KR102593653B1 - 포드 세정장치 - Google Patents

포드 세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102593653B1
KR102593653B1 KR1020200152755A KR20200152755A KR102593653B1 KR 102593653 B1 KR102593653 B1 KR 102593653B1 KR 1020200152755 A KR1020200152755 A KR 1020200152755A KR 20200152755 A KR20200152755 A KR 20200152755A KR 102593653 B1 KR102593653 B1 KR 102593653B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
pod
cleaning
dry
unit
Prior art date
Application number
KR1020200152755A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220066571A (ko
Inventor
박영수
허동근
이기만
Original Assignee
(주)에스티아이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)에스티아이 filed Critical (주)에스티아이
Priority to KR1020200152755A priority Critical patent/KR102593653B1/ko
Priority to TW109140399A priority patent/TWI795693B/zh
Priority to CN202110539352.4A priority patent/CN114512419A/zh
Priority to US17/527,276 priority patent/US20220152661A1/en
Publication of KR20220066571A publication Critical patent/KR20220066571A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102593653B1 publication Critical patent/KR102593653B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/04—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by evaporation or sublimation of moisture under reduced pressure, e.g. in a vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/20—Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought
    • B08B9/28—Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought the apparatus cleaning by splash, spray, or jet application, with or without soaking
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B25/00—Details of general application not covered by group F26B21/00 or F26B23/00
    • F26B25/06—Chambers, containers, or receptacles
    • F26B25/14—Chambers, containers, receptacles of simple construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
    • F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
    • F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements
    • F26B3/305—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements the infrared radiation being generated by combustion or combustion gases
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67359—Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2230/00—Other cleaning aspects applicable to all B08B range
    • B08B2230/01—Cleaning with steam
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
    • F26B3/02—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by convection, i.e. heat being conveyed from a heat source to the materials or objects to be dried by a gas or vapour, e.g. air
    • F26B3/04—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by convection, i.e. heat being conveyed from a heat source to the materials or objects to be dried by a gas or vapour, e.g. air the gas or vapour circulating over or surrounding the materials or objects to be dried
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
    • F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
    • F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Sink And Installation For Waste Water (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

본 발명은 유입구를 통해 유입되는 포드를 분리하는 분리부, 상기 분리부에서 분리된 포드를 이송하는 제1 이송부, 상기 제1 이송부를 통해 분리되어 이송되는 포드를 클리닝 및 드라잉 하는 세정 챔버, 상기 세정 챔버에서 건조된 포드를 진공 처리하는 진공 챔버, 상기 세정 챔버에서 건조된 포드를 상기 진공 챔버로 이송하는 제2 이송부, 상기 진공 처리된 상기 포드를 조립하는 조립부를 포함하며, 상기 세정 챔버는 복수로 마련되어 상기 제1 이송부를 통해 이송되는 상기 포드를 수용하여 세정하는 클리닝 챔버 및 상기 클리닝 챔버에서 이송된 상기 포드를 건조하는 드라이 챔버를 포함하고, 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 공간적으로 분리되는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치를 제공한다.

Description

포드 세정장치{POD CLEANING DEVICE}
실시예는 포드 세정장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 이너 포드와 아우터 포드를 분리 세정시 세정과 건조가 별도의 공간에서 처리되는 포드 세정장치에 관한 것이다.
반도체는 산업 발달에 따라 다양한 분야에 사용되고 있으며, 점점 더 소형화되고 기술이 발달되고 있다.
최근에는 극자외선(EUV, extreme ultraviolet) 공정을 적용하는 새로운 반도체 생산 기술이 각광을 받고 있다.
반도체 산업에서 EUV란 반도체를 만드는 데 있어 중요한 과정인 포토공정에서 극자외선 파장의 광원을 사용하는 리소그래피(extreme ultraviolet lithography) 기술 또는 이를 활용한 제조공정을 말한다.
반도체 칩을 생산할 때 웨이퍼(wafer)라는 실리콘 기반의 원판, 즉 둥근 디스크는 감광물질로 코팅이 되고, 스캐너라고 하는 포토공정 설비로 들어가게 된다. 이 설비 안에서 회로 패턴을 새겨 넣기 위해 레이저 광원을 웨이퍼에 투사하는 노광(photolithography) 작업을 진행한다.
이렇게 해서 반도체 칩 안에 현미경으로 봐야 보일 정도로 작고 미세한 회로소자 수십억개를 형성하게 된다. EUV 공정은 이러한 노광 단계를 극자외선 파장을 가진 광원을 활용해 진행하는 것을 말한다.
반도체 칩 제조 분야에선 웨이퍼 위에 극도로 미세한 회로를 새겨 넣는 것이 필수다. 그래야만 트랜지스터와 콘덴서 등 소자들을 지름 300mm의 제한된 웨이퍼 공간에 더 많이 집적하고, 성능과 전력효율 또한 높일 수 있기 때문이다.
EUV 광원은 기존 공정에 적용 중인 불화아르곤(ArF) 광원보다 파장이 훨씬 짧기 때문에, 더 미세하고 오밀조밀하게 패턴을 새길 수 있다. 새로 나올 EUV 스캐너는 13.5 나노미터 파장의 EUV를 활용하며, 이는 현재 불화아르곤 엑시머 레이저 스캐너가 사용하는 빛 파장과 비교해 10분의 1 미만에 불과하다.
뿐만 아니라 기존엔 미세회로를 만들기 위해 수차례 노광 공정을 반복해야 했지만, EUV 장비는 공정 단계를 줄일 수 있어 생산성도 획기적으로 높일 수 있다.
그러나, 이러한 EUV는 기존 노광 기술과 달리 빛을 여러단계 반사해야 하고 진공 상태에서만 효율이 나오는 등 난관이 적지 않다.
또한, EUV용 마스크(Mask)와 마스크 보호를 위한 펠리클(Pelicle) 감광제인 포토레지스트(Photoresist)를 비롯한 관련 재료의 새로운 개발이 필수적이다. 특히 펠리클은 가로 110㎜, 세로 144㎜ 크기에 두께가 50나노로 매우 얇은 초박막 필름 형태라 만들기가 쉽지 않다. 펠리클을 마스크 위로 고정하는 일은 더 어렵다. 마스크 한 장 가격은 수억원대, 펠리클은 2000~3000만원에 달한다. 이런 마스크와 펠리클을 잘 보관해 운반하는 일이 만만치 않다.
이러한 EUV 마스크와 펠리클 보관과 이송을 위해 EUV 포드(POD)가 필요하다.
EUV 포드는 외부 포드와 내부 포드로 이루어져 있다. EUV 노광 장비 안에는 이너 포드만 들어가지만, 양산 팹에 진입할 때 ‘스캔→검사→세정’ 단계를 거쳐야 하므로 가스(Gas)와 같은 케미컬이 외부로 흘러들어와 빠져나갈 수 있도록 했다.
이러한 포드는 세정을 할때, 내부에 이물질이 있는 경우, 반도체 공정상에 큰 문제가 발생할 수 있는 바, 포드 세정의 중요성이 증대되고 있다.
