JPS61275194A - 化合物半導体の気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体の気相成長装置Info
- Publication number
- JPS61275194A JPS61275194A JP11572785A JP11572785A JPS61275194A JP S61275194 A JPS61275194 A JP S61275194A JP 11572785 A JP11572785 A JP 11572785A JP 11572785 A JP11572785 A JP 11572785A JP S61275194 A JPS61275194 A JP S61275194A
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- Japan
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- growth
- growth chamber
- grown
- substrate crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、化合物半導体の気相成長装置に関するもので
ある。
ある。
（従来技術とその問題点）
化合物半導体はＺｎＳ、ＣｄＳｅなどのようなＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体と、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどのような■
−ｖ族化合物半導体に太き（分けることができる。これ
らの材料は発光ダイオード、レーザダイオードのような
光デバイスや、ＦＥＴのようなマイクロ波デバイスに広
く応用され、さまざまな成長方法によって作製されてい
る。以下、主として■−ｖ族化合物半導体について説明
するが、同様なことはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体につい
ても言える。
Ｉ族化合物半導体と、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどのような■
−ｖ族化合物半導体に太き（分けることができる。これ
らの材料は発光ダイオード、レーザダイオードのような
光デバイスや、ＦＥＴのようなマイクロ波デバイスに広
く応用され、さまざまな成長方法によって作製されてい
る。以下、主として■−ｖ族化合物半導体について説明
するが、同様なことはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体につい
ても言える。
ところで、これらの化合物半導体のエピタキシャル成長
方法として従来から行なわれて来た製法としては、例え
ばＧａＡｓを例に取ると、Ａｓを溶かし込んだＧａ融液
に基板結晶を接触させて成長を行なう液相エピタキシャ
ル方法（ＬＰＥ法ルまた、ガスをもちいる気相エピタキ
シャル方法（ＶＰＥ法）、これには、■族元素の輸送法
としてＧａＣ１のようなＧａの塩化物を用いるハロゲン
輸送法と呼ばれる方法、Ｇａ（ＣＨ３）３のようなＧａ
の有機金属化合物を用いるＭＯＣＶＤ法等がある。更に
は、高真空中でＧａ、および、Ａｓのビームを飛ばして
成長を行なう分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）も近
年は盛んに研究が行なわれている。
方法として従来から行なわれて来た製法としては、例え
ばＧａＡｓを例に取ると、Ａｓを溶かし込んだＧａ融液
に基板結晶を接触させて成長を行なう液相エピタキシャ
ル方法（ＬＰＥ法ルまた、ガスをもちいる気相エピタキ
シャル方法（ＶＰＥ法）、これには、■族元素の輸送法
としてＧａＣ１のようなＧａの塩化物を用いるハロゲン
輸送法と呼ばれる方法、Ｇａ（ＣＨ３）３のようなＧａ
の有機金属化合物を用いるＭＯＣＶＤ法等がある。更に
は、高真空中でＧａ、および、Ａｓのビームを飛ばして
成長を行なう分子線エピタキシャル法（ＭＢＥ法）も近
年は盛んに研究が行なわれている。
さて、最近では、デバイスとしての性能を向上させるた
