JPH1036189A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH1036189A JPH1036189A JP8190948A JP19094896A JPH1036189A JP H1036189 A JPH1036189 A JP H1036189A JP 8190948 A JP8190948 A JP 8190948A JP 19094896 A JP19094896 A JP 19094896A JP H1036189 A JPH1036189 A JP H1036189A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の被気相成長基板に対する気相成長を、
容易かつ簡潔な構成によって行うことができるようにす
る。 【解決手段】 共通の原料供給部１０を有し、この共通
の原料供給部１０に対して複数の気相成長反応部２１，
２２，２３・・・が並列にそれぞれ開閉バルブを介して
設けられた構成とする。
容易かつ簡潔な構成によって行うことができるようにす
る。 【解決手段】 共通の原料供給部１０を有し、この共通
の原料供給部１０に対して複数の気相成長反応部２１，
２２，２３・・・が並列にそれぞれ開閉バルブを介して
設けられた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に有機金属気相
成長装置に適用して好適な気相成長装置に係わる。
成長装置に適用して好適な気相成長装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の気相成長装置、例えば有機金属気
相成長装置いわゆるＭＯＣＶＤ装置においては、その概
略構成を図２に示すように、１つの原料供給部１０に対
して、１つの気相成長反応部２１が設けられて成る。Ｍ
ＯＣＶＤ装置における原料供給部１０は、複雑な構成を
有する。このＭＯＣＶＤ装置における原料供給部１０
は、例えばＩＩＩ−Ｖ族半導体の気相成長を行う場合、
ＩＩＩ族元素の有機金属源供給源１、すなわち例えばＡ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ原料の例えばＴＭＡ（トリ・メチル・ア
ルミニウム），ＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム），Ｔ
ＭＩ（トリ・メチル・インジウム）もしくはＴＥＡ（ト
リ・エチル・アルミニウム），ＴＥＧ（トリ・エチル・
ガリウム），ＴＥＩ（トリ・エチル・インジウム）等の
原料がそれぞれ収容されたバブリング装置（図２におい
ては１つのバブリング装置のみが代表的に示されてい
る）が設けられ、これら各有機金属供給源１の各バブリ
ング装置にそれぞれキャリアガス供給源２からのガス例
えばＨ2 を、それぞれ流量制御装置いわゆるマスフロー
コントローラＭＦＣ３を通じて供給してバブリングを行
うことができるようになされ、所要の有機金属を含むキ
ャリアガスを、気相成長反応部２０の被気相成長基体３
０例えば半導体基体が配置された反応炉Ｆに供給するよ
うになされている。
相成長装置いわゆるＭＯＣＶＤ装置においては、その概
略構成を図２に示すように、１つの原料供給部１０に対
して、１つの気相成長反応部２１が設けられて成る。Ｍ
ＯＣＶＤ装置における原料供給部１０は、複雑な構成を
有する。このＭＯＣＶＤ装置における原料供給部１０
は、例えばＩＩＩ−Ｖ族半導体の気相成長を行う場合、
ＩＩＩ族元素の有機金属源供給源１、すなわち例えばＡ
ｌ，Ｇａ，Ｉｎ原料の例えばＴＭＡ（トリ・メチル・ア
ルミニウム），ＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム），Ｔ
ＭＩ（トリ・メチル・インジウム）もしくはＴＥＡ（ト
リ・エチル・アルミニウム），ＴＥＧ（トリ・エチル・
ガリウム），ＴＥＩ（トリ・エチル・インジウム）等の
原料がそれぞれ収容されたバブリング装置（図２におい
ては１つのバブリング装置のみが代表的に示されてい
る）が設けられ、これら各有機金属供給源１の各バブリ
ング装置にそれぞれキャリアガス供給源２からのガス例
えばＨ2 を、それぞれ流量制御装置いわゆるマスフロー
コントローラＭＦＣ３を通じて供給してバブリングを行
うことができるようになされ、所要の有機金属を含むキ
