JP2015041756A - ウェハキャリアの洗浄方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明の一つの実施形態は、純水による洗浄よりも洗浄能力を高めることができるウェハキャリアの洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、ウェハキャリアの洗浄方法が提供される。ウェハキャリアの洗浄方法は、金属を溶融可能な弱酸が含まれる薬液によってウェハキャリアを洗浄する工程と、薬液によって洗浄されたウェハキャリアを、純水によって洗浄する工程とを含む。薬液に含まれる弱酸は、重金属を溶融可能であり、且つ、ウェハキャリアを損傷させないクエン酸が望ましい。
【選択図】図3

Description

本発明の実施形態は、ウェハキャリアの洗浄方法に関する。
従来、半導体装置の形成処理が施されるウェハは、例えば、FOUP(Front Opening Unified Pod)等のウェハキャリアに収納された状態で、処理装置から別の処理装置へ移送される。ウェハキャリアは、内部にウェハを支持する支持部を備える。
かかる支持部に汚染物質が付着していた場合に、ウェハをウェハキャリアへ収納すると、ウェハに接触する支持部からウェハへ汚染物質が転写されることがある。かかる場合、ウェハに転写された汚染物質に起因して半導体装置の特性が劣化するおそれがある。
このため、ウェハキャリアは、定期的に純水によって洗浄されることが一般的である。しかしながら、純水による洗浄では、汚染物質を十分に洗浄することができないことがある。
特開2001−156034号公報
本発明の一つの実施形態は、純水による洗浄よりも洗浄能力を高めることができるウェハキャリアの洗浄方法を提供することを目的とする。
本発明の一つの実施形態によれば、ウェハキャリアの洗浄方法が提供される。ウェハキャリアの洗浄方法は、金属を溶融可能な弱酸が含まれる薬液によってウェハキャリアを洗浄する工程と、前記薬液によって洗浄された前記ウェハキャリアを、純水によって洗浄する工程とを含む。
実施形態に係るFOUPの模式的な斜視図。 実施形態に係るFOUPの模式的な水平断面図。 実施形態に係るウェハキャリアの洗浄処理を示すフローチャート。 実施形態に係る洗浄装置を模式的に示す平面図。 実施形態に係る洗浄器の洗浄動作を示す説明図。 実施形態に係る洗浄器の洗浄動作を示す説明図。 実施形態に係る洗浄器の洗浄動作を示す説明図。 実施形態に係る減圧器の減圧脱ガス動作を示す説明図。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるウェハキャリアの洗浄方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。まず、図1および図2を参照して、本実施形態に係る洗浄対象のウェハキャリアについて説明する。
ここでは、洗浄対象がFOUP(Front Opening Unified Pod)である場合について説明する。FOUPは、処理装置から他の処理装置へ移送される半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」と記載する)を収納するウェハキャリアである。なお、本実施形態に係る洗浄対象は、FOUPに限定されるものではなく、FOSB(Front Opening Shipping Box)などの他のウェハキャリアであってもよい。
図1は、実施形態に係るFOUPの模式的な斜視図である。なお、図1には、水平面に載置された状態のFOUPを示している。また、図2は、実施形態に係るFOUPの模式的な水平断面図である。
図1に示すように、FOUP1は、内部に複数枚(例えば、25枚)のウェハWを収納可能なキャリア本体11と、キャリア本体11の前側開口部を閉塞する着脱自在な蓋体12とを備える。キャリア本体11は、ウェハが1枚ずつ載置される複数段の棚板を備える。
各棚板は、図2に示すように、ウェハWの周縁部(べベル部)を複数箇所(ここでは、4箇所)で支持する支持部13を備える。かかる支持部13には、半導体装置の製造工程において、何らかの汚染物質が付着することがある。
支持部13に付着した汚染物質は、その後、収納されるウェハWに転写されて、ウェハWに形成される半導体装置の特性に悪影響を与えることがある。また、FOUP1における支持部13以外の部位に付着した汚染物質も、気流などによって舞い上げられてウェハWに付着して、半導体装置の特性に悪影響を与えることもある。
例えば、固体撮像装置が形成されるウェハWの場合、FOUP1内部に存在する重金属の汚染物質がウェハWに付着すると、固体撮像装置では、汚染物質が原因となって暗電流が発生し、暗電流が白キズとなって撮像画像に現れる。そして、かかる白キズの原因の一つとなる重金属の汚染物質は、純水による洗浄だけでは、FOUP1から除去することが困難である。
次に、図3を参照して、かかる汚染物質をFOUP1から洗浄除去可能としたウェハキャリアの洗浄方法について説明する。図3は、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄処理を示すフローチャートである。
図3に示すように、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法では、まず、FOUP1に対して、クエン酸を含む薬液による洗浄を行う(ステップS101)。ここで用いる薬液は、例えば、30倍程度に希釈したクエン酸に、界面活性剤およびキレート剤を添加したものである。
