KR20140129292A - 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 보수 방법 및 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
클리닝하기 위한 유지 보수용 레시피의 실행을 각각 제어하여, 적절하게 유지 보수용 레시피를 실행시키기 위해서, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 처리하는 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 설정 조건을 만족한 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치가 제공되고, 특히, 조작부는, 기억부에 저장된 레시피 중, 설정 조건에 기초하여 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와, 배기관을 처리하는 레시피의 각각의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비하고 있다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에서의 레시피 제어에 관한 것으로, 특히 유지 보수용 레시피에 관한 것이다.
기판을 처리하는 기판 처리 장치에는, 기판을 다단으로 보유 지지하는 기판 보유 지지구를 반응로 내에 장입한 상태에서, 반응로 내에 처리 가스를 공급하여, 기판 보유 지지구가 보유 지지하는 기판에 대한 처리를 행하도록 구성된 뱃치식 기판 처리 장치가 있다. 이러한 종형의 뱃치식 기판 처리 장치에서는, 통상, 유지 보수용 레시피를 실행함으로써, 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 보유 지지구 등)에 퇴적되어 있는 누적막 두께를 제거하고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에 의하면, 반응관 내에 클리닝 가스를 공급하여, 상기 반응관 내벽 등에 부착된 박막을 포함하는 부착물을 제거하는 것이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에 의하면, 낱장식 기판 처리 장치에 있어서, 처리실 내에 퇴적되어 있는 누적막 두께가 임계값에 도달하면 유지 보수용 레시피를 실행하여 누적막 두께를 제거하고 있다.
그런데, 기판의 표면에 형성되는 막종에 따라서는, 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 보유 지지구 등)에 부착되어 있는 퇴적물뿐만 아니라, 배기관에 부착되는 퇴적물이 반응로 내에 확산됨으로 인한 오염 등이 문제가 되는 경우가 있었다. 따라서, 배기관에 부착되는 퇴적물을 효율적으로 제거하는 것이 행하여지고 있다. 예를 들어, 특허문헌 3에 의하면, 배기 배관에만 에칭성 가스를 흘리도록 하여, 배기 배관내에 부착되는 부생성물을 효율적으로 제거하는 것이 기재되어 있다.
본 발명은 이러한 실정을 감안하여, 클리닝 대상으로 하는 부위 및 부재가 서로 다른, 각각 레시피를 적어도 누적막 두께 값으로 설정된 클리닝 조건에서 제어하여, 적절한 레시피를 선택하여 실행시키는 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 제어 방법, 기판 처리 장치의 보수 방법 및 기록 매체를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 처리하는 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 설정 조건을 만족한 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치로서, 조작부는, 기억부에 저장된 레시피 중, 설정 조건에 기초하여 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와, 배기관을 처리하는 레시피의 각각의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 형태에 의하면, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하기 위한 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 상기 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 상기 설정 조건을 만족한 상기 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치의 제어 방법으로서, 조작부는, 상기 기억부에 저장된 상기 레시피 중, 상기 설정 조건에 기초하여 상기 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와, 상기 배기관을 처리하기 위한 레시피 각각의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 제어 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하기 위한 레시피와, 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 유지 보수용 레시피를 실행하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 보수 방법으로서, 제어부는, 상기 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건을 갱신하는 공정과, 갱신된 조건의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 공정과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 선택하는 공정과, 선택된 상기 유지 보수용 레시피의 실행 후, 상기 현재 값을 클리어하는 공정을 갖는 레시피 제어 프로그램을 실행하는 기판 처리 장치의 보수 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건을 갱신하는 스텝과, 갱신된 조건의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 스텝과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 실행하는 스텝과, 실행된 상기 유지 보수용 레시피의 현재 값을 클리어하는 스텝을 갖는 레시피 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 클리닝 대상으로 하는 부위 및 부재에 따라 개별로 작성된, 각 유지 보수용 레시피의 실행을 제어함으로써, 적절한 유지 보수용 레시피가 실행되므로, 유지 보수 효율의 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 도시하는 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 장치에서의 제어계를 도시하는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 기판 처리 장치에서의 제어계의 상세를 도시하는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피 제어 플로우를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피를 설정하는 화면의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피의 실행 타이밍 차트를 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 배관 구성을 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피 제어 플로우를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피를 설정하는 화면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피의 실행 타이밍 차트를 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 도시하는 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 장치에서의 제어계를 도시하는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 기판 처리 장치에서의 제어계의 상세를 도시하는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피 제어 플로우를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피를 설정하는 화면의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피의 실행 타이밍 차트를 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 배관 구성을 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피 제어 플로우를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피를 설정하는 화면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피의 실행 타이밍 차트를 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 설명한다.
우선, 도 1, 도 2에서, 본 발명이 실시되는 기판 처리 장치에 대하여 설명한다.
도 1, 도 2는 기판 처리 장치의 일례로서 종형의 기판 처리 장치를 나타내고 있다. 또한, 해당 기판 처리 장치에서 처리되는 기판은, 일례로서 실리콘 등으로 이루어지는 웨이퍼가 나타나 있다.
기판 처리 장치(1)는, 하우징(2)을 구비하고, 해당 하우징(2)의 정면 벽(3)의 하부에는 유지 보수 가능하도록 형성된 개구부로서의 정면 유지 보수구(4)가 설치되고, 해당 정면 유지 보수구(4)는, 정면 유지 보수 도어(5)에 의해 개폐된다.
상기 하우징(2)의 상기 정면 벽(3)에는 포드 반입 반출구(6)가 상기 하우징(2)의 내외를 연통하도록 설치되어 있고, 상기 포드 반입 반출구(6)는, 프론트 셔터(반입 반출구 개폐 기구)(7)에 의해 개폐되고, 상기 포드 반입 반출구(6)의 정면 전방측에는 로드 포트(기판 반송 용기 전달대)(8)가 설치되어 있고, 해당 로드 포트(8)는 적재된 포드(9)를 위치 정렬하도록 구성되어 있다.
해당 포드(9)는 밀폐식의 기판 반송 용기이며, 도시하지 않은 공정내 반송 장치에 의해 상기 로드 포트(8) 위에 반입되고, 또한, 해당 로드 포트(8) 위로부터 반출되도록 되어 있다.
상기 하우징(2) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 상부에는, 회전식 포드 선반(기판 반송 용기 저장 선반)(11)가 설치되어 있고, 해당 회전식 포드 선반(11)은 복수 개의 포드(9)를 저장하도록 구성되어 있다.
상기 회전식 포드 선반(11)은 수직으로 세워 설치되어 간헐 회전되는 지주(12)와, 해당 지주(12)에 상 중 하단의 각 위치에서 방사상으로 지지된 복수 단의 선반판(기판 반송 용기 적재 선반)(13)을 구비하고 있고, 해당 선반판(13)은 상기 포드(9)를 복수 개씩 적재한 상태에서 저장하도록 구성되어 있다.
상기 회전식 포드 선반(11)의 하방에는, 포드 오프너(기판 반송 용기 덮개 개폐 기구)(14)가 설치되고, 해당 포드 오프너(14)는 상기 포드(9)를 적재하고, 또한 해당 포드(9)의 덮개를 개폐 가능한 구성을 갖고 있다.
상기 로드 포트(8)와 상기 회전식 포드 선반(11), 상기 포드 오프너(14)의 사이에는, 포드 반송 기구(용기 반송 기구)(15)가 설치되어 있고, 해당 포드 반송 기구(15)는, 상기 포드(9)를 보유 지지하여 승강 가능, 수평 방향으로 진퇴 가능하게 되어 있고, 상기 로드 포트(8), 상기 회전식 포드 선반(11), 상기 포드 오프너(14)의 사이에서 상기 포드(9)를 반송하도록 구성되어 있다.
상기 하우징(2) 내의 전후 방향의 대략 중앙부에서의 하부에는, 서브 하우징(16)이 후단에 걸쳐 설치되어 있다. 해당 서브 하우징(16)의 정면 벽(17)에는 웨이퍼(기판)(18)를 상기 서브 하우징(16) 내에 대하여 반입 반출하기 위한 웨이퍼 반입 반출구(기판 반입 반출구)(19)가 한 쌍, 수직 방향으로 상하 2단으로 배열되어 설치되어 있고, 상하단의 웨이퍼 반입 반출구(19, 19)에 대하여 상기 포드 오프너(14)가 각각 설치되어 있다.
