる第３クリーニング工程Ｓ６における処理容器１１０の内部の温度は、例えば１００℃～４００℃である。望ましくは、３００℃～４００℃である。
また、第３クリーニング工程Ｓ６は、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給することに加えて又は代えて、排気管１３１に接続されたガス供給部（図示せず）から排気管１３１の内部に直接フッ素含有ガスを供給してもよい。排気管１３１の内部にフッ素含有ガスを供給することにより、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給する場合よりも少ない流量で、排気管１３１の内部に堆積した堆積物を効率的に除去できる。
なお、図４では、クリーニング処理として、第１クリーニング工程Ｓ４、第２クリーニング工程Ｓ５及び第３クリーニング工程Ｓ６を含むが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、第１クリーニング工程Ｓ４は省略してもよい。
以下、クリーニング処理の実施例について、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６及びＳｉＣ部材で形成される基板保持具１５０に堆積した堆積物であるＳｉ膜を除去する場合を例に挙げて説明する。
図５は、クリーニング処理の第１実施例を示す図である。第１実施例のクリーニング処理は、第１クリーニング工程Ｓ４に相当する工程を含まず、図５（ａ）に示される第２クリーニング工程Ｓ１５と、図５（ｂ）に示される第３クリーニング工程Ｓ１６とを含む。
第２クリーニング工程Ｓ１５は、前述の第２クリーニング工程Ｓ５に相当する。第２クリーニング工程Ｓ１５は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在する状態で、処理容器１１０の内部を５００℃～６５０℃に加熱し、処理容器１１０の内部にＣｌ２ガスを供給する工程である。第２クリーニング工程Ｓ１５では、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６及び基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜が除去される。このとき、Ｃｌ２ガスとＳｉ膜とが反応してＣｌとＳｉを含む生成物である四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）等が生じ、排気管１３１の内部、ガス供給管の内部等にＣｌとＳｉを含む生成物が付着する。
第３クリーニング工程Ｓ１６は、前述の第３クリーニング工程Ｓ６に相当する。第３クリーニング工程Ｓ１６は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在する状態で、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部の少なくともいずれかにＦ２ガスを供給する工程である。第３クリーニング工程Ｓ１６では、処理容器１１０の内部を例えば１００℃～３００℃に加熱する。第３クリーニング工程Ｓ１６では、Ｆ２ガスが第２クリーニング工程Ｓ１５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物と反応して蒸気圧の高い四フッ化珪素（ＳｉＦ４）となって排気される。そのため、排気管１３１の内部、ガス供給管の内部等に付着したＣｌとＳｉを含む生成物を除去できる。
仮に、第２クリーニング工程Ｓ１５を行わない場合を考える。この場合、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６、基板保持具１５０等にＳｉ膜が堆積している状態で処理容器１１０の内部にＦ２ガスが供給される。エッチングの際には反応熱が生じるため、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６、基板保持具１５０等の表面温度はヒータ１４２で加熱されている温度より大きく上昇する。そのため、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合、基板保持具１５０がエッチングされて損傷する可能性が高くなる。ＳｉＣ部材の損傷を抑制するためにＳｉ膜の除去を行う温度をあらかじめ極低温に設定することが考えられるが、その場合、Ｓｉ膜の除去に長時間が必要になり現実的ではない。
これに対して、第１実施例では、まず、第２クリーニング工程Ｓ１５において、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６及び基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を、ＳｉＣをエッチングしにくいＣｌ２ガスで除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ１６において、第２クリーニング工程Ｓ１５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
図６は、クリーニング処理の第２実施例を示す図である。第２実施例のクリーニング処理は、第１クリーニング工程Ｓ４に相当する工程を含まず、図６（ａ）に示される第２クリーニング工程Ｓ２５と、図６（ｂ）に示される第３クリーニング工程Ｓ２６とを含む。
