JPH10223536A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH10223536A JPH10223536A JP2056797A JP2056797A JPH10223536A JP H10223536 A JPH10223536 A JP H10223536A JP 2056797 A JP2056797 A JP 2056797A JP 2056797 A JP2056797 A JP 2056797A JP H10223536 A JPH10223536 A JP H10223536A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気相成長を行う反応管内の圧力の変化を回避
する。 【解決手段】 ガスボンベを原料ガス供給源３２とする
気相成長装置において、気相成長を行う反応管１３に対
し、原料ガス供給源３２のガスボンベからの原料ガス供
給と、キャリアガスとを切り換え供給する切り換え手段
１００を設ける。
する。 【解決手段】 ガスボンベを原料ガス供給源３２とする
気相成長装置において、気相成長を行う反応管１３に対
し、原料ガス供給源３２のガスボンベからの原料ガス供
給と、キャリアガスとを切り換え供給する切り換え手段
１００を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置（Ｃ
ＶＤ装置）、特に高圧ガスボンベを原料ガス供給源とし
て用いる気相成長装置に係わる。
ＶＤ装置）、特に高圧ガスボンベを原料ガス供給源とし
て用いる気相成長装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diod
e）、ＨＥＭＴ(High Electron Mobility Transisitor)
を始めとする種々の半導体デバイスの装置における化合
物半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長において
は、正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等が適している。さら
にこれらの方法は、非平衡状態での結晶成長を特徴とし
ており、液相成長法（ＬＥＤ）では困難な多元系化合物
半導体混晶を得ることができる。
e）、ＨＥＭＴ(High Electron Mobility Transisitor)
を始めとする種々の半導体デバイスの装置における化合
物半導体の成膜、例えばエピタキシャル成長において
は、正確で、再現性のある原料の供給制御ができる有機
金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等が適している。さら
にこれらの方法は、非平衡状態での結晶成長を特徴とし
ており、液相成長法（ＬＥＤ）では困難な多元系化合物
半導体混晶を得ることができる。
【０００３】図３に、従来における一般的な気相成長装
置としての、有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ
装置とする）の概略図を示す。例えば、ＧａＡｓ、Ａｌ
ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系等の化合物半導体層のＭ
ＯＣＶＤ法によるエピタキシーは、III族原料として
は、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ
ｎ）等の有機金属ガスを得る有機金属ガス供給源６０が
設けられ、この場合Ｖ族原料を供給する原料ガス供給源
３２としては、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）等の水素化物のガスボンベが用いられる。
置としての、有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ
装置とする）の概略図を示す。例えば、ＧａＡｓ、Ａｌ
ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系等の化合物半導体層のＭ
ＯＣＶＤ法によるエピタキシーは、III族原料として
は、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアル
ミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ
ｎ）等の有機金属ガスを得る有機金属ガス供給源６０が
設けられ、この場合Ｖ族原料を供給する原料ガス供給源
３２としては、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）等の水素化物のガスボンベが用いられる。
【０００４】有機金属ガス供給源６０は、密閉槽１１内
に有機金属原料が収容され、これに純化装置（図示せ
ず）により高純度化されたキャリアガス供給源１２から
のキャリアガス、例えばＨ2 ガス、Ｎ2 ガスを、マスフ
ローコントローラ（以下、ＭＦＣという）１７を通じ
て、流量制御して、キャリアガス供給管５１から吹き込
み、バブリングを行って、キャリアガスとともに有機金
属ガスを、有機金属ガス取り出し管５２から取り出し、
目的とする気相成長を行う反応管１３に導く。
に有機金属原料が収容され、これに純化装置（図示せ
ず）により高純度化されたキャリアガス供給源１２から
のキャリアガス、例えばＨ2 ガス、Ｎ2 ガスを、マスフ
ローコントローラ（以下、ＭＦＣという）１７を通じ
て、流量制御して、キャリアガス供給管５１から吹き込
み、バブリングを行って、キャリアガスとともに有機金
属ガスを、有機金属ガス取り出し管５２から取り出し、
目的とする気相成長を行う反応管１３に導く。
【０００５】一方、図３中に示した原料ガス供給源３２
の原料ガスを、ＭＦＣ２７を通じて流量制御して取り出
し、目的とする気相成長を行う反応管１３に導く。
の原料ガスを、ＭＦＣ２７を通じて流量制御して取り出
し、目的とする気相成長を行う反応管１３に導く。
【０００６】図３においては、それぞれ１つの有機金属
ガス供給源６０と、原料ガス供給源３２を代表的に示し
たが、実際には、各原料ごとにそれぞれ有機金属ガス供
給源６０と、原料ガス供給源３２が配置されている。
ガス供給源６０と、原料ガス供給源３２を代表的に示し
たが、実際には、各原料ごとにそれぞれ有機金属ガス供
給源６０と、原料ガス供給源３２が配置されている。
【０００７】このようにして反応管１３に送り込まれた
有機金属ガス供給源６０からの有機金属ガス、および原
料ガス供給源３２からの原料ガスは、高周波コイル等の
加熱手段１４によって、一定温度に保たれたサセプタ１
５上の基板１６に送り込まれ、そこで熱分解を起こして
基板１６上に目的とする化合物半導体層の気相成長を行
う。
有機金属ガス供給源６０からの有機金属ガス、および原
料ガス供給源３２からの原料ガスは、高周波コイル等の
加熱手段１４によって、一定温度に保たれたサセプタ１
５上の基板１６に送り込まれ、そこで熱分解を起こして
基板１６上に目的とする化合物半導体層の気相成長を行
う。
【０００８】一方、特定の原料ガス供給源３２からの原
料ガスによる気相成長を停止して、他の原料ガス供給源
３２からの原料ガスによる気相成長を行うとき等には、
原料ガス供給源３２からの原料ガスを、図３に示すバル
ブ９１を閉じ、バルブ９２を開くことにより、廃棄ライ
ン２０に導き、反応管１３には、送り込まれないように
する。
料ガスによる気相成長を停止して、他の原料ガス供給源
３２からの原料ガスによる気相成長を行うとき等には、
原料ガス供給源３２からの原料ガスを、図３に示すバル
ブ９１を閉じ、バルブ９２を開くことにより、廃棄ライ
ン２０に導き、反応管１３には、送り込まれないように
する。
【０００９】したがってこの場合、廃棄ライン２０に導
かれた原料ガスは、使用されることなく排気されること
となるため、原料ガスは無駄になる。
かれた原料ガスは、使用されることなく排気されること
となるため、原料ガスは無駄になる。
【００１０】そこで、この無駄を回避するため、気相成
長の停止あるいは切り換えを行う時は、有機金属ガス供
給源６０に対するキャリアガスの供給を停止したり、原
料ガス供給源３２のガスボンベのバルブ７０を閉めたり
することにより原料ガスの供給を停止することが望まし
い。
長の停止あるいは切り換えを行う時は、有機金属ガス供
給源６０に対するキャリアガスの供給を停止したり、原
料ガス供給源３２のガスボンベのバルブ７０を閉めたり
することにより原料ガスの供給を停止することが望まし
い。