실시예는 포드 세정시 클리닝 챔버와 드라이 챔버를 구분하여 포드의 세정 효율을 증대하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제에 국한되지 않으며 여기서 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예는, 유입구를 통해 유입되는 포드를 분리하는 분리부; 상기 분리부에서 분리된 포드를 이송하는 제1 이송부; 상기 제1 이송부를 통해 분리되어 이송되는 포드를 클리닝 및 드라잉 하는 세정 챔버; 상기 세정 챔버에서 건조된 포드를 진공 처리하는 진공 챔버; 상기 세정 챔버에서 건조된 포드를 상기 진공 챔버로 이송하는 제2 이송부; 상기 진공 처리된 상기 포드를 조립하는 조립부;를 포함하며, 상기 세정 챔버는 복수로 마련되어 상기 제1 이송부를 통해 이송되는 상기 포드를 수용하여 세정하는 클리닝 챔버 및 상기 클리닝 챔버에서 이송된 상기 포드를 건조하는 드라이 챔버를 포함하고, 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 공간적으로 분리되는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 동일한 개수를 가지며, 상기 포드의 이동방향에서 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버가 열을 지어 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 이송부가 배치되는 제1 공간부는 외기가 유입될 수 있는 더티에어존을 형성하며, 상기 제2 이송부가 배치되는 제2 공간부는 외기가 유입되지 않는 클린존을 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 각각 4개의 챔버를 구비할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 이송부는 제1 이송레일을 따라 이동할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제2 이송부는 제2 이송레일을 따라 이동할 수 있다.
바람직하게는, 상기 클리닝 챔버는 세정작업 이후, 상기 드라이 챔버로 이동전 1차 건조를 실시하는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 제2 이송부는 상기 진공 챔버에서 진공 처리된 상기 포드를 상기 조립부로 이송하는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 세정 챔버는 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버를 이동하는 챔버 이동부를 더 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 챔버 이동부는 상기 클리닝 챔버 또는 상기 드라이 챔버 내부에서 전후 방향으로 왕복이동하는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 챔버 이동부는 각 열마다 하나씩 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.
바람직하게는, 상기 조립부를 통해 조립된 상기 포드를 저장하는 스토커를 더 포함할 수 있다.
실시예에 따르면, 포드의 세정과 건조를 분리하여 세정효율을 증대할 수 있는 효과가 있다.
또한, 각 공정이 중복되지 않으며 일방향으로 진행되도록 하여 포드의 오염을 방지할 수 있다
또한, 포드의 오염이 발생할 수 있는 영역에서 배기조건을 이용하여 오염을 방지할 수 있다.
또한, 포드의 각 부품을 별도의 챔버로 유입하여 세정 및 건조효율을 증대할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포드 세정장치의 구조를 나타내는 도면이고,
도 2는 도 1의 구성요소인 세정챔버의 구조를 나타내는 도면이고,
도 3은 도 2의 세정챔버의 구조를 나타내는 도면이고,
도 4는 도 2의 세정챔버의 세부구조를 나타내는 도면이고,
도 5는 도 2의 구성요소인 지그의 구조를 나타내는 도면이고,
도 6은 도 5에서 지그에 포드가 안착된 상태를 나타내는 도면이고,
도 7은 도 6을 측면에서 바라본 도면이고,
도 8 내지 도 10은 도 3의 세정챔버 내부를 포드가 이동시 내부의 배기구조를 나타내는 도면이고,
도 11은 도 1의 구성요소인 진공 챔버 내부의 구조를 나타내는 도면이고,
도 12는 도 1의 포드 세정장치를 이용한 포드 세정공정의 흐름을 나타내는 순서도이고,
도 13은 도 12의 구성요소인 클리닝 단계의 세부 공정을 나타내는 도면이고,
도 14는 도 12의 구성요소인 진공처리 단계의 세부 공정을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C 중 적어도 하나(또는 한 개 이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다.
이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다.
그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 ‘연결’, ‘결합’ 또는 ‘접속’된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성 요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 ‘연결’, ‘결합’ 또는 ‘접속’ 되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 “상(위) 또는 하(아래)”에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한, “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1 내지 도 14는, 본 발명을 개념적으로 명확히 이해하기 위하여, 주요 특징 부분만을 명확히 도시한 것이며, 그 결과 도해의 다양한 변형이 예상되며, 도면에 도시된 특정 형상에 의해 본 발명의 범위가 제한될 필요는 없다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 포드 세정장치의 구조를 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시예에 따른 포드 세정장치에서 세정 대상이 되는 포드는 이송하고자 하는 대상이 안착되는 이너 포드와 이너 포드의 외부에서 이너 포드를 감싸도록 배치되는 아우터 포드를 포함한다.
이때, 이너 포드는 하부 이너 포드와 상부 이너 포드를 포함하고, 아우터 포드는 하부 아우터 포드와 상부 아우터 포드를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 사용되는 포드는 EUV 마스크와 펠리클 보관과 이송을 위해 사용되는 EUV 포드(POD)를 의미하며, 공지의 기술이 사용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 포드 세정장치는 분리부(200), 제1 이송부(300), 세정 챔버(400), 진공 챔버(600), 제2 이송부(500) 및 조립부(700)를 포함할 수 있다.
투입부(100)는 포드 세정장치의 하우징의 외부를 통해 포드가 유입되며, 투입부(100)를 거쳐 포드가 분리부(200)로 이동하게 된다.
분리부(200)는 포드는 이너 포드와 아우터 포드로 분해하고, 분해된 이너 포드를 하부 이너 포드와 상부 이너 포드로, 아우터 포드를 하부 아우터 포드와 상부 아우터 포드로 분해할 수 있다.
분리부(200)에서 분리된 포드는 제1 이송부(300)를 통해 세정 챔버(400)로 이동할 수 있다.
제1 이송부(300)는 분리된 포드를 세정 챔버(400)로 이송할 수 있다.
일실시예로, 제1 이송부(300)는 제1 공간부(320)에 배치되는 제1 이송레일(310)을 따라 이동하며, 복수로 배치되는 세정 챔버(400) 내부로 분리된 포드를 이송할 수 있다.
제1 이송부(300)는 복수의 세정 챔버(400) 각각으로 분리된 하부 이너 포드, 상부 이너 포드, 하부 아우터 포드 및 아우터 포드를 각각 이송하여 세정의 효율을 증대할 수 있다.
제1 이송부(300)가 배치되는 제1 공간부(320)는 외기가 유입될 수 있는 더티에어존을 형성할 수 있다.
포드가 세정되는 공간은 매우 높은 청청도가 요구된다. 그러나, 포드가 세정장치로 유입되는 과정에서 외기와 접촉하게 되며, 지속적으로 포드가 유입되는 과정이 반복되는 바, 외기의 유입을 완전하게 차단하기 어렵다.
따라서, 본 발명에서는 포드의 유입공정의 일영역에서는 외기가 유입될 수 있는 제1 이송부(300)가 존재하는 영역을 더티에어존으로 구성하고, 세정 챔버(400)로 진입하여 건조가 진행되는 공정에서 클린존을 형성하도록 구성된다.
세정 챔버(400)는 제1 이송부(300)를 통해 분리되어 유입되는 포드를 클리닝 및 드라잉할 수 있다.