해당 포드 오프너(14)는, 상기 포드(9)를 적재하는 적재대(21)와, 상기 포드(9)의 덮개를 개폐하는 개폐 기구(22)를 구비하고 있다. 상기 포드 오프너(14)는, 상기 적재대(21)에 적재된 상기 포드(9)의 덮개를 상기 개폐 기구(22)에 의해 개폐함으로써, 상기 포드(9)의 웨이퍼 출입구를 개폐하도록 구성되어 있다.
상기 서브 하우징(16)은, 상기 포드 반송 기구(15)나 상기 회전식 포드 선반(11)이 배치되어 있는 공간(포드 반송 공간)으로부터 기밀하게 되어 있는 이송실(23)을 구성하고 있다. 해당 이송실(23)의 전방측 영역에는 웨이퍼 이동 탑재 기구(기판 이재 기구)(24)가 설치되어 있고, 해당 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)는, 웨이퍼(18)를 적재하는 소요 장수(도시에서는 5장)의 웨이퍼 적재 플레이트(25)를 구비하고, 해당 웨이퍼 적재 플레이트(25)는, 수평 방향으로 직선 구동 가능, 수평 방향으로 회전 가능, 또한 승강 가능하게 되어 있다. 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)는, 보트(기판 유지체)(26)에 대하여 웨이퍼(18)를 장전 및 배출하도록 구성되어 있다.
상기 이송실(23)의 후방측 영역에는, 상기 보트(26)를 수용하여 대기시키는 대기부(27)가 구성되고, 해당 대기부(27)의 상방에는 종형의 처리로(28)가 설치되어 있다. 해당 처리로(28)는, 내부에 처리실(29)을 형성하고, 해당 처리실(29)의 하단부는 노구부로 되어 있으며, 해당 노구부는 노구 셔터(노구 개폐 기구)(31)에 의해 개폐되도록 되어 있다.
상기 하우징(2)의 우측 단부와 상기 서브 하우징(16)의 상기 대기부(27)의 우측 단부 사이에는 상기 보트(26)를 승강시키는 위한 보트 엘리베이터(기판 보유 지지구 승강 기구)(32)가 설치되어 있다. 해당 보트 엘리베이터(32)의 승강대에 연결된 아암(33)에는 덮개로서의 시일 캡(34)이 수평하게 설치되어 있고, 해당 시일 캡(34)은, 상기 보트(26)를 수직으로 지지하고, 해당 보트(26)를 상기 처리실(29)에 장입한 상태에서 상기 노구부를 기밀하게 폐색 가능하게 되어 있다.
상기 보트(26)는, 복수 장(예를 들어, 50장 내지 125장 정도)의 웨이퍼(18)를 그 중심에 정렬시켜서 수평 자세로 다단으로 유지하도록 구성되어 있다.
상기 보트 엘리베이터(32)측과 대향한 위치에는 클린 유닛(35)이 배치되고, 해당 클린 유닛(35)은, 청정화된 분위기 또는 불활성 가스인 클린 에어(36)를 공급하도록 공급 팬 및 방진 필터로 구성되어 있다. 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)와 상기 클린 유닛(35)의 사이에는, 웨이퍼(18)의 원주 방향의 위치를 정합시키는 기판 정합 장치로서의 노치 맞춤 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
상기 클린 유닛(35)으로부터 분출된 상기 클린 에어(36)는, 노치 맞춤 장치(도시하지 않음) 및 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24), 상기 보트(26)에 유통된 후에, 도시하지 않은 덕트에 의해 흡입되어, 상기 하우징(2)의 외부로 배기가 이루어지거나, 또는 상기 클린 유닛(35)에 의해 상기 이송실(23) 내로 분출되도록 구성되어 있다.
이어서, 상기 기판 처리 장치(1)의 작동에 대하여 설명한다.
상기 포드(9)가 상기 로드 포트(8)에 공급되면, 상기 포드 반입 반출구(6)가 상기 프론트 셔터(7)에 의해 개방된다. 상기 로드 포트(8) 위의 상기 포드(9)는, 상기 포드 반송 장치(15)에 의해 상기 하우징(2)의 내부로 상기 포드 반입 반출구(6)를 통해 반입되어, 상기 회전식 포드 선반(11)의 지정된 상기 선반판(13)에 적재된다. 상기 포드(9)는, 상기 회전식 포드 선반(11)에서 일시적으로 보관된 후, 상기 포드 반송 장치(15)에 의해 상기 선반판(13)으로부터 어느 하나의 포드 오프너(14)에 반송되어 상기 적재대(21)에 이동 탑재되거나, 또는 상기 로드 포트(8)로부터 직접 상기 적재대(21)에 이동 탑재된다.
이때, 상기 웨이퍼 반입 반출구(19)는, 상기 개폐 기구(22)에 의해 폐쇄되어 있고, 상기 이송실(23)에는 상기 클린 에어(36)가 유통되어 충만되어 있다. 예를 들어, 상기 이송실(23)에는, 상기 클린 에어(36)로서 질소 가스가 충만됨으로써, 산소 농도가 20ppm 이하로, 상기 하우징(2)의 내부(대기 분위기)의 산소 농도보다 훨씬 낮게 설정되어 있다.
상기 적재대(21)에 적재된 상기 포드(9)는, 그 개구 측단면이 상기 서브 하우징(16)의 상기 정면 벽(17)에서의 상기 웨이퍼 반입 반출구(19)의 개구 연변부에 밀어붙여짐과 함께, 덮개가 상기 개폐 기구(22)에 의해 제거되어, 웨이퍼 출입구가 개방된다.
상기 포드(9)가 상기 포드 오프너(14)에 의해 개방되면, 웨이퍼(18)는, 상기 포드(9)로부터 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)에 의해 취출되어, 노치 맞춤 장치(도시하지 않음)에 이송되어, 해당 노치 맞춤 장치에서 웨이퍼(18)를 정합한 후, 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)는 웨이퍼(18)를 상기 이송실(23)의 후방에 있는 상기 대기부(27)에 반입하여, 상기 보트(26)에 장전(차징)한다.
해당 보트(26)에 웨이퍼(18)를 전달한 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)는, 상기 포드(9)에 복귀되어, 다음 웨이퍼(18)를 상기 보트(26)에 장전한다.
한편, (상단 또는 하단)의 포드 오프너(14)에서의 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)에 의해 웨이퍼(18)의 상기 보트(26)에 대한 장전 작업 중에, 다른 쪽(하단 또는 상단)의 포드 오프너(14)에는 상기 회전식 포드 선반(11)으로부터 다른 포드(9)가 상기 포드 반송 장치(15)에 의해 반송되어 이동 탑재되어, 상기 다른 쪽의 포드 오프너(14)에 의한 포드(9)의 개방 작업이 동시 진행된다.
미리 지정된 장수의 웨이퍼(18)가 상기 보트(26)에 장전되면, 상기 노구 셔터(31)에 의해 폐쇄되어 있던 상기 처리로(28)의 노구부가 상기 노구 셔터(31)에 의해 개방된다. 계속해서, 상기 보트(26)는, 상기 보트 엘리베이터(32)에 의해 상승되어, 상기 처리실(29)에 반입(로딩)된다.
로딩 후에는 상기 시일 캡(34)에 의해 노구부가 기밀하게 폐색된다. 또한, 본 실시 형태에서, 이 타이밍에서(로딩 후), 상기 처리실(29)이 불활성 가스로 치환되는 퍼지 공정(프리퍼지 공정)을 갖는다.
상기 처리실(29)이 원하는 압력(진공도)으로 되도록 가스 배기 기구(도시하지 않음)에 의해 진공 배기된다. 또, 상기 처리실(29)이 원하는 온도 분포가 되도록 히터 구동부(도시하지 않음)에 의해 소정 온도까지 가열된다.
또한, 가스 공급 기구(도시하지 않음)에 의해, 소정의 유량으로 제어된 처리 가스가 공급되어, 처리 가스가 상기 처리실(29)을 유통하는 과정에서, 웨이퍼(18)의 표면과 접촉하여, 웨이퍼(18)의 표면 위에 소정의 처리가 실시된다. 또한, 반응 후의 처리 가스는, 상기 가스 배기 기구에 의해 상기 처리실(29)로부터 배기된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 상기 가스 공급 기구에 의해 불활성 가스 공급원(도시하지 않음)으로부터 불활성 가스가 공급되어, 상기 처리실(29)이 불활성 가스로 치환됨과 함께, 상기 처리실(29)의 압력이 상압으로 복귀된다(애프터 퍼지 공정). 그리고, 상기 보트 엘리베이터(32)에 의해 상기 시일 캡(34)을 개재하여 상기 보트(26)가 강하된다.