【００１１】しかしながら、この場合、原料ガス供給源
３２のガスボンベのバルブ７０を閉じても、原料ガス
は、原料ガス供給源３２のガスボンベから、反応管１３
に通じる配管内に残存する。
３２のガスボンベのバルブ７０を閉じても、原料ガス
は、原料ガス供給源３２のガスボンベから、反応管１３
に通じる配管内に残存する。
【００１２】原料ガス供給源３２のガスボンベに充填さ
れた原料ガスは、特に、ＭＯＣＶＤ装置により、化合物
半導体膜を成膜する場合には、人体に有害な物質である
場合が多く、上述のように装置内に残存することは望ま
しくない。
れた原料ガスは、特に、ＭＯＣＶＤ装置により、化合物
半導体膜を成膜する場合には、人体に有害な物質である
場合が多く、上述のように装置内に残存することは望ま
しくない。
【００１３】そこで、図２に示すように、原料ガス供給
源３２と反応管１３との間に、装置の配管内に残存した
原料ガスを、装置外に排気することのできるパージライ
ン８０を設けることが提案されている。すなわち、気相
成長を停止する際には、原料ガス供給源３２のガスボン
ベのバルブ７０を閉じるとともに、パージライン８０の
バルブ８１を開き、Ｈ2 ガス、あるいはＮ2 ガスを流す
ことにより、配管内に残存した原料ガスを排気するもの
である。
源３２と反応管１３との間に、装置の配管内に残存した
原料ガスを、装置外に排気することのできるパージライ
ン８０を設けることが提案されている。すなわち、気相
成長を停止する際には、原料ガス供給源３２のガスボン
ベのバルブ７０を閉じるとともに、パージライン８０の
バルブ８１を開き、Ｈ2 ガス、あるいはＮ2 ガスを流す
ことにより、配管内に残存した原料ガスを排気するもの
である。
【００１４】このような構成にすれば、気相成長を停止
する場合に、原料ガス供給源３２のガスボンベのバルブ
７０を閉じた場合であっても、気相成長装置内に原料ガ
スが残存することを防止することができる。
する場合に、原料ガス供給源３２のガスボンベのバルブ
７０を閉じた場合であっても、気相成長装置内に原料ガ
スが残存することを防止することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルシ
ン（ＡｓＨ3 ）やホスフィン（ＰＨ3 ）等の特殊Ｖ族ガ
スは、一般に粘性が高いことから、上述したように特定
原料による気相成長を停止して、他の原料ガスと交換し
たりする場合に、原料ガス供給源３２のガスボンベのバ
ルブ７０を閉じると、これら粘性の高い原料ガスの流れ
が止まるため、被気相成長基板上に気相成長を行う反応
管１３内の圧力に変化が生じる。
ン（ＡｓＨ3 ）やホスフィン（ＰＨ3 ）等の特殊Ｖ族ガ
スは、一般に粘性が高いことから、上述したように特定
原料による気相成長を停止して、他の原料ガスと交換し
たりする場合に、原料ガス供給源３２のガスボンベのバ
ルブ７０を閉じると、これら粘性の高い原料ガスの流れ
が止まるため、被気相成長基板上に気相成長を行う反応
管１３内の圧力に変化が生じる。
【００１６】このような反応管１３内の圧力の変化は、
基板１６上に気相成長させる化合物半導体の膜質の低
下、および組成変動の原因となる。
基板１６上に気相成長させる化合物半導体の膜質の低
下、および組成変動の原因となる。
【００１７】そこで、本発明者らは、鋭意研究を重ねた
結果、原料ガス供給源である原料ガスボンベのバルブを
閉じた際に生じる反応管１３内の圧力の変化を回避する
ことのできる構成を有する気相成長装置を提供するに至
った。
結果、原料ガス供給源である原料ガスボンベのバルブを
閉じた際に生じる反応管１３内の圧力の変化を回避する
ことのできる構成を有する気相成長装置を提供するに至
った。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともガ
スボンベを一部の原料ガス供給源として有する気相成長
装置において、気相成長がなされる反応管に対して、上
記ガスボンベによる原料ガス供給源からの原料ガスと、
キャリアガスとを切り換えて供給する切り換え手段を設
ける。
スボンベを一部の原料ガス供給源として有する気相成長
装置において、気相成長がなされる反応管に対して、上
記ガスボンベによる原料ガス供給源からの原料ガスと、
キャリアガスとを切り換えて供給する切り換え手段を設
ける。
【００１９】本発明によれば、ガスボンベによる原料ガ