めにエピタキシャル層の成長膜厚を数〜数＋人と薄くす
る事が要求されて来ている。例えば、ＧａＡｌＡｓレー
ザにおいてはその温度特性を向上させたり、発振波長を
より短波長化するために量子井戸構造が取られており、
また、従来のバルク半導体では得られなかった現象が超
格子構造と呼ばれる異種同士の薄膜半導体を交互に積み
重ねた構造で現われている。
めにエピタキシャル層の成長膜厚を数〜数＋人と薄くす
る事が要求されて来ている。例えば、ＧａＡｌＡｓレー
ザにおいてはその温度特性を向上させたり、発振波長を
より短波長化するために量子井戸構造が取られており、
また、従来のバルク半導体では得られなかった現象が超
格子構造と呼ばれる異種同士の薄膜半導体を交互に積み
重ねた構造で現われている。
ところで、これらの薄膜の成長においては従来は、成長
速度を制御して作製を行なっていた。例えば、ＭＯＣＶ
Ｄ法では、減圧下での成長や、流速を極端に速くするな
どして成長速度を遅くし、かつ、異種の材料を交互に成
長させるためにガスの切り換わりを出来るだけ早（しよ
うと様々な工夫がなされてきた。また、ＭＢＥ法は、元
来、成長速度を遅くすることができると言う利点を有し
ているが、それでも単原子層（数人程度）の制御はなか
なか困難であった。
速度を制御して作製を行なっていた。例えば、ＭＯＣＶ
Ｄ法では、減圧下での成長や、流速を極端に速くするな
どして成長速度を遅くし、かつ、異種の材料を交互に成
長させるためにガスの切り換わりを出来るだけ早（しよ
うと様々な工夫がなされてきた。また、ＭＢＥ法は、元
来、成長速度を遅くすることができると言う利点を有し
ているが、それでも単原子層（数人程度）の制御はなか
なか困難であった。
そこで、最近、スントラ（ＳＵＮＴＯＬＡ）等によって
報告された原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）が注目
を浴びている第１６回国体素子・材料コンファレンス予
稿集（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓ
ｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ。
報告された原子層エピタキシャル法（ＡＬＥ法）が注目
を浴びている第１６回国体素子・材料コンファレンス予
稿集（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓ
ｔｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ
ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ。
Ｋｏｂｅ、 １９８４． ｐｐ、６４７−６５０）。こ
の方法は、化合物半導体の構成元素、あるいは、その元
素を含むガスを交互に供給して一原子層ずつ吸着させ全
体として所望の化合物半導体を成長させようとする方法
である。この方法によると、膜厚の制御のためには、従
来のバルクとしての成長速度を制御する方法とは異なり
、ガスの切り換え回数を制御すれば良いことになり、そ
の精度は格段に向上することが期待できる。しかしなが
ら、報告されているガスの切り換え方法は、真空中、あ
るいは開管法において、パルプを交互に切り換えて行な
う方法であった。このような方法で成長を行なうと、反
応管中のガスを完全に切り換えるために長時間を要した
り、また、大掛かりな真空装置を有したりすると言う欠
点を有していた。
の方法は、化合物半導体の構成元素、あるいは、その元
素を含むガスを交互に供給して一原子層ずつ吸着させ全
体として所望の化合物半導体を成長させようとする方法
である。この方法によると、膜厚の制御のためには、従
来のバルクとしての成長速度を制御する方法とは異なり
、ガスの切り換え回数を制御すれば良いことになり、そ
の精度は格段に向上することが期待できる。しかしなが
ら、報告されているガスの切り換え方法は、真空中、あ
るいは開管法において、パルプを交互に切り換えて行な
う方法であった。このような方法で成長を行なうと、反
応管中のガスを完全に切り換えるために長時間を要した
り、また、大掛かりな真空装置を有したりすると言う欠
点を有していた。
（発明の目的）