ャリアガスを、気相成長反応部２０の被気相成長基体３
０例えば半導体基体が配置された反応炉Ｆに供給するよ
うになされている。
【０００３】一方、この原料供給部１０には、Ｐ，Ａｓ
等のＶ族原料ガスＰＨ3 ，ＡｓＨ3等の供給源４すなわ
ち特殊高圧原料ガスの供給源（図２においては１つの供
給源４のみが代表的に示されている）が設けられ、これ
より所要のＶ族原料ガスが、マスフローコントローラＭ
ＦＣ５によってその流量が制御されて、上述の反応部２
０の反応炉Ｆに供給するようになされている。
等のＶ族原料ガスＰＨ3 ，ＡｓＨ3等の供給源４すなわ
ち特殊高圧原料ガスの供給源（図２においては１つの供
給源４のみが代表的に示されている）が設けられ、これ
より所要のＶ族原料ガスが、マスフローコントローラＭ
ＦＣ５によってその流量が制御されて、上述の反応部２
０の反応炉Ｆに供給するようになされている。
【０００４】更に、Ｈ2 ，Ｎ2 等のいわゆるパージガス
の供給源７が設けられ、これよりのガスを、反応炉Ｆ内
における反応すなわち気相成長作業の終了後、気相成長
作業の開始前等において反応炉Ｆ内に供給して残留気体
等を排除するようになされている。
の供給源７が設けられ、これよりのガスを、反応炉Ｆ内
における反応すなわち気相成長作業の終了後、気相成長
作業の開始前等において反応炉Ｆ内に供給して残留気体
等を排除するようになされている。
【０００５】上述したように、図２においては、有機金
属供給源１および原料ガス供給源４とこれらに付随する
構成を各１組を代表的に示したが、実際には目的とする
気相成長に応じて用いられるＩＩＩ族およびＶ族元素の
数に応じた組数の有機金属供給源１および原料ガス供給
源４とこれらに付随する構成が配置されることから、こ
の原料供給部１０は、きわめて複雑、膨大な装置とな
る。
属供給源１および原料ガス供給源４とこれらに付随する
構成を各１組を代表的に示したが、実際には目的とする
気相成長に応じて用いられるＩＩＩ族およびＶ族元素の
数に応じた組数の有機金属供給源１および原料ガス供給
源４とこれらに付随する構成が配置されることから、こ
の原料供給部１０は、きわめて複雑、膨大な装置とな
る。
【０００６】反応炉Ｆは、高周波コイル等の加熱手段６
を具備し、また図示しないが排気系、すなわち排気ポン
プ、排気気体の浄化手段等が連結される。
を具備し、また図示しないが排気系、すなわち排気ポン
プ、排気気体の浄化手段等が連結される。
【０００７】キャリアガス供給源２、原料ガス供給源
４、パージガス供給源７には、それぞれ開閉バルブＶｓ
2 、Ｖｓ4 、Ｖｓ7 が設けられている。
４、パージガス供給源７には、それぞれ開閉バルブＶｓ
2 、Ｖｓ4 、Ｖｓ7 が設けられている。
【０００８】上述したように、気相成長装置、特にＭＯ
ＣＶＤ装置においては、１組の原料供給部１０に対して
１つの気相成長反応部２０が設けられた構成とされる。
ＣＶＤ装置においては、１組の原料供給部１０に対して
１つの気相成長反応部２０が設けられた構成とされる。
【０００９】したがって、この装置によって、量産化を
はかるように、１つのＭＯＣＶＤ装置で多数の被気相成
長基板に関して気相成長を行おうとする場合、その気相
成長反応部２０における反応炉Ｆとして、大型のものを
用い、これに多数枚の被気相成長基板３０を配置して、
多数枚の被気相成長基板３０に関して同時に気相成長を
行うという方法がとられる。
はかるように、１つのＭＯＣＶＤ装置で多数の被気相成
長基板に関して気相成長を行おうとする場合、その気相
成長反応部２０における反応炉Ｆとして、大型のものを
用い、これに多数枚の被気相成長基板３０を配置して、
多数枚の被気相成長基板３０に関して同時に気相成長を
行うという方法がとられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、１つ
の反応炉Ｆ内において、多数枚の被気相成長基板に対す
る気相成長を行う場合、各被気相成長基板に関して、温
度、原料ガスの供給状態等を均一化することが困難であ
ることから、各被気相成長基板３０に関して均一な気相
成長を良好に行うことが難しく、また気相成長に要する
時間も増大する。さらに、反応炉Ｆへの被気相成長基板
の出し入れ、昇温、降温等についても多くの時間を費や
すことになって、必ずしも量産化の向上がはかられな
い。また、１回の気相成長作業で扱う枚数が多くなる