세정 챔버(400)는 복수로 마련되어 상기 제1 이송부(300)를 통해 이송되는 분리된 포드르 수용하여 세정하는 클리닝 챔버(410) 및 클리닝 챔버(410)에서 이송되는 포드를 건조하는 드라이 챔버(430)를 포함하며, 클리닝 챔버(410)와 드라이챔버는 공간적으로 분리될 수 있다.
클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)는 동일한 개수로 배치되며, 포드의 이동방향에서 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)는 열을 지어 배치될 수 있다.
일실시예로, 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)는 포드의 분리시 나오는 구성부품인 하부 이너 포드, 상부 이너 포드, 하부 아우터 포드 및 상부 아우터 포드의 개수에 맞춰 각각 4개의 챔버를 포함할 수 있다.
클리닝 챔버(410)는 포드를 세정하는 역할을 수행하며, 드라이 챔버(430)는 세정된 포드를 건조하는 역할을 수행할 수 있다.
이때, 클리닝 챔버(410)에는 세정을 위한 다양한 세정액 및 증기가 분사된다. 이때, 분사되는 액체가 드라이 챔버(430)로 이동하는 것을 최소화하기 위해 드라이 챔버(430)로 이동전 1차 건조가 진행될 수 있다.
클리닝 챔버(410)로 유입된 포드는 세정 챔버(400) 내부에서 외부와 차단된다. 그러나, 포드를 유입하는 과정에서 제1 공간부(320)의 더티에어존의 공기가 이동할 수 있다. 따라서, 더티에어존은 제1 공간부(320)와 세정 챔버(400)의 클리닝 챔버(410)의 공간을 의미할 수 있으며, 세정 챔버(400) 내부의 배기 조건을 통해 클리닝 챔버(410)에서 드라이 챔버(430)로 이동시 외기와 접촉한 공기를 완전하게 차단할 수 있다.
세정 챔버(400)는 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)를 이동하는 챔버 이동부(450)를 더 포함할 수 있다.
챔버 이동부(450)는 구획되어 존재하는 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430) 내부에서 전후 방향으로 왕복이동하여 세정 및 건조의 효율을 증대할 수 있다.
챔버 이동부(450)는 복수로 마련되어 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)의 각 열마다 하나씩 배치되어 분리된 포드를 클리닝 챔버(410)에서 세정하고, 세정 후 드라이 챔버(430)로 이동하여 건조가 진행되도록 한다.
챔버 이동부(450)는 세정 챔버(400) 외부에 배치되며, 포드를 이동하기 위한 지그(451)가 챔버 내부에 배치될 수 있다.
세정 챔버(400)의 세부 구성에 대해서는 아래에서 다시 설명하도록 한다.
진공 챔버(600)는 건조된 포드를 진공처리할 수 있다. 진공 챔버(600)는 복수로 마련될 수 있으며, 각각 분리된 포드가 진공처리될 수 있다.
일실시예로, 진공 챔버(600)는 2개로 마련될 수 있으며, 각각에는 이너 포드의 분리 부품과 아우터 포드의 분리부(200)품이 유입될 수 있다. 이너 포드와 아우터 포드는 재질을 달리하는 바, 서로 같은 재질의 부품을 동일한 진공 챔버(600) 내부에 유입하여 재료에 맞는 진공상태를 이용하여 진공처리의 효율을 증대할 수 있다.
진공 챔버(600)의 개수는 제한이 없으며 진공처리 시간과 세정 챔버(400)에서 세정 및 건조 시간을 고려하여 다양하게 변형실시될 수 있다.
진공 챔버(600)의 세부 구성 및 동작에 대해서는 아래에서 다시 설명하도록 한다.
제2 이송부(500)는 클린존을 형성하는 제2 공간부(520)에 배치되며, 제2 이송레일(510)을 따라 이동하면서 세정 챔버(400)에서 건조된 포드를 진공 챔버(600)로 이송할 수 있다.
일실시예로, 제2 이송부(500)는 4개의 분리된 세정 챔버(400) 각각에서 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)를 통과한 포드를 진공 챔버(600) 내부로 이송할 수 있다.
또한, 제2 이송부(500)는 진공 챔버(600) 내에서 진공처리된 포드를 조립부(700)로 이송할 수 있다.
조립부(700)는 분리되어 세정 및 진공 처리가 진행된 포드를 조립할 수 있다. 이때 조립부(700)는 하부 이너 포드와 상부 이너 포드를 우선 조립하여 이너 포드를 완성하고, 이후 아우터 포드를 조립하여 포드를 완성할 수 있다.
조립부에서 완성된 포드는 제3 조립부(700)를 통해 이송되어 배출부를 통해 외부로 배출될 수 있다.
제3 조립부(700)는 별도의 영역을 구비할 수도 있으나, 제2 공간부(520)의 일영역에 배치될 수 있다. 제3 조립부(700)는 제3 이송라인을 따라 이동하여 배출부를 통해 외부로 배출될 수 있다.
또한, 제2 공간부(520)의 일영역에는 조립부(700)를 통해 조립된 포드를 저장하는 스토커(900)가 배치될 수 있다.
스토커(900)는 세정 및 진공처리가 완료된 포드를 저장하는 공간으로 공지의 다양한 스토커(900) 기술이 사용될 수 있다.
도 2는 도 1의 구성요소인 세정 챔버(400)의 구조를 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2의 세정 챔버(400)의 구조를 나타내는 도면이고, 도 4는 도 2의 세정 챔버(400)의 세부구조를 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 4에 나타나는 세정 챔버(400)는 복수로 마련되는 세정 챔버(400) 중 하나에 대해서 설명하기 위한 도면으로 나머지 세정 챔버(400)의 구조는 이와 동일한 바 설명을 생략하도록 한다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 세정 챔버(400)는 클리닝 챔버(410), 드라이챔버, 셔터(420) 및 챔버 이동부(450)를 포함할 수 있다.
클리닝 챔버(410)는 입구도어(415)를 구비하며, 제1 이송부(300)를 통해 이송되는 포드를 수용하여 클리닝을 실시할 수 있다.
입구도어(415)는 포드가 유입시 개방되며, 포드가 유입된 이후에는 폐쇄되어 클리닝 챔버(410)를 제1 공간부(320)와 분리할 수 있다.
클리닝 챔버(410)는 세정노즐, 제1 건조노즐(413) 및 에어나이프를 포함할 수 있다.
세정노즐은 세정액 또는 증기를 포드를 향해 분사할 수 있다. 세정노즐은 클리닝 챔버(410) 내에 복수로 마련될 수 있다. 이때 각각의 세정노즐은 증기, DI 및 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)가 하나의 세정노즐을 통해 순차적으로 분사될 수 있다.
세정노즐을 통해 분사되는 증기와 DI(Deionized Water, DI)는 포드의 작은 틈세와 미세한 이물질까지 용해시켜 발탈이 보다 쉽게 이뤄지도록 하여 세정의 효율을 증대할 수 있다.
이후, 포드 클리닝 후 배관 및 노즐에 잔류하는 물을 질소나 CDA로 밀어내어 노즐을 세정할 수 있다.
