JPWO2013146595A1 - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及び記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管を処理するレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置であって、前記操作部は、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、前記排気管を処理するレシピのそれぞれの実行を制御するレシピ制御部を備えた基板処理装置。
- 更に、前記設定条件は、前記レシピ同士の関連性の有無を示す項目が規定され、前記レシピ制御部は、前記選択されたレシピの実行後、前記項目にレシピ指定がある場合、前記指定されたレシピが前記設定条件を満たさなくても、前記設定条件に規定されている条件の値をクリアする請求項1の基板処理装置。
- 前記レシピは、基板を処理するためのプロセスレシピと、基板処理が行われる反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)を処理するためのメンテナンス用レシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのメンテナンス用レシピと、を少なくとも含んでいる請求項1の基板処理装置。
- 前記メンテナンス用レシピは、前記反応炉内を構成する部材または前記排気管に堆積した累積膜厚を除去するためのクリーニングレシピである請求項3の基板処理装置。
- 基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピおよび前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含む各種レシピを少なくとも格納する記憶部と、前記レシピを実行する設定条件を少なくとも操作画面に表示する表示部とを備えた操作部と、前記設定条件を満たした前記レシピを実行する制御部と、で少なくとも構成された基板処理装置の制御方法であって、 前記操作部は、前記記憶部に格納された前記レシピのうち、前記設定条件に基づいて前記基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するレシピと、前記排気管を処理するためのレシピのそれぞれの実行を制御するレシピ制御部を備えた基板処理装置の制御方法。
- 基板処理が行われる反応炉内を構成する部材を処理するためのレシピと、前記反応炉内から排気されるガスが流れる排気管をそれぞれ処理するためのレシピと、を含むメンテナンス用レシピを実行する制御部を備えた基板処理装置の保守方法であって、前記制御部は、前記メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新する工程と、更新された条件の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較する工程と、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを選択する工程と、選択された前記メンテナンス用レシピの実行後、前記現在値をクリアする工程と、を有するレシピ制御プログラムを実行する基板処理装置の保守方法。
- メンテナンス用レシピを実行する設定条件に規定されている条件を更新するステップと、更新された条件の現在値と前記設定条件に規定されている閾値とを比較するステップと、比較した結果、記憶部に格納された前記メンテナンス用レシピのうち、前記閾値に達したメンテナンス用レシピを実行するステップと、実行された前記メンテナンス用レシピの現在値をクリアするステップと、を有するレシピ制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- 請求項7の記録媒体において、更に、前記実行された前記メンテナンス用レシピとの関連性を指定されたメンテナンス用レシピに対して、閾値に到達していなくても前記設定条件に規定されている条件の現在値をクリアするステップを有するレシピ制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6560924B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6778166B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-10-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法 |
JP6804029B2 (ja) * | 2017-12-21 | 2020-12-23 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP7336207B2 (ja) * | 2018-05-29 | 2023-08-31 | キヤノン株式会社 | 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、プログラム、および物品製造方法 |
SG11202110248VA (en) * | 2019-03-20 | 2021-10-28 | Kokusai Electric Corp | Recipe creation method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recipe creation program |
JP7170692B2 (ja) * | 2019-10-31 | 2022-11-14 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
CN112750720B (zh) * | 2019-10-31 | 2024-03-22 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 |
JP2021174349A (ja) * | 2020-04-28 | 2021-11-01 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、表示制御方法、プログラム、基板処理システム、及び物品の製造方法 |
JP2020198447A (ja) * | 2020-08-26 | 2020-12-10 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11243059A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2000297377A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-24 | Central Glass Co Ltd | Si3N4成膜装置のクリーニング方法 |
JP2002151497A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Cvd膜の形成方法 |
JP2003077838A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法 |
JP2004289098A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Iwatani Internatl Corp | エピタキシャル成長炉系のクリーニング方法 |
JP2007250791A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラムを記録した記録媒体 |
JP2008112919A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の運転方法、熱処理装置及び記憶媒体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3854157B2 (ja) | 2002-01-15 | 2006-12-06 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
JP4541739B2 (ja) | 2004-03-26 | 2010-09-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置 |
US20070215180A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method of substrate processing equipment, substrate processing equipment, and recording medium for recording program thereof |
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JPH11243059A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
JP2000297377A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-24 | Central Glass Co Ltd | Si3N4成膜装置のクリーニング方法 |
JP2002151497A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Cvd膜の形成方法 |
JP2003077838A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のドライクリーニング時期判定システム、半導体製造装置のドライクリーニング方法、半導体製造装置のドライクリーニングシステム及び半導体装置の製造方法 |
JP2004289098A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Iwatani Internatl Corp | エピタキシャル成長炉系のクリーニング方法 |
JP2007250791A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法,基板処理装置,プログラムを記録した記録媒体 |
JP2008112919A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の運転方法、熱処理装置及び記憶媒体 |
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