JPH0429313A - 半導体結晶の製造装置 - Google Patents
半導体結晶の製造装置Info
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- JPH0429313A JPH0429313A JP13495990A JP13495990A JPH0429313A JP H0429313 A JPH0429313 A JP H0429313A JP 13495990 A JP13495990 A JP 13495990A JP 13495990 A JP13495990 A JP 13495990A JP H0429313 A JPH0429313 A JP H0429313A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
原子層エピタキシャル成長に適用して好適な半導体結晶
の製造装置に関し、 ガス交換速度(成長速度)を低下させる二となく量産性
良く多数枚の結晶を成長させることを目的とし、 複数種類の原料ガスを順次反応管内に供給して基板上に
半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造装置において
、該反応管を複数個設けると共に、連続的に流れる上記
複数種類の原料ガスを上記複数の反応管に順次供給され
るよう分配する原料ガス分配手段を設けた構成とする。
の製造装置に関し、 ガス交換速度(成長速度)を低下させる二となく量産性
良く多数枚の結晶を成長させることを目的とし、 複数種類の原料ガスを順次反応管内に供給して基板上に
半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造装置において
、該反応管を複数個設けると共に、連続的に流れる上記
複数種類の原料ガスを上記複数の反応管に順次供給され
るよう分配する原料ガス分配手段を設けた構成とする。
本発明は半導体結晶の製造装置に係り、特に原子層エピ
タキシャル成長に適用して好適な半導体結晶の製造装置
に関する。
タキシャル成長に適用して好適な半導体結晶の製造装置
に関する。
近年、半導体デバイスの微細化や新しい機能を備えたデ
バイスが提案される中で、これらを実現できる新しい結
晶成長方法か注目されている。
バイスが提案される中で、これらを実現できる新しい結
晶成長方法か注目されている。
なかでも、結晶成長の原料ガスを交互に供給して成長を
行う方法は、原子層オーダの制御か可能なため、ヘテロ
接合の界面の急峻性や不純物濃度のプロファイルを自由
に変えることかてきる等の、これまての成長技術では達
成でき得なかった多くの利点を有し注目されている。
行う方法は、原子層オーダの制御か可能なため、ヘテロ
接合の界面の急峻性や不純物濃度のプロファイルを自由
に変えることかてきる等の、これまての成長技術では達
成でき得なかった多くの利点を有し注目されている。
この結晶成長方法は原子層エピタキシャル成長方法と呼
ばれるか、この原子層エピタキシャル成長方法を効率よ
く行いうる半導体結晶の製造装置か望まれている。
ばれるか、この原子層エピタキシャル成長方法を効率よ
く行いうる半導体結晶の製造装置か望まれている。
従来における原子層エピタキシアル成長方法に用いられ
ていた半導体結晶の製造装置を第4図に示す。同図にお
いて、1は反応管てあり、内部に結晶成長か行われる基
板2か取り付けられる。また、3〜6は原料ガスの導入
配管てあり、夫々の配管3〜6には図示しない原料ガス
供給源から原料ガスか供給される。この配管3〜6は夫
々分岐され、一方の分岐管はバルブ7a〜loaを介し
て反応管1に接続されており、他方の分岐管はノールブ
7b〜10bを介してトレイン管11に接続されている
。尚、上記のバルブ7a〜10a。
ていた半導体結晶の製造装置を第4図に示す。同図にお
いて、1は反応管てあり、内部に結晶成長か行われる基
板2か取り付けられる。また、3〜6は原料ガスの導入
配管てあり、夫々の配管3〜6には図示しない原料ガス
供給源から原料ガスか供給される。この配管3〜6は夫
々分岐され、一方の分岐管はバルブ7a〜loaを介し
て反応管1に接続されており、他方の分岐管はノールブ
7b〜10bを介してトレイン管11に接続されている
。尚、上記のバルブ7a〜10a。
7b〜10bは図示しない制御回路により開閉動作を制
御されている。
御されている。
上記構成の製造装置では、バルブ7a〜10a。
