JPS6355193A - 化合物半導体結晶成長装置 - Google Patents
化合物半導体結晶成長装置Info
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- JPS6355193A JPS6355193A JP19924586A JP19924586A JPS6355193A JP S6355193 A JPS6355193 A JP S6355193A JP 19924586 A JP19924586 A JP 19924586A JP 19924586 A JP19924586 A JP 19924586A JP S6355193 A JPS6355193 A JP S6355193A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化合物半導体の気相成長装置に関するものであ
る。
る。
従来から行われてきた化合物半導体のエピタキシャル成
長方法としては液相エピタキシャル方法（ＬＰＥ法）、
ガスを用いる気相エピタキシャル方法（ＶＰＥ法）、■
属元索の輸送方法として塩化物を用いるハロゲン輸送法
（ハロゲン輸送法）、有機金属化合物を用いる有機金属
気相成長法（Ｎｏ−ＣＶＤ法）等がある。さらには、高
真空中で各元素のビームを飛ばして成長を行う分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ法）などが知られており、これらの
研究開発が活発に行われている。
長方法としては液相エピタキシャル方法（ＬＰＥ法）、
ガスを用いる気相エピタキシャル方法（ＶＰＥ法）、■
属元索の輸送方法として塩化物を用いるハロゲン輸送法
（ハロゲン輸送法）、有機金属化合物を用いる有機金属
気相成長法（Ｎｏ−ＣＶＤ法）等がある。さらには、高
真空中で各元素のビームを飛ばして成長を行う分子線エ
ピタキシー（ＭＢＥ法）などが知られており、これらの
研究開発が活発に行われている。
ところで、最近数原子層以下、さらには単原子層の超薄
膜およびその積層構造を有する量子効果素子が提案され
超薄膜内二次元電子ガスの特異な電気的および光学的性
質は新たなデバイス機能の可能性を示゛しており、量子
井戸レーザなどへの応用に加えて高速新機能の電子／光
デバイスへの展開が期待されている。
膜およびその積層構造を有する量子効果素子が提案され
超薄膜内二次元電子ガスの特異な電気的および光学的性
質は新たなデバイス機能の可能性を示゛しており、量子
井戸レーザなどへの応用に加えて高速新機能の電子／光
デバイスへの展開が期待されている。
しかしながら、従来の化合物半導体のエビタキシャル成
長方法では実現が難しいという問題を有していた２例え
ばＭＯ−ＣＶＤ法、ＭＢＥ法においては原料供給量によ
って成長速度が決まるため、原料供給量を少なくして成
長速度を遅くすることによって数原子層レベルの成長制
御が可能であるが、その供給量の精密なモニターと制御
が必要となり。
長方法では実現が難しいという問題を有していた２例え
ばＭＯ−ＣＶＤ法、ＭＢＥ法においては原料供給量によ
って成長速度が決まるため、原料供給量を少なくして成
長速度を遅くすることによって数原子層レベルの成長制
御が可能であるが、その供給量の精密なモニターと制御
が必要となり。
単原子層レベルで高い制御精度を得るのは困難である。
そこで、最近、スントラ（Ｓｕｎｔｏｌａ）等によって
報告された原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）が注目
を集めている〔第１６同面体素子、材料コンファレンス
予稿集（Ｔ、 ５ｕｎｔｏｌａ、 Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔ ｏｆｔｈｅ １６ｔｈ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉ
ｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｅｓ、 Ｋｏｂｅ、
１９８４． ｐｐ、６４７−６５０））、この方法は、
化合物半導体の構成元素、あるいはその元素を含むガス
種を交互に導入することにより一原子層づつ積層して所
望の化合物半導体結晶を成長させようとする方法である
。この方法によると、膜厚の制御のためには従来の原料
ガスや供給時間で成長速度を制御する方法とは異なり、
ガスの切り替え回数を制御すればよいことになり、その
精度は格段に向上することが期待される。またすでに碓
井等、西沢等によって原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ
法）は一定の領域において原料供給量によらず、一原子
層成長が達成されていることが報告されている〔ジャパ
ニーズジャーナルオブアプライド フィジックス（Ｊａ
ｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ−１ｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） ２５，１９８６．ｐｐ、Ｌ２１
２−２１４．ジャーナルオブザエレクトロケミカルソサ
イエティ （Ｊｏ−ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌ、
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｊ、ｅｔｙ）１３
２，１９８５ｔＰＰ、 、１１９７−１２００．）。
報告された原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）が注目
を集めている〔第１６同面体素子、材料コンファレンス
予稿集（Ｔ、 ５ｕｎｔｏｌａ、 Ｅｘｔｅｎｄｅｄ
Ａｂｓｔｒａｃｔ ｏｆｔｈｅ １６ｔｈ Ｃｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉ
ｃｅ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｅｓ、 Ｋｏｂｅ、
１９８４． ｐｐ、６４７−６５０））、この方法は、
化合物半導体の構成元素、あるいはその元素を含むガス
種を交互に導入することにより一原子層づつ積層して所
望の化合物半導体結晶を成長させようとする方法である
。この方法によると、膜厚の制御のためには従来の原料
ガスや供給時間で成長速度を制御する方法とは異なり、
ガスの切り替え回数を制御すればよいことになり、その
精度は格段に向上することが期待される。またすでに碓
井等、西沢等によって原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ
法）は一定の領域において原料供給量によらず、一原子
層成長が達成されていることが報告されている〔ジャパ
ニーズジャーナルオブアプライド フィジックス（Ｊａ
ｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐ−１ｉｅ
ｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） ２５，１９８６．ｐｐ、Ｌ２１
２−２１４．ジャーナルオブザエレクトロケミカルソサ
イエティ （Ｊｏ−ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ｅｌ、
ｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｊ、ｅｔｙ）１３
２，１９８５ｔＰＰ、 、１１９７−１２００．）。
しかしながら、現在までに報告されている原子層エピタ
キシャル法結晶成長装置はバルブとマスフローコントロ
ーラにより流量を制御していたために、原料ガスの急速
な供給と短時間での切り換えができず、成長サイクルの
時間はほぼガス系の切り換え時間で決まっていた。その
ためとくに厚膜成長には多大の時間を要するという欠点
を有していた。これを克服しようとして余分のガスの排
気も試みられているが、大掛かりな真空装置を必要とす
るなどの欠点を有していた。
キシャル法結晶成長装置はバルブとマスフローコントロ
ーラにより流量を制御していたために、原料ガスの急速
な供給と短時間での切り換えができず、成長サイクルの
時間はほぼガス系の切り換え時間で決まっていた。その
ためとくに厚膜成長には多大の時間を要するという欠点
を有していた。これを克服しようとして余分のガスの排
気も試みられているが、大掛かりな真空装置を必要とす
るなどの欠点を有していた。
本発明の目的は化合物半導体結晶の開管法による原子層
エビタキャル成長法において、従来のかかる欠点を除去
し、短時間で単原子層エピタキシャル成長層を得ること
のできる成長装置を提供することにある。
エビタキャル成長法において、従来のかかる欠点を除去
し、短時間で単原子層エピタキシャル成長層を得ること
のできる成長装置を提供することにある。
本発明は一方の構成元素を含むガス種と、他方の構成元
素を含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成
長を行う結晶成長装置において、あらかじめ結晶成長に
必要な原料ガスの所定量を反応管圧力より高く設定され
た容器内にとじ込めておき、必要に応じてこの原料ガス
を反応管内に供給する第１のガス供給系と、パージに必
要なパージガスの所定量を原料ガス圧力より高く設定さ
れた容器内にとじ込めておき、原料ガスに連続してこの
パージガスを反応管内に供給する第２のガス供給系とを
有することを特徴とする化合物半導体結晶成長装置であ
る。
素を含むガス種との供給を交互に繰り返しながら気相成
長を行う結晶成長装置において、あらかじめ結晶成長に
