JP2008109091A - シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】低温下で、良質なシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管2内にSiソースを供給し、半導体ウエハWの表面にSiを吸着させる。続いて、反応管2内に酸素ラジカルを供給して、吸着したSiを酸化させ、半導体ウエハWにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜を形成する。
【選択図】図1
Description
被処理体が収容された反応室内に、1価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させる吸着ステップと、
前記吸着ステップで吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、を備え、
前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップとを、複数回繰り返す、ことを特徴とする。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記酸化ガスに、例えば、酸素、オゾン、または、水蒸気が用いられる。
前記吸着ステップでは、例えば、前記反応室内に前記1価のアミノシランを10sccm〜10slm供給する。
前記シリコン酸化膜形成ステップでは、例えば、前記反応室に酸化ガスを1sccm〜10slm供給する。
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に、1価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段と、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に1価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、
前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、
処理を複数回繰り返す、ことを特徴とする。
コンピュータを、
被処理体を収容する反応室内に、1価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に1価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 排気部
4 排気口
5 蓋体
6 ウエハボート
7 昇温用ヒータ
8、9 処理ガス供給管
10 プラズマ発生部
11 電極
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
129 プラズマ制御部
W 半導体ウエハ
Claims (11)
- 被処理体が収容された反応室内に、1価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させる吸着ステップと、
前記吸着ステップで吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成ステップと、を備え、
前記吸着ステップと、前記シリコン酸化膜形成ステップとを、複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。 - 前記反応室内を室温〜700℃に設定する、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記酸化ガスに、酸素、オゾン、または、水蒸気を用いる、ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記吸着ステップでは、前記反応室内を0.133Pa〜13.3kPaに設定する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記吸着ステップでは、前記反応室内に前記1価のアミノシランを10sccm〜10slm供給する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記反応室内を0.133Pa〜13.3kPaに設定する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、前記反応室に酸化ガスを1sccm〜10slm供給する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、0.133Pa〜13.3kPaに設定されたプラズマ発生室に酸化ガスを供給して酸化ガスのラジカルを形成し、形成した酸化ガスのラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 前記シリコン酸化膜形成ステップでは、200℃〜600℃に設定された反応室内にオゾンを供給してオゾンを活性化させ、当該活性化されたオゾンを前記吸着されたシリコンに供給して当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、ことを特徴とする請求項1、4乃至7のいずれか1項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
- 被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に、1価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段と、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に1価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、
前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、
処理を複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン酸化膜の形成装置。 - コンピュータを、
被処理体を収容する反応室内に、1価のアミノシランを供給するアミノシラン供給手段、
前記被処理体に活性化された酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段、
前記アミノシラン供給手段を制御して、前記反応室内に1価のアミノシランを供給し、前記被処理体にシリコンを吸着させ、前記酸化ガス供給手段を制御して、前記吸着されたシリコンに活性化された酸化ガスを供給し、当該シリコンを酸化させ、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する、処理を複数回繰り返す制御手段、
として機能させるためのプログラム。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008109093A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
JP2011029284A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
KR101167508B1 (ko) * | 2008-10-07 | 2012-07-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 디바이스의 제조 방법 |
JP2012142421A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
JP2014517499A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-07-17 | ピコサン オーワイ | プラズマ源による原子層堆積 |
US9685616B2 (en) | 2013-06-25 | 2017-06-20 | Heliatek Gmbh | Organic semiconductive component |
JP2018137430A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
WO2020213454A1 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515674A (ja) * | 1999-12-03 | 2003-05-07 | エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ | 二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着 |
JP2005197561A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
WO2006097525A2 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
JP2006286711A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | シリコン酸化膜の形成方法 |
-
2007
- 2007-08-22 JP JP2007215809A patent/JP5193527B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003515674A (ja) * | 1999-12-03 | 2003-05-07 | エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ | 二酸化ケイ素を含む膜の原子層化学蒸着 |
JP2005197561A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
WO2006097525A2 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming silicon oxide containing films |
JP2006286711A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | シリコン酸化膜の形成方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008109093A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
KR101167508B1 (ko) * | 2008-10-07 | 2012-07-23 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 디바이스의 제조 방법 |
JP2011029284A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
KR101498496B1 (ko) * | 2010-12-28 | 2015-03-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 박막 형성 방법, 박막 형성 장치 및 프로그램이 기록된 기록 매체 |
JP2012142421A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
US9095869B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-08-04 | Picosun Oy | Atomic layer deposition with plasma source |
JP2014517499A (ja) * | 2011-04-07 | 2014-07-17 | ピコサン オーワイ | プラズマ源による原子層堆積 |
US9868131B2 (en) | 2011-04-07 | 2018-01-16 | Picosun Oy | Atomic layer deposition with plasma source |
KR101819721B1 (ko) | 2011-04-07 | 2018-02-28 | 피코순 오와이 | 플라즈마 소오스를 갖는 원자층 퇴적 |
US9685616B2 (en) | 2013-06-25 | 2017-06-20 | Heliatek Gmbh | Organic semiconductive component |
JP2018137430A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
JP7149708B2 (ja) | 2017-02-23 | 2022-10-07 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の製造方法 |
WO2020213454A1 (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
JP2020177980A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
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