또한, 세정노즐은 상기 설명과 같이 동일한 기능을 하는 복수의 세정노즐이 배치될 수도 있으나, 기능을 달리하는 세정노즐이 배치될 수 있다.
일실시예로, 세정노즐은 제1 세정노즐(411)과 제2 세정노즐(412)을 포함할 수 있다.
제1 세정노즐(411)은 DI(Deionized Water, DI)를 분사할 수 있다. 이때, 제1 분사노즐을 통해 분사되는 DI는 고온의 온수를 분사할 수 있다. 제1 세정노즐(411)은 복수의 분사구가 챔버의 세로방향으로 배치될 수 있으며, 분사되는 영역이 중복되도록 하여 DI가 포드의 전체를 세정할 수 있도록 분사될 수 있다. 이때, 분사되는 DI는 포드의 높이보다 큰 범위를 형성하도록 제어될 수 있다.
또한, 제1 세정노즐(411)은 포드의 양측을 세정할 수 있도록 서로 마주보도록 적어도 한 쌍이 배치될 수 있다.
제2 세정노즐(412)은 스팀(steam)을 분사할 수 있다. 제2 세정노즐(412) 또한 제1 세정노즐(411)과 마찬가지의 배치구조를 가질 수 있으며, 복수의 분사구가 클리닝 챔버(410)의 세로방향으로 배치될 수 있다, 또한, 분사되는 영역이 중복되도록 하여 스팀이 포드 전체 영역을 세정할 수 있도록 배치될 수 있다.
제1 건조노즐(413)은 포드를 향해 양측에 배치되며, 고온의 기체를 분사할 수 있다. 제1 건조노즐(413)을 통해 분사되는 기체는 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)가 사용될 수 있다. 제1 건조노즐(413)은 고온의 기체를 분사하여 세정노즐을 통해 분사되는 세정액을 건조하는 역할을 수행할 수 있다.
제1 에어나이프(414)는 클리닝 챔버(410)의 출구, 셔터(420)에 인접하게 배치되어 기체를 분사할 수 있다. 일실시예로, 제1 에어나이프(414)를 통해 분사되는 기체는 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)가 사용될 수 있다. 제1 에어나이프(414)는 클리닝 챔버(410)를 이동하는 포드의 양측에 마주보도록 배치될 수 있으며, 포드면을 향해 경사를 가지도록 기체를 분사할 수 있다. 이를 통해 포드가 드라이 챔버(430)로 유입되기 전 포드 표면에 남아있는 세정액을 불어내는 역할을 수행할 수 있다.
드라이 챔버(430)는 출구도어(437)를 구비하며, 클리닝 챔버(410)에서 이송되는 포드를 건조시킬 수 있다.
드라이 챔버(430)는 제2 건조노즐(431), IR 램프(435) 및 제2 에어나이프(433)를 포함할 수 있다.
제2 건조노즐(431)은 클리닝 챔버(410)로부터 이송되는 포드를 향해 건조기체를 분사할 수 있다. 제2 건조노즐(431)은 적어도 한 쌍이 배치될 수 있으며, 복수의 쌍으로 구비되어 건조효율을 증대하는 것이 바람직하다.
제2 건조노즐(431)은 마주보도록 배치될 수 있으며, 복수의 분사구가 클리닝 챔버(410)의 세로방향으로 배치될 수 있다, 또한, 분사되는 영역이 중복되도록 하여 스팀이 포드 전체 영역을 세정할 수 있도록 배치될 수 있다.
일실시예로, 제2 건조노즐(431)을 통해 분사되는 기체는 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)가 사용될 수 있다.
IR 램프(435)는 마주보도록 한 쌍이 배치되어 적외선을 방출하여 포드를 건조시킬 수 있다. 일실시예로, IR 램프(435)는 필라멘트가 발열을 일으켜 적외선이 방사되는 방식을 사용할 수 있고, 또는 적외선 LED를 사용하여 선택적 영역을 건조할 수 있다. 또한, 세라믹 히터를 사용하여 적외선 또는 원적외선을 방출하여 가열하여 건조할 수 있다. IR 램프(435)의 구조나 열 방출 구조는 제한이 없으며 다양한 공지의 구조가 사용될 수 있다.
제2 에어나이프(433)는 드라이 챔버(430)에 배치되어 고온의 기체를 분사할 수 있다. 일실시예로, 제2 에어나이프(433)를 통해 분사되는 기체는 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)가 사용될 수 있다. 제2 에어나이프(433)는 드라이 챔버(430)를 이동하는 포드의 양측에 마주보도록 배치될 수 있으며, 포드면을 향해 경사를 가지도록 기체를 분사할 수 있다.
또한, 제2 에어나이프(433)는 복수의 쌍으로 마련될 수 있으며, 드라이 챔버(430)의 입구와 출구 측에 각각 배치될 수 있다.
출구도어(437)는 드라잉이 완료된 포드를 제2 공간부(520)로 이동하기 위해 개폐동작을 수행할 수 있다.
셔터(420)는 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430) 사이에 배치되어 승강할 수 있다.
셔터(420)는 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)를 구획하는 역할을 수행하며, 드라이 챔버(430)에서 건조시 클리닝 챔버(410)의 공기가 유입되는 것을 차단할 수 있다. 셔터(420)에는 구동부가 연결되어 승강구조를 구비할 수 있다.
챔버 이동부(450)는 제1 이송부(300)로부터 포드를 이송받을 수 있으며, 이송받은 포드를 클리닝 챔버(410)에서 드라이 챔버(430)로 이송할 수 있다. 이때, 챔버 이동부(450)는 클리닝 챔버(410) 또는 드라이 챔버(430) 내부에서 전후 방향으로 왕복이동하여 세정 또는 건조의 효율을 증대할 수 있다.
챔버 이동부(450)의 세부 구성은 아래에서 다시 설명하도록 한다.
도 5는 도 2의 구성요소인 지그(451)의 구조를 나타내는 도면이고, 도 6은 도 5에서 지그(451)에 포드가 안착된 상태를 나타내는 도면이고, 도 7은 도 6을 측면에서 바라본 도면이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 세정 챔버(400)의 구성요소인 챔버 이동부(450)는 지그(451)와 이동유닛(453)을 포함할 수 있다.
지그(451)는 포드(10)가 안착되며, 연결지그(451a) 및 안착지그(451b)를 포함할 수 있다.
연결지그(451a)는 일영역이 연결유닛에 연결되며, 일영역이 세정 챔버(400) 내부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 일실시예로, 연결지그(451a)는 복수의 프레임이 연결되는 구조로 배치될 수 있다.
안착지그(451b)는 프레임과 복수의 지지핀(451c)을 포함할 수 있다.
안착지그(451b)는 연결지그(451a)의 일영역과 연결되며, 포드가 안착되는 지지구조를 구비할 수 있다. 안착지그(451b)는 포드가 안착시 양측면이 개방되어 세정이나 건조가 가능하도록 프레임으로 구성될 수 있다. 일실시예로, 안착지그(451b)는 포드의 외면 테두리의 형상보다 큰 사각형의 단면을 가지도록 마련되어 포드의 양측면에 노출되도록 포드(10)를 안착시킬 수 있다.