スの粘性が高い場合においても、その原料ガスの切り換
え等において、この原料ガスボンベのバルブを閉じた際
に、これに見合ったキャリアガスの供給を行うことがで
きるので、気相成長を行う反応管内の圧力の変化を回避
することができる。
スの粘性が高い場合においても、その原料ガスの切り換
え等において、この原料ガスボンベのバルブを閉じた際
に、これに見合ったキャリアガスの供給を行うことがで
きるので、気相成長を行う反応管内の圧力の変化を回避
することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の気相成長装置の
一実施例として、有機金属気相成長装置（ＭＯＣＶＤ装
置）を挙げて説明する。
一実施例として、有機金属気相成長装置（ＭＯＣＶＤ装
置）を挙げて説明する。
【００２１】図１に本発明の気相成長装置の概略図を示
す。本発明の気相成長装置は、少なくとも高圧ガスボン
ベを一部の原料ガス供給源３２に有する気相成長装置に
おいて、反応管１３に対して、原料ガス供給源３２の原
料ガスボンベからの原料ガス供給と、キャリアガス供給
源１２からのキャリアガスとを、例えば気相成長中に、
バルブ１００ａおよび１００ｂの開閉操作によって、切
り換えて供給する切り換え手段１００を設けたものであ
る。
す。本発明の気相成長装置は、少なくとも高圧ガスボン
ベを一部の原料ガス供給源３２に有する気相成長装置に
おいて、反応管１３に対して、原料ガス供給源３２の原
料ガスボンベからの原料ガス供給と、キャリアガス供給
源１２からのキャリアガスとを、例えば気相成長中に、
バルブ１００ａおよび１００ｂの開閉操作によって、切
り換えて供給する切り換え手段１００を設けたものであ
る。
【００２２】例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ系、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系等の化合物半導体のＭＯＣＶＤ法によるエ
ピタキシーは、III族原料としては、トリメチルガリウ
ム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属
ガスを得る有機金属ガス供給源６０が設けられ、この場
合Ｖ族原料を供給する原料ガス供給源３２としては、ア
ルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化
物が設けられる。このアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィ
ン（ＰＨ3 ）等のＶ族の特殊原料ガスの供給源は、高圧
ガスボンベによるものであり、これらの特殊ガスは、そ
の粘性が高い。
ＧａＩｎＰ系等の化合物半導体のＭＯＣＶＤ法によるエ
ピタキシーは、III族原料としては、トリメチルガリウ
ム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ
ｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属
ガスを得る有機金属ガス供給源６０が設けられ、この場
合Ｖ族原料を供給する原料ガス供給源３２としては、ア
ルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）等の水素化
物が設けられる。このアルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィ
ン（ＰＨ3 ）等のＶ族の特殊原料ガスの供給源は、高圧
ガスボンベによるものであり、これらの特殊ガスは、そ
の粘性が高い。
【００２３】有機金属ガス供給源６０は、密閉槽１１内
に有機金属原料が収容され、これに純化装置（図示せ
ず）により高純度化されたキャリアガス供給源１２から
のキャリアガス、例えばＨ2 ガスや、Ｎ2 ガスを、マス
フローコントローラ（ＭＦＣ）１７を通じて、流量制御
して、キャリアガス供給管５１から吹き込み、バブリン
グを行って、キャリアガスとともに有機金属ガスを、有
機金属ガス取り出し管５２から取り出し、目的とする気
相成長を行う反応管１３に導く。
に有機金属原料が収容され、これに純化装置（図示せ
ず）により高純度化されたキャリアガス供給源１２から