必要な原料ガスの所定量を反応管圧力より高く設定され
た容器内にとじ込めておき、必要に応じてこの原料ガス
を反応管内に供給する第１のガス供給系と、パージに必
要なパージガスの所定量を原料ガス圧力より高く設定さ
れた容器内にとじ込めておき、原料ガスに連続してこの
パージガスを反応管内に供給する第２のガス供給系とを
有することを特徴とする化合物半導体結晶成長装置であ
る。
Ｃ作用〕
本発明による化合物半導体結晶成長装置における原料ガ
ス流量のコントロール部の概略図を第１図に示す。原料
ガスは原料ボンベあるいは原料バブラーから、反応管圧
力以上の一定な供給圧力でステンレス等の配管によりバ
ルブ３．およびバルブ４を経て反応管に送られる。また
パージガスは原料ガス供給圧力以上の圧力でバルブ１．
バルブ２、バルブ４を経て９反応管に送られる。ここで
、まずバルブ３を開くと、原料ガスはバルブ２．バルブ
３．バルブ４間に一定な原料ガス供給圧力で供給される
。ここで、バルブ３を閉めると、バルブ２．バルブ３．
バルブ４間で原料ガスは封止される６またバルブ１を開
くと、パージガスはバルブ１．バルブ２間に一定なパー
ジガス供給圧力で供給される。ここでバルブ１を閉める
と、バルブ１、バルブ２間でパージガスは封止される。
ス流量のコントロール部の概略図を第１図に示す。原料
ガスは原料ボンベあるいは原料バブラーから、反応管圧
力以上の一定な供給圧力でステンレス等の配管によりバ
ルブ３．およびバルブ４を経て反応管に送られる。また
パージガスは原料ガス供給圧力以上の圧力でバルブ１．
バルブ２、バルブ４を経て９反応管に送られる。ここで
、まずバルブ３を開くと、原料ガスはバルブ２．バルブ
３．バルブ４間に一定な原料ガス供給圧力で供給される
。ここで、バルブ３を閉めると、バルブ２．バルブ３．
バルブ４間で原料ガスは封止される６またバルブ１を開
くと、パージガスはバルブ１．バルブ２間に一定なパー
ジガス供給圧力で供給される。ここでバルブ１を閉める
と、バルブ１、バルブ２間でパージガスは封止される。
次にバルブ２およびバルブ４を同時に開くと、封止され
ていた原料ガスおよびパージガスは反応管へ噴出し、反
応管圧力と等しくなった°時点で供給は停止される。バ
ルブ１．バルブ２問およびバルブ２゜バルブ３．バルブ
４間へのガスのチャージおよび反応管へのガスの噴出は
極めてすみやかに行われる。またパージガスの供給量は
バルブ１．バルブ２間の体積およびパージガス供給圧力
、反応管圧力を設定することによって、原料ガスの供給
量はバルブ２．バルブ３．バルブ４間の体積および原料
ガス供給圧力、反応管圧力を設定することによって決定
される。ここで、パージガスの供給量を原料ガスの供給
量に対して十分に過剰とし、かつパージガスの供給圧力
を原料ガスの供給圧力に対して十分に高く設定すると、
バルブ４が閉じるときにはパージガス流を遮断すること
になるので、バルブに原料ガスが吸着してメモリー効果
を起こすことはない。つまり、本発明によれば、原料ガ
スの供給とパージを連続して短時間に行うことができる
。
ていた原料ガスおよびパージガスは反応管へ噴出し、反
応管圧力と等しくなった°時点で供給は停止される。バ
ルブ１．バルブ２問およびバルブ２゜バルブ３．バルブ
４間へのガスのチャージおよび反応管へのガスの噴出は
極めてすみやかに行われる。またパージガスの供給量は
バルブ１．バルブ２間の体積およびパージガス供給圧力
、反応管圧力を設定することによって、原料ガスの供給
量はバルブ２．バルブ３．バルブ４間の体積および原料
ガス供給圧力、反応管圧力を設定することによって決定
される。ここで、パージガスの供給量を原料ガスの供給
量に対して十分に過剰とし、かつパージガスの供給圧力
を原料ガスの供給圧力に対して十分に高く設定すると、
バルブ４が閉じるときにはパージガス流を遮断すること
になるので、バルブに原料ガスが吸着してメモリー効果
を起こすことはない。つまり、本発明によれば、原料ガ
スの供給とパージを連続して短時間に行うことができる
。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
本実施例はハロゲン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法エピタキ
シャル成長装置に本発明を適用し、 ＧａＡｓ基板結晶
にＧａＡｓ層を成長させた例について述べる。成長装置
の概略を第２図に示す。なお多成長室を有するＡＬＥ成
長装置については碓井等によってジャパニーズジャーナ
ルオブアプライド フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）２５゜１９８６、ρｐ、Ｌ２１２−２１４、に報告
されている。第２図に示す成長装置では、下段の成長室
１１の上流にＧａソースポート１２を置き、その上流か
ら１１□キヤリアガスと共に１ｌｃ４ガスを供給する。