第２クリーニング工程Ｓ２５は、第１実施例の第２クリーニング工程Ｓ１５と同じである。すなわち、第２クリーニング工程Ｓ２５は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在する状態で、処理容器１１０の内部を５００℃～６５０℃に加熱し、処理容器１１０の内部にＣｌ２ガスを供給する工程である。第２クリーニング工程Ｓ２５では、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６及び基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜が除去される。このとき、Ｃｌ２ガスとＳｉ膜とが反応してＣｌとＳｉを含む生成物である四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）等が生じ、排気管１３１の内部、ガス供給管の内部等にＣｌとＳｉを含む生成物が付着する。
第３クリーニング工程Ｓ２６は、前述の第３クリーニング工程Ｓ６に相当する。第３クリーニング工程Ｓ２６は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在しない状態で、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部の少なくともいずれかにＦ２ガスを供給する工程である。第３クリーニング工程Ｓ２６では、昇降機構１５３により、蓋体１５１及び基板保持具１５０を下降させる。蓋体１５１が処理容器１１０の下端の開口を開放し、基板保持具１５０が処理容器１１０の外部に搬出される。その後、シャッタ３０を開位置から閉位置に移動させて処理容器１１０の下端の開口を密閉し、処理容器１１０の内部の圧力が設定値となるように処理容器１１０の内部を排気しながら、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給する。また、処理容器１１０の内部を例えば３００℃～４００℃に加熱する。第３クリーニング工程Ｓ２６では、Ｆ２ガスが第２クリーニング工程Ｓ２５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物と反応して蒸気圧の高いＳｉＦ４となって排気されるため、排気管１３１の内部、ガス供給管の内部等に付着したＣｌとＳｉを含む生成物を除去できる。
第２実施例では、まず、第２クリーニング工程Ｓ２５において、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部、保温筒１５６及び基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を、ＳｉＣをエッチングしにくいＣｌ２ガスで除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ２６において、第２クリーニング工程Ｓ２５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
また第２実施例では、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で第３クリーニング工程Ｓ２６を実施する。これにより、基板保持具１５０がＦ２ガスに曝露されないため、基板保持具１５０の損傷を大幅に抑制できる。
図７は、クリーニング処理の第３実施例を示す図である。第３実施例のクリーニング処理は、図７（ａ）に示される第１クリーニング工程Ｓ３４と、図７（ｂ）に示される第２クリーニング工程Ｓ３５と、図７（ｃ）に示される第３クリーニング工程Ｓ３６とを含む。
第１クリーニング工程Ｓ３４は、前述の第１クリーニング工程Ｓ４に相当する。第１クリーニング工程Ｓ３４は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６が存在し、基板保持具１５０が存在しない状態で、処理容器１１０の内部を３００℃～４００℃に加熱し、処理容器１１０の内部にＦ２ガスを供給する工程である。第１クリーニング工程Ｓ３４では、搬送装置により保温筒１５６上の基板保持具１５０をボート保持台２９上に移載し、蓋体１５１及び保温筒１５６を上昇させる。これにより、保温筒１５６が処理容器１１０の内部に搬入され、処理容器１１０の下端の開口が蓋体１５１で密閉される。第１クリーニング工程Ｓ３４では、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部及び保温筒１５６に堆積したＳｉ膜が除去される。
第２クリーニング工程Ｓ３５は、前述の第２クリーニング工程Ｓ５に相当する。第２クリーニング工程Ｓ３５は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在する状態で、処理容器１１０の内部を５００℃～６５０℃に加熱し、処理容器１１０の内部にＣｌ２ガスを供給する工程である。第２クリーニング工程Ｓ３５では、昇降機構１５３により、蓋体１５１及び保温筒１５６を下降させる。蓋体１５１が処理容器１１０の下端の開口を開放し、保温筒１５６が処理容器１１０の外部に搬出される。次いで、搬送装置によりボート保持台２９に載置された基板保持具１５０を保温筒１５６上に移載し、蓋体１５１、保温筒１５６及び基板保持具１５０を上昇させる。これにより、保温筒１５６及び基板保持具１５０が処理容器１１０の内部に搬入され、処理容器１１０の下端の開口が蓋体１５１で密閉される。第２クリーニング工程Ｓ３５では、第１クリーニング工程Ｓ３４で除去されていないＳｉ膜である、基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜が除去される。第２クリーニング工程Ｓ３５では、除去するＳｉ膜の量が少ないため、Ｃｌ２ガスとＳｉ膜とが反応して生じるＳｉＣｌ４等の量が少なくなる。