かかる薬液に含まれるクエン酸は、例えば、白金、金、水銀、銀、鉛、銅、クロム、マンガン、コバルト、ニッケルなど重金属を溶融する性質を有する。しかも、クエン酸は、原液であっても、FOUP1の材料として主に用いられるポリカーボネートやフッ素樹脂等の樹脂を変質させたり溶融させたりすることが殆どない。
したがって、クエン酸を含む薬液によってFOUP1を洗浄することにより、FOUP1に付着した重金属の汚染物質を溶融させて洗浄除去することができる。また、クエン酸を含む薬液による洗浄によれば、FOUP1自体を変質させたり溶融させたりすることが殆どないので、FOUP1の耐用年数を長期化させることができる。なお、本実施形態で使用するクエン酸を含む薬液は、常圧および100℃以下の雰囲気中において不揮発性を有する。
続いて、FOUP1に対して、純水による洗浄を行う(ステップS102)。これにより、クエン酸を含む薬液では、十分に除去されなかったレジスト等の有機物や酸化シリコン、窒化シリコンなどの重金属以外の汚染物質を洗浄除去する。
続いて、FOUP1に対して、窒素パージを行う(ステップS103)。ここでは、FOUP1に対して、加熱した窒素ガスを吹き付けることによって、水滴を吹き飛ばすとともに、FOUP1の乾燥を行う。
最後に、FOUP1に対して、減圧脱ガス処理を行い(ステップS104)、処理を終了する。減圧脱ガス処理では、FOUP1を略真空の減圧された雰囲気中にさらすことにより、FOUP1の表層部分に浸透した薬液をガス化させてFOUP1から除去する。
このように、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法では、純水洗浄の前に、金属を溶融可能な弱酸であるクエン酸を含む薬液によって、FOUP1を洗浄する。これにより、FOUP1から金属の汚染物質を洗浄除去することができる。
したがって、かかるウェハキャリアの洗浄方法によれば、例えば、固体撮像装置が形成されるウェハWを収納するFOUP1を洗浄した場合、固体撮像装置で暗電流の原因となる金属の汚染物質がFOUP1からウェハWへ転写されることを防止することができる。
なお、上記したように、本実施形態で使用するクエン酸を含む薬液は、常圧および100℃以下の雰囲気中において不揮発性を有する。そして、FOUP1は、通常、複数の処理装置間を移送される過程で、100℃以上の雰囲気にさらされることはない。
したがって、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法によれば、たとえ減圧脱ガス処理によって、FOUP1から薬液を完全には脱ガスさせることができなかったとしても、FOUP1の使用中に、FOUP1から薬液が気化することがない。これにより、FOUP1の使用中に、FOUP1から気化する薬液のガスが、ウェハや人体に悪影響を及ぼすことを未然に防止することができる。
次に、図4を参照して、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄装置20について説明する。図4は、実施形態に係る洗浄装置20を模式的に示す平面図である。図4に示すように、洗浄装置20は、複数のFOUP1を載置可能なステージ21と、FOUP1を洗浄する洗浄器22と、洗浄後のFOUP1に対して減圧脱ガス処理を行う減圧器23とを備える。
さらに、洗浄装置20は、ステージ21、洗浄器22、および減圧器23の間でFOUP1の移送を行うロボット3を備える。ロボット3は、鉛直軸を回転軸として回転自在な基部34と、基部34から延伸する複数の関節を備えたロボットアーム32と、ロボットアーム32の先端に設けられ、FOUP1を把持可能なエンドエフェクタ33とを備える。
かかるロボット3は、レール34に沿って洗浄室内を移動しながら、ステージ21から洗浄前のFOUP1を取り出し、洗浄器22へセットし、洗浄後のFOUP1を洗浄器22から取り出して減圧器23へセットする。その後、ロボット3は、減圧脱ガス処理後のFOUP1を取り出して、ステージ21へ戻す。
これらのロボット3、ステージ21、洗浄器22、および減圧器23は、気密性の高い密閉された洗浄室内に設けられる。かかる洗浄装置20によれば、FOUP1の洗浄中に発生する有害物質が作業者に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
次に、図5A、図5B、および図5Cを参照して、洗浄器22が行う洗浄動作について説明する。図5A、図5B、および図5Cは、実施形態に係る洗浄器22の洗浄動作を示す説明図である。なお、図5A、図5B、および図5Cでは、洗浄動作の理解を容易にする観点から、キャリア本体11の断面を示している。
また、ここでは、洗浄器22によるキャリア本体11の洗浄動作について説明する。蓋体12は、洗浄室内に設けられる図示を省略した別の洗浄器によって、キャリア本体11と同様に洗浄される。
図5Aに示すように、洗浄器22は、FOUP1の背面を鉛直上方向から回転自在に保持する回転保持部41と、回転保持部41に対向するように回転保持部41の下方に配置されるノズル42とを備える。
洗浄器22による洗浄を行う場合、ロボット3が金属の汚染物質Mや金属以外の汚染物質Dが付着したキャリア本体11を回転保持部41にセットする。このとき、ロボット3は、キャリア本体11における前面の開口部側が鉛直下向きになるように、キャリア本体11の背面を回転保持部41によって保持させる。これにより、洗浄除去される金属の汚染物質Mや金属以外の汚染物質Dは、洗浄器22の底面へ落下するので、キャリア本体11へ再付着することが抑制される。