本発明の目的は化合物半導体の開管法によるＡＬＥ法気
相エピタキシャル成長において、従来のかかる欠点を除
去し、短時間で単原子層エピタキシャル成長層を得るこ
とのできる成長装置を提供しようとするものである。
相エピタキシャル成長において、従来のかかる欠点を除
去し、短時間で単原子層エピタキシャル成長層を得るこ
とのできる成長装置を提供しようとするものである。
（発明の構成）
本発明は、化合物半導体の気相成長装置において、成長
せしめる化合物半導体の構成元素の一つを含むガス種を
提供出来る反応管を複数個備え、成長中にはそれぞれの
反応管において成長せしめる化合物半導体の一つの構成
元素を含むガス種を供給し、全体として構成元素のすべ
てをそのガス状態で供給することが可能で、かつ、基板
結晶を各成長室の間を移動できる基板ホルダーを備える
事を特徴としている。
せしめる化合物半導体の構成元素の一つを含むガス種を
提供出来る反応管を複数個備え、成長中にはそれぞれの
反応管において成長せしめる化合物半導体の一つの構成
元素を含むガス種を供給し、全体として構成元素のすべ
てをそのガス状態で供給することが可能で、かつ、基板
結晶を各成長室の間を移動できる基板ホルダーを備える
事を特徴としている。
（作用）
本発明による成長装置の概略を第１図に示した。
ここではハロゲン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法によるエピ
タキシャル成長装置を示している。ＧａＡｓの成長を例
にとると、上段の成長室１には上流にＧａソースポート
２を置き、ＨＣＩガスを供給する。この結果、ＧａＣ１
が生成され下流に運ばれる。一方、下段成長室３にはＡ
ｓの水素化物であるＡｓＨ３を供給する。このガスは反
応管中で分解し、基板領域では主としてＡｓ４となって
いる。成長に際しては、基板結晶４を先ず下段成長室３
に置き、所定の成長温度まで昇温する。成長温度に達し
た所で、基板結晶４を移動し、上段成長室１に持ってい
く。そこでＧａＣ１を十分に吸着させ、再び、基板結晶
４を下段成長室３に移動させる。そこは、Ａｓの雰囲気
となっており、基板結晶４上に吸着したＧａＣ１と反応
して単層のＧａＡｓが成長することになる。これを繰り
かえすことによって、その回数で、成長層の厚さを制御
することができる。次に、本発明を実施例に基づき具体
的に説明する。
タキシャル成長装置を示している。ＧａＡｓの成長を例
にとると、上段の成長室１には上流にＧａソースポート
２を置き、ＨＣＩガスを供給する。この結果、ＧａＣ１
が生成され下流に運ばれる。一方、下段成長室３にはＡ
ｓの水素化物であるＡｓＨ３を供給する。このガスは反
応管中で分解し、基板領域では主としてＡｓ４となって
いる。成長に際しては、基板結晶４を先ず下段成長室３
に置き、所定の成長温度まで昇温する。成長温度に達し
た所で、基板結晶４を移動し、上段成長室１に持ってい
く。そこでＧａＣ１を十分に吸着させ、再び、基板結晶
４を下段成長室３に移動させる。そこは、Ａｓの雰囲気
となっており、基板結晶４上に吸着したＧａＣ１と反応
して単層のＧａＡｓが成長することになる。これを繰り
かえすことによって、その回数で、成長層の厚さを制御
することができる。次に、本発明を実施例に基づき具体
的に説明する。
（実施例）
実施例１
本実施例ではＧａＡｓ基板結晶にＧａＡｓを７’ｉロゲ
ン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法によりエピタキシャル成長
させる装置に本発明を適用した場合について述べる。成
長装置の概略を第１図に示した。なお多成長室をもった
成長装置については本発明者が第１１回ガリウム砒素と
その混晶についての国際シンポジウム 予 稿（Ｐｒｏ
ｃ、 １１ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎ、 Ｓｙｍｐ、 ｏｎ
ＧａｌｌｉｕｍＡｒｓｅｎｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅ１ａｔ
ｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、１９８１．Ｐ２Ｓ５）で報