또한, 안착지그(451b)는 포드(10)가 안착되어 이동시 이탈을 방지하기 위해 경사를 가지도록 배치될 수 있다.
일실시예로, 안착지그(451b)는 경사부(451b-1)와 직선부(451b-2)가 결합되는 구조를 구비할 수 있다. 연결지그(451a)의 일영역과 연결되는 직선부(451b-2)가 존재하며, 경사부(451b-1)는 직선부(451b-2)의 단부에서 연장되는 형태를 구비할 수 있다.
직선부(451b-2)는 경사부(451b-1)가 안착지그(451b)와 일정영역 거리를 가지도록 하여 경사부(451b-1)에 포드가 안착할 수 있는 공간을 마련하여 포드가 안착시 프레임과 충돌하는 것을 방지할 수 있다.
지지핀(451c)은 복수로 마련되어 안착지그(451b)에 연결될 수 있다. 지지핀(451c)은 프레임의 하부에 배치되어 포드의 하부를 지지할 수 있으며, 프레임의 측부에 배치되어 포드의 양측면과 후면을 지지할 수 있다.
포드(10)의 전면부는 프레임의 경사를 통해 이탈을 방지할 수 있으며, 포드의 후면부는 지지핀(451c)을 통해 지지될 수 있다.
이동유닛(453)은 지그(451)에 연결되어 지그(451)를 세정 챔버(400) 내부에서 이동시킬 수 있다.
이동유닛(453)은 사용자의 설정에 따라 클리닝 챔버(410)나 드라이 챔버(430) 내부에서 왕복이동을 할 수 있도록 설정될 수 있으며, 클리닝 챔버(410)에서 세정이 끝난 포드를 드라이 챔버(430)로 이동시킬 수 있다.
이동유닛(453)은 구동을 위한 일영역이 세정 챔버(400) 외부에 배치될 수 있다. 이동유닛(453)은 지그(451)를 이동시키기 위한 레일이나 모터 등의 구성을 포함할 수 있다.
일실시예로, 이동유닛(453)은 세정 챔버(400) 외부에 배치될 수 있으며 이동유닛(453)에 연결되는 연결지그(451a)의 일부가 세정 챔버(400) 내부에 존재하도록 하여 이동유닛(453)에서 발생되는 이물질의 세정 챔버(400)로의 유입을 최소화할 수 있다.
또한, 이동유닛(453)이 배치되는 영역에는 기류 유출 차단 구조물이 설치되어 세정챔버(400) 내부의 공기가 유출되는 것을 차단할 수 있다.
일실시예로, 이동유닛이 배치되는 영역에서 질소나 CDA가 유입되어 세정 챔버(400) 내부로 지속적으로 유체의 흐름이 생성되며, 세정 챔버(400) 내부의 배기구를 통해 공기가 배출되어 이동유닛(453)이 배치되는 측의 공기가 세정 챔버(400) 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 8 내지 도 10은 도 3의 세정 챔버(400) 내부를 포드가 이동시 내부의 배기구조를 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 세정 챔버(400) 내부 즉 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430) 각각에는 배기구가 구비될 수 있으며, 각각의 배기구는 제어부를 통해 개폐가 제어될 수 있다.
클리닝 챔버(410)에는 제1 배기구(418)가, 드라이 챔버(430)에는 제2 배기구(438)가 배치될 수 있으며, 제어부는 세정 챔버(400) 내부에서 포드의 이동상황에 따라 제1 배기구(418) 및 제2 배기구(438)를 제어하여 이물질의 유입을 차단할 수 있다.
도 8은 포드가 세정 챔버(400) 내부로 유입되는 상태를 설명한다. 포드가 세정 챔버(400) 내부로 유입되는 경우, 입구도어(415)가 개폐되고, 포드가 세정 챔버(400) 내부의 챔버 이동부(450)에 안착되게 된다.
이때, 포드 유입시 입구도어(415)의 개폐로 인한 이물질의 유입을 최소화하기 위해 입구도어(415) 측에 배치된 에어커튼(417)이 동작하여 이물질의 유입을 최소화할 수 있다. 포드가 세정 챔버(400)로 유입되는 경우, 셔터(420)는 닫힌 상태로 존재하며, 제1 배기구(418)는 개방되지 아니한다.
도 9는 세정 챔버(400)에서 세정이 완료된 포드가 드라이챔버로 이동하는 상태를 설명한다.
세정 챔버(400)에서 세정이 완료된 포드는 드라이 챔버(430)로 이동하게 된다. 이때, 입구도어(415)는 제1 공간부(320)의 공기가 이동하는 것을 차단하기 위해 닫혀진 상태로 존재하며, 셔터(420)는 챔버 이동부(450)에 안착된 포드가 이동하기 위해 개방된다.
클리닝 챔버(410)에서 포드의 세정이 진행되는 경우 제1 배기구는 개방되어 클리닝 챔버(410) 내부의 공기를 지속적으로 외부로 배출할 수 있다. 이는 세정시 챔버 내부의 압력증가로 인해 세정에 사용되는 액체(steam 또는 DIW)가 외부로 유출되는 것을 방지하기 위함이다.
세정이 완료된 포드가 클리닝 챔버(410)에서 드라이 챔버(430)로 이동시 클리닝 챔버(410)에 배치되는 제1 배기구(418)는 개방되어 클리닝 챔버(410) 내부의 공기를 외부로 배출하게 된다. 이때, 클리닝 챔버(410)보다 깨끗한 공기가 존재하는 드라이 챔버(430)의 공기가 유입될 수 있다.
이를 통해 클리닝 챔버(410)에 존재하는 습기나 이물질이 드라이 챔버(430)로 유입되는 것을 차단할 수 있다.
도 10은 드라이 챔버에서 건조가 완료된 포드가 제2 공간부(520)로 이송되는 상태를 나타낸다.
드라이 챔버(430)에서 건조가 진행되는 경우, 셔터(420)는 클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)를 구획하기 위해 닫혀진 상태로 존재한다.
이때, 드라이 챔버(430) 내부에 배치되는 제2 배기구(438)는 건조 공정이 일어나는 동안 제2 배기구를 개방하여 드라이 챔버(430) 내부 공기를 외부로 지속적으로 배출할 수 있다.
건조가 완료되면, 출구 도어가 개방되며, 드라이 챔버(430) 내부에 존재하는 공기가 제2 공간부(520)로 빠져나가는 것을 방지하기 위해 제어부에 의해 제2 배기구(438)가 개방되어 드라이 챔버(430)의 공기를 외부로 배출하게 된다. 이때, 제2 배기구(438)가 드라이 챔버(430) 내부의 공기를 흡입하여 외부에 배출함에 따라, 제2 공간부(520)에 존재하는 깨끗한 공기가 유입되어 드라이 챔버(430)에 존재하는 외기가 유출되는 것을 방지할 수 있다.
도 11은 도 1의 구성요소인 진공 챔버(600) 내부의 구조를 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 진공 챔버(600)는 복수로 마련되며, 각각의 챔버 내부에는 동일 재질의 포드(이너 포드 또는 아우터 포드)가 배치될 수 있다.
