JP2007150213A - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1の制御部100は、反応管2内を少なくとも600℃に加熱するとともに、処理ガス導入管17から塩酸を含むクリーニングガスを供給し、活性化した塩素によりハフニウムシリケートを除去する。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、稼働率の低下を抑制しつつ、装置内部に付着した高誘電率材料を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、高誘電率材料からなる薄膜の効率的な形成に寄与することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
複数の被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に高誘電率材料からなる薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
少なくとも600℃に加熱した反応室内にフッ素を含むことなく塩素を含むクリーニングガスを供給してクリーニングガス中の塩素を活性化させ、該活性化した塩素により前記付着物を除去して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備える、ことを特徴とする。
これらのクリーニング工程では、前記反応室内を少なくとも800℃に加熱することが好ましい。また、これらのクリーニング工程では、前記金属成分を除去した後、残ったシリケート成分をフッ素を含むクリーニングガスで除去することが好ましい。
複数の被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に高誘電率材料からなる薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ素を含むことなく塩素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を少なくとも600℃に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給してクリーニングガス中の塩素を活性化させ、該活性化した塩素により前記付着物を除去して装置内部をクリーニングするように前記クリーニングガス供給手段を制御する、ことを特徴とする。
複数の被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に高誘電率材料からなる薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段、
前記反応室内にフッ素を含むことなく塩素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を少なくとも600℃に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給してクリーニングガス中の塩素を活性化させ、該活性化した塩素により前記付着物を除去して装置内部をクリーニングするように前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管5内の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (10)
- 複数の被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に高誘電率材料からなる薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
少なくとも600℃に加熱した反応室内にフッ素を含むことなく塩素を含むクリーニングガスを供給してクリーニングガス中の塩素を活性化させ、該活性化した塩素により前記付着物を除去して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記高誘電率材料は、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、または、酸化ジルコニウムである、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記高誘電率材料は、金属シリケートであり、
前記クリーニング工程では、シリケート成分を残した状態で、金属成分を除去する、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記金属シリケートは、ハフニウムシリケート、または、ジルコニウムシリケートである、ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記クリーニング工程では、前記反応室内を少なくとも800℃に加熱する、ことを特徴とする請求項3または4に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記クリーニング工程では、前記金属成分を除去した後、残ったシリケート成分をフッ素を含むクリーニングガスで除去する、ことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記クリーニング工程によりクリーニングされた反応室内に塩素除去用ガスを供給して装置内部に含まれる塩素を除去する塩素除去工程を、さらに備える、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記塩素除去用ガスにアンモニアを用いる、ことを特徴とする請求項7に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 複数の被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に高誘電率材料からなる薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内にフッ素を含むことなく塩素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
薄膜形成装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を少なくとも600℃に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給してクリーニングガス中の塩素を活性化させ、該活性化した塩素により前記付着物を除去して装置内部をクリーニングするように前記クリーニングガス供給手段を制御する、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 複数の被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に高誘電率材料からなる薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段、
前記反応室内にフッ素を含むことなく塩素を含むクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段、
前記加熱手段を制御して前記反応室内を少なくとも600℃に維持した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給してクリーニングガス中の塩素を活性化させ、該活性化した塩素により前記付着物を除去して装置内部をクリーニングするように前記クリーニングガス供給手段を制御する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
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