第３クリーニング工程Ｓ３６は、前述の第３クリーニング工程Ｓ６に相当する。第３クリーニング工程Ｓ３６は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在する状態で、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部の少なくともいずれかにＦ２ガスを供給する工程である。第３クリーニング工程Ｓ３６では、処理容器１１０の内部を例えば１００℃～３００℃に加熱する。第３クリーニング工程Ｓ３６では、Ｆ２ガスが第２クリーニング工程Ｓ３５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物と反応して蒸気圧の高いＳｉＦ４となって排気されるため、排気管１３１の内部、ガス供給管の内部等に付着したＣｌとＳｉを含む生成物を除去できる。このとき、第２クリーニング工程Ｓ３５で生じるＳｉＣｌ４等の量が少ないため、第３クリーニング工程Ｓ３６の処理時間を短縮でき、ＳｉＣ部材で形成される基板保持具１５０の損傷をより低減できる。
第３実施例では、まず、第１クリーニング工程Ｓ３４において、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部及び保温筒１５６に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第２クリーニング工程Ｓ３５において、基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ３６において、第２クリーニング工程Ｓ３５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
また第３実施例では、Ｃｌ２ガスを用いて除去するＳｉ膜の量が少ないため、第２クリーニング工程Ｓ３５で生じるＳｉＣｌ４等の量も少ない。そのため、第３クリーニング工程Ｓ３６の処理時間を短縮でき、基板保持具１５０がＦ２ガスに曝露される時間が短縮されるため、ＳｉＣ部材で形成される基板保持具１５０の損傷をより低減できる。
また第３実施例では、基板保持具１５０に搭載された基板Ｗを冷却している間やウエハ搬送機構２７が基板Ｗを基板保持具１５０から取り出している間に第１クリーニング工程Ｓ３４を実施できるため、クリーニング処理に要する時間が短縮されて生産性が向上する。
図８は、クリーニング処理の第４実施例を示す図である。第４実施例のクリーニング処理は、図８（ａ）に示される第１クリーニング工程Ｓ４４と、図８（ｂ）に示される第２クリーニング工程Ｓ４５と、図８（ｃ）に示される第３クリーニング工程Ｓ４６とを含む。
第１クリーニング工程Ｓ４４及び第２クリーニング工程Ｓ４５は、それぞれ第３実施例の第１クリーニング工程Ｓ３４及び第２クリーニング工程Ｓ３５と同じである。
第３クリーニング工程Ｓ４６は、前述の第３クリーニング工程Ｓ６に相当する。第３クリーニング工程Ｓ４６は、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で、処理容器１１０の内部にＦ２ガスを供給する工程である。第３クリーニング工程Ｓ４６では、昇降機構１５３により、蓋体１５１及び基板保持具１５０を下降させる。蓋体１５１が処理容器１１０の下端の開口を開放し、基板保持具１５０が処理容器１１０の外部に搬出される。その後、搬送装置により保温筒１５６上の基板保持具１５０をボート保持台２９上に移載し、蓋体１５１及び保温筒１５６を上昇させる。これにより、保温筒１５６が処理容器１１０の内部に搬入され、処理容器１１０の下端の開口が蓋体１５１で密閉される。また、処理容器１１０の内部を例えば３００℃～４００℃に加熱する。第３クリーニング工程Ｓ４６では、Ｆ２ガスが第２クリーニング工程Ｓ４５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物と反応して蒸気圧の高いＳｉＦ４となって排気されるため、排気管１３１の内部、ガス供給管の内部等に付着したＣｌとＳｉを含む生成物を除去できる。このとき、第２クリーニング工程Ｓ４５で生じるＳｉＣｌ４等の量が少ないため、第３クリーニング工程Ｓ４６の処理時間を短縮できる。また、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しないため、ＳｉＣ部材で形成される基板保持具１５０の損傷をより低減できる。
第４実施例では、まず、第１クリーニング工程Ｓ４４において、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部及び保温筒１５６に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第２クリーニング工程Ｓ４５において、基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ４６において、第２クリーニング工程Ｓ４５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