7b〜10bの開閉動作を適宜制御することにより、各
導入配管3〜6から原料ガスを交互に順次反応管1に供
給する構成とされていた。具体的な各バルブの開閉動作
としては、例えばバルブ7aか開弁じて導入配管3から
原料ガスか反応管1に供給されている場合には、バルブ
8a〜10a。
導入配管3〜6から原料ガスを交互に順次反応管1に供
給する構成とされていた。具体的な各バルブの開閉動作
としては、例えばバルブ7aか開弁じて導入配管3から
原料ガスか反応管1に供給されている場合には、バルブ
8a〜10a。
7bは閉弁されると共に、バルブ8b〜]Obは開弁さ
れる構成とされていた。
れる構成とされていた。
また従来、原子層エピタキシャル成長方法を実施するに
は、実際上としては有機金属CVD (metal o
rganic chemical vapor dep
osition )に用いる結晶製造装置を転用して行
っていた。
は、実際上としては有機金属CVD (metal o
rganic chemical vapor dep
osition )に用いる結晶製造装置を転用して行
っていた。
上記の原子層エピタキシャル成長方法では、原料ガスか
順次供給されるため、良好な結晶成長を行うには反応管
1内のガスを速く交換する必要かある。このため、必然
的に反応管1の体積を小さくする必要かある。しかるに
、反応管lの体積を小さくした場合、反応管l内に収納
しうる基板数か少なくなってしまい、量産性に欠けると
いう課題かあった。逆に、反応管を大型化するとガス交
換に時間がかかり、やはり量産性に劣るという課題があ
った。
順次供給されるため、良好な結晶成長を行うには反応管
1内のガスを速く交換する必要かある。このため、必然
的に反応管1の体積を小さくする必要かある。しかるに
、反応管lの体積を小さくした場合、反応管l内に収納
しうる基板数か少なくなってしまい、量産性に欠けると
いう課題かあった。逆に、反応管を大型化するとガス交
換に時間がかかり、やはり量産性に劣るという課題があ
った。
また、従来の製造装置では、所謂ベント/ラン式のガス
分岐管を使用していたため、反応管1に導入されていな
い原料ガスは全てトレイン管11から外部に排出されて
おり、このため原料ガスの使用効率か低いという課題か
あった。
分岐管を使用していたため、反応管1に導入されていな
い原料ガスは全てトレイン管11から外部に排出されて
おり、このため原料ガスの使用効率か低いという課題か
あった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたちのてあり、ガス交
換速度(成長速度)を低下させることなく量産性良く多
数枚の結晶を成長させうる半導体結晶の製造装置を提供
することを目的とする。
換速度(成長速度)を低下させることなく量産性良く多
数枚の結晶を成長させうる半導体結晶の製造装置を提供
することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明では、複数種類の原
料ガスを順次反応管(36,37)内に供給して基板(
42,43)上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の
製造装置において、上記反応管(36,37)を複数個
設けると共に、連続的に流れる上記複数種類の原料ガス
を上記複数の反応管(36,37)に順次供給されるよ
う分配する原料ガス分配手段(25〜28゜29)を設
けたことを特徴とするものである。
料ガスを順次反応管(36,37)内に供給して基板(
42,43)上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の
製造装置において、上記反応管(36,37)を複数個
設けると共に、連続的に流れる上記複数種類の原料ガス
を上記複数の反応管(36,37)に順次供給されるよ
う分配する原料ガス分配手段(25〜28゜29)を設
けたことを特徴とするものである。
また、上記原料ガス分配手段(25〜28゜29)を、
上記反応管(36,37)に対する原料ガスの供給量を
制御しつる構成としたことを特徴とするものである。
上記反応管(36,37)に対する原料ガスの供給量を
制御しつる構成としたことを特徴とするものである。
更に、反応管(36,37)の体積を小とし、ガス交換
速度を速くできる構成としてなることを特徴とするもの
である。
速度を速くできる構成としてなることを特徴とするもの
である。