처리 후의 웨이퍼(18)의 반출에 대해서는, 상기 설명과 역의 수순으로, 웨이퍼(18) 및 포드(9)는, 상기 하우징(2)의 외부로 배출된다. 미처리의 웨이퍼(18)가 또한 상기 보트(26)에 장전되어, 웨이퍼(18)의 뱃치 처리가 반복된다.
상기 처리로(28), 적어도 기판을 반송하는 기구인 포드 반송 기구(15), 웨이퍼 이동 탑재 기구(24), 보트 엘리베이터(32)를 포함하는 반송 기구, 상기 처리로(28)에 처리 가스 등을 공급하는 가스 공급 기구, 상기 처리로(28) 내를 배기하는 가스 배기 기구, 상기 처리로(28)를 소정 온도로 가열하는 히터 구동부, 및 상기 처리로(28), 상기 반송 기구, 상기 가스 공급 기구, 상기 가스 배기 기구, 상기 히터 구동부를 각각 제어하는 제어 장치(37)에 대해서, 도 3, 도 4를 참조하여 설명한다.
이어서, 도 3을 참조하여, 기판 처리 장치(1)에서의 제어 장치로서의 장치 컨트롤러(37)를 중심으로 한 하드웨어 구성에 대하여 설명한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 장치 컨트롤러(37)는, 기판 처리 장치 본체(111) 내에, 조작부로서의 주 컨트롤러(41)와, 반송 제어부(39)와, 프로세스 제어부(38)가 설치되어 있다. 여기서, 반송 제어부(39)와 프로세스 제어부(38)는, 기판 처리 장치 본체(111) 내에 설치하는 대신에, 기판 처리 장치 본체(111) 밖에 설치해도 된다.
주 조작부로서의 주 컨트롤러(41)는, 입력부와 표시부를 일체로 한 입출력부로서의 주 조작 장치(61)와, 예를 들어, 비디오 케이블, 네트워크, LAN 등을 사용하여 접속되어 있다. 또한, 주 컨트롤러(41)는 도시하지 않은 외부 조작 장치와, 예를 들어, 통신 네트워크를 통해 접속해도 된다. 이 경우, 외부 조작 장치는, 기판 처리 장치(1)로부터 이격한 위치에 배치하는 것이 가능하다. 예를 들어, 기판 처리 장치(1)가 클린룸 내에 설치되어 있는 경우, 외부 조작 장치는 클린룸 밖의 사무소 등에 배치하는 것이 가능하다. 또한, 주 컨트롤러(41)에는, 외부 기억 장치로서의 기록 매체인 USB 플래시 메모리 등의 장착 및 제거를 행하는 착탈부로서의 포트(40)가 설치되어 있다.
주 조작 장치(61)는, 기판 처리 장치(1)(또는 처리로(28) 및 기판 처리 장치 본체(111)) 근방에 배치되어 있다. 주 조작 장치(61)는, 이 실시 형태와 같이 기판 처리 장치 본체(111)에 장착하도록 하여, 기판 처리 장치(1)와 일체로서 고정한다. 여기서, 주 조작 장치(61)가, 기판 처리 장치(1)(또는 처리로(28) 및 기판 처리 장치 본체(111)) 근방에 배치되어 있다는 것은, 기판 처리 장치(1)의 상태를 조작자가 확인할 수 있는 위치에 주 조작 장치(61)가 배치되어 있는 것을 말한다. 예를 들어, 기판 처리 장치 본체(111)가 설치되어 있는 클린룸 내에 설치된다. 주 조작 장치(61)는 주 표시 장치(62)를 갖는다. 주 표시 장치(62)는, 예를 들어, 액정 표시 패널이며, 기판 처리 장치(1)를 조작하기 위한 조작 화면 등이 표시된다. 주 조작 장치(61)는 조작 화면을 통해, 기판 처리 장치(1) 내에서 생성되는 정보를 표시시키고, 표시된 정보를, 포트(40)에 삽입된 USB 플래시 메모리 등에 출력시킬 수 있다.
부 조작 장치(71)는 부 표시 장치(72)를 갖는다. 주 표시 장치(62)와 마찬가지로, 부 표시 장치(72)는 예를 들어, 액정 표시 패널이며, 기판 처리 장치(1)를 조작하기 위한 조작 화면 등이 표시된다. 부 표시 장치(72)에서 표시되는 조작 화면은, 주 표시 장치(62)에서 표시되는 조작 화면과 마찬가지의 기능을 갖는다. 따라서, 부 조작 장치(71)는, 조작 화면을 통해 기판 처리 장치(1) 내에서 생성되는 각종 정보를 표시시키고, 표시된 정보를, 포트(40)에 삽입된 USB 플래시 메모리 등에 출력시킬 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 주 조작 장치(61) 내에는, 주 표시 장치(62)의 표시를 제어하거나 하기 위해 사용되는 주 표시 제어부(63)가 설치되어 있다. 주 표시 제어부(63)는 예를 들어, 비디오 케이블 등을 사용하여 주 컨트롤러(41)에 접속되어 있다.
또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 부 조작 장치(71) 내에는, 부 표시 장치(72)의 표시를 제어하거나 하기 위해 사용되는 부 표시 제어부(73)가 설치되어 있다. 또한, 부 표시 제어부(73)는 도시된 형태에 한하지 않고, 통신 네트워크 등을 통해 주 컨트롤러(41)에 접속되어도 된다.
프로세스 제어부(38)는, 예를 들어 CPU(Central Processing Unit) 등으로 이루어지는 컴퓨터에 의해 구축되는 프로세스계 컨트롤러(100)를 갖고, 반송 제어부(39)는, 예를 들어 CPU 등으로 이루어지는 컴퓨터에 의해 구축되는 반송계 컨트롤러(110)를 갖는다. 반송계 컨트롤러(110)와 프로세스계 컨트롤러(100)는, 스위칭 허브를 통해 주 컨트롤러(41)에 각각 접속되어 있다. 여기에서 말하는 컴퓨터는, 프로그램을 실행함으로써 그 프로그램에서 지시된 정보 처리를 행하는 것이며, 구체적으로는 CPU, 메모리, 입출력 장치 등의 조합에 의해 구성된 것이다.
이어서, 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에서의 장치 컨트롤러(37)를 중심으로 한 제어계의 상세에 대하여 설명한다.
도 4 중, 38은 프로세스 제어부로서의 프로세스제어 모듈, 39는 반송 제어부, 41은 조작부를 나타내고 있으며, 상기 프로세스 제어부(38)는 기억부(42)를 구비하고, 해당 기억부(42)에는 프로세스를 실행하기 위해 필요한 프로세스 실행 프로그램, 입출력 제어부로서의 시퀀서(45)로부터 취득한 밸브 개폐 정보 및 유량 조정부로서의 MFC(58)로부터 취득한 가스 유량 정보를 적어도 포함하는 모니터 정보를 보존하는 저장 영역이나, 상기 시퀀서(45)로부터 피드백된 정보 등이 저장되어 있다. 상기 반송 제어부(39)는 기억부(43)를 구비하고, 해당 기억부(43)에는 웨이퍼(18)의 반송을 실행하기 위한 반송 프로그램이 저장되고, 상기 조작부(41)는 데이터 저장부(44)를 구비하고, 해당 데이터 저장부(44)는, 예를 들어 HDD 등의 외부 기억 장치로 이루어진다. 또한, 프로세스 실행 프로그램, 반송 프로그램 등의 각종 프로그램은 상기 데이터 저장부(44)에 저장되어 있다.