洗浄器22は、キャリア本体11がセットされると、回転保持部41によってキャリア本体11を回転させながら、キャリア本体11内部へ向け、ノズル42からクエン酸を含む薬液51を噴射させて、金属の汚染物質Mを洗浄除去する。
続いて、洗浄器22は、図5Bに示すように、回転保持部41によってキャリア本体11を回転させながら、金属の汚染物質Mが洗浄除去されたキャリア本体11内部へ向け、ノズル42から純水52を噴射させて、金属以外の汚染物質Dを洗浄除去する。また、この工程で、キャリア本体11からクエン酸を含む薬液51についても洗浄除去する。
その後、洗浄器22は、図5Cに示すように、回転保持部41によってキャリア本体11を回転させながら、金属以外の汚染物質Dが洗浄除去されたキャリア本体11内部へ向け、ノズル42から加熱された窒素ガス53を噴射させる。これにより、キャリア本体11から水滴を吹き飛ばすとともに、キャリア本体11を乾燥させる。
次に、図6を参照して、減圧器23が行う減圧脱ガス動作について説明する。図6は、実施形態に係る減圧器23の減圧脱ガス動作を示す説明図である。なお、図6では、減圧脱ガス動作の理解を容易にする観点から、キャリア本体11の断面を示している。
また、ここでは、減圧器23によるキャリア本体11の減圧脱ガス処理について説明する。蓋体12は、洗浄室内に設けられる図示を省略した別の減圧器によって、キャリア本体11と同様に減圧脱ガス処理が施される。
図6に示すように、減圧器23は、密閉空間となるチャンバ61と、チャンバ61の内部でキャリア本体11を保持する保持部62とを備える。さらに、減圧器23は、チャンバ61の内部へ清浄な空気71を供給する送気管63と、チャンバ61の内部雰囲気72を外部へ吸引排気する排気管64とを備える。送気管63には、空気71を供給する供給装置(図示略)が接続され、排気管64には、真空ポンプ(図示略)が接続される。
減圧器23による減圧脱ガス処理を行う場合、ロボット3が洗浄乾燥後のキャリア本体11を保持部62にセットする。このとき、ロボット3は、キャリア本体11における前面の開口部側が鉛直上向きになるように、キャリア本体11を保持部62にセットする。これにより、減圧脱ガス処理によってガス化した薬液51がチャンバ61の内部に滞留して、キャリア本体11に再付着することを抑制することができる。
減圧器23は、キャリア本体11がセットされると、供給装置から送気管63を介して、チャンバ61の内部へ空気71を供給しながら、真空ポンプによって排気管64を介してチャンバ61の内部雰囲気72を吸引させる。
このとき、真空ポンプは、供給装置が単位時間に供給する空気71よりも多くの内部雰囲気72を単位時間に吸引することで、チャンバ61の内部が略真空となるように減圧する。これにより、キャリア本体11の内部表面に浸透した常温では気化しないクエン酸を含む薬液51を気化(ガス化)させてキャリア本体11の外部へ放出させ、排気管64からチャンバ61の外部へ排出させることができる。
このように、減圧器23によれば、キャリア本体11の内部表面に浸透した薬液51まで、ほぼ完全にキャリア本体11から除去することができる。なお、前述のように、本実施形態で使用する薬液51は、常圧および100℃以下の雰囲気中では、不揮発性を有するので、減圧脱ガス処理後のキャリア本体11に、微量の薬液51が残存しても、残存する薬液51が使用中のFOUP1から気化することがない。
上述したように、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法では、金属を溶融可能な弱酸を含む薬液によってウェハキャリアを洗浄した後、薬液による洗浄後のウェハキャリアを純水によって洗浄する。
実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法によれば、純水による洗浄では、十分な洗浄除去が困難な金属の汚染物質をウェハキャリアから洗浄除去することができるので、純水による洗浄よりも洗浄能力を高めることができる。
具体的には、30日間使用したウェハキャリアについて、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法による洗浄前後で、ウェハキャリアに付着している金属の汚染物質の量を計測する実験を行った。汚染物質の量の計測には、ICP―MS(誘導結合プラズマ質量分析計)を使用した。
実験の結果、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法による洗浄前に、1E+10atoms/cmほどあった金属の汚染物質が、洗浄後には、1E+8atoms/cm程度まで減少していた。つまり、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法によれば、金属の汚染物質の量を洗浄前の1/10〜1/100まで低減することが実証された。
また、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法で洗浄に用いる薬液は、弱酸性であるため、ウェハキャリアの変質や溶融を抑制しつつ、金属の汚染物質を洗浄することができるので、ウェハキャリアの耐用年数を長期化させることができる。
また、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法で用いる薬液の弱酸は、重金属を溶融可能な薬液である。これにより、固体撮像装置が形成されるウェハの搬送に用いるウェハキャリアを洗浄することで、固体撮像装置で白キズを生じさせる暗電流の原因の一つとなる重金属を、ウェハキャリアから洗浄除去することができる。