と、この気相成長作業工程でなんらかの不都合が生じ
て、不良品化が発生した場合、同時に多くの不良品が発
生することになって、その被害は大きくなる。
の反応炉Ｆ内において、多数枚の被気相成長基板に対す
る気相成長を行う場合、各被気相成長基板に関して、温
度、原料ガスの供給状態等を均一化することが困難であ
ることから、各被気相成長基板３０に関して均一な気相
成長を良好に行うことが難しく、また気相成長に要する
時間も増大する。さらに、反応炉Ｆへの被気相成長基板
の出し入れ、昇温、降温等についても多くの時間を費や
すことになって、必ずしも量産化の向上がはかられな
い。また、１回の気相成長作業で扱う枚数が多くなる
と、この気相成長作業工程でなんらかの不都合が生じ
て、不良品化が発生した場合、同時に多くの不良品が発
生することになって、その被害は大きくなる。
【００１１】したがって、気相成長を量産的に行うに
は、例えば図２で示した気相成長装置を複数用いて、そ
れぞれにおいて、被気相成長基板に対して枚葉式に気相
成長を行うことが望まれる。しかしながら、この場合
は、上述したように、例えばＭＯＣＶＤ装置において
は、その原料供給部が、きわめて複雑かつ膨大であるこ
とから、全体の装置はきわめて大となり、設備費の問
題、占有面積等の問題が生じる。
は、例えば図２で示した気相成長装置を複数用いて、そ
れぞれにおいて、被気相成長基板に対して枚葉式に気相
成長を行うことが望まれる。しかしながら、この場合
は、上述したように、例えばＭＯＣＶＤ装置において
は、その原料供給部が、きわめて複雑かつ膨大であるこ
とから、全体の装置はきわめて大となり、設備費の問
題、占有面積等の問題が生じる。
【００１２】本発明は、複数の被気相成長基板に対する
気相成長を、容易かつ簡潔な構成によって行うことがで
きるようにした気相成長装置を提供する。
気相成長を、容易かつ簡潔な構成によって行うことがで
きるようにした気相成長装置を提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による気相成長装
置においては、共通の原料供給部を有し、この共通の原
料供給部に対して複数の気相成長反応部が並列にそれぞ
れ開閉バルブを介して設けられた構成とする。
置においては、共通の原料供給部を有し、この共通の原
料供給部に対して複数の気相成長反応部が並列にそれぞ
れ開閉バルブを介して設けられた構成とする。
【００１４】上述の本発明構成によれば、複数の気相成
長反応部を設けたことによって、各気相成長反応部を交
代に用いて、あるいは一部の複数の気相成長反応部を交
代に用いて気相成長を行うことができるので、一部の気
相成長反応部で気相成長を行っている間に、他の気相成
長反応部においては、被気相成長基板の交換、出入作業
を行うとか、パージガスの供給を行って気相成長反応部
における清浄化を行うなどの作業を並行して行うことが
できるので、作業性したがって量産化をはかることがで
きる。
長反応部を設けたことによって、各気相成長反応部を交
代に用いて、あるいは一部の複数の気相成長反応部を交
代に用いて気相成長を行うことができるので、一部の気
相成長反応部で気相成長を行っている間に、他の気相成
長反応部においては、被気相成長基板の交換、出入作業
を行うとか、パージガスの供給を行って気相成長反応部
における清浄化を行うなどの作業を並行して行うことが
できるので、作業性したがって量産化をはかることがで
きる。
【００１５】そして、本発明構成においては、複数の気
相成長反応部を設けるものの、原料供給部を共通とした
ことから、気相成長装置が、ＭＯＣＶＤ装置である場合
においても、すなわち、その原料供給部が複雑かつ膨大
なであっても、全体の構成は、さほど大掛かりのなるこ
となく簡潔な構成となり、設備費の問題、占有面積等の
問題も改善される。
相成長反応部を設けるものの、原料供給部を共通とした
ことから、気相成長装置が、ＭＯＣＶＤ装置である場合
においても、すなわち、その原料供給部が複雑かつ膨大
なであっても、全体の構成は、さほど大掛かりのなるこ
となく簡潔な構成となり、設備費の問題、占有面積等の
問題も改善される。
【００１６】そして、また、各気相成長反応部で、それ
ぞれ気相成長を行うので、枚葉、もしくは少数の被気相
成長基板を取り扱うことができることから、同時に多く
の不良品を発生させて、その被害を大きくする不都合も