告している。この成長装置では、上段の成長室１の上流
にＧａソースポート２を置き、その上流からＨ２キャリ
ヤガスと伴にＨＣＩガスを供給する。この結果、ＧａＣ
１が生成され下流に運ばれる。一方、下段成長室３には
Ａｓの水素化物であるＡｓＨ３をＨ２キャリヤガスと伴
に供給する。このガスは反応管中で分解し、基板領域で
は主としてＡｓ４となっている。
ン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法によりエピタキシャル成長
させる装置に本発明を適用した場合について述べる。成
長装置の概略を第１図に示した。なお多成長室をもった
成長装置については本発明者が第１１回ガリウム砒素と
その混晶についての国際シンポジウム 予 稿（Ｐｒｏ
ｃ、 １１ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎ、 Ｓｙｍｐ、 ｏｎ
ＧａｌｌｉｕｍＡｒｓｅｎｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅ１ａｔ
ｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ、１９８１．Ｐ２Ｓ５）で報
告している。この成長装置では、上段の成長室１の上流
にＧａソースポート２を置き、その上流からＨ２キャリ
ヤガスと伴にＨＣＩガスを供給する。この結果、ＧａＣ
１が生成され下流に運ばれる。一方、下段成長室３には
Ａｓの水素化物であるＡｓＨ３をＨ２キャリヤガスと伴
に供給する。このガスは反応管中で分解し、基板領域で
は主としてＡｓ４となっている。
基板結晶４としてはＧａＡｓ（１１１）Ｂ面を用いた。
反応管の温度は抵抗加熱炉によりＧａソース部は８００
°Ｃ２基板結晶部は５５０°Ｃに保った。ガス流量条件
は次の通りである。
°Ｃ２基板結晶部は５５０°Ｃに保った。ガス流量条件
は次の通りである。
ガスの種類 流量
Ｈ２（各成長室） ５０００ ＣＣ／ＭＩＮ成長
に際しては、基板結晶４を先ず下段成長室３に置き、Ａ
ｓＨ３雰囲気で成長温度（５５０°Ｃ）まで昇温した。
に際しては、基板結晶４を先ず下段成長室３に置き、Ａ
ｓＨ３雰囲気で成長温度（５５０°Ｃ）まで昇温した。
成長温度に達した所で上段成長室１にＨＣＩを供給し、
一定時間後ＨＣＩの流れが定常状態になった・あと基板
結晶４を、上段成長室１に移動した。そこで１０秒間Ｇ
ａＣ１を十分に吸着させ、再び、基板結晶４を下段成長
室３に移動した。これを５００往復行なった。なお、基
板結晶４移動の際には、移動中の成長を防ぐために、Ａ
ｓＨ３の供給を停止し、ＧａＣ１雰囲気で移動するよう
にした。この結果、鏡面性に優れたエピタキシャル層が
得られ、膜厚は、約１７０ＯＡであった。この値は、１
往復で１分子層（３，２６７人）成長するとして計算し
た値１ｅ３ｄと良く一致した。
一定時間後ＨＣＩの流れが定常状態になった・あと基板
結晶４を、上段成長室１に移動した。そこで１０秒間Ｇ
ａＣ１を十分に吸着させ、再び、基板結晶４を下段成長
室３に移動した。これを５００往復行なった。なお、基
板結晶４移動の際には、移動中の成長を防ぐために、Ａ
ｓＨ３の供給を停止し、ＧａＣ１雰囲気で移動するよう
にした。この結果、鏡面性に優れたエピタキシャル層が
得られ、膜厚は、約１７０ＯＡであった。この値は、１
往復で１分子層（３，２６７人）成長するとして計算し
た値１ｅ３ｄと良く一致した。
実施例２
本実施例ではＧａＡｓ基板結晶にＩｎＰ／ＧａＰ超格子
をハロゲン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法によりエピタキシ
ャル成長させる装置に本発明を適用した場合について述
べる。成長装置の概略を第２図に示した。
をハロゲン輸送法に基づ＜ ＡＬＥ法によりエピタキシ
ャル成長させる装置に本発明を適用した場合について述
べる。成長装置の概略を第２図に示した。
この成長装置では、上段、中段、下段の３段の成長室が
ある。中段成長室は図中破線で示した。上段の成長室１
の上流にＧａソースポート２を置き、その上流からＨ２
キャリヤガスと伴にＨＣＩガスを供給する。この結果、
ＧａＣ１が生成され下流に運ばれる。
ある。中段成長室は図中破線で示した。上段の成長室１