또한, 상기 프로세스 제어부(38)는, 입출력 제어부로서의 시퀀서(45), 가열 제어부(46), 압력 제어부(47), 유량 조정부로서의 MFC(58)를 포함하고, 각 처리 공 정을 실행하는 액추에이터의 구동을 제어한다. 예를 들어, 상기 프로세스 제어부(38)는 시퀀서(45)나 MFC(58) 등의 작동을 제어하여 상기 처리로(28)에 대한 처리 가스의 공급 유량을 제어하고, 상기 가열 제어부(46)는, 상기 처리로(28)의 가열 제어를 행하고, 상기 압력 제어부(47)는, 상기 처리로(28)로부터의 가스의 배기를 제어하고, 또는 상기 처리로(28)의 압력 제어를 행하는 기능을 갖고 있다. 또한, 49는 가열 제어부(46)에 의해 제어되는 히터를 나타내고 있고, 51은 상기 압력 제어부(47)에 의해 제어되는 압력 밸브를 나타내고 있다. 48은, 입출력 제어부(45)에 의해 개폐 제어되는 밸브를 나타내고, 구체적으로는, 밸브(48)는 ON/OFF 제어되어, 처리 가스의 공급 및 정지가 제어된다. 58은 상기 프로세스 제어부(38)에 의해 제어되는 MFC(유량 조정기)를 나타내고 있다.
또한, 53은 온도 검출부로서의 온도 검출기를 나타내고, 54는 압력 검출부로서의 압력 센서를 나타내고 있고, 상기 온도 검출기(53)는, 상기 히터(49)의 상태를 검출하여 검출 결과를 상기 가열 제어부(46)에 피드백하고, 상기 압력 센서(54)는, 상기 압력 밸브(51)의 상태를 검출하여 검출 결과를 상기 압력 제어부(47)에 피드백하는 기능을 갖고 있다. 또한, 상기 밸브(48)는, 처리 가스의 공급 및 정지를 제어한다. 상기 밸브(48)에 부수된 전자기 밸브(도시 생략)가 상기 밸브(48)의 개폐 상태를 검출하여 검출 결과를 상기 입출력 제어부(45)에 피드백한다. 또, 상기 MFC(58)는, 유량뿐만 아니라 다양한 정보를 포함하는 속성 정보를 상기 프로세스 제어부(38)에 피드백하고 있다.
또한, 55는 키보드, 마우스 등의 입력부를 나타내고 있고, 56은 모니터 등의 표시부를 나타내고 있다. 또한, 도면에서는, 입력부(55)와 표시부(56)가 별체로 나타나 있지만, 화면상에서의 입력이 가능한 터치 패널과 같은 입력부 구비 표시부의 형태라도 상관없다.
상기 입출력 제어부(45), 상기 가열 제어부(46), 상기 압력 제어부(47)에는, 상기 프로세스 제어부(38)로부터 설정값의 지시, 또는 처리 시퀀스에 따른 명령 신호가 입력되고, 상기 프로세스 제어부(38)는, 상기 전자기 밸브, 상기 온도 검출기(53), 상기 압력 센서(54)가 검출한 검출 결과를 기초로, 상기 입출력 제어부(45), 유량 조정부로서의 상기 MFC(58), 상기 가열 제어부(46), 상기 압력 제어부(47)를 통괄하여 제어한다.
또, 상기 프로세스 제어부(38)는, 상기 조작부(41)을 통한 상기 입력부(55)로부터의 명령에 의해 기판 처리를 실행하고, 또한 기판 처리의 실행은 상기 프로세스 제어부(38)가, 상기 기억부(42)에 저장된 프로그램에 따라, 다른 제어계와는 독립적으로 실행한다. 따라서, 상기 반송 제어부(39), 상기 조작부(41)에 문제가 발생해도, 웨이퍼(18)의 반송은 중단되지 않고 완수된다.
상기 반송 제어부(39)는, 상기 조작부(41)를 통한 상기 입력부(55)로부터의 명령에 의해 상기 포드 반송 기구(15), 상기 웨이퍼 이동 탑재 기구(24), 상기 보트 엘리베이터(32)를 구동하여, 웨이퍼(18)의 반송을 실행한다. 웨이퍼(18)의 반송은, 상기 기억부(43)에 저장된 반송 프로그램에 의해 다른 제어계와는 독립적으로 실행한다. 따라서, 상기 프로세스 제어부(38), 상기 조작부(41)에 문제가 발생해도, 웨이퍼(18)의 반송은 중단되지 않고 완수된다.
상기 데이터 저장부(44)에는, 상술한 프로그램 외에도, 기판 처리 진행을 통괄하는 프로그램, 처리 조건을 설정하기 위한 설정 프로그램, 상기 프로세스 제어부(38), 상기 반송 제어부(39)와 LAN 등의 통신부를 통해 데이터의 송수신을 행하는 통신 프로그램, 상기 유량 제어부(45), 상기 가열 제어부(46), 상기 압력 제어부(47)의 상태를 상기 표시부(56)에 표시하기 위한 표시 프로그램, 또한 상기 유량 조정부(58), 상기 입출력 제어부(45), 상기 가열 제어부(46), 상기 압력 제어부(47)를 구동 제어하기 위해 필요한 파라미터의 편집을 행하는 조작 프로그램 등의 각종 프로그램이 파일로서 저장되어 있다. 또한, 기판 처리를 위한 레시피(프로세스 레시피), 클리닝 레시피를 포함하는 유지 보수용 레시피, 알람이 발생하면 실행되는 알람 레시피 등이나 이들 각종 레시피에 포함되는 각종 파라미터도 파일로서 적절히 저장되어 있다.
또한, 상기 데이터 저장부(44)는 데이터 저장 영역을 갖고, 해당 데이터 저장 영역에는 기판 처리에 필요한 파라미터가 저장되고, 상기 밸브(48), 상기 온도 검출기(53), 상기 압력 센서(54)의 설정값, 검출 결과, 처리의 상태 등의 정보가 경시적으로 저장된다.
(기판 처리 방법) 이어서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)를 사용하여 실시하는 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 여기에서는, 반도체 디바이스의 제조 공정의 일 공정인 기판 처리 공정을 실시하는 경우를 예로 든다.
기판 처리 공정의 실시에 있어서, 우선, 실시해야 할 기판 처리에 대응하는 레시피가 기억부(42)로부터 판독되어, 주 컨트롤러(41) 내의 RAM(Random Access Memory) 등의 메모리에 전개된다. 그리고, 필요에 따라, 주 컨트롤러(41)로부터 프로세스계 컨트롤러(100)나 반송계 컨트롤러(110)에 동작 지시가 주어진다. 이와 같이 하여 실시되는 기판 처리 공정은, 크게 구별하면, 이동 탑재 공정과, 반입 공정과, 성막 공정과, 보트 이송 공정과, 반출 공정을 갖는다.
(이동 탑재 공정) 주 컨트롤러(41)로부터는, 반송계 컨트롤러(110)에 대하여 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)의 구동 지시가 발동된다. 그리고, 반송계 컨트롤러(110)로부터의 지시에 따르면서, 웨이퍼 이동 탑재 기구(24)는 적재대로서의 전달 스테이지(21) 상의 포드(9)로부터 보트(26)로의 웨이퍼(18)의 이동 탑재 처리를 개시한다. 이 이동 탑재 처리는, 예정된 모든 웨이퍼(18)의 보트(26)로의 장전(웨이퍼 차지)이 완료될 때까지 행하여진다.
(반입 공정) 지정 장수의 웨이퍼(18)가 보트(26)에 장전되면, 보트(26)는 반송계 컨트롤러(110)로부터의 지시에 따라서 동작하는 보트 엘리베이터(32)에 의해 상승되어, 처리로(28)의 이너 튜브(104) 내에 형성되는 처리실(29)에 장입(보트 로드)된다. 보트(26)가 완전히 장입되면, 보트 엘리베이터(32)의 시일 캡(34)은 처리로(28)의 매니폴드 하단을 기밀하게 폐색한다.
(성막 공정) 그 후에는, 처리실(101) 내는, 압력 제어부(47)로부터의 지시에 따르면서, 소정의 성막 압력(진공도)이 되도록 진공 배기 장치에 의해 진공 배기된다. 이때, 처리실(29) 내의 압력은 압력 센서(54)에 의해 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 압력 조정 장치가 피드백 제어된다. 또한, 처리실(29) 내는, 가열 제어부(46)로부터의 지시에 따르면서, 소정의 온도가 되도록 히터(49)에 의해 가열된다. 이때, 처리실(101) 내의 온도가 소정의 온도(성막 온도)가 되도록, 온도 검출기로서의 온도 센서(53)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(49)에 대한 통전 상태가 피드백 제어된다. 계속해서, 반송계 컨트롤러(110)로부터의 지시에 따르면서, 회전 기구에 의한 보트(26) 및 웨이퍼(18)의 회전을 개시한다.