また、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法で用いる薬液の弱酸として、クエン酸を用いることができる。クエン酸は、比較的入手が容易で、重金属を溶融可能であり、且つ、原液でもウェハキャリアを変質および溶融しない。
かかるクエン酸を含む洗浄用の薬液は、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)装置に付着した金属不純物を除去するメンテナンス用の洗浄剤としても使用されている。このため、実施形態に係るウェハキャリアの洗浄方法によれば、ウェハキャリアの洗浄用に、特別な薬液を用意する必要がなく、例えば、CMPのメンテナンス用の洗浄剤を流用することが可能である。
なお、上述した実施形態では、薬液中の弱酸がクエン酸である場合について説明したが、薬液に含有させる弱酸は、pHがクエン酸と同様の弱酸であり、金属を溶融可能なものであれば、他の任意の弱酸であってもよい。
また、上述した実施形態では、ウェハキャリアに対して、クエン酸を含む薬液を噴射して、金属の汚染物質を洗浄除去する場合について説明したが、クエン酸を含む薬液にウェハキャリアを浸漬させて、金属の汚染物質を洗浄除去してもよい。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 FOUP、 11 キャリア本体、 12 蓋体、 13 支持部、 20 洗浄装置、 21 ステージ、 22 洗浄器、 23 減圧器、 3 ロボット、 41 回転保持部、 42 ノズル、 61 チャンバ、 62 保持部、 63 送気管、 64 排気管、 51 薬液、 52 純水、 53 窒素ガス、 71 空気、 72 内部雰囲気、 W ウェハ、 M 金属の汚染物質、 D 金属以外の汚染物質

Claims (5)

  1. 金属を溶融可能な弱酸が含まれる薬液によってウェハキャリアを洗浄する工程と、
    前記薬液によって洗浄された前記ウェハキャリアを、純水によって洗浄する工程と
    を含むことを特徴とするウェハキャリアの洗浄方法。
  2. 前記弱酸は、
    重金属を溶融可能な酸である
    ことを特徴とする請求項1に記載のウェハキャリアの洗浄方法。
  3. 前記弱酸は、
    クエン酸である
    ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェハキャリアの洗浄方法。
  4. 薬液は、
    常圧および100℃以下の雰囲気中において不揮発性を有する
    ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のウェハキャリアの洗浄方法。
  5. 前記ウェハキャリアは、
    固体撮像装置が形成される前記ウェハを収納する容器である
    ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のウェハキャリアの洗浄方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021134375A (ja) * 2020-02-25 2021-09-13 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び洗浄装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105891222B (zh) * 2016-05-17 2019-02-12 湖北第二师范学院 一种基于多摄像头图像识别的纸杯质量检测装置
DE102016109771B4 (de) * 2016-05-27 2020-09-10 Brooks Automation (Germany) Gmbh Verfahren zum Reinigen einer Kunststoffoberfläche
KR102596033B1 (ko) * 2020-11-16 2023-11-01 (주)에스티아이 포드 세정공정

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284309A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 容器の処理方法
JP2007129160A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Kaijo Corp ポッドシェル洗浄装置及びポッドシェル洗浄方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284309A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 容器の処理方法
JP2007129160A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Kaijo Corp ポッドシェル洗浄装置及びポッドシェル洗浄方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021134375A (ja) * 2020-02-25 2021-09-13 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び洗浄装置
JP7455608B2 (ja) 2020-02-25 2024-03-26 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び洗浄装置

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