また第４実施例では、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で第３クリーニング工程Ｓ４６を実施する。これにより、基板保持具１５０がＦ２ガスに曝露されないため、基板保持具１５０の損傷を大幅に抑制できる。
また第４実施例では、Ｃｌ２ガスを用いて除去するＳｉ膜の量が少ないため、第２クリーニング工程Ｓ４５で生じるＳｉＣｌ４等の量も少ない。そのため、第３クリーニング工程Ｓ４６の処理時間を短縮できる。
また第４実施例では、基板保持具１５０に搭載された基板Ｗを冷却している間やウエハ搬送機構２７が基板Ｗを基板保持具１５０から取り出している間に第１クリーニング工程Ｓ４４を実施できるため、クリーニング処理に要する時間が短縮されて生産性が向上する。
図９は、クリーニング処理の第５実施例を示す図である。第５実施例のクリーニング処理は、図９（ａ）に示される第１クリーニング工程Ｓ５４と、図９（ｂ）に示される第２クリーニング工程Ｓ５５と、図９（ｃ）に示される第３クリーニング工程Ｓ５６とを含む。
第１クリーニング工程Ｓ５４及び第２クリーニング工程Ｓ５５は、それぞれ第３実施例の第１クリーニング工程Ｓ３４及び第２クリーニング工程Ｓ３５と同じである。
第３クリーニング工程Ｓ５６は、第２実施例の第３クリーニング工程Ｓ２６と同じである。
第５実施例では、まず、第１クリーニング工程Ｓ５４において、処理容器１１０の内部、排気管１３１の内部及び保温筒１５６に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第２クリーニング工程Ｓ５５において、基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ５６において、第２クリーニング工程Ｓ５５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
また第５実施例では、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で第３クリーニング工程Ｓ５６を実施する。これにより、基板保持具１５０がＦ２ガスに曝露されないため、基板保持具１５０の損傷を大幅に抑制できる。
また第５実施例では、Ｃｌ２ガスを用いて除去するＳｉ膜の量が少ないため、第２クリーニング工程Ｓ５５で生じるＳｉＣｌ４等の量も少ない。そのため、第３クリーニング工程Ｓ５６の処理時間を短縮できる。
また第５実施例では、基板保持具１５０に搭載された基板Ｗを冷却している間やウエハ搬送機構２７が基板Ｗを基板保持具１５０から取り出している間に第１クリーニング工程Ｓ５４を実施できるため、クリーニング処理に要する時間が短縮されて生産性が向上する。
図１０は、クリーニング処理の第６実施例を示す図である。第６実施例のクリーニング処理は、図１０（ａ）に示される第１クリーニング工程Ｓ６４と、図１０（ｂ）に示される第２クリーニング工程Ｓ６５と、図１０（ｃ）に示される第３クリーニング工程Ｓ６６とを含む。
第１クリーニング工程Ｓ６４は、前述の第１クリーニング工程Ｓ４に相当する。第１クリーニング工程Ｓ６４は、処理容器１１０の内部に保温筒１５６及び基板保持具１５０が存在しない状態で、処理容器１１０の内部を３００℃～４００℃に加熱し、処理容器１１０の内部にＦ２ガスを供給する工程である。第１クリーニング工程Ｓ６４では、搬出工程Ｓ３で基板保持具１５０と共に基板Ｗが処理容器１１０の外部に搬出された後、シャッタ３０を開位置から閉位置に移動させて処理容器１１０の下端の開口を密閉する。次いで、処理容器１１０の内部の圧力が設定値となるように処理容器１１０の内部を排気しながら、処理容器１１０の内部にフッ素含有ガスを供給する。第１クリーニング工程Ｓ６４では、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部に堆積したＳｉ膜が除去される。第１クリーニング工程Ｓ６４は、基板保持具１５０に搭載された基板Ｗを冷却している間やウエハ搬送機構２７が基板Ｗを基板保持具１５０から取り出している間に実施できる。
第２クリーニング工程Ｓ６５及び第３クリーニング工程Ｓ６６は、それぞれ第１実施例の第２クリーニング工程Ｓ１５（クリーニング対象範囲は異なる）及び第３クリーニング工程Ｓ１６と同じである。
第６実施例では、まず、第１クリーニング工程Ｓ６４において、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第２クリーニング工程Ｓ６５において、保温筒１５６及び基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ６６において、第２クリーニング工程Ｓ６５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
また第６実施例では、Ｃｌ２ガスを用いて除去するＳｉ膜の量が少ないため、第２クリーニング工程Ｓ６５で生じるＳｉＣｌ４等の量も少ない。そのため、第３クリーニング工程Ｓ６６の処理時間を短縮でき、基板保持具１５０がＦ２ガスに曝露される時間が短縮されるため、ＳｉＣ部材で形成される基板保持具１５０の損傷をより低減できる。
また第６実施例では、基板保持具１５０に搭載された基板Ｗを冷却している間やウエハ搬送機構２７が基板Ｗを基板保持具１５０から取り出している間に第１クリーニング工程Ｓ６４を実施できるため、クリーニング処理に要する時間が短縮されて生産性が向上する。