のキャリアガス、例えばＨ2 ガスや、Ｎ2 ガスを、マス
フローコントローラ（ＭＦＣ）１７を通じて、流量制御
して、キャリアガス供給管５１から吹き込み、バブリン
グを行って、キャリアガスとともに有機金属ガスを、有
機金属ガス取り出し管５２から取り出し、目的とする気
相成長を行う反応管１３に導く。
【００２４】一方、図１中に示した原料ガス供給源３２
の原料ガスを、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２７
を通じて流量制御して取り出し、目的とする気相成長を
行う反応管１３に導く。
の原料ガスを、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２７
を通じて流量制御して取り出し、目的とする気相成長を
行う反応管１３に導く。
【００２５】図１においては、それぞれ１つの有機金属
ガス供給源６０と原料ガス供給源３２を代表的に示した
が、実際には、各原料ごとにそれぞれ有機金属ガス供給
源６０と原料ガス供給源３２が配置される。
ガス供給源６０と原料ガス供給源３２を代表的に示した
が、実際には、各原料ごとにそれぞれ有機金属ガス供給
源６０と原料ガス供給源３２が配置される。
【００２６】このようにして反応管１３に送り込まれた
有機金属ガス供給源６０からの有機金属ガス、および原
料ガス供給源３２からの原料ガスは、高周波コイル等の
加熱手段１４によって、一定温度に保たれたサセプタ１
５上の基板１６に送り込まれ、そこで熱分解を起こして
基板１６上に目的とする化合物半導体層の気相成長例え
ばエピタキシャル成長を行う。
有機金属ガス供給源６０からの有機金属ガス、および原
料ガス供給源３２からの原料ガスは、高周波コイル等の
加熱手段１４によって、一定温度に保たれたサセプタ１
５上の基板１６に送り込まれ、そこで熱分解を起こして
基板１６上に目的とする化合物半導体層の気相成長例え
ばエピタキシャル成長を行う。
【００２７】なお、気相成長を行うときには、切り換え
手段１００のバルブ１００ａを閉じ、バルブ１００ｂは
開いた状態としておく。この切り換え手段１００のバル
ブ１００ａおよび１００ｂは、互いに連動し、１００ａ
を閉じたときには、１００ｂが開くようになっており、
１００ａを開いたときには、１００ｂが閉じるようにな
っている。
手段１００のバルブ１００ａを閉じ、バルブ１００ｂは
開いた状態としておく。この切り換え手段１００のバル
ブ１００ａおよび１００ｂは、互いに連動し、１００ａ
を閉じたときには、１００ｂが開くようになっており、
１００ａを開いたときには、１００ｂが閉じるようにな
っている。
【００２８】一方、この構成において、気相成長層の組
成を変更する場合、特に上述の特殊Ｖ族原料ガスの、例
えばホスフィン（ＰＨ3 ）をアルシン（ＡｓＨ3 ）に変
更する場合、一旦ホスフィン（ＰＨ3 ）を停止してアル
シン（ＡｓＨ3 ）の供給を行うことになるが、この場
合、ホスフィン（ＰＨ3 ）原料ガス供給源３２からの原
料ガスを、切り換え手段１００のバルブ１００ｂを閉じ
ることにより停止し、これと同時に切り換え手段１００
のバルブ１００ａを開く。
成を変更する場合、特に上述の特殊Ｖ族原料ガスの、例
えばホスフィン（ＰＨ3 ）をアルシン（ＡｓＨ3 ）に変
更する場合、一旦ホスフィン（ＰＨ3 ）を停止してアル
シン（ＡｓＨ3 ）の供給を行うことになるが、この場
合、ホスフィン（ＰＨ3 ）原料ガス供給源３２からの原
料ガスを、切り換え手段１００のバルブ１００ｂを閉じ
ることにより停止し、これと同時に切り換え手段１００
のバルブ１００ａを開く。
【００２９】このようにすることにより、キャリアガス
供給源１２からのキャリアガスを、マスフローコントロ
ーラ３７により流量制御して、原料ガスと切り換えて、
反応管１３内に供給する。このとき、原料ガス供給源３
２からの原料ガスは、キャリアガスよりも粘性が高いた
め、同流量では圧力の変動を回避できない。
供給源１２からのキャリアガスを、マスフローコントロ
ーラ３７により流量制御して、原料ガスと切り換えて、
反応管１３内に供給する。このとき、原料ガス供給源３
２からの原料ガスは、キャリアガスよりも粘性が高いた
め、同流量では圧力の変動を回避できない。
【００３０】すなわち、この場合、従来の構成の気相成
長装置のように、原料ガス供給源３２のバルブ７０を閉