上記構成とされた半導体結晶の製造装置では、反応管(
36,37)が複数個配設されており、複数の原料ガス
は原料ガス分配手段(25〜28゜29)により、各反
応管(36,37)に順次供給されるため、原料ガスを
従来のように捨てることが無くなるため、原料ガスの使
用効率を向上させることができる。
36,37)が複数個配設されており、複数の原料ガス
は原料ガス分配手段(25〜28゜29)により、各反
応管(36,37)に順次供給されるため、原料ガスを
従来のように捨てることが無くなるため、原料ガスの使
用効率を向上させることができる。
また、原料ガスの供給量を制御することにより、各反応
管(36,37)て製造される半導体結晶の特性を変化
させることかできる。
管(36,37)て製造される半導体結晶の特性を変化
させることかできる。
更に、ガス交換速度が速くなることにより、半導体結晶
の成長速度を向上させることかでき、量産性を向上させ
る二とかてきる。
の成長速度を向上させることかでき、量産性を向上させ
る二とかてきる。
次に本発明の実施例について図面と共に説明する。第1
図は本発明の一実施例である半導体結晶の製造装置20
の要部構成図である。尚、本実施例ではガリウム・ひ素
(GaAs)の結晶を成長させる例を用いて以下説明す
るか、本発明装置て製造される結晶はGaAsに限られ
るものではない。
図は本発明の一実施例である半導体結晶の製造装置20
の要部構成図である。尚、本実施例ではガリウム・ひ素
(GaAs)の結晶を成長させる例を用いて以下説明す
るか、本発明装置て製造される結晶はGaAsに限られ
るものではない。
同図において、21〜24は原料ガス及びキャリアガス
が充填されたバブラー及びガスボンベである。バブラー
21にはガリウム(Ga)の原料となるトリメチルガリ
ウム((CH3)3Ga :以下、TMGと示す)か充
填されており、またガスボンベ23にはひ素(As)の
原料となるアルシン(ASH3)か充填されており、更
にガスボンベ22.24にはキャリアガスとなる水素(
H2)か充填されている。
が充填されたバブラー及びガスボンベである。バブラー
21にはガリウム(Ga)の原料となるトリメチルガリ
ウム((CH3)3Ga :以下、TMGと示す)か充
填されており、またガスボンベ23にはひ素(As)の
原料となるアルシン(ASH3)か充填されており、更
にガスボンベ22.24にはキャリアガスとなる水素(
H2)か充填されている。
また、25〜28は空気圧により作動する三方バルブで
あり、この各三方バルブ25〜28は夫々3個のバルブ
25a〜28a、25b〜28b、25c〜28 cか
ら構成されている。更に、各三方バルブ25〜28は制
御装置29(例えばマイクロコンピュータ)によりその
弁動作を制御されるよう構成されている。
あり、この各三方バルブ25〜28は夫々3個のバルブ
25a〜28a、25b〜28b、25c〜28 cか
ら構成されている。更に、各三方バルブ25〜28は制
御装置29(例えばマイクロコンピュータ)によりその
弁動作を制御されるよう構成されている。
上記したガスボンへ21〜24内のガスは、導出配管3
0〜33により、所定の三方バルブ25〜28に導かれ
る。そして、各三方バルブ25〜28の弁動作により、
原料ガス及びキャリアガスは分岐配管34.35に選択
的に導入される。
0〜33により、所定の三方バルブ25〜28に導かれ
る。そして、各三方バルブ25〜28の弁動作により、
原料ガス及びキャリアガスは分岐配管34.35に選択
的に導入される。
各分岐配管34.35には、夫々反応管3637か接続
されている。この反応管36.37は、従来の反応管1
に比へて体積が小さく設定されており、かつ導入される
ガスの交換効率の良好な形状(ガス交換速度の速い形状
)とされている。即ち、この反応管36.37は、流体
力学的な見地からガスの淀みや渦の発生をなくすよう設
計されている。
されている。この反応管36.37は、従来の反応管1
に比へて体積が小さく設定されており、かつ導入される
ガスの交換効率の良好な形状(ガス交換速度の速い形状
)とされている。即ち、この反応管36.37は、流体
力学的な見地からガスの淀みや渦の発生をなくすよう設
計されている。
この反応管36.37は少なくとも1枚の基板か収納で
きる程度の大きさを有しているが、上記のガス交換効率
を良好に維持てきれば、反応管36.37に収納する基
板数は1枚に限定されるものてはない。尚、図中38.