처리실(29) 내가 소정의 성막 온도, 소정의 성막 압력으로 유지된 상태에서, 예를 들어, 실리콘 함유 가스로서의 SiH2Cl2 가스의 처리실(29) 내로의 공급이 개시된다.
이때, 처리실(29) 내에 공급되는 N2 가스는, 성막 가스(SiH2Cl2 가스)를 희석하는 희석 가스로서, 또는 처리실(101) 내로의 확산을 재촉하는 캐리어 가스로서 기능한다. N2 가스의 공급 유량을 제어함으로써, 성막 가스(SiH2Cl2 가스)의 농도나 확산 속도를 제어할 수 있다.
처리실(29) 내에 공급된 성막 가스(SiH2Cl2 가스)는, 처리실(29) 내를 통과할 때에 웨이퍼(18)의 표면과 접촉한다. 이때, 열 CVD 반응에 의해 웨이퍼(18) 표면 위에 박막, 즉 폴리실리콘막(Poly-Si막, 이하, 간단히 Si막이라고도 함)이 퇴적(데포지션)된다. 미리 설정된 처리 시간이 경과하여, 소정의 막 두께의 실리콘막이 성막되면, 밸브가 폐쇄되어, 처리실(29) 내로의 성막 가스(SiH2Cl2 가스)의 공급이 정지된다.
그리고, 처리실(29) 내로의 N2 가스의 공급을 계속하면서, 처리실(29) 내를 배기함으로써, 처리실(29) 내를 퍼지한다. 처리실(29) 내의 분위기가 N2 가스로 치환되면, 압력 조정 장치로서의 압력 밸브(51)의 개방도를 조정하여 처리실(29) 내의 압력을 상압으로 복귀시킨다. 또한, 히터(49)에 대한 통전을 정지하여, 처리실(29) 내의 온도를 소정의 온도(웨이퍼 반출 온도)로 강온시킨다.
(반출 공정) 보트(26)에 대한 성막 공정이 완료되면, 반송계 컨트롤러(110)로부터의 지시에 따르면서, 그 후, 회전 기구에 의한 보트(26) 및 웨이퍼(18)의 회전을 정지시키고, 보트 엘리베이터(32)에 의해 시일 캡(34)을 하강시켜서 매니폴드의 하단을 개구시킴과 함께, 처리 완료된 웨이퍼(18)를 보유 지지한 보트(26)를 처리로(28)의 외부로 반출(보트 언로드)한다.
그리고, 처리 완료된 웨이퍼(18)를 보유 지지한 보트(26)는, 클린 유닛(35)으로부터 분출되는 클린 에어(36)에 의해 매우 효과적으로 냉각된다. 그리고, 예를 들어 150℃ 이하로 냉각되면, 보트(26)로부터 처리 완료된 웨이퍼(18)를 탈장(웨이퍼 디스차지)하여 포드(9)에 이동 탑재한 후에, 새로운 미처리 웨이퍼(18)의 보트(26)에 대한 이동 탑재가 행하여진다.
이상과 같은 각 공정을 반복함으로써, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(18) 상으로의 실리콘막의 형성을 높은 스루풋으로 행할 수 있다.
(기판 처리 장치의 보수 방법) 상술한 성막 공정은, 웨이퍼(18) 상으로의 막 형성을 목적으로 하는데, 실제로는, 웨이퍼(18) 이외에, 예를 들어 처리실(29)을 구성하는 반응관이나 보트(26) 등에 대해서도 막이 형성되어 버린다. 형성된 막이 두껍게 퇴적되면, 가해지는 응력이 증대되어 깨짐이 발생하여, 처리실(29) 내에 이물(파티클)을 발생시키는 경우가 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 상술한 성막 공정을 반복함으로써 처리실(29) 내 등에 퇴적된 막의 두께가 소정의 두께에 도달하면, 처리실(29) 내 등을 보수(유지 보수)하기 위한 보수 공정으로서, 이하에 설명하는 바와 같은 클리닝 공정을 실시한다.
(클리닝 공정) 클리닝 공정은, 처리실(29) 내 등에 부착된 퇴적물(누적된 박막)의 두께가, 퇴적물에 박리·낙하가 발생하기 전의 소정의 두께에 달한 시점에서 그 실시가 개시된다. 누적막 두께가 소정 두께에 도달했는지 여부는, 예를 들어, 반응관으로서의 프로세스 튜브에 의해 형성되는 처리실(29) 내에 설치한 막 두께 검출기에 의해 검출된 누적막 두께 값으로부터 판단하거나, 또는 처리실(29)을 성막 공정에 사용한 사용 횟수나 사용 시간 등으로부터 유추되는 막 두께 추정값에 기초하여 판단하는 것으로 생각된다. 즉, 프로세스 튜브 등의 누적막 두께 값, 사용 횟수, 사용 시간에서 선택되는 적어도 하나의 설정 파라미터를 사용하여, 그 설정 파라미터를 소정 임계값과 비교함으로써, 유지 보수 시기인지 여부가 조작부(41)에 의해 판단된다.
클리닝 공정의 실시에 있어서, 조작부(41)에서는, 우선, 실시해야 할 클리닝을 위한 유지 보수용 레시피가 기억부(43)로부터 판독되어, 주 컨트롤러(41) 내의 RAM 등의 메모리에 전개된다. 그리고, 필요에 따라, 주 컨트롤러(41)로부터 프로세스계 컨트롤러(100)나 반송계 컨트롤러(110)에 동작 지시가 주어진다. 이에 의해, 클리닝 공정이 실시되게 된다.
클리닝 공정을 실시하는 경우에는, 예를 들어 노구 셔터(31)에 의해, 매니폴드의 하단 개구를 기밀하게 폐색해 둔다. 그리고, 처리실(29) 내가 소정의 클리닝 압력(진공도)이 되도록 진공 배기 장치에 의해 진공 배기함과 함께, 처리실(29) 내가 소정의 클리닝 온도가 되도록 히터(49)에 의해 가열한다.
그 후에는, 처리실(29) 내가 소정의 클리닝 온도, 소정의 클리닝 압력으로 유지된 상태에서, 클리닝 가스로서의 불소 함유 가스(예를 들어, F2 가스)의 처리실(29) 내로의 공급을 개시한다.
이때, 처리실(29) 내에 공급되는 N2 가스는, 클리닝 가스인 F2 가스를 희석하는 희석 가스로서, 또는 처리실(29) 내로의 확산을 재촉하는 캐리어 가스로서 기능한다. N2 가스의 공급 유량을 제어함으로써, F2 가스의 농도나 확산 속도를 제어할 수 있다.
처리실(29) 내에 공급된 F2 가스는, 처리실(29) 내를 상승하여, 이너 튜브의 상단 개구로부터 통 형상 공간 내에 유출하여, 통 형상 공간 내를 유하한 후, 배기관으로부터 배기된다. F2 가스는, 처리실(29) 내를 통과할 때에 처리실(29) 내에 누적된 실리콘막 등과 접촉하여, 열화학 반응에 의해 실리콘막 등을 제거한다. 즉, 가열되어 활성화된 F2 가스는 에칭종이 되어, 처리실(29) 내에 누적된 실리콘막 등을 에칭하여 제거한다. 미리 설정된 처리 시간이 경과하여, 실리콘막 등의 제거가 완료되면, 밸브(48)를 폐쇄하여, 처리실(29) 내로의 F2 가스의 공급을 정지한다.