じて原料ガスを停止した場合に、反応管１３内に生じる
圧力の変動を回避するに必要とされる量のキャリアガス
を反応管１３内に供給するようにキャリアガスの供給量
を調節する。このようにすることにより、反応管１３内
に圧力の変化が生じることを回避することができる。
長装置のように、原料ガス供給源３２のバルブ７０を閉
じて原料ガスを停止した場合に、反応管１３内に生じる
圧力の変動を回避するに必要とされる量のキャリアガス
を反応管１３内に供給するようにキャリアガスの供給量
を調節する。このようにすることにより、反応管１３内
に圧力の変化が生じることを回避することができる。
【００３１】また、さらに気相成長を開始する場合に
は、この気相成長を行うときに用いる原料ガス供給源３
２に対応して設けられた切り換え手段１００のバルブ１
００ａを閉じ、１００ｂを開くことにより、反応管１３
に対するキャリアガスの供給を止め、原料ガス供給源３
２から、原料ガスを反応管１３に導くことができる。
は、この気相成長を行うときに用いる原料ガス供給源３
２に対応して設けられた切り換え手段１００のバルブ１
００ａを閉じ、１００ｂを開くことにより、反応管１３
に対するキャリアガスの供給を止め、原料ガス供給源３
２から、原料ガスを反応管１３に導くことができる。
【００３２】なお、原料ガス供給源３２と切り換え手段
１００との間に、気相成長装置の配管内に残存した原料
ガスを、装置外に排気することのできるパージライン８
０を設けて、エピタキシャル成長を停止する際には、原
料ガス供給源３２のガスボンベのバルブ７０を閉じると
ともに、パージライン８０のバルブ８１を開き、Ｈ2ガ
ス、あるいはＮ2 ガスを流すことにより、配管内に残存
した原料ガスを排気する。
１００との間に、気相成長装置の配管内に残存した原料
ガスを、装置外に排気することのできるパージライン８
０を設けて、エピタキシャル成長を停止する際には、原
料ガス供給源３２のガスボンベのバルブ７０を閉じると
ともに、パージライン８０のバルブ８１を開き、Ｈ2ガ
ス、あるいはＮ2 ガスを流すことにより、配管内に残存
した原料ガスを排気する。
【００３３】上述した実施例においては、有機金属気相
成長装置（ＭＯＣＶＤ装置）に適用する場合について説
明したが、本発明は、この例に限定されるものではな
く、原料ガスの供給源として、ガスボンベを使用するも
のであれば、いかなる気相成長装置についても適用する
ことができる。
成長装置（ＭＯＣＶＤ装置）に適用する場合について説
明したが、本発明は、この例に限定されるものではな
く、原料ガスの供給源として、ガスボンベを使用するも
のであれば、いかなる気相成長装置についても適用する
ことができる。
【００３４】また、ガスボンベによる特殊原料ガスにつ
いても、ＡｓＨ3 、ＰＨ3 に限定されることなく、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｈ2 Ｓｅ等、種々のガスを使用する場合について
も適用することができる。
いても、ＡｓＨ3 、ＰＨ3 に限定されることなく、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｈ2 Ｓｅ等、種々のガスを使用する場合について
も適用することができる。
【００３５】本発明は、少なくともガスボンベを一部の
原料ガス供給源３２に有する気相成長装置において、気
相成長がなされる反応管１３に対して、ガスボンベによ
る原料ガス供給源３２の原料ガスと、キャリアガスとを
切り換えて供給する切り換え手段１００を設けたもので
ある。
原料ガス供給源３２に有する気相成長装置において、気
相成長がなされる反応管１３に対して、ガスボンベによ
る原料ガス供給源３２の原料ガスと、キャリアガスとを
切り換えて供給する切り換え手段１００を設けたもので
ある。
【００３６】本発明によれば、原料ガス供給源３２であ
るガスボンベのバルブを閉じて、原料ガスの切り換え、
あるいは停止を行う場合にも、気相成長を行う反応管１
３内の圧力の変化を回避することができ、気相成長させ
た半導体等の膜質の低減および組成の変動を効果的に回
避することができ、積層構造の半導体膜を成膜する場合
には、各半導体膜の組成の急峻性を保持することができ
た。
るガスボンベのバルブを閉じて、原料ガスの切り換え、