シャル成長装置に本発明を適用し、 ＧａＡｓ基板結晶
にＧａＡｓ層を成長させた例について述べる。成長装置
の概略を第２図に示す。なお多成長室を有するＡＬＥ成
長装置については碓井等によってジャパニーズジャーナ
ルオブアプライド フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ）２５゜１９８６、ρｐ、Ｌ２１２−２１４、に報告
されている。第２図に示す成長装置では、下段の成長室
１１の上流にＧａソースポート１２を置き、その上流か
ら１１□キヤリアガスと共に１ｌｃ４ガスを供給する。
この結果、ＧａＣｎが生成され下流に輸送される。一方
上段の成長室１３にはバルブ３を開いてＡｓの水素化物
であるＡｓｔｌ、を）１□キヤリアガスと共に供給した
。Ａ ｓ Ｈ３ガスは反応管中で分解して基板領域では
ＡＳ、どなっている。
上段の成長室１３にはバルブ３を開いてＡｓの水素化物
であるＡｓｔｌ、を）１□キヤリアガスと共に供給した
。Ａ ｓ Ｈ３ガスは反応管中で分解して基板領域では
ＡＳ、どなっている。
基板結晶１４としてはＧａＡｓ（１００）面を用いた。
反応管の温度は抵抗加熱炉によりＧａソース部は７３０
℃、基板結晶部は５００℃に設定した。ガス流量条件は
次のとおりである。
℃、基板結晶部は５００℃に設定した。ガス流量条件は
次のとおりである。
ガス種 流量
ＨＣＱ２８ｃｃＩ１１
Ｈ，５５Ｑｒｎ
ＡｓＨ３ガスについてはその供給圧力を２気圧、反応管
圧力を１気圧とし、パージガスの圧力を４気圧に設定し
た。バルブ１．バルブ２間の体積を３０ｃｃとし、バル
ブ２．バルブ３．バルブ４間の体積を２０ｃｃに設定し
た。また、Ａｓ）Ｉ３ガスはＨ２ベース１０％を用いた
。バルブ開閉時間については、まず０．５秒間バルブ１
およびバルブ３を開き、バルブ１およびバルブ３を閉じ
た後、０．１秒後にバルブ２およびバルブ４を１秒間間
いた。従ってＡｓｔｌ、ガスは２ｃｃ供給されたものと
考えられる。
圧力を１気圧とし、パージガスの圧力を４気圧に設定し
た。バルブ１．バルブ２間の体積を３０ｃｃとし、バル
ブ２．バルブ３．バルブ４間の体積を２０ｃｃに設定し
た。また、Ａｓ）Ｉ３ガスはＨ２ベース１０％を用いた
。バルブ開閉時間については、まず０．５秒間バルブ１
およびバルブ３を開き、バルブ１およびバルブ３を閉じ
た後、０．１秒後にバルブ２およびバルブ４を１秒間間
いた。従ってＡｓｔｌ、ガスは２ｃｃ供給されたものと
考えられる。
成長に際しては下段の成長室１１にて５秒間ＧａＣＱを
吸着させ、基板結晶１４を上段の成長室１３へ移動し、
移動完了後にＡｓＨ，ガスおよびＨ２パージガスを連続
して１秒間供給したのち、再び基板結晶を下段の成長室
１１へ移動し、これを５００回繰り返した。
吸着させ、基板結晶１４を上段の成長室１３へ移動し、
移動完了後にＡｓＨ，ガスおよびＨ２パージガスを連続
して１秒間供給したのち、再び基板結晶を下段の成長室
１１へ移動し、これを５００回繰り返した。
この結果、鏡面性に優れたエピタキシャル層が得られ、
成長膜厚より単分子層成長（２，８３Ａ／サイクル）が
実現されていることを確認した。
成長膜厚より単分子層成長（２，８３Ａ／サイクル）が
実現されていることを確認した。
（実施例２）
本実施例はＭＯ−ＣＶＤ法に基づ＜ ＡＬＥ法エピタキ
シャル成長装置に本発明を適用し、ＧａＡｓ基板結晶に
ＧａＡｓ層を成長させた例について述べる。成長装置の
概略を第３図に示す。■属原料については、Ａｓの水素
化物であるＡｓＨ，をＨ２キャリアガスと共に、バルブ
６を開けて反応管内に導入した。一方、■属原料である
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）については１１□キヤリ
アガスにてバブリングし、バルブ３を開いて供給した。
シャル成長装置に本発明を適用し、ＧａＡｓ基板結晶に
ＧａＡｓ層を成長させた例について述べる。成長装置の
概略を第３図に示す。■属原料については、Ａｓの水素
化物であるＡｓＨ，をＨ２キャリアガスと共に、バルブ
６を開けて反応管内に導入した。一方、■属原料である
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）については１１□キヤリ
アガスにてバブリングし、バルブ３を開いて供給した。
基板結晶１４としてはＧａＡｓ （１００）面を用いた
。基板結晶はカーボンサセプタ１６上に設置し、高周波
加熱により基板温度を５００℃に設定した。ガス流量条
件は次のとおりである。
。基板結晶はカーボンサセプタ１６上に設置し、高周波
加熱により基板温度を５００℃に設定した。ガス流量条
件は次のとおりである。
ガス種 流量
Ａｓ１１３２ ｓｅｃｍ
Ｈ２，５ｓＱｍ
ＴＭＧについてはその供給圧力を１．１気圧、反応管圧
力を０．１気圧とし、バルブ２．バルブ３．バルブ４間