도 8은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 가스 공급 및 배기 배관 계통의 상세를 나타낸 것이다. 도 8에서, 가스 공급계는, 클리닝 가스로서의 F2 가스 공급 라인과, 성막 가스로서의 DCS(SiH2Cl2) 가스 공급 라인으로 적어도 구성된다. 각 가스 공급 라인은, 소정수의 밸브와, MFC와, 희석용 N2 가스 라인과, 처리로(28) 내에 가스를 흘리기 전에 유량 안정될 때까지 배기측으로 공급하기 위한 바이패스 라인을 포함하는 구성으로 되어 있다. 후술하는 유지 보수용 레시피 실행 제어의 설명에 있어서, 특별히 필요로 하지 않기 때문에 도시되어 있지 않지만, 또한, 도시하지 않은 불활성 가스 공급계도 접속되고 있음은 말할 필요도 없다. 또한, 배기측 라인은, 배기관과, 압력 밸브(Main Valve)(51)를 적어도 포함하는 구성으로 되어 있다. 또한, 진공 배기 장치(Main Pump)도 배기측 라인에 포함하도록 해도 된다. 또한, 도 8에서, 영역 A가 처리로(28) 내, 영역 B 및 영역 C가 배기측 라인을 나타내고, 영역 B는 압력 밸브(Main Valve)(51)의 상류측에서 소정의 압력으로 압력 조정되어 있고, 영역 C는 압력 밸브(Main Valve)(51)의 하류측이며, 또한 하류측에 설치된 진공 배기 장치(Main Pump)에 의해 진공 배기되고 있다. 상기 F2 가스 공급 라인 및 DCS(SiH2Cl2) 가스 공급 라인은 각각 바이패스 라인을 설치하여, 도시하지 않은 원료 봄베로부터 처리로(28)를 통하지 않고 영역 C에 소정의 가스를 공급할 수 있도록 구성되어 있다.
도 8은, 처리로(28) 내에 클리닝 가스를 공급하여 처리로(28) 내를 구성하는 부재에 부착되는 퇴적물을 제거하는 클리닝 레시피와 배기측 라인에 부착되는 퇴적물을 효율적으로 제거하는 배기관용 클리닝 레시피에 대해서, 각각 명칭을 바꾸어 클리닝 레시피(Mainte 01, Mainte 02)가 작성된 일례를 나타낸다.
도 8에 각각의 유지 보수 레시피명이 게재되어 있는 바와 같이, Mainte 01이 실행되면, 처리로(Reactor)(28)(즉, 영역 A)에 클리닝 가스가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, Mainte 02가 실행되면, 가스 공급계로부터 처리로(Reactor)(28)를 통하지 않고 직접 압력 밸브(Main Valve)(51)의 하류(배기)측에 클리닝 가스가 공급되도록 구성되어 있다. Mainte 01의 실행에 의해, 처리로(Reactor)(28)(즉, 영역 A)에 공급된 클리닝 가스는, 처리로(28)와 압력 밸브(Main Valve)(51)의 사이의 배기관(즉, 영역 B)을 지나, 압력 밸브(Main Valve)(51)와 진공 배기 장치(Main Pump)의 사이의 배기관(즉, 영역 C)을 지나, 진공 배기 장치(Main Pump)로부터 배기된다. 한편, Mainte 02의 실행에 의해, 가스 공급계로부터 처리로(Reactor)(28)를 통하지 않고 직접 영역 C에 클리닝 가스가 공급되어, 진공 배기 장치(Main Pump)로부터 배기되도록 되어 있다.
(실시예 1) 이어서, 도 5 및 도 6을 사용하여 유지 보수용 레시피 실행 제어에 대하여 설명한다. 도 5는, 본 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피의 일반적인 처리 플로우를 나타낸다. 실시예 1에서의 본 처리 플로우는, 우선, 프로세스 레시피가 종료되면, 누적막 두께의 현재 값이 갱신된다. 또한, 이 현재 값의 갱신은, 프로세스 레시피가 종료하기 전이라도, 프로세스 레시피의 성막 스텝이 실행된 후라면 상관없다. 이어서, 누적막 두께 값이 유지 보수용 레시피를 실행하는 임계값에 도달했는지 여부가 판단된다. 그리고, 아직 임계값에 도달하지 않은 경우, 유지 보수용 레시피의 처리 플로우는 종료된다. 한편, 갱신된 누적막 두께 값이 임계값에 도달했다고 판단되면, 클리닝을 위한 유지 보수용 레시피(이후, 클리닝 레시피라 칭하기도 함)가 실행된다. 그리고, 상기 클리닝 레시피가 종료되면, 누적막 두께의 현재 값이 클리어된다. 이와 같이, 본 처리 플로우를 실행하는 유지 보수 프로그램은, 프로세스 레시피가 실행될 때마다 실행되어, 유지 보수용 레시피의 실행 제어가 행하여진다.
도 6은, 본 실시 형태(실시예 1)에서의 유지 보수용 레시피 실행 제어에서 사용되는 설정 테이블을 나타낸다. 여기서, Mainte 02가, 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기측 라인에, 반응로를 통하지 않고 직접 클리닝 가스를 공급하여 상기 배기관에 부착되는 퇴적물을 제거할 수 있는 클리닝 레시피이다. 이 설정 테이블은, 설정되어 있는 유지 보수 레시피에 부가된 번호를 나타내는 항목 번호 「No.」와, 각각 설정되어 있는 유지 보수 레시피를 실행하는 실행 조건과, 각각의 실행 조건에 대한 임계값을 나타내는 리미트값과, 각각의 유지 보수 레시피의 명칭을 나타내는 유지 보수 레시피명을 포함하는 구성으로 되어 있다. 그리고, 본 설정 테이블은, 프로세스 레시피 실행 후, 도 5에 도시하는 플로우의 실행 개시(유지 보수 레시피 제어 처리 공정)시에 조작부(41)에 의해 판독된다. 본 실시 형태(실시예 1)에서, 유지 보수 레시피를 실행하는 조건은, 누적막 두께 값 외에, 사용 횟수 및 사용 시간 등을 들 수 있다.
(실시예 1에서의 효과) 이와 같이, 본 실시 형태(실시예 1)에서는, Mainte 01과 Mainte 02 양쪽을 독립적으로 제어함으로써, 반응로 내의 누적막 두께가 임계값에 도달하기 전이라도, Mainte 02를 실행함으로써, 배기측 라인의 클리닝을 행할 수 있다. 이에 의해, 반응로 내에 클리닝 가스를 공급하지 않고, 직접 배기측 라인에 클리닝 가스를 공급할 수 있으므로, 배기측 라인에 부착된 Si 화합물의 조성을 변경시키는 처리(실활 처리)를 행할 수 있다. 예를 들어, Si 화합물이 잔존한 채, 진공 펌프(진공 배기 장치)에 의해 배기되어, 대기 분위기에 노출되거나, 또한, 유지 보수 작업으로 배기측 라인이 분해되어, 대기에 노출되거나 해버리면 Si계 화합물이 폭발할 우려가 있어 매우 위험한데, 그 위험을 피할 수 있다. 또한, Si계 화합물이 배기측 라인에 부착 및 잔존하고 있으면, 안전을 위해 진공 펌프(진공 배기 장치)의 인터로크가 발생하여 정지하는 경우가 있다. 이 인터로크가 발생해도, Mainte 02를 실행함으로써 실활 처리를 행함으로써, 다시 진공 펌프(진공 배기 장치)를 안전하게 운전시킬 수 있다.
도 7은, 유지 보수용 레시피의 실행 타이밍 차트를 도시하는 도면이다. 도 7에 도시된 바와 같이, Mainte 01과 Mainte 02의 실행 조건이 동시에 만족되는 경우가 있다. 이 경우, Mainte 01이 실행되면, 그 레시피에 규정되어 있는 클리닝 가스가 클리닝 가스 공급 라인으로부터 반응로(28)를 거쳐서 배기측 라인으로 흐르기 때문에, 실제로는, 배기측 라인의 클리닝도 동시에 행하여지고 있다. 그 후, 또한 Mainte 02가, Mainte 01에 이어서 실행된다. 이에 의해, 배기측의 배관의 재질에 따라서는, 과도한 에칭에 의해 배관의 손상을 야기하는 경우가 있다. 이와 같이, 누적막 두께를 효율적으로 제거하기 위해서, 유지 보수용 레시피의 클리닝 조건(예를 들어, 클리닝하는 장소나 타이밍 등)이 상이한 경우에 따라서, 각각 개별로 작성되어 있는 것이, 오히려 기판 처리 장치의 신뢰성을 저하시키는 요인이 될 수 있다.
(실시예 2) 이어서, Mainte 01과 Mainte 02(각각의 클리닝 레시피)의 실행 조건이 동시에 만족되는 경우가 있어도, 적절한 유지 보수용 레시피 실행 제어를 행할 수 있도록 개량된 실시예 2에 대해서, 이하, 도 9 내지 도 10을 사용하여 설명한다.