回避される。
ぞれ気相成長を行うので、枚葉、もしくは少数の被気相
成長基板を取り扱うことができることから、同時に多く
の不良品を発生させて、その被害を大きくする不都合も
回避される。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明装置の実施の形態の一例を
図１の概略構成図を参照して説明する。この例において
は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＭＯＣＶＤによる気相
成長装置の例であるが、本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の気相成長に、限られるものでもなく、またＭＯ
ＣＶＤに限られるものではないことはいうまでもない。
図１の概略構成図を参照して説明する。この例において
は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＭＯＣＶＤによる気相
成長装置の例であるが、本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体の気相成長に、限られるものでもなく、またＭＯ
ＣＶＤに限られるものではないことはいうまでもない。
【００１８】本発明においては、共通の原料供給部１０
に対し、複数の気相成長反応部２１、２２、２３・・・
を並列に、それぞれ開閉バルブＶ1G、Ｖ2G 、Ｖ3G ・
・・を介して設ける。
に対し、複数の気相成長反応部２１、２２、２３・・・
を並列に、それぞれ開閉バルブＶ1G、Ｖ2G 、Ｖ3G ・
・・を介して設ける。
【００１９】原料供給部１０は、このＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の気相成長においては、ＩＩＩ族元素の有機金
属源供給源１、すなわち例えばＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ原料の
例えばＴＭＡ（トリ・メチル・アルミニウム），ＴＭＧ
（トリ・メチル・ガリウム），ＴＭＩ（トリ・メチル・
インジウム）もしくはＴＥＡ（トリ・エチル・アルミニ
ウム），ＴＥＧ（トリ・エチル・ガリウム），ＴＥＩ
（トリ・エチル・インジウム）等の原料がそれぞれ収容
された複数のバブリング装置（図１では１つのバブリン
グ装置のみを代表的に図示している）が設けられ、これ
ら有機金属供給源１のバブリング装置に、キャリアガス
供給源２からのガス例えばＨ2 を、それぞれ流量制御装
置いわゆるマスフローコントローラＭＦＣ３を通じて、
それぞれ供給してバブリングを行うことができるように
されて、所要のバブリング装置から、所要の有機金属を
含むキャリアガスを気相成長反応部側に送り込むことが
できるようになされている。
物半導体の気相成長においては、ＩＩＩ族元素の有機金
属源供給源１、すなわち例えばＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ原料の
例えばＴＭＡ（トリ・メチル・アルミニウム），ＴＭＧ
（トリ・メチル・ガリウム），ＴＭＩ（トリ・メチル・
インジウム）もしくはＴＥＡ（トリ・エチル・アルミニ
ウム），ＴＥＧ（トリ・エチル・ガリウム），ＴＥＩ
（トリ・エチル・インジウム）等の原料がそれぞれ収容
された複数のバブリング装置（図１では１つのバブリン
グ装置のみを代表的に図示している）が設けられ、これ
ら有機金属供給源１のバブリング装置に、キャリアガス
供給源２からのガス例えばＨ2 を、それぞれ流量制御装
置いわゆるマスフローコントローラＭＦＣ３を通じて、
それぞれ供給してバブリングを行うことができるように
されて、所要のバブリング装置から、所要の有機金属を
含むキャリアガスを気相成長反応部側に送り込むことが
できるようになされている。
【００２０】一方、原料供給部１０に、Ｐ，Ａｓ等のＶ
族原料ガスＰＨ3 ，ＡｓＨ3 等の供給源４すなわち特殊
高圧原料ガスの各供給源（図１では供給源のみを代表的
に図示している）が設けられ、所要の原料ガス供給源４
からの所要のＶ族原料ガスが、マスフローコントローラ
ＭＦＣ５によってその流量が制御されて、気相成長反応
部側に供給することができるようになされている。
族原料ガスＰＨ3 ，ＡｓＨ3 等の供給源４すなわち特殊