진공 챔버(600) 내부에는 저진공 펌프(610)와 고진공 펌프(620)가 구비되며, 진공 챔버(600) 내부 조건에 따라 개별적으로 가동될 수 있다.
진공 챔버(600) 내부에는 압력 상태를 측정하기 위한 압력센서(630) 및 파라니 게이지(640)가 배치될 수 있다. 진공 챔버(600) 내부에는 압력 저하에 따른 온도의 하강을 방지하기 위한 복수의 히터가 배치될 수 있다. 이때, 히터는 IR 히터(650)가 사용될 수 있다.
또한, 진공 챔버(600) 내부에는 포드의 세정상태를 측정하기 위한 RGA 센서(660)가 구비되어 포드 표면 또는 진공 챔버(600) 표면에서 박탈되는 분자의 질량 단위별로 분석하여 세정상태를 측정할 수 있다.
진공 챔버(600)에는 챔버 내부의 상태에 따라 질소를 주입하기 위한 질소펌프(680)가 존재하며, 디퓨져를 통해 질소를 확산시킬 수 있다.
진공 챔버(600)의 세부구성은 상기 언급된 내용으로 한정되지 않으며, 물품 세정을 위한 다양한 공지의 진공 챔버(600) 기술이 부가될 수 있다.
한편, 이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포드 세정공정을 설명하면 다음과 같다. 단, 본 발명의 일 실시예에 따른 포드 세정 장치 및 포드 세정 챔버(400)에서 설명한 바와 동일한 것에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.
도 12는 도 1의 포드 세정장치를 이용한 포드 세정공정의 흐름을 나타내는 순서도이고, 도 13은 도 12의 구성요소인 클리닝 단계의 세부 공정을 나타내는 도면이고, 도 14는 도 12의 구성요소인 진공처리 단계의 세부 공정을 나타내는 도면이다.
도 12 내지 14의 설명에 있어서, 도 1 내지 도 11과 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타내며 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 12 내지 도 14를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포드 세정공정은 분리 단계(S100), 클리닝 단계(S200), 드라이 단계(S300), 진공 처리단계(S400), 조립 단계(S500), 저장 단계(S600) 및 반출 단계(S700)를 포함할 수 있다.
분리 단계(S100)는 투입부(100)를 통해 투입되는 포드가 분리부(200)에서 이너 포드와 아우터 포드의 구성부품으로 분리될 수 있다. 일실시예로, 분리 단계(S100)는 이너 포드를 상부 이너 포드와 하부 이너 포드로, 아우터 포드를 상부 아우터 포드와 하부 아우터 포드로 분리할 수 있다.
분리 단계(S100)에서 분리된 포드는 4개의 챔버로 분리되는 복수로 마련되는 세정 챔버(400)로 각각으로 유입된다. 세정 챔버(400)로 유입되는 포드는 클리닝 챔버(410)에서 클리닝 단계(S200)가, 드라이 챔버(430)에서 드라이 단계(S300)가 각각 진행될 수 있다.
클리닝 단계(S200)는 클리닝 챔버(410) 내부에서 분리되어 이송된 포드를 세정하는 단계가 진행될 수 있다.
클리닝 단계(S200)는 포드 투입단계(S210), 세정단계(S220, S230) 및 예비건조 단계(S240)를 포함할 수 있다
포드 투입단계(S210)는 제1 이송부(300)를 통해 이송되는 포드가 클리닝 챔버(410) 내부로 유입되는 단계이다. 이때, 제1 이송부(300)를 통해 이송되는 포드는 챔버 이동부(450)에 안착되어 세정 챔버(400) 내부를 이동할 수 있다.
이때, 제1 이송부(300)를 통해 클리닝 챔버(410)로 포드가 투입되는 경우, 클리닝 챔버(410)의 입구에 배치되는 에어커튼(417)이 동작하여 제1 공간부(320)의 공기 또는 이물질이 클리닝 챔버(410)로 유입되는 것을 최소화할 수 있다.
세정단계(S220, S230)는 세정액을 분사하여 포드를 세정하는 단계이다. 이때, 클리닝 단계는 고온의 정제수(hot D.I water cleaning)를 이용하여 세정하는 세정단계(S220)와 스팀을 이용하여 세정하는 세정단계(S230)를 포함할 수 있다.
세정단계(S220, S230)에서 챔버 이동부(450)는 클리닝 챔버(410) 내부를 전후 방향으로 왕복이동하도록 구동할 수 있다.
이때, 클리닝 단계(S200)가 진행되는 과정에서 제1 배기구는 지속적으로 개방되어 클리닝 챔버 내부의 공기를 외부로 배출할 수 있다.
이후, 클리닝 단계(S200)에서 드라이 단계(S300)로 이동하기 전에 예비 건조단계(S240)가 진행될 수 있다. 예비 건조단계(S240)는 세정된 포드가 건조 단계로 이동하기 전에 물기를 제거하는 단계로 이물질이 드라이 챔버(430)로 유입되는 것을 최소화할 수 있다.
클리닝 챔버(410)와 드라이 챔버(430)는 셔터(420)를 통해 구획되며, 클리닝 단계(S200)에서 드라이 단계(S300)로 포드가 이동시 셔터(420)가 개방된다. 이때, 클리닝 챔버(410) 내부에 배치되는 제1 배기구(418)를 지속적으로 개방하여 클리닝 챔버(410) 내부의 공기가 드라이 챔버(430) 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
드라이 단계(S300)는 드라이 챔버(430) 내부에서 클리닝 단계를 통과한 포드를 건조하는 단계이다.
드라이 단계(S300)는 기체 건조와 IR 건조가 일어날 수 있다. 드라이 단계(S300)로 진입된 포드는 고온의 질소(N2) 또는 CDA(Clean Dry Air)를 통해 건조될 수 있다.
또한, IR 건조는 IR 램프(435)를 사용하여 건조할 수 있다. IR 램프(435)는 마주보도록 한 쌍이 배치되어 적외선을 방출하여 포드를 건조시킬 수 있다.
드라이 단계(S300)가 진행되는 과정에서 제2 배기구(438)는 개방되어 드라이챔버 내부의 공기를 외부로 배출할 수 있다.
드라이 단계(S300)에서 건조된 포드는 제2 이송부(500)를 통해 이송된다. 이때, 드라이 단계에서 포드를 배출하는 경우, 드라이 챔버(430) 내부에 배치되는 제2 배기구(438)를 지속적으로 개방하여 드라이 챔버(430) 내부의 공기를 흡입하여 외부로 배출할 수 있다. 이를 통해 제2 공간부(520)로 드라인 챔버 내부의 공기가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
진공처리 단계(S400)는 드라이 단계(S300)를 통과한 챔버를 진공처리하는 단계이다.
진공처리 단계(S400)는 포드 투입단계(S410), 진공 공정 단계(S420), RGA 측정 단계(S430), 질소 벤트 단계(S440) 및 배출 단계(S450)를 포함할 수 있다.