39は高周波コイル、40.41はサセプタ、42.4
3はGaAs結晶か成長する基板(通常はGaAs基板
を使う)、44は排気用のトレイン管である。
きる程度の大きさを有しているが、上記のガス交換効率
を良好に維持てきれば、反応管36.37に収納する基
板数は1枚に限定されるものてはない。尚、図中38.
39は高周波コイル、40.41はサセプタ、42.4
3はGaAs結晶か成長する基板(通常はGaAs基板
を使う)、44は排気用のトレイン管である。
続いて上記構成とされた製造装置2oの動作について説
明する。
明する。
前記したように、各ガスホンへ21〜24は夫々三方バ
ルブ25〜28に接続されており、かつ三方バルブ25
〜28はその弁動作を制御装置29に制御されている。
ルブ25〜28に接続されており、かつ三方バルブ25
〜28はその弁動作を制御装置29に制御されている。
制御装置29により制御される各三方バルブ25〜28
の動作を第2図に示す。同図において、○はバルブか開
弁している状態を示しており、×はバルブか閉弁してい
る状態を示している。また、バルブ25c〜28cは製
造装置20か作動中は開弁状態を維持するバルブである
ため、同図にはこのバルブ25c〜28Cの開閉弁動作
については省略している。
の動作を第2図に示す。同図において、○はバルブか開
弁している状態を示しており、×はバルブか閉弁してい
る状態を示している。また、バルブ25c〜28cは製
造装置20か作動中は開弁状態を維持するバルブである
ため、同図にはこのバルブ25c〜28Cの開閉弁動作
については省略している。
同図に示される工程Aに注目すると、この工程へにおい
てはバルブ25a、27bが開弁し、他のバルブは閉弁
している。よって、一方の反応管36にはTMGが供給
されると共に、他方の反応管37にはアルシン(AsH
,)が供給される。
てはバルブ25a、27bが開弁し、他のバルブは閉弁
している。よって、一方の反応管36にはTMGが供給
されると共に、他方の反応管37にはアルシン(AsH
,)が供給される。
続く工程Bでは、バルブ26a、28bのみ開弁し、他
のバルブは閉弁する。このため、反応管36.37には
ともにキャリアガスである水素ガスが供給される。この
キャリアガスを供給するのは、前工程で供給されたTM
G或いはアルミシンを強制的に排出するためであるが、
この工程B。
のバルブは閉弁する。このため、反応管36.37には
ともにキャリアガスである水素ガスが供給される。この
キャリアガスを供給するのは、前工程で供給されたTM
G或いはアルミシンを強制的に排出するためであるが、
この工程B。
Dは必ずしも設けなくても良い工程である。
続く工程Cにおいてはバルブ25b、27aか開弁し、
他のバルブは閉弁している。よって、方の反応管36に
はアルシンが供給されると共に、他方の反応管37には
TMGが供給される。さらに次の工程りてはバルブ26
b、28aのみ開弁じ、他のバルブは閉弁するため、反
応管36,37には共に水素ガスか供給される。以後、
この工程A−Dが順次繰り返されて実行される。尚、上
記の各工程の実施時間は各工程共に等しく設定されてお
り、その時間は例えば1秒とされている。
他のバルブは閉弁している。よって、方の反応管36に
はアルシンが供給されると共に、他方の反応管37には
TMGが供給される。さらに次の工程りてはバルブ26
b、28aのみ開弁じ、他のバルブは閉弁するため、反
応管36,37には共に水素ガスか供給される。以後、
この工程A−Dが順次繰り返されて実行される。尚、上
記の各工程の実施時間は各工程共に等しく設定されてお
り、その時間は例えば1秒とされている。