図１１は、クリーニング処理の第７実施例を示す図である。第７実施例のクリーニング処理は、図１１（ａ）に示される第１クリーニング工程Ｓ７４と、図１１（ｂ）に示される第２クリーニング工程Ｓ７５と、図１１（ｃ）に示される第３クリーニング工程Ｓ７６とを含む。
第１クリーニング工程Ｓ７４及び第２クリーニング工程Ｓ７５は、それぞれ第６実施例の第１クリーニング工程Ｓ６４及び第２クリーニング工程Ｓ６５と同じである。
第３クリーニング工程Ｓ７６は、第２実施例の第３クリーニング工程Ｓ２６と同じである。
第７実施例では、まず、第１クリーニング工程Ｓ７４において、処理容器１１０の内部及び排気管１３１の内部に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第２クリーニング工程Ｓ７５において、保温筒１５６及び基板保持具１５０に堆積したＳｉ膜を除去する。次いで、第３クリーニング工程Ｓ７６において、第２クリーニング工程Ｓ７５で生じたＣｌとＳｉを含む生成物を除去する。これにより、ＳｉＣ部材で基板保持具１５０が形成される場合であっても、基板保持具１５０の損傷を抑制できる。
また第７実施例では、処理容器１１０の内部に基板保持具１５０が存在しない状態で第３クリーニング工程Ｓ７６を実施する。これにより、基板保持具１５０がＦ２ガスに曝露されないため、基板保持具１５０の損傷を大幅に抑制できる。
また第７実施例では、Ｃｌ２ガスを用いて除去するＳｉ膜の量が少ないため、第２クリーニング工程Ｓ７５で生じるＳｉＣｌ４等の量も少ない。そのため、第３クリーニング工程Ｓ７６の処理時間を短縮できる。
また第７実施例では、基板保持具１５０に搭載された基板Ｗを冷却している間やウエハ搬送機構２７が基板Ｗを基板保持具１５０から取り出している間に第１クリーニング工程Ｓ７４を実施できるため、クリーニング処理に要する時間が短縮されて生産性が向上する。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 基板処理装置
９０ 制御部
１００ 熱処理部
１１０ 処理容器
１２０ ガス供給部
１２２ クリーニングガス供給部
１３０ 排気部
１３１ 排気管
１５０ 基板保持具
１５６ 保温筒
Ｗ 基板

Claims (15)

  1. 排気管を介して排気可能な処理容器の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給して第１の膜のクリーニングを行う第１の工程と、
    前記第１の工程の後に、前記処理容器の内部及び前記排気管の内部の少なくともいずれかにフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う第２の工程と、
    を有し、
    前記第１の膜は、金属元素を含まず、かつ珪素（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の少なくともいずれかの元素を含み、
    前記第１の工程では、前記ハロゲン含有ガスと前記膜に含まれる前記元素との反応により、前記排気管の内部に前記元素と前記ハロゲン含有ガスのハロゲンを含む生成物が生成され、
    前記第２の工程は、少なくとも前記排気管の内部に堆積した前記生成物を除去することを含む、
    クリーニング方法。
  2. 前記ハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程は、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在する状態で行われる、
    請求項１に記載のクリーニング方法。
  3. 前記フッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程は、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在しない状態で行われる、
    請求項２に記載のクリーニング方法。
  4. 前記フッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程は、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在する状態で行われる、
    請求項２に記載のクリーニング方法。
  5. 前記ハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程の前に、前記処理容器の内部に成膜ガスを供給して成膜を行う工程を更に有する、
    請求項２乃至４のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  6. 前記ハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程は、前記成膜を行う工程が複数回行われた後に実施される
    請求項５に記載のクリーニング方法。
  7. 前記成膜を行う工程の後であって前記ハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程の前に、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在しない状態で前記処理容器の内部にフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程を更に有する、