あるいは停止を行う場合にも、気相成長を行う反応管１
３内の圧力の変化を回避することができ、気相成長させ
た半導体等の膜質の低減および組成の変動を効果的に回
避することができ、積層構造の半導体膜を成膜する場合
には、各半導体膜の組成の急峻性を保持することができ
た。
【００３７】また、気相成長の切り換え、あるいは停止
をするときに、原料ガスの供給を原料ガスボンベのバル
ブを閉じて停止する構成としたため、原料ガスを廃棄す
ることを必要とせず、原料ガスの無駄を回避することが
できた。
をするときに、原料ガスの供給を原料ガスボンベのバル
ブを閉じて停止する構成としたため、原料ガスを廃棄す
ることを必要とせず、原料ガスの無駄を回避することが
できた。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、原料ガス供給源である
ガスボンベのバルブを閉じて、原料ガスの切り換え、あ
るいは停止を行う場合にも、気相成長を行う反応管内の
圧力の変化を回避することができ、気相成長させた半導
体等の膜質の低減および組成の変動を効果的に回避する
ことができた。
ガスボンベのバルブを閉じて、原料ガスの切り換え、あ
るいは停止を行う場合にも、気相成長を行う反応管内の
圧力の変化を回避することができ、気相成長させた半導
体等の膜質の低減および組成の変動を効果的に回避する
ことができた。
【００３９】また、原料ガスの切り換え、あるいは停止
を行うときに、原料ガスの供給をガスボンベのバルブを
閉じて停止する構成としたため、原料ガスを廃棄するこ
とを必要とせず、原料ガスの無駄を回避することができ
た。
を行うときに、原料ガスの供給をガスボンベのバルブを
閉じて停止する構成としたため、原料ガスを廃棄するこ
とを必要とせず、原料ガスの無駄を回避することができ
た。
【図１】本発明の気相成長装置の概略図を示す。
【図２】従来の気相成長装置の概略図を示す。
【図３】従来の気相成長装置の概略図を示す。
１１ 密閉槽、１２ キャリアガス供給源、１３ 反応
室、１４ 加熱手段、１５ サセプタ、１６ 基板、１
７，２７ マスフローコントローラ、３２ 原料ガス供
給源、５１ キャリアガス供給管、５２ 有機金属ガス
取り出し管、６０ 有機金属ガス供給源、７０，８１
バルブ、８０ パージライン、１００切り換え手段、１
００ａ，１００ｂ バルブ
室、１４ 加熱手段、１５ サセプタ、１６ 基板、１
７，２７ マスフローコントローラ、３２ 原料ガス供
給源、５１ キャリアガス供給管、５２ 有機金属ガス
取り出し管、６０ 有機金属ガス供給源、７０，８１
バルブ、８０ パージライン、１００切り換え手段、１
００ａ，１００ｂ バルブ
Claims (1)
- 【請求項１】 ガスボンベを少なくとも原料ガス供給源
の一部として有する気相成長装置において、 気相成長がなされる反応管に対して、上記ガスボンベに
よる原料ガス供給源からの原料ガスと、キャリアガスと
を切り換え供給する切り換え手段を設けたことを特徴と
する気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056797A JPH10223536A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056797A JPH10223536A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223536A true JPH10223536A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12030767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2056797A Pending JPH10223536A (ja) | 1997-02-03 | 1997-02-03 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223536A (ja) |
-
1997
- 1997-02-03 JP JP2056797A patent/JPH10223536A/ja active Pending
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