しかるに、制御装置29は各工程A−Dの実施時間を可
変することができる構成とされており、この実施時間を
可変することにより、各反応管36゜37で成長される
GaAs結晶の特性を制御することも可能である。
変することができる構成とされており、この実施時間を
可変することにより、各反応管36゜37で成長される
GaAs結晶の特性を制御することも可能である。
上記の動作説明から明らかなように、本発明になる製造
装置20ては、原料ガスとなるTMG。
装置20ては、原料ガスとなるTMG。
アルシン及びキャリアガスとなる水素ガスは、上記各工
程A−Dにおいて、捨てられる様なことはなく、どちら
か一方の反応管36.37に供給されている。これは、
三方バルブ25〜28の動作制御を適宜図ることにより
、原料ガスとなるTMGとアルシンが交互に反応管36
.37に供給されるようにしたことによる。これにより
、ベント/ラン方式の製造装置の様に原料ガスを反応管
に流さずに捨ててしまうことかないため、原料ガスの使
用効率を向上させることかできる。
程A−Dにおいて、捨てられる様なことはなく、どちら
か一方の反応管36.37に供給されている。これは、
三方バルブ25〜28の動作制御を適宜図ることにより
、原料ガスとなるTMGとアルシンが交互に反応管36
.37に供給されるようにしたことによる。これにより
、ベント/ラン方式の製造装置の様に原料ガスを反応管
に流さずに捨ててしまうことかないため、原料ガスの使
用効率を向上させることかできる。
また、原料ガスか供給される反応管36.37は、その
体積が小さく導入されるガスの交換効率の良好な形状と
されている。このため、ガス交換速度は速く、従って結
晶成長の処理速度を速くすることかできる。これにより
、従来のように一つの大きな体積の反応管て多数枚の基
板を一括的に処理する場合に比べて、ガス交換に要する
時間を大幅に短縮することかでき、短時間で多数の半導
体結晶を成長させることがてき、GaAs結晶の量産性
を図ることができる。
体積が小さく導入されるガスの交換効率の良好な形状と
されている。このため、ガス交換速度は速く、従って結
晶成長の処理速度を速くすることかできる。これにより
、従来のように一つの大きな体積の反応管て多数枚の基
板を一括的に処理する場合に比べて、ガス交換に要する
時間を大幅に短縮することかでき、短時間で多数の半導
体結晶を成長させることがてき、GaAs結晶の量産性
を図ることができる。
第3図は第1図に示した製造装置20の変形例である製
造装置50を示している。尚、同図において、第1図に
示した製造装置20の構成と対応する構成については、
同一符号を付して示す。また、第1図で示したガスボン
ベ21〜24.制御装置29の図示は省略した。
造装置50を示している。尚、同図において、第1図に
示した製造装置20の構成と対応する構成については、
同一符号を付して示す。また、第1図で示したガスボン
ベ21〜24.制御装置29の図示は省略した。
この製造装置50は、第1図に示した製造装置20を二
つ並設する(各製造装置を製造装置ユニット50−1.
50−2といい、図中−点鎖線で示す)と共に、原料ガ
スか供給される導出配管30〜33を共通としたことを
特徴とするものである。同図に示される製造装置5oで
は二つの製造装置ユニット50−1.50−2を有した
構造であるため、反応管の数は合計4個となり一度に製
造しうる基板数が増すため量産性を更に向上させること
ができる。また、設備の増設もユニット単位で行うこと
ができるため、容易に製造装置設備の拡張を行うことか
できる。
つ並設する(各製造装置を製造装置ユニット50−1.