도 9는 본 실시 형태(실시예 2)에서의 유지 보수용 레시피의 처리 플로우를 나타낸다. 또한, 도 10은 본 실시 형태(실시예 2)에서의 설정 화면의 일례를 나타내는 도면이다. 레시피 제어 프로그램으로서의 유지 보수 프로그램이 도 10에 설정된 테이블을 판독함으로써, 도 9에서 나타낸 처리 플로우가 실행된다.
먼저, 누적막 두께가 임계값에 도달하였는지를 체크하고, 도달하지 않은 경우, 처리 플로우를 종료시키는 것은, 실시예 1의 처리 플로우와 동일하다. 누적막 두께가 임계값에 도달한 경우, 유지 보수용 레시피(클리닝 레시피)를 실행하고, 종료되면 누적막 두께의 현재 값을 클리어하는 데까지는, 실시예 1의 처리 플로우와 동일하다.
이어서, 실행된 유지 보수용 레시피(클리닝 레시피)의 관련성이 있는 유지 보수용 레시피가 지정되어 있는지 체크를 행하고, 지정되어 있는 유지 보수용 레시피가 있으면, 그 지정되어 있는 유지 보수용 레시피도 누적막 두께의 현재 값이 클리어된다.
예를 들어, Mainte 01의 누적막 두께의 현재 값이 임계값에 도달한 경우, Mainte 01이 실행된다. 그리고, 현재 값이 클리어된다. 이어서, 관련이 있는 유지 보수용 레시피가 지정되어 있는지 체크를 하고, 이 경우, Mainte 02가 지정되어 있다. 따라서, Mainte 02의 누적막 두께의 현재 값도 클리어된다. 또한, 관련이 있는 유지 보수 레시피가 특별히 지정되어 있지 않으면, 도시되어 있지 않지만 도 10에서 다음의 레코드의 정보를 판독한다. 이렇게 지정된 유지 보수 조건을 만족하지 못한 클리닝 레시피의 현재 값을 제로 클리어함으로써, 도 11에 있는 바와 같이, 각 누적막 두께의 임계값의 최소 공배수의 값이 되었을 때에도 양쪽의 클리닝 레시피가 실행되지 않는다.
(실시예 2에서의 효과) 본 실시 형태(실시예 2)에 의하면, 상술한 실시예 1에서의 효과를 발휘하는 것 외에도, 이하의 효과를 발휘한다.
이렇게 본 실시 형태(실시예 2)에 의하면, Mainte 01이 실행되면, 그 레시피에 규정되어 있는 클리닝 가스가 클리닝 가스 공급 라인으로부터 반응로를 거쳐서 배기측 라인으로 흐르기 때문에, 실제로는, 배기측 라인의 클리닝도 동시에 행하여지고 있으므로, 또한, Mainte 02가 연속해서 실행되면, 배기측의 배관의 재질에 따라서는, 배관의 손상을 야기할 우려가 있었지만, Mainte 01이 실행되면 Mainte 02의 현재 값이 제로 클리어되도록 되어 있으므로, 배관의 손상이 억제되고, 파티클을 저감할 수 있다. 또한, 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 유지 보수용 레시피(Mainte 01)와 배기측 라인을 클리닝하는 유지 보수용 레시피(Mainte 02)가, 누적막 두께를 효율적으로 제거하기 위해 선택되므로, 최적의 유지 보수용 레시피가 실행된다. 또한, 클리닝 조건(예를 들어, 클리닝하는 장소나 타이밍 등)이 상이한 경우에 따라서, 각각 개별로 작성됨으로 인한 기판 처리 장치의 신뢰성 저하를 억제할 수 있다.
예를 들어, 상술한 본 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)에서의 처리 동작을 장치 컨트롤러(37)가 제어하는 경우를 예로 들었지만, 주 컨트롤러(41)에서의 제어 기능은, 컴퓨터를 상술한 실시 형태에서 설명한 제어부(제어 수단) 및 조작부(41)(조작 수단)로서 기능시키는 소정 프로그램에 의해 실현하는 것이 가능하다. 또한, 본 실시 형태에서의 프로세스 실행 프로그램, 반송 프로그램 등의 각종 프로그램은, 예를 들어 주 컨트롤러(41)의 기억부에 인스톨되어 사용되는데, 그 인스톨에 앞서, 주 컨트롤러(41)와 접속하는 통신 회선을 통해 제공되는 것이어도 되고, 또는 포트(40)를 통해 주 컨트롤러(41)에서 판독 가능한 기억 매체에 저장되어 제공되는 것이어도 된다.
또한 예를 들어, 상술한 실시 형태에서, 웨이퍼(18)를 장전하지 않은 빈 보트를 처리로(28) 내에 장입한 상태에서 실시하는 유지 보수용 레시피를 실행하는 경우나, 더미용 웨이퍼(18)를 장전한 보트를 처리로(28) 내에 장입한 상태에서 실시하는 유지 보수용 레시피를 실행하는 경우에도 적용된다.
<본 발명의 다른 실시 형태> 또한 예를 들어, 실리콘 함유 가스로서 디클로로실란(SiH2Cl2, 약칭: DCS) 가스를 예시했지만, 본 발명은 이와 같은 형태에 한하지 않고, 예를 들어, 모노클로로실란(SiH3Cl, 약칭: MCS), 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS), 테트라클로로실란(SiCl4, 약칭: STC), 트리클로로실란(SiHCl3, 약칭: TCS) 등의 다른 클로로실란계나, 트리실란(Si3H8, 약칭: TS), 디실란(Si2H6, 약칭: DS), 모노실란(SiH4, 약칭: MS) 등의 무기 원료나, 아미노실란계의 테트라키스디메틸아미노실란(Si[N(CH3)2]4, 약칭: 4DMAS), 트리스디메틸아미노실란(Si[N(CH3)2]3H, 약칭: 3DMAS), 비스디에틸아미노실란(Si[N(C2H5)2]2H2, 약칭: 2DEAS), 비스tert-부틸아미노실란(SiH2[NH(C4H9)]2, 약칭: BTBAS) 등의 유기 원료를 사용할 수 있다.
또한, 예를 들어, 클리닝 가스로서 불소(F2) 가스를 예시했지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들어, 불화수소(HF) 가스, 3불화염소(ClF3) 가스, 3불화질소(NF3) 가스 등의 불소(F)나 염소(Cl) 등의 할로겐을 포함하는 할로겐 함유 가스를 사용해도 되고, 또한 이들을 조합하여 사용해도 된다.
또한, 예를 들어 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 처리로(28)의 구성에서는, 웨이퍼(26)를 다수 처리하는 뱃치식 장치로서 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 웨이퍼(26)를 1장마다 처리하는 낱장식 장치에 본 발명을 적용해도 된다.
예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 처리 대상이 되는 기판이 반도체 웨이퍼 기판인 경우를 예로 들었지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display) 장치 등의 유리 기판을 처리하는 기판 처리 장치에도 적절하게 적용할 수 있다.
또한 예를 들어, 상술한 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1)가 행하는 처리로서 성막 처리를 예로 들었지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 즉, 처리로서는, 산화막, 질화막을 형성하는 처리, 금속을 포함하는 막을 형성하는 처리이어도 된다. 또한, 기판 처리의 구체적 내용은 불문이며, 성막 처리뿐만 아니라, 어닐 처리, 산화 처리, 질화 처리, 확산 처리, 리소그래피 처리 등의 다른 기판 처리에도 적절하게 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 다른 기판 처리 장치, 예를 들어 어닐 처리 장치, 산화 처리 장치, 질화 처리 장치, 노광 장치, 도포 장치, 건조 장치, 가열 장치, 플라즈마를 이용한 CVD 장치 등의 다른 기판 처리 장치에도 적절하게 적용할 수 있다.
이어서, 본 발명의 바람직한 다른 실시 형태를 부기하는데, 본 발명이 이하의 기재에 한정되지 않음은 말할 필요도 없다.