高圧原料ガスの各供給源（図１では供給源のみを代表的
に図示している）が設けられ、所要の原料ガス供給源４
からの所要のＶ族原料ガスが、マスフローコントローラ
ＭＦＣ５によってその流量が制御されて、気相成長反応
部側に供給することができるようになされている。
【００２１】更に、Ｈ2 ，Ｎ2 等のいわゆるパージガス
の供給源７が設けられ、これよりのガスを、反応炉Ｆ内
における反応すなわち気相成長作業の終了後、気相成長
作業の開始前等において反応炉Ｆ内に供給して残留気体
等を排除するようになされている。
の供給源７が設けられ、これよりのガスを、反応炉Ｆ内
における反応すなわち気相成長作業の終了後、気相成長
作業の開始前等において反応炉Ｆ内に供給して残留気体
等を排除するようになされている。
【００２２】図１においては、上述したように、有機金
属供給源１および原料ガス供給源４とこれらに付随する
構成の各１組を代表的に示したが、実際には目的とする
気相成長に応じて用いられるＩＩＩ族およびＶ族元素の
数に応じた組数の有機金属供給源１および原料ガス供給
源４とこれらに付随する構成が配置されることから、こ
の原料供給部１０は、きわめて複雑、膨大な装置とな
る。
属供給源１および原料ガス供給源４とこれらに付随する
構成の各１組を代表的に示したが、実際には目的とする
気相成長に応じて用いられるＩＩＩ族およびＶ族元素の
数に応じた組数の有機金属供給源１および原料ガス供給
源４とこれらに付随する構成が配置されることから、こ
の原料供給部１０は、きわめて複雑、膨大な装置とな
る。
【００２３】各気相成長反応部２１、２２、２３・・・
はそれぞれ、高周波コイル等の加熱手段６を具備し、ま
た図示しないが排気系、すなわち排気ポンプ、排気気体
の浄化手段等が連結される。
はそれぞれ、高周波コイル等の加熱手段６を具備し、ま
た図示しないが排気系、すなわち排気ポンプ、排気気体
の浄化手段等が連結される。
【００２４】キャリアガス供給源２、原料ガス供給源
４、パージガス供給源７には、それぞれ開閉バルブＶｓ
2 、Ｖｓ4 、Ｖｓ7 が設けられている。
４、パージガス供給源７には、それぞれ開閉バルブＶｓ
2 、Ｖｓ4 、Ｖｓ7 が設けられている。
【００２５】そして、各気相成長反応部２１、２２、２
３・・・と共通の原料供給部１０との間の各原料供給路
に、これらをそれぞれ開閉する上述の開閉バルブＶ1G、
Ｖ2G 、Ｖ3G ・・・が設けられる。
３・・・と共通の原料供給部１０との間の各原料供給路
に、これらをそれぞれ開閉する上述の開閉バルブＶ1G、
Ｖ2G 、Ｖ3G ・・・が設けられる。
【００２６】また、各気相成長反応部２１、２２、２３
・・・と共通のパージガス供給源７との間のガス供給路
に、これらをそれぞれ開閉する開閉バルブＶ1p、Ｖ2p、
Ｖ3p・・・が設けられる。
・・・と共通のパージガス供給源７との間のガス供給路
に、これらをそれぞれ開閉する開閉バルブＶ1p、Ｖ2p、
Ｖ3p・・・が設けられる。
【００２７】この本発明装置によれば、複数の気相成長
反応部２１、２２、２３・・・の例えば選択された１も
しくは複数の気相成長反応部において、原料供給部１０
に通ずるバルブを開放し、パージガス供給源７に通ずる
バルブを閉じ、他の気相成長反応部においては、原料供
給部１０に通ずるバルブを閉じ、パージガス供給源７に
通ずるバルブを必要に応じて開放もしくは閉じて、上記
選択された１もしくは複数の気相成長反応部における反
応炉Ｆ中に配置した被気相成長基板３０に対してのみ所
要のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長を行う。
反応部２１、２２、２３・・・の例えば選択された１も
しくは複数の気相成長反応部において、原料供給部１０
に通ずるバルブを開放し、パージガス供給源７に通ずる
バルブを閉じ、他の気相成長反応部においては、原料供
給部１０に通ずるバルブを閉じ、パージガス供給源７に
通ずるバルブを必要に応じて開放もしくは閉じて、上記
選択された１もしくは複数の気相成長反応部における反
応炉Ｆ中に配置した被気相成長基板３０に対してのみ所
要のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長を行う。
【００２８】そして、この間、原料供給部１０との間の
バルブを閉じた他の気相成長反応部においては、例えば
その反応炉内の残留ガスを排除するためのパージガス供
