JPH02222518A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02222518A JPH02222518A JP4454489A JP4454489A JPH02222518A JP H02222518 A JPH02222518 A JP H02222518A JP 4454489 A JP4454489 A JP 4454489A JP 4454489 A JP4454489 A JP 4454489A JP H02222518 A JPH02222518 A JP H02222518A
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁膜及び
電極用金属の膜形成方法に用いる半導体装置の製造方法
に関する。
電極用金属の膜形成方法に用いる半導体装置の製造方法
に関する。
従来、半導体基板上に絶縁膜や電極用金属の膜を形成す
る半導体装置の製造方法は、洗浄等の前処理をおこなっ
た半導体基板をその表面が空気に触れる状態で膜形成装
置へ搬送していた。
る半導体装置の製造方法は、洗浄等の前処理をおこなっ
た半導体基板をその表面が空気に触れる状態で膜形成装
置へ搬送していた。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、前処理をおこ
なった半導体基板を、−産学気中へ取り出すため、空気
中の酸素により、半導体基板上のシリコン表面に自然酸
化膜が形成され、次に熱酸化膜を形成する場合の、膜質
が低下したり、電極用金属膜をスパッタする場合のコン
タクト抵抗が増加するという欠点がある。このため、電
極用金属膜のスパッタに関しては、スパッタ装置におい
て、チャンバー内を減圧した後、スパッタ直前にＲＦエ
ッチをおこなって、酸化膜を除去するという方法もおこ
なわれているが、コンタクトホール周辺の絶縁膜がシリ
コン酸化膜のような、酸素を多く含んだ膜の場合は十分
な効果は得られていない。
なった半導体基板を、−産学気中へ取り出すため、空気
中の酸素により、半導体基板上のシリコン表面に自然酸
化膜が形成され、次に熱酸化膜を形成する場合の、膜質
が低下したり、電極用金属膜をスパッタする場合のコン
タクト抵抗が増加するという欠点がある。このため、電
極用金属膜のスパッタに関しては、スパッタ装置におい
て、チャンバー内を減圧した後、スパッタ直前にＲＦエ
ッチをおこなって、酸化膜を除去するという方法もおこ
なわれているが、コンタクトホール周辺の絶縁膜がシリ
コン酸化膜のような、酸素を多く含んだ膜の場合は十分
な効果は得られていない。
本発明の半導体装置の製造方法は、洗浄等の前処理装置
から絶縁膜や電極用金属を形成する膜形成装置へ半導体
基板を搬送する半導体装置の製造方法において、前記前
処理装置と前記膜形成装置との間に窒素雰囲気に保たれ
たクリーントンネルを設け、該クリーントンネルを通し
て半導体基板を搬送することを特徴とする。
から絶縁膜や電極用金属を形成する膜形成装置へ半導体
基板を搬送する半導体装置の製造方法において、前記前
処理装置と前記膜形成装置との間に窒素雰囲気に保たれ
たクリーントンネルを設け、該クリーントンネルを通し
て半導体基板を搬送することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。
最近のＭＯ３ＩＣでは、ゲート酸化膜として薄膜で、高
い静電耐圧を有する膜が要求されているが、−射的には
洗浄等の前処理をおこなって、シリコン表面の自然酸化
膜を除去しても、酸化炉に入るまでの間に空気中を搬送
されるため、空気中の酸素により再度自然酸化膜が形成
され、自然酸化膜が形成されてない場合に比べて膜質が
低下していた。本実施例では、洗浄装置１において、洗
浄処理をおこなった半導体基板は、窒素雰囲気で満たさ
九たクリーントンネル２を通って酸化炉３まで搬送され
、そのまま酸化処理される。したがって、自然酸化膜層
のない高品質の酸化膜を形成することができる。
い静電耐圧を有する膜が要求されているが、−射的には
洗浄等の前処理をおこなって、シリコン表面の自然酸化
膜を除去しても、酸化炉に入るまでの間に空気中を搬送
されるため、空気中の酸素により再度自然酸化膜が形成
され、自然酸化膜が形成されてない場合に比べて膜質が
低下していた。本実施例では、洗浄装置１において、洗
浄処理をおこなった半導体基板は、窒素雰囲気で満たさ
九たクリーントンネル２を通って酸化炉３まで搬送され
、そのまま酸化処理される。したがって、自然酸化膜層
のない高品質の酸化膜を形成することができる。
第２図は、本発明の他の実施例の構成図である。
半導体基板は前処理装置１１でコンタクトホール内のシ
リコン表面の自然酸化膜等を除去された後、窒素雰囲気
で満たされたクリーントンネル１２の中をアルミスパッ