の体積を２０ｃｃとした。パージガスについてはその供
給圧力を２．１気圧とし、バルブ１．バルブ２間の体積
を５０ｃｃとした。バルブ開閉時間については、まず０
．５秒間バルブ１およびバルブ３を開き、バルブ１およ
びバルブ３が閉じた後、０．１秒後にバルブ２およびバ
ルブ４を１秒間開けた。従ってＴＭＧガスおよびパージ
ガスは１秒間に連続して供給されたものと考えられる。
力を０．１気圧とし、バルブ２．バルブ３．バルブ４間
の体積を２０ｃｃとした。パージガスについてはその供
給圧力を２．１気圧とし、バルブ１．バルブ２間の体積
を５０ｃｃとした。バルブ開閉時間については、まず０
．５秒間バルブ１およびバルブ３を開き、バルブ１およ
びバルブ３が閉じた後、０．１秒後にバルブ２およびバ
ルブ４を１秒間開けた。従ってＴＭＧガスおよびパージ
ガスは１秒間に連続して供給されたものと考えられる。
バブラーの圧力を一定とするために、バルブ３を閉じた
時にはバルブ５を開けてＴＭＧガスを排気（ＥＸＨ）に
流している。
時にはバルブ５を開けてＴＭＧガスを排気（ＥＸＨ）に
流している。
成長に際してはＴＭＧガスおよびパージガスを連続して
、バルブ４より供給し、バルブ４を閉じ、Ａｓ１ｌ、ガ
スをバルブ６より５秒間供給して、１１□ガスでパージ
した。これらのバルブ操作を５００回繰り返した結果、
鏡面性に優れたエピタキシャル層が得られ、成長膜厚よ
り単分子層成長（２，８３Ａ／サイクル）が実現されて
いることを確認した。
、バルブ４より供給し、バルブ４を閉じ、Ａｓ１ｌ、ガ
スをバルブ６より５秒間供給して、１１□ガスでパージ
した。これらのバルブ操作を５００回繰り返した結果、
鏡面性に優れたエピタキシャル層が得られ、成長膜厚よ
り単分子層成長（２，８３Ａ／サイクル）が実現されて
いることを確認した。
以上述べたように、本発明による化合物半導体結晶成長
装置を用いると、化合物半導体結晶の原子層エピタキシ
ャル法（ＡＬＥ法）による気相成長において、所定空間
内に容積と圧力を制御することにより原料ガスの流量お
よびパージガスの流量をコントロールすることができ、
バルブ操作によるために原料ガスの高速な供給および急
速なパージが可能であり、また連続して行うことができ
る。
装置を用いると、化合物半導体結晶の原子層エピタキシ
ャル法（ＡＬＥ法）による気相成長において、所定空間
内に容積と圧力を制御することにより原料ガスの流量お
よびパージガスの流量をコントロールすることができ、
バルブ操作によるために原料ガスの高速な供給および急
速なパージが可能であり、また連続して行うことができ
る。
このため、短時間で良質の単原子層エピタキシャル成長
層を得ることができる。また本発明による原料ガスの流
量制御方法はマスフローコントローラ、フロートメータ
等を用いないために、非常に安価な化合物半導体結晶成
長装置を提供できる効果を有するものである。
層を得ることができる。また本発明による原料ガスの流
量制御方法はマスフローコントローラ、フロートメータ
等を用いないために、非常に安価な化合物半導体結晶成
長装置を提供できる効果を有するものである。
第１図は本発明による化合物半導体結晶成長装置におけ
る原料ガス流量のコントロール部を示す概略図、第２図
は本発明の実施例１を説明するためのＧａＡｓのハロゲ
ン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法による気相エピタキシャル
成長装置を示す概略図、第３図は本発明の実施例２を説
明するためのＧａＡｓのＮ。 −ＣＶＤ法に基づ＜ＡＬＥ法による気相エピタキシャル
成長装置を示す概略図である。
る原料ガス流量のコントロール部を示す概略図、第２図
は本発明の実施例１を説明するためのＧａＡｓのハロゲ
ン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法による気相エピタキシャル
成長装置を示す概略図、第３図は本発明の実施例２を説
明するためのＧａＡｓのＮ。 −ＣＶＤ法に基づ＜ＡＬＥ法による気相エピタキシャル
成長装置を示す概略図である。
Claims (1)
- （１）化合物半導体の一方の構成元素を含むガス種と他
方の構成元素を含むガス種との供給を交互に繰り返しな
がら気相成長を行う結晶成長装置において、あらかじめ
結晶成長に必要な原料ガスの所定量を反応管圧力より高
く設定された容器内にとじ込めておき、必要に応じてこ
の原料ガスを反応管内に供給する第１のガス供給系と、
パージに必要なパージガスの所定量を原料ガス圧力より
高く設定された容器内にとじ込めておき、原料ガスに連
続してこのパージガスを反応管内に供給する第２のガス