50−2といい、図中−点鎖線で示す)と共に、原料ガ
スか供給される導出配管30〜33を共通としたことを
特徴とするものである。同図に示される製造装置5oで
は二つの製造装置ユニット50−1.50−2を有した
構造であるため、反応管の数は合計4個となり一度に製
造しうる基板数が増すため量産性を更に向上させること
ができる。また、設備の増設もユニット単位で行うこと
ができるため、容易に製造装置設備の拡張を行うことか
できる。
尚、上記した実施例では原料ガスを各反応管に分配する
手段として三方バルブを用いたが、これに限るものては
なく、原料ガスを一定の制御の下に各反応管に分配でき
る構成であれば、他の構成を用いてもよい。
手段として三方バルブを用いたが、これに限るものては
なく、原料ガスを一定の制御の下に各反応管に分配でき
る構成であれば、他の構成を用いてもよい。
また上記実施例では、各工程A−D(第2図参照)の実
施時間を夫々等しい時間(1秒)としたか、この場合に
は各反応管36.37で夫々形成される半導体結晶の電
気的、光学的特性は全て同しになる。しかるに、この各
工程の実施時間を制御装置29により変化させることも
可能であり、この場合、各反応管毎に製造される半導体
結晶の膜厚や電気的特性を変えることかできる。更には
、工程B、Dを実施する時間を短く設定することにより
、ベント/ラン方式と同様に原料ガスの流れを円滑にす
ることかできる。
施時間を夫々等しい時間(1秒)としたか、この場合に
は各反応管36.37で夫々形成される半導体結晶の電
気的、光学的特性は全て同しになる。しかるに、この各
工程の実施時間を制御装置29により変化させることも
可能であり、この場合、各反応管毎に製造される半導体
結晶の膜厚や電気的特性を変えることかできる。更には
、工程B、Dを実施する時間を短く設定することにより
、ベント/ラン方式と同様に原料ガスの流れを円滑にす
ることかできる。
上述のように本発明では、従来のように一つの大きな体
積の反応管で多数枚の基板を一括的に処理する場合に比
へて、ガス交換に要する時間を大幅に短縮することがで
き、短時間で多数の半導体結晶を成長させることかでき
るため量産性の向上を図ることかでき、また原料ガスを
反応管に流さずに捨ててしまうことかないため、原料ガ
スの使用効率を向上させることかでき、更には各反応管
に供給する原料ガスの供給量を可変できるため、各反応
管毎に製造される半導体結晶の特性を変えることかでき
る等の特長を有する。
積の反応管で多数枚の基板を一括的に処理する場合に比
へて、ガス交換に要する時間を大幅に短縮することがで
き、短時間で多数の半導体結晶を成長させることかでき
るため量産性の向上を図ることかでき、また原料ガスを
反応管に流さずに捨ててしまうことかないため、原料ガ
スの使用効率を向上させることかでき、更には各反応管
に供給する原料ガスの供給量を可変できるため、各反応
管毎に製造される半導体結晶の特性を変えることかでき
る等の特長を有する。
第1図は本発明の一実施例である半導体結晶の製造装置
の要部構成図、 第2図は第1図に示す製造装置に設けられた三方バルブ
の動作を説明するための図、 第3図は第1図に示す製造装置の変形例を示す図、 第4図は従来の半導体結晶の製造装置の一例を示す図で
ある。 図において、 20.50は製造装置、 21〜24はガスボンベ、 25〜28は三方バルブ、 36.37は反応管、 42.43は基板 を示す。
の要部構成図、 第2図は第1図に示す製造装置に設けられた三方バルブ
の動作を説明するための図、 第3図は第1図に示す製造装置の変形例を示す図、 第4図は従来の半導体結晶の製造装置の一例を示す図で
ある。 図において、 20.50は製造装置、 21〜24はガスボンベ、 25〜28は三方バルブ、 36.37は反応管、 42.43は基板 を示す。
Claims (3)
- (1)複数種類の原料ガスを順次反応管(36、37)
内に供給して基板(42、43)上に半導体結晶を成長
させる半導体結晶の製造装置において、 該反応管(36、37)を複数個設けると共に、連続的
に流れる上記複数種類の原料ガスを上記複数の反応管(
36、37)に順次供給されるよう分配する原料ガス分
配手段(25〜28、29)を設けてなることを特徴と
する半導体結晶の製造装置。 - (2)該原料ガス分配手段(25〜28、29)は、該
反応管(36、37)に対する該原料ガスの供給量を制
御しうる構成であることを特徴とする請求項1記載の半
導体結晶の製造装置。 - (3)該反応管(36、37)は、その体積を小とし、
ガス交換速度を速くできる構成であることを特徴とする
請求項1記載の半導体結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13495990A JPH0429313A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 半導体結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13495990A JPH0429313A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 半導体結晶の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0429313A true JPH0429313A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15140581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13495990A Pending JPH0429313A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 半導体結晶の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0429313A (ja) |
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