給源７との間のバルブを開放して、反応炉中のガスパー
ジを行うとか、被気相成長基板３０の配置、もしくは交
換を行うなどの作業を並行して行う。
バルブを閉じた他の気相成長反応部においては、例えば
その反応炉内の残留ガスを排除するためのパージガス供
給源７との間のバルブを開放して、反応炉中のガスパー
ジを行うとか、被気相成長基板３０の配置、もしくは交
換を行うなどの作業を並行して行う。
【００２９】いま、例えば第１の気相成長反応部２１に
おいて、その反応炉Ｆ中の基板３０例えばＧａＡｓ基板
に対してＡｌＧａＡｓのエピタキシーを行い、第２の気
相成長反応部２２において、その反応炉Ｆ中の残留ガス
の排除を行い、第３の気相成長反応部２３以下におい
て、その反応炉Ｆへの基板３０の交換を行う場合につい
て説明すると、この場合、バルブＶ1Gを開放し、バルブ
Ｖ2G 、Ｖ3G ・・・を閉じ、バルブＶ2pを開放し、バ
ルブＶ1p、Ｖ3p・・・ を閉じる。そして、原料供給部
１０から第１の気相成長反応部２１の反応炉Ｆに、Ａｌ
とＧａの各有機金属供給源１から各有機金属ガスの供給
と、原料ガス供給源４からＡｓＨ3 ガスを供給する。一
方、この第１の気相成長反応部２１の反応炉Ｆ中の基板
３０は、加熱手段６によって所要の基板温度に加熱保持
されており、これに上記原料ガスが供給されることによ
って、所要の熱分解がなされて、ＡｌＧａＡｓのエピタ
キシャル成長がなされる。
おいて、その反応炉Ｆ中の基板３０例えばＧａＡｓ基板
に対してＡｌＧａＡｓのエピタキシーを行い、第２の気
相成長反応部２２において、その反応炉Ｆ中の残留ガス
の排除を行い、第３の気相成長反応部２３以下におい
て、その反応炉Ｆへの基板３０の交換を行う場合につい
て説明すると、この場合、バルブＶ1Gを開放し、バルブ
Ｖ2G 、Ｖ3G ・・・を閉じ、バルブＶ2pを開放し、バ
ルブＶ1p、Ｖ3p・・・ を閉じる。そして、原料供給部
１０から第１の気相成長反応部２１の反応炉Ｆに、Ａｌ
とＧａの各有機金属供給源１から各有機金属ガスの供給
と、原料ガス供給源４からＡｓＨ3 ガスを供給する。一
方、この第１の気相成長反応部２１の反応炉Ｆ中の基板
３０は、加熱手段６によって所要の基板温度に加熱保持
されており、これに上記原料ガスが供給されることによ
って、所要の熱分解がなされて、ＡｌＧａＡｓのエピタ
キシャル成長がなされる。
【００３０】このとき、第２の気相成長反応部２２にお
いては、原料ガスの供給が断たれており、パージガス供
給源７からのパージガスの供給がなされていることか
ら、炉内の不要ガスの排除がなされ、気相成長作業の準
備がなされる。また、このとき第３の気相成長反応部２
３以下においては、その反応炉Ｆに対して、基板３０の
交換、例えば先に気相成長を行った基板の降温、基板交
換、昇温等の作業がなされる。
いては、原料ガスの供給が断たれており、パージガス供
給源７からのパージガスの供給がなされていることか
ら、炉内の不要ガスの排除がなされ、気相成長作業の準
備がなされる。また、このとき第３の気相成長反応部２
３以下においては、その反応炉Ｆに対して、基板３０の
交換、例えば先に気相成長を行った基板の降温、基板交
換、昇温等の作業がなされる。
【００３１】このようにすれば、気相成長と、ガスパー
ジと、基板交換とが同時刻に並行してなされることか
ら、作業効率が高められる。また、上述した例では、第
１の気相成長反応部２１のみにおいて気相成長作業を行
い、第２の気相成長反応部２２のみでガスパージを行
い、第３の気相成長反応部以下のすべてで基板交換を行
うようにした場合であるが、２以上の気相成長反応部で
気相成長を並行して行い、２以上の気相成長反応部でガ
スパージを行うなど、各開閉バルブＶ1G、Ｖ2G 、Ｖ3G
・・・，Ｖ1p、Ｖ2p、Ｖ3p・・・の開閉の選択によっ
て種々の態様を採ることができる。
ジと、基板交換とが同時刻に並行してなされることか
ら、作業効率が高められる。また、上述した例では、第
１の気相成長反応部２１のみにおいて気相成長作業を行
い、第２の気相成長反応部２２のみでガスパージを行
い、第３の気相成長反応部以下のすべてで基板交換を行
うようにした場合であるが、２以上の気相成長反応部で
気相成長を並行して行い、２以上の気相成長反応部でガ
スパージを行うなど、各開閉バルブＶ1G、Ｖ2G 、Ｖ3G
・・・，Ｖ1p、Ｖ2p、Ｖ3p・・・の開閉の選択によっ