供給系とを有することを特徴とする化合物半導体結晶成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19924586A JPS6355193A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 化合物半導体結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19924586A JPS6355193A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 化合物半導体結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355193A true JPS6355193A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16404585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19924586A Pending JPS6355193A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 化合物半導体結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617508A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-14 | 新明和工業株式会社 | ハ−ネス製造装置 |
| JPS6180713A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | 新明和工業株式会社 | ハ−ネス製造方法 |
| US7160812B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-01-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for preventing electrode deterioration in etching apparatus |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56149429A (en) * | 1980-03-26 | 1981-11-19 | Stamicarbon | Manufacture of polyamide product |
| JPS5993741A (ja) * | 1982-11-22 | 1984-05-30 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 樹脂磁石成形材料の製造法 |
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| JPS59117532A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-07-06 | スタミカ−ボン・ベスロ−テム・ベンノツトシヤツプ | 内燃機関を有する装置用のポリアミド製物品 |
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| JPS60223102A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Seiko Epson Corp | 磁石粉末の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP19924586A patent/JPS6355193A/ja active Pending
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| JPH0524605B2 (ja) * | 1984-06-20 | 1993-04-08 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | |
| JPS6180713A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | 新明和工業株式会社 | ハ−ネス製造方法 |
| JPH0586004B2 (ja) * | 1984-09-27 | 1993-12-09 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | |
| US7160812B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-01-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for preventing electrode deterioration in etching apparatus |
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