タ装置１３まで搬送され、そのまま電極用アルミをスパ
ッタされる。この実施例では、シリコン表面に自然酸化
膜がない状態で電極用アルミをスパッタできるため、コ
ンタクト抵抗の増加を防ぐことができる。
リコン表面の自然酸化膜等を除去された後、窒素雰囲気
で満たされたクリーントンネル１２の中をアルミスパッ
タ装置１３まで搬送され、そのまま電極用アルミをスパ
ッタされる。この実施例では、シリコン表面に自然酸化
膜がない状態で電極用アルミをスパッタできるため、コ
ンタクト抵抗の増加を防ぐことができる。
以上説明したように本発明は、洗浄装置及び前処理装置
から酸化炉等の膜形成装置への搬送を窒素雰囲気中でお
こなう事により、膜形成前に自然酸化膜ができるのを防
止して、高品質の絶縁膜の形成を可能にし、また半導体
基板と電極用金属の間のコンタクト抵抗の増加を防止で
きる効果がある。
から酸化炉等の膜形成装置への搬送を窒素雰囲気中でお
こなう事により、膜形成前に自然酸化膜ができるのを防
止して、高品質の絶縁膜の形成を可能にし、また半導体
基板と電極用金属の間のコンタクト抵抗の増加を防止で
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本発明の
他の実施例の構成図である。 １・・・・・・洗浄装置、２・・・・・・クリーントン
ネル、３・・・・・・酸化炉、１１・・・・・・前処理
装置、１２・・・・・・クリーントンネル、１３・・・
・・・アルミスパッタ装置。 代理人 弁理士−内 原 晋 第１図 ３、６気イと又Ｐ 第２に １１：灼処理堤！ １ｚニ クリーントンネル １３ニアルミスパツタ 順看Ｔ
他の実施例の構成図である。 １・・・・・・洗浄装置、２・・・・・・クリーントン
ネル、３・・・・・・酸化炉、１１・・・・・・前処理
装置、１２・・・・・・クリーントンネル、１３・・・
・・・アルミスパッタ装置。 代理人 弁理士−内 原 晋 第１図 ３、６気イと又Ｐ 第２に １１：灼処理堤！ １ｚニ クリーントンネル １３ニアルミスパツタ 順看Ｔ
Claims (1)
- 洗浄等の前処理装置から絶縁膜や電極用金属を形成する
膜形成装置へ半導体基板を搬送する半導体装置の製造方
法において、前記前処理装置と前記膜形成装置との間に
窒素雰囲気に保たれたクリーントンネルを設け、該クリ
ーントンネルを通して、半導体基板を搬送することを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4454489A JPH02222518A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4454489A JPH02222518A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222518A true JPH02222518A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=12694449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4454489A Pending JPH02222518A (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02222518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143619A (en) * | 1997-07-18 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus |
| CN109778140A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 东京毅力科创株式会社 | 清洁方法和成膜方法 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP4454489A patent/JPH02222518A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143619A (en) * | 1997-07-18 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus |
| CN109778140A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 东京毅力科创株式会社 | 清洁方法和成膜方法 |
| CN109778140B (zh) * | 2017-11-13 | 2022-07-12 | 东京毅力科创株式会社 | 清洁方法和成膜方法 |
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