て種々の態様を採ることができる。
【００３２】また、気相成長反応部において、同一構成
とする場合に限らず、それぞれ異なる半導体素子を形成
する条件に適した構成として、例えば一部の気相成長反
応部においては、短波長の半導体レーザーを作製し、他
の一部の気相成長反応部においては、これより長波長の
半導体レーザーを製造し、更に他の一部の気相成長反応
部においては、更にこれより長波長の半導体レーザーを
製造する構成とすることもできるなど、種々の構成を採
ることができる。
とする場合に限らず、それぞれ異なる半導体素子を形成
する条件に適した構成として、例えば一部の気相成長反
応部においては、短波長の半導体レーザーを作製し、他
の一部の気相成長反応部においては、これより長波長の
半導体レーザーを製造し、更に他の一部の気相成長反応
部においては、更にこれより長波長の半導体レーザーを
製造する構成とすることもできるなど、種々の構成を採
ることができる。
【００３３】上述したように、本発明によれば、構成が
極めて膨大な原料供給部１０は共通とし、これに対して
複数の気相成長反応部を設けたことにより、複数の作業
を並行して行うことから、高い作業性効率をもって気相
成長を行うことができる。
極めて膨大な原料供給部１０は共通とし、これに対して
複数の気相成長反応部を設けたことにより、複数の作業
を並行して行うことから、高い作業性効率をもって気相
成長を行うことができる。
【００３４】
【発明の効果】上述の本発明構成によれば、気相成長装
置、例えばＭＯＣＶＤ装置といえども、その複雑かつ膨
大な原料供給部に関してはこれを共通とし、これに対し
て複数の気相成長反応部を設けた構成としたので、全体
の構成は、さほど大掛かりとなることなく簡潔な構成と
なるにかかわらず、複数の気相成長反応部を設けたこと
によって、各気相成長反応部を交代に用いて、あるいは
一部の複数の気相成長反応部を交代に用いて気相成長を
行うことができるので、一部の気相成長反応部で気相成
長を行っている間に、他の気相成長反応部においては、
被気相成長基板の降温、取出し交換、昇温等の作業を行
うとか、パージガスの供給を行って気相成長反応部にお
ける清浄化を行うなどの作業を並行して行うことができ
て、作業性したがって量産性の向上をはかることができ
る。したがって、枚葉式をもって各気相成長反応部にお
いて気相成長を行っても結果的に多葉式に近い効果を得
ることができるものであり、しかも、本発明構成によれ
ば、設備費の問題、占有面積等の問題も改善される。
置、例えばＭＯＣＶＤ装置といえども、その複雑かつ膨
大な原料供給部に関してはこれを共通とし、これに対し
て複数の気相成長反応部を設けた構成としたので、全体
の構成は、さほど大掛かりとなることなく簡潔な構成と
なるにかかわらず、複数の気相成長反応部を設けたこと
によって、各気相成長反応部を交代に用いて、あるいは
一部の複数の気相成長反応部を交代に用いて気相成長を
行うことができるので、一部の気相成長反応部で気相成
長を行っている間に、他の気相成長反応部においては、
被気相成長基板の降温、取出し交換、昇温等の作業を行
うとか、パージガスの供給を行って気相成長反応部にお
ける清浄化を行うなどの作業を並行して行うことができ
て、作業性したがって量産性の向上をはかることができ
る。したがって、枚葉式をもって各気相成長反応部にお
いて気相成長を行っても結果的に多葉式に近い効果を得
ることができるものであり、しかも、本発明構成によれ
ば、設備費の問題、占有面積等の問題も改善される。
【００３５】そして、このように各気相成長反応部で、
それぞれ枚葉もしくは少数の被気相成長基板に対する気
相成長を行うので、同時に多くの不良品が発生して、そ
の被害を大きくする不都合も回避される。
それぞれ枚葉もしくは少数の被気相成長基板に対する気
相成長を行うので、同時に多くの不良品が発生して、そ
の被害を大きくする不都合も回避される。
【図１】本発明による気相成長装置の一例の概略構成図
である。
である。
【図２】従来の気相成長装置の一例の概略構成図であ
る。
る。
１ 有機金属供給源、２ キャリアガス供給源、３，５
マスフローコントローラ、４ 原料ガス供給源、６
加熱手段、７ パージガス供給源、Ｖ1G、Ｖ2G 、，
Ｖ1p、Ｖ2p、Ｖ3p 開閉バルブ、２１ 第１の気相成長
反応部、２２ 第２の気相成長反応部、２３ 第３の気