の上流にＧａソースポート２を置き、その上流からＨ２
キャリヤガスと伴にＨＣＩガスを供給する。この結果、
ＧａＣ１が生成され下流に運ばれる。
また、下段の成長室３の上流にｂダースポート７を置き
、その上流からＨ２キャリヤガスと伴にＨＣＩガスを供
給する。この結果、ＩｎＣｌが生成され下流に運ばれる
。一方、中段成長室８にはＰの水素化物であるＰＨ３を
Ｈ２キャリヤガスと伴に供給する。このガスは反応管中
で分解し、基板領域では主としてＰ４となっている。基
板結晶４としてはＧａＡｓ（１１１）Ｂ面を用いた。反
応管の温度は抵抗加熱炉によりＧａソース部は８００°
Ｃ２基板結晶部は５００°Ｃに保った。
、その上流からＨ２キャリヤガスと伴にＨＣＩガスを供
給する。この結果、ＩｎＣｌが生成され下流に運ばれる
。一方、中段成長室８にはＰの水素化物であるＰＨ３を
Ｈ２キャリヤガスと伴に供給する。このガスは反応管中
で分解し、基板領域では主としてＰ４となっている。基
板結晶４としてはＧａＡｓ（１１１）Ｂ面を用いた。反
応管の温度は抵抗加熱炉によりＧａソース部は８００°
Ｃ２基板結晶部は５００°Ｃに保った。
ガス流量条件は次の通りである。
ガスの種類 流量
ＰＨ３５ＣＣ／ＭＩＮ
Ｈ２（各成長室） ５０００ ＣＣ／ＭＩＮ成長
に際しては、基板結晶ぺな先ず中段成長室８に置き、Ｐ
Ｈ３雰囲気で成長温度（５００°Ｃ）まで昇温した。成
長温度に達した所で上段にＨＣＩを供給し、一定時間後
基板結晶４を、上段成長室１に移動した。
に際しては、基板結晶ぺな先ず中段成長室８に置き、Ｐ
Ｈ３雰囲気で成長温度（５００°Ｃ）まで昇温した。成
長温度に達した所で上段にＨＣＩを供給し、一定時間後
基板結晶４を、上段成長室１に移動した。
そこで１０秒間ＧａＣ１を十分に吸着させた後、基板結
晶４を中段成長室８に移動した。そこは、Ｐ４の雰囲気
となっており、結晶上に、吸着したＧａＣ１と反応して
単層のＧａＰが成長する。これを１００往復行ない、基
板結晶４を中段成長室８で待機させた。この間に下段成
長室３にＨＣＩを供給し、一定時間後基板結晶４を下段
成長室３に移動した。そこで１０秒間ＩｎＣｌを十分に
吸着させ、再び基板結晶４を中段成長室８に移動した。
晶４を中段成長室８に移動した。そこは、Ｐ４の雰囲気
となっており、結晶上に、吸着したＧａＣ１と反応して
単層のＧａＰが成長する。これを１００往復行ない、基
板結晶４を中段成長室８で待機させた。この間に下段成
長室３にＨＣＩを供給し、一定時間後基板結晶４を下段
成長室３に移動した。そこで１０秒間ＩｎＣｌを十分に
吸着させ、再び基板結晶４を中段成長室８に移動した。
それで証が成長する。これを５０往復行なった。この繰
り返しを行ない（ＧａＰ）１ｏｏ（ＩｎＰ）５ｏ周期の
超格子構造を作製した。なお、基板結晶４移動の際には
、移動中の成長を防ぐために、ＰＨ３の供給を停止し、
また、ＧａＰの成長時にはＩｎＣｌの供給を停止し、Ｉ
ｎＰの成長時にはＧａＣ１の供給を停止した。この結果
、鏡面性に優れたエピタキシャル層が得られ、膜厚測定
の結果、−周期のＧａＰの厚さは約３２０人、ＩｎＰの
厚さは約１８０人であった。この値は、計算した値（Ｇ
ａＰ：３１５人、ＩｎＰ：１６９んと良い一致を示した
。
り返しを行ない（ＧａＰ）１ｏｏ（ＩｎＰ）５ｏ周期の
超格子構造を作製した。なお、基板結晶４移動の際には
、移動中の成長を防ぐために、ＰＨ３の供給を停止し、
また、ＧａＰの成長時にはＩｎＣｌの供給を停止し、Ｉ
ｎＰの成長時にはＧａＣ１の供給を停止した。この結果
、鏡面性に優れたエピタキシャル層が得られ、膜厚測定
の結果、−周期のＧａＰの厚さは約３２０人、ＩｎＰの
厚さは約１８０人であった。この値は、計算した値（Ｇ
ａＰ：３１５人、ＩｎＰ：１６９んと良い一致を示した
。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明によるエピタキシャル成長装
置を用いると、化合物半導体のＡＬＥ法による気相エピ
タキシャル成長において、基板結晶の移動回数で成長層
の厚さを制御することができ、短時間で良質の単原子層
エピタキシャル成長層を得ることができる。
置を用いると、化合物半導体のＡＬＥ法による気相エピ
タキシャル成長において、基板結晶の移動回数で成長層
の厚さを制御することができ、短時間で良質の単原子層