포드 투입단계(S410)는 드라이 단계(S300)를 통과한 포드를 진공 챔버(600)로 투입하는 단계이다. 챔버 이동부(450)를 통해 이동하는 포드를 제2 이송부(500)에서 파지하고 이를 복수로 마련되는 진공 챔버(600)로 투입하게 된다. 이때 구성부품이 분리되어 세정되는 포드 중 동일한 재질로 마련되는 이너 포드의 구성부품을 하나의 진공 챔버(600)로 투입하고, 아우터 포드의 구성부품을 또 다른 진공 챔버(600)로 투입하게 된다.
이때, 진공 챔버(600)의 투입구는 에어 실린더를 통해 투입구가 개폐될 수 있다.
진공 공정 단계(S420)는 진공 챔버(600) 내부로 포드가 투입된 후, 저진공 펌프(610)를 가동하게 된다. 이때, 압력 센서(630)를 통해 압력을 측정하게 되며, 음압이 되면 피라니 게이지(640)를 통해 압력을 측정하게 된다.
진공 챔버(600) 내부의 압력이 구동에 적합한 중진공 영역이 되면, 고진공 밸브를 개방하고, 고진공 펌프(620)를 구동하게 된다.
이후, 진공 챔버(600) 내부의 압력이 적합한 고진공 영역이 되면, 이온 게이지(670)를 통해 압력을 측정하게 되며, 센싱에 적합한 진공상태가 되면, RGA(Residual Gas Analyser) 센서를 작동시키게 된다.
RGA 센서(660)는 포드 표면 또는 챔버 표면에서 박탈되는 분자 질량 단위별로 분석하여 세정상태를 측정하게 되며, 세정상태가 기설정된 요건을 만족시키는 경우, 진공펌프의 작동을 중단하게 된다.
이후, 질소 벤트 단계(S440)를 통해 진공 챔버(600) 내부로 질소펌프(680)가 질소를 분사하게 되며, 이를 통해 챔버 내부의 압력을 대기압과 동일하게 만든 후, 진공 챔버(600) 내부에서 포드를 배출하게 된다.
조립 단계(S500)는 진공처리 단계를 통과한 이너 포드와 아우터 포드가 제2 이송부(500)를 통해 조립부(700)로 이송되며, 조립부(700)에서는 이너 포드와 아우터 포드를 조립하게 된다.
저장 단계(S600)는 조립 단계를 통해 조립된 포드를 스토커(900)에 저장하는 단계이다.
본 발명에서는 스토커(900)를 포드 세정장치의 내부에 배치하여 필요한 경우 포드를 저장할 수 있다. 스토커(900)의 세부 구성은 공지된 구성이 사용될 수 있다.
반출 단계(S700)는 저장 단계에서 저장된 포드를 이송하거나, 조립 단계(S500)에서 조립된 포드를 반출부(1000)를 통해 외부로 반출할 수 있다. 반출 단계(S700)는 제3 이송부(800)가 동작하여 스토커(900)에 저장된 포드를 이송하거나, 조립부(700)에서 조립된 포드를 이송하여 외부로 반출할 수 있다.
이상으로 본 발명의 실시 예에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 살펴보았다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 포드 100 ; 투입부
200 : 분리부 300 : 제1 이송부
310 : 제1 이송레일 320 : 제1 공간부
400 : 세정 챔버 410 : 드라이 챔버
411 : 제1 세정노즐 412 : 제2 세정노즐
413 : 제1 건조노즐 414 : 제1 에어나이프
415 : 입구도어 417 : 에어커튼
418 : 제1 배기구 420 : 셔터
430 : 클리닝 챔버 431 : 제2 건조노즐
433 : 제2 에어나이프 435 : IR 램프
437 : 출구도어 438 : 제2 배기구
450 : 챔버 이동부 451 : 지그
451a : 연결지그 451b : 안착지그
451b-1 : 경사부 451b-2 : 직선부
451c : 지지핀 453 : 이동유닛
500 : 제2 이송부 510 : 제2 이송레일
520 : 제2 공간부 600 : 진공 챔버
610 : 저진공 펌프 620 : 고진공 펌프
630 : 압력센서 640 : 피라니 게이지
650 : IR 히터 660 : RGA 센서
670 : 이온 게이지 680 : 질소 투입구
700 : 조립부 800 : 제3 이송부
900 : 스토커 1000 : 반출부

Claims (13)

  1. 유입구를 통해 유입되는 포드를 분리하는 분리부;
    상기 분리부에서 분리된 포드를 이송하는 제1 이송부;
    상기 제1 이송부를 통해 분리되어 이송되는 포드를 클리닝 및 드라잉 하는 세정 챔버;
    상기 세정 챔버에서 건조된 포드를 진공 처리하는 진공 챔버;
    상기 세정 챔버에서 건조된 포드를 상기 진공 챔버로 이송하는 제2 이송부;
    상기 진공 처리된 상기 포드를 조립하는 조립부;
    를 포함하며,
    상기 세정 챔버는
    복수로 마련되어 상기 제1 이송부를 통해 이송되는 상기 포드를 수용하여 세정하는 클리닝 챔버 및 상기 클리닝 챔버에서 이송된 상기 포드를 건조하는 드라이 챔버를 포함하고, 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 셔터에 의해 공간적으로 분리되고,
    상기 클리닝 챔버는 상기 포드를 세척하는 동안 상기 클리닝 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하는 제1 배기구를 포함하고,
    상기 클리닝 챔버에서 상기 드라이 챔버로 포드가 이동시 상기 셔터가 개방되고 상기 제1 배기구가 개방되어 상기 드라이 챔버 내부의 공기가 상기 클리닝 챔버로 유입되고,
    상기 포드를 상기 클리닝 챔버에서 상기 드라이 챔버로 이송하는 챔버 이동부를 더 포함하고,
    상기 챔버 이동부는 상기 포드가 안착되는 지그와 상기 지그에 연결되어 상기 지그를 이동시키는 이동유닛을 포함하고,
    상기 이동유닛의 일영역은 상기 클리닝 챔버 및 상기 드라이 챔버의 외부에 배치되고,
    상기 지그는 상기 포드를 지지하기 위한 안착지그 및 상기 안착지그를 상기 이동유닛에 연결하는 연결지그를 포함하는 포드 세정장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 동일한 개수를 가지며, 상기 포드의 이동방향에서 상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버가 열을 지어 배치되는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 이송부가 배치되는 제1 공간부는 외기가 유입될 수 있는 더티에어존을 형성하며, 상기 제2 이송부가 배치되는 제2 공간부는 외기가 유입되지 않는 클린존을 형성하는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 클리닝 챔버와 상기 드라이 챔버는 각각 4개의 챔버를 구비하는 포드 세정장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 이송부는 제1 이송레일을 따라 이동하는 포드 세정장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 이송부는 제2 이송레일을 따라 이동하는 포드 세정장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 클리닝 챔버는 세정작업 이후, 상기 드라이 챔버로 이동전 1차 건조를 실시하는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 이송부는 상기 진공 챔버에서 진공 처리된 상기 포드를 상기 조립부로 이송하는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치.
  9. 삭제
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 이동부는 상기 클리닝 챔버 또는 상기 드라이 챔버 내부에서 전후 방향으로 왕복이동하는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 이동부는 각 열마다 하나씩 배치되는 것을 특징으로 하는 포드 세정장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 조립부를 통해 조립된 상기 포드를 저장하는 스토커를 더 포함하는 포드 세정장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 드라이 챔버는 상기 포드를 건조시키는 동안 상기 드라이 챔버 내부의 공기를 외부로 배출하는 제2 배기구를 포함하는 포드 세정장치.