[부기 1] 본 발명의 일 형태에 의하면, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 유지구 등)를 처리하기 위한 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 상기 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 상기 설정 조건을 만족한 상기 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치로서, 상기 조작부는, 상기 기억부에 저장된 상기 레시피 중, 상기 설정 조건에 기초하여 상기 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와 상기 배기관을 처리하기 위한 레시피 중 어느 한쪽을 선택하고, 선택된 레시피의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 2] 또한, 상기 설정 조건은, 상기 레시피끼리의 관련성의 유무를 나타내는 항목이 규정되고, 상기 레시피 제어부는, 상기 선택된 레시피의 실행 후, 상기 항목에 레시피 지정이 있을 경우, 상기 지정된 레시피가 상기 설정 조건을 만족하지 않아도, 상기 설정 조건에 규정되어 있는 조건의 값을 클리어하는 부기 1의 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 3] 상기 레시피는, 기판을 처리하기 위한 프로세스 레시피와, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 유지구 등)를 처리하기 위한 유지 보수용 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 유지 보수용 레시피를 적어도 포함하고 있는 부기 1 또는 부기 2의 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 4] 본 발명의 다른 형태에 의하면, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 유지구 등)를 처리하기 위한 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 상기 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 상기 설정 조건을 만족한 상기 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치의 제어 방법으로서, 상기 조작부는, 상기 기억부에 저장된 상기 레시피 중, 상기 설정 조건에 기초하여 상기 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와, 상기 배기관을 처리하기 위한 레시피 각각의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 제어 방법이 제공된다.
[부기 5] 본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 기판을 처리하기 위한 프로세스 레시피와, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 유지구 등)를 처리하기 위한 유지 보수용 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 유지 보수용 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 상기 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 상기 설정 조건을 만족한 상기 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치로서, 상기 조작부는, 상기 프로세스 레시피의 실행 종료 후, 상기 설정 조건에 규정되어 있는 갱신된 조건(누적막 두께 값)의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교한 결과, 상기 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 실행하고, 실행된 상기 유지 보수용 레시피의 상기 현재 값을 클리어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 6] 또한, 상기 설정 조건은, 상기 유지 보수용 레시피끼리의 관련성의 유무를 나타내는 항목이 규정되고, 상기 레시피 제어부는, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피의 실행 후, 상기 항목에 지정이 있을 경우, 상기 지정된 유지 보수용 레시피에 대하여, 임계값에 도달하지 않았어도 상기 설정 조건에 규정되어 있는 조건(누적막 두께 값)의 현재 값을 클리어하는 부기 5의 기판 처리 장치가 제공된다.
[부기 7] 본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건(누적막 두께 값)을 갱신하는 스텝과, 갱신된 조건(누적막 두께 값)의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 스텝과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 실행하는 스텝과, 실행된 상기 유지 보수용 레시피의 현재 값을 클리어하는 스텝을 갖는 레시피 제어 프로그램이 제공된다.
[부기 8] 또한, 현재 값을 클리어하는 스텝에서는, 상기 실행된 상기 유지 보수용 레시피와의 관련성을 지정된 유지 보수용 레시피에 대하여, 임계값에 도달하지 않았어도 상기 설정 조건에 규정되어 있는 조건(누적막 두께 값)의 현재 값을 클리어하는 부기 7의 레시피 제어 프로그램이 제공된다.
[부기 9] 본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 프로세스 레시피를 실행하여 기판을 처리하는 기판 처리 공정과, 유지 보수용 레시피를 실행하는 보수 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 보수 공정은, 상기 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건(누적막 두께 값)을 갱신하는 공정과, 갱신된 조건(누적막 두께 값)의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 공정과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 선택하는 공정과, 선택된 상기 유지 보수용 레시피의 실행 후, 상기 현재 값을 클리어하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
[부기 10] 본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 적어도 유지 보수용 레시피를 실행하여 클리닝하는 보수 공정을 갖는 기판 처리 장치의 보수 방법으로서, 상기 보수 공정은, 상기 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건(누적막 두께 값)을 갱신하는 공정과, 갱신된 조건(누적막 두께 값)의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 공정과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 선택하는 공정과, 선택된 상기 유지 보수용 레시피의 실행 후, 상기 현재 값을 클리어하는 공정을 갖는 기판 처리 장치의 보수 방법이 제공된다.
[부기 11] 본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하기 위한 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 유지 보수용 레시피를 실행하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 보수 방법으로서, 상기 제어부는, 상기 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건을 갱신하는 공정과, 갱신된 조건(누적막 두께 값)의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 공정과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 선택하는 공정과, 선택된 상기 유지 보수용 레시피의 실행 후, 상기 현재 값을 클리어하는 공정을 갖는 레시피 제어 프로그램을 실행하는 기판 처리 장치의 보수 방법이 제공된다.
[부기 12] 본 발명의 또 다른 형태에 의하면, 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건(누적막 두께 값)을 갱신하는 스텝과, 갱신된 조건(누적막 두께 값)의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 스텝과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 실행하는 스텝과, 실행된 상기 유지 보수용 레시피의 현재 값을 클리어하는 스텝을 갖는 레시피 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체가 제공된다.
또한, 이 출원은, 2012년 3월 30일에 출원된 일본 특허 출원 제2012-082128을 기초로 하여 우선권의 이익을 주장하는 것이며, 그 발명의 모두를 인용에 의해 여기에 도입한다.
[산업상 이용가능성]
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 전반에 적용할 수 있다.
1 : 기판 처리 장치 18 : 웨이퍼
41 : 조작부 44 : 데이터 저장부
55 : 입력부 56 : 표시부
41 : 조작부 44 : 데이터 저장부
55 : 입력부 56 : 표시부
Claims (8)
- 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 처리하는 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 상기 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 상기 설정 조건을 만족한 상기 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치로서, 상기 조작부는, 상기 기억부에 저장된 상기 레시피 중, 상기 설정 조건에 기초하여 상기 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와, 상기 배기관을 처리하는 레시피의 각각의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 또한, 상기 설정 조건은, 상기 레시피끼리의 관련성의 유무를 나타내는 항목이 규정되고, 상기 레시피 제어부는, 상기 선택된 레시피의 실행 후, 상기 항목에 레시피 지정이 있을 경우, 상기 지정된 레시피가 상기 설정 조건을 만족하지 않아도, 상기 설정 조건에 규정되어 있는 조건의 값을 클리어하는, 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 레시피는, 기판을 처리하기 위한 프로세스 레시피와, 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재(반응관이나 기판 유지구 등)를 처리하기 위한 유지 보수용 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 유지 보수용 레시피를 적어도 포함하고 있는, 기판 처리 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 유지 보수용 레시피는, 상기 반응로 내를 구성하는 부재 또는 상기 배기관에 퇴적된 누적막 두께를 제거하기 위한 클리닝 레시피인, 기판 처리 장치.
- 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하기 위한 레시피 및 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 각종 레시피를 적어도 저장하는 기억부와, 상기 레시피를 실행하는 설정 조건을 적어도 조작 화면에 표시하는 표시부를 구비한 조작부와, 상기 설정 조건을 만족한 상기 레시피를 실행하는 제어부로 적어도 구성된 기판 처리 장치의 제어 방법으로서, 상기 조작부는, 상기 기억부에 저장된 상기 레시피 중, 상기 설정 조건에 기초하여 상기 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하는 레시피와, 상기 배기관을 처리하기 위한 레시피 각각의 실행을 제어하는 레시피 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 제어 방법.
- 기판 처리가 행하여지는 반응로 내를 구성하는 부재를 처리하기 위한 레시피와, 상기 반응로 내로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기관을 각각 처리하기 위한 레시피를 포함하는 유지 보수용 레시피를 실행하는 제어부를 구비한 기판 처리 장치의 보수 방법으로서, 상기 제어부는, 상기 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건을 갱신하는 공정과, 갱신된 조건의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 공정과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 선택하는 공정과, 선택된 상기 유지 보수용 레시피의 실행 후, 상기 현재 값을 클리어하는 공정을 갖는 레시피 제어 프로그램을 실행하는 기판 처리 장치의 보수 방법.
- 유지 보수용 레시피를 실행하는 설정 조건에 규정되어 있는 조건을 갱신하는 스텝과, 갱신된 조건의 현재 값과 상기 설정 조건에 규정되어 있는 임계값을 비교하는 스텝과, 비교한 결과, 기억부에 저장된 상기 유지 보수용 레시피 중, 상기 임계값에 도달한 유지 보수용 레시피를 실행하는 스텝과, 실행된 상기 유지 보수용 레시피의 현재 값을 클리어하는 스텝을 갖는 레시피 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
- 제7항에 있어서, 또한, 상기 실행된 상기 유지 보수용 레시피와의 관련성을 지정받은 유지 보수용 레시피에 대하여, 임계값에 도달하지 않았어도 상기 설정 조건에 규정되어 있는 조건의 현재 값을 클리어하는 스텝을 갖는 레시피 제어 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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