相成長反応部
マスフローコントローラ、４ 原料ガス供給源、６
加熱手段、７ パージガス供給源、Ｖ1G、Ｖ2G 、，
Ｖ1p、Ｖ2p、Ｖ3p 開閉バルブ、２１ 第１の気相成長
反応部、２２ 第２の気相成長反応部、２３ 第３の気
相成長反応部
Claims (2)
- 【請求項１】 共通の原料供給部を有し、該共通の原料
供給部に対して複数の気相成長反応部が並列にそれぞれ
開閉バルブを介して設けられてなることを特徴とする気
相成長装置。 - 【請求項２】 上記原料供給部が、有機金属原料供給源
と、原料ガス供給源とを有し、上記気相成長反応部が有
機金属気相成長反応部であることを特徴とする請求項１
に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8190948A JPH1036189A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8190948A JPH1036189A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036189A true JPH1036189A (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=16266347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8190948A Abandoned JPH1036189A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1036189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007070679A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Tohoku Univ | 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子機器または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296613A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Nec Corp | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法 |
| JPH0272618A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JPH0292893A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｍｏｃｖｄ装置 |
| JPH02125421A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP8190948A patent/JPH1036189A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296613A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Nec Corp | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長方法 |
| JPH0272618A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JPH0292893A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｍｏｃｖｄ装置 |
| JPH02125421A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007070679A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Tohoku Univ | 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子機器または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050204 |