KR1020200152755A 2020-11-16 2020-11-16 포드 세정장치 KR102593653B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200152755A KR102593653B1 (ko) 2020-11-16 2020-11-16 포드 세정장치
TW109140399A TWI795693B (zh) 2020-11-16 2020-11-18 傳送盒清洗裝置
CN202110539352.4A CN114512419A (zh) 2020-11-16 2021-05-13 传送盒清洗装置
US17/527,276 US20220152661A1 (en) 2020-11-16 2021-11-16 Pod cleaning device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200152755A KR102593653B1 (ko) 2020-11-16 2020-11-16 포드 세정장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220066571A KR20220066571A (ko) 2022-05-24
KR102593653B1 true KR102593653B1 (ko) 2023-10-26

Family

ID=81548740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200152755A KR102593653B1 (ko) 2020-11-16 2020-11-16 포드 세정장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220152661A1 (ko)
KR (1) KR102593653B1 (ko)
CN (1) CN114512419A (ko)
TW (1) TWI795693B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI762273B (zh) * 2021-04-16 2022-04-21 科嶠工業股份有限公司 物料傳送盒的清潔方法及其設備
US20240096664A1 (en) * 2022-09-15 2024-03-21 Applied Materials, Inc. On-board cleaning of tooling parts in hybrid bonding tool

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2925235B2 (ja) * 1990-04-21 1999-07-28 ポリプラスチックス株式会社 蓋付移動容器の自動洗浄乾燥装置
JP2001066761A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Rohm Co Ltd 容器の洗浄乾燥装置
JP2014061468A (ja) 2012-09-20 2014-04-10 Hugle Electronics Inc 基板ケース洗浄装置
KR101635550B1 (ko) 2016-01-20 2016-07-01 엠에스티코리아(주) 기판 처리 장치
KR102030690B1 (ko) * 2011-06-23 2019-10-10 다이나믹 마이크로시스템즈 세미컨덕터 이큅먼트 게엠베하 반도체 클리너 시스템들 및 방법들

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0552756A1 (en) * 1992-01-21 1993-07-28 Shinko Electric Co. Ltd. Article storage house in a clean room
US5746008A (en) * 1992-07-29 1998-05-05 Shinko Electric Co., Ltd. Electronic substrate processing system using portable closed containers
JP3110218B2 (ja) * 1992-09-25 2000-11-20 三菱電機株式会社 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具
US6926017B2 (en) * 1998-01-09 2005-08-09 Entegris, Inc. Wafer container washing apparatus
JPH11274282A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Toshiba Corp 基板収納容器、基板収納容器清浄化装置、基板収納容器清浄化方法および基板処理装置
WO2001091928A1 (fr) * 2000-06-01 2001-12-06 Dainichi Shoji Kabushiki Kaisha Appareil de nettoyage d'un recipient de transfert d'un article incompatible avec la poussiere
US20050224103A1 (en) * 2003-10-10 2005-10-13 Dolechek Kert L Centrifugal container cleaning system
DE102005003093B4 (de) * 2005-01-22 2018-12-13 Ecoclean Gmbh Reinigungsanlage
DE102005030275A1 (de) * 2005-06-21 2006-12-28 Dynamic Microsystems Semiconductor Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen oder Trocknen von topfartigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer
JP5038024B2 (ja) * 2007-06-06 2012-10-03 上村工業株式会社 ワークの表面処理システム
JP5730297B2 (ja) * 2009-06-17 2015-06-10 ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー 統合されたクリーナ及びドライヤシステム
KR101022014B1 (ko) * 2010-05-18 2011-03-16 (주) 디바이스이엔지 웨이퍼 보관용기 세정장치
TW201400202A (zh) * 2012-06-23 2014-01-01 Dynamic Micro Systems 半導體清洗系統及方法
JP6025250B2 (ja) * 2012-09-20 2016-11-16 ヒューグルエレクトロニクス株式会社 基板ケース洗浄装置
JP2015041756A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 株式会社東芝 ウェハキャリアの洗浄方法
US20160303622A1 (en) * 2013-10-23 2016-10-20 Brooks Ccs Gmbh Cleaning Systems and Methods for Semiconductor Substrate Storage Articles
US20180169720A1 (en) * 2016-12-16 2018-06-21 Tec-Sem Ag Substrate compartment cleaning
KR102067752B1 (ko) * 2018-02-09 2020-01-17 (주)에스티아이 풉 세정 장치 및 풉 세정 방법
KR102299761B1 (ko) * 2018-03-15 2021-09-09 (주)동아에프이 전자 부품의 세정 장치 및 그의 세정 방법
JP7365820B2 (ja) * 2019-08-20 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び基板処理装置
US11813649B2 (en) * 2020-05-29 2023-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor arrangement and method for making
TWI762273B (zh) * 2021-04-16 2022-04-21 科嶠工業股份有限公司 物料傳送盒的清潔方法及其設備

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2925235B2 (ja) * 1990-04-21 1999-07-28 ポリプラスチックス株式会社 蓋付移動容器の自動洗浄乾燥装置
JP2001066761A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Rohm Co Ltd 容器の洗浄乾燥装置
KR102030690B1 (ko) * 2011-06-23 2019-10-10 다이나믹 마이크로시스템즈 세미컨덕터 이큅먼트 게엠베하 반도체 클리너 시스템들 및 방법들
JP2014061468A (ja) 2012-09-20 2014-04-10 Hugle Electronics Inc 基板ケース洗浄装置
KR101635550B1 (ko) 2016-01-20 2016-07-01 엠에스티코리아(주) 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220066571A (ko) 2022-05-24
CN114512419A (zh) 2022-05-17
TW202221822A (zh) 2022-06-01
TWI795693B (zh) 2023-03-11
US20220152661A1 (en) 2022-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102593653B1 (ko) 포드 세정장치
TWI620231B (zh) 曝光裝置、基板處理裝置、基板的曝光方法以及基板處理方法
US7871265B2 (en) Heat treatment device
US7712475B2 (en) Cleaning apparatus, coating and developing apparatus, and cleaning method
KR102596033B1 (ko) 포드 세정공정
KR20210008209A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102635385B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102565731B1 (ko) 포드 세정챔버
TWI463591B (zh) 基板加工裝置及基板加工方法
KR20160115775A (ko) 노광 장치 및 기판 처리 장치
KR101958643B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102635384B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220089562A (ko) 기판 처리 장치
KR100787873B1 (ko) 기판 건조장치 및 건조방법
KR102624576B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102499199B1 (ko) 포드 그립퍼
KR102684857B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH10135307A (ja) 処理装置
KR102616130B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102099103B1 (ko) 가열 플레이트 냉각 방법 및 기판 처리 장치
KR102259064B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102303596B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20220095258A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20240079587A (ko) 기판 처리 장치, 그 동작 방법, 및 포토 스피너 설비
KR100724558B1 (ko) 반도체 제조용 자외선 베이크 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)