エピタキシャル成長層を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのＧａＡｓの
ハロゲン輸送法に基づ＜ＡＬＥ法による気相エピタキシ
ャル成長装置の概略を示す図、第２図は本発明の一実施
例を説明するためのＩｎＰ／ＧａＰ超格子をハロゲン輸
送法に基づ＜ ＡＬＥ法により気相エピタキシャル成長
させる装置の概略を示す図である。 図中の番号は １・・・上段成長室 ２・・・Ｇａソースポート ３・・・下段成長室 ４・・・基板結晶 ５・・・基板ホルダー ６・・・基板結晶の移動を示す ７・・・ｈソースポート ８・・・中段成長室 ９・・・基板結晶の移動 を示す。
ハロゲン輸送法に基づ＜ＡＬＥ法による気相エピタキシ
ャル成長装置の概略を示す図、第２図は本発明の一実施
例を説明するためのＩｎＰ／ＧａＰ超格子をハロゲン輸
送法に基づ＜ ＡＬＥ法により気相エピタキシャル成長
させる装置の概略を示す図である。 図中の番号は １・・・上段成長室 ２・・・Ｇａソースポート ３・・・下段成長室 ４・・・基板結晶 ５・・・基板ホルダー ６・・・基板結晶の移動を示す ７・・・ｈソースポート ８・・・中段成長室 ９・・・基板結晶の移動 を示す。
Claims (1)
- 化合物半導体の気相成長装置において、成長せしめる化
合物半導体の構成元素の一つを含むガス種を供給出来る
反応管を複数個備え、成長中にはそれぞれの反応管にお
いて成長せしめる化合物半導体の一つの構成元素を含む
ガス種を供給し、全体として構成元素のすべてをそのガ
ス状態で供給することが可能で、かつ、基板結晶を各成
長室の間を移動できる基板ホルダーを供えた事を特徴と
する化合物半導体の気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11572785A JPS61275194A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11572785A JPS61275194A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275194A true JPS61275194A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14669608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11572785A Pending JPS61275194A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275194A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5296865A (en) * | 1976-02-04 | 1977-08-15 | Nec Corp | Crystal grown unit for chemical compound semiconductor |
| JPS5825223A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-15 | Nec Corp | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長装置 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11572785A patent/JPS61275194A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5296865A (en) * | 1976-02-04 | 1977-08-15 | Nec Corp | Crystal grown unit for chemical compound semiconductor |
| JPS5825223A (ja) * | 1981-08-06 | 1983-02-15 | Nec Corp | ３−ｖ族化合物半導体の気相成長装置 |
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