    請求項５又は６に記載のクリーニング方法。
  8. 前記ハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程は、前記成膜を行う工程と、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在しない状態で前記処理容器の内部にフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程とが複数回行われた後に実施される、
    請求項７に記載のクリーニング方法。
  9. 前記ＳｉＣ部材は、基板を搭載する基板保持具、前記基板保持具に搭載されたダミー基板、及び前記基板保持具を載置する保温筒の少なくともいずれか１つを含む、
    請求項２乃至８のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  10. 前記ハロゲン含有ガスは、塩素含有ガスである、
    請求項１乃至９のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  11. 前記塩素含有ガスは、Ｃｌ２ガス又はＨＣｌガスである、
    請求項１０に記載のクリーニング方法。
  12. 前記第１の膜は、Ｓｉ膜、Ｇｅ膜又はＳｉＧｅ膜である、
    請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
  13. （ａ）排気管を介して排気可能な処理容器の内部に成膜ガスを供給して成膜を行う工程と、
    （ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在しない状態で前記処理容器の内部にフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
    （ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在する状態で前記処理容器の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
    （ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記処理容器の内部及び前記排気管の内部の少なくともいずれかにフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
    を有する、
    クリーニング方法。
  14. 処理容器と、
    前記処理容器の内部にクリーニングガスを供給するガス供給部と、
    前記処理容器の内部の前記クリーニングガスを排気する排気管を含む排気部と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記処理容器の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給して第１の膜のクリーニングを行う第１の工程と、
    前記処理容器の内部及び前記排気管の少なくともいずれかにフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う第２の工程と、
    をこの順に実施するように前記ガス供給部を制御し、
    前記第１の膜は、金属元素を含まず、かつ珪素（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の少なくともいずれかの元素を含み、
    前記第１の工程では、前記ハロゲン含有ガスと前記膜に含まれる前記元素との反応により、前記排気管の内部に前記元素と前記ハロゲン含有ガスのハロゲンを含む生成物が生成され、
    前記第２の工程は、少なくとも前記排気管の内部に堆積した前記生成物を除去することを含む、
    基板処理装置。
  15. 処理容器と、
    前記処理容器の内部にクリーニングガスを供給するガス供給部と、
    前記処理容器の内部の前記クリーニングガスを排気する排気管を含む排気部と、
    制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    排気管を介して排気可能な処理容器の内部に成膜ガスを供給して成膜を行う工程と、
    前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在しない状態で前記処理容器の内部にフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
    前記処理容器の内部にＳｉＣ部材が存在する状態で前記処理容器の内部にフッ素を含まないハロゲン含有ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
    前記処理容器の内部及び前記排気管の少なくともいずれかにフッ素含有ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
    をこの順に実施するように前記ガス供給部を制御する、
    基板処理装置。
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