JPH03142922A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
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- JPH03142922A JPH03142922A JP28251989A JP28251989A JPH03142922A JP H03142922 A JPH03142922 A JP H03142922A JP 28251989 A JP28251989 A JP 28251989A JP 28251989 A JP28251989 A JP 28251989A JP H03142922 A JPH03142922 A JP H03142922A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 15
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- MGYGFNQQGAQEON-UHFFFAOYSA-N 4-tolyl isocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 MGYGFNQQGAQEON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100240461 Dictyostelium discoideum ngap gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 M-V group compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体気相成長装置のガス配管構造に関する
ものであり、急峻なガス切替えにより良質な結晶成長層
を得るための半導体気相成長装置に関する。
ものであり、急峻なガス切替えにより良質な結晶成長層
を得るための半導体気相成長装置に関する。
ｍ−ｖ族化合物半導体は、ＧａＡｓ系・ＩｎＰ系を中心
に、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）
等の発光素子、高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）など
の超高速電子素子などに応用され、半導体の中でＳｉと
ともに重要な位置を占めている。
に、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）
等の発光素子、高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）など
の超高速電子素子などに応用され、半導体の中でＳｉと
ともに重要な位置を占めている。
■−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法は、次の３種類に
大別できる。
大別できる。
１）気相成長方法（ＶＰＥ法）
２）分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）３）液相エピタ
キシャル成長法（ＬＰＥ法）この中で、ＶＰＥ法は、量
産性や結晶ＮＢ、厚の均一性に優れ、盛んに研究されて
いる。
キシャル成長法（ＬＰＥ法）この中で、ＶＰＥ法は、量
産性や結晶ＮＢ、厚の均一性に優れ、盛んに研究されて
いる。
ＶＰＥ法には、ハイドライドＶＰＥ法、クロライドＶＰ
Ｅ法、有機金属ＶＰＥ法（ＭＯＶＰＥ法）があるが、こ
の中でもＭＯＶＰＥ法は膜厚の制御性に優れ、超格子な
どの薄膜多層構造の形成に適しており、近年とくに注目
されている。
Ｅ法、有機金属ＶＰＥ法（ＭＯＶＰＥ法）があるが、こ
の中でもＭＯＶＰＥ法は膜厚の制御性に優れ、超格子な
どの薄膜多層構造の形成に適しており、近年とくに注目
されている。
本発明は、ＭＯＶＰＥ法の成長装置に関するものであり
、ＧａＡｓ基板上へのＩ ｎＧａＰ混晶半導体のエピタ
キシャル成長について、本発明に先行する従来技術の半
導体気相成長装置の概略を説明する。
、ＧａＡｓ基板上へのＩ ｎＧａＰ混晶半導体のエピタ
キシャル成長について、本発明に先行する従来技術の半
導体気相成長装置の概略を説明する。
第４図は、ＧａＡｓ基板上にＩ ｎＧａＰ混晶を成長さ
せるための従来の常圧ＭＯＶＰＥ戒長装置成長例を示し
たものである。
せるための従来の常圧ＭＯＶＰＥ戒長装置成長例を示し
たものである。
ＧａおよびＩｎの原料には、有機金属化合物であるトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ）を用い、これらは、ストップバルブの付いた保存
容器（１） （２）内に保存され、容器内に流入させる
水素（Ｈ２）ガス中に気化させて供給させるものである
。このため、保存容器（１） （２）は恒温槽（３）
（４）内で一定温度に保ち、かつ、Ｈｚ流量をマスフロ
ーコントローラ（５） （６） テ精密に制御し、有機
金属の供給量を一定に保つ必要がある。蒸発した有機金
属原料は３方コツク（７） （８）、導入配管（９）を
通って成長室（ｌＯ）に導かれる。
メチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ）を用い、これらは、ストップバルブの付いた保存
容器（１） （２）内に保存され、容器内に流入させる
水素（Ｈ２）ガス中に気化させて供給させるものである
。このため、保存容器（１） （２）は恒温槽（３）
（４）内で一定温度に保ち、かつ、Ｈｚ流量をマスフロ
ーコントローラ（５） （６） テ精密に制御し、有機
金属の供給量を一定に保つ必要がある。蒸発した有機金
属原料は３方コツク（７） （８）、導入配管（９）を
通って成長室（ｌＯ）に導かれる。
一方、ＡｓおよびＰの原料にはそれぞれの水素化合物で
あるアルシン（Ａ ｓ Ｈ３） 、ホスフィン（Ｐ）（
、）を用い、これらは、純ガスのまま、あるいは、Ｈ２
により希釈されてボンベ（１１） （１２）内に保存さ
れており、マスフローコントローラ（１３）（１４）に
より流量制御されて、３方コツク（１５） （１６）お
よび導入配管（９）を通って成長室（１０）に導かれる
。エピタキシャル成長の開始あるいは終了は、それぞれ
の原料ガスの３方コツク（１５） （１６）を導入配管
（９）側もしくは捨て配管（１７）側に切り換えること
により行う。
あるアルシン（Ａ ｓ Ｈ３） 、ホスフィン（Ｐ）（
、）を用い、これらは、純ガスのまま、あるいは、Ｈ２
により希釈されてボンベ（１１） （１２）内に保存さ
れており、マスフローコントローラ（１３）（１４）に
より流量制御されて、３方コツク（１５） （１６）お
よび導入配管（９）を通って成長室（１０）に導かれる
。エピタキシャル成長の開始あるいは終了は、それぞれ
の原料ガスの３方コツク（１５） （１６）を導入配管
（９）側もしくは捨て配管（１７）側に切り換えること
により行う。
成長室〈ｌＯ〉には、結晶成長用のＧａＡｓ基板（１８
）を載せたカーボン製サセプタ（１９）が置かれ、これ
を高周波コイル（２０）で加熱し、導入された原料ガス
の熱分解もしくは化学反応により基板上にエピタキシャ
ル成長させるものである。
）を載せたカーボン製サセプタ（１９）が置かれ、これ
を高周波コイル（２０）で加熱し、導入された原料ガス
の熱分解もしくは化学反応により基板上にエピタキシャ
ル成長させるものである。
以上の常圧ＭＯＶＰＥ装置で実際にＩｎＧａＰ混晶を成
長させる操作について第３図を用いて説明する。
長させる操作について第３図を用いて説明する。
まず、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＰＨ３をＨ２キャリアガスとと
もに捨て配管（１７）に流し、導入配管（９）には昇温
時のＧａＡｓ基板の熱解離を防ぐためにＡｓＨ，をＨ！
キャリアガスとともに流して、時刻ｔ１から基板（１８
）を所定温度に昇温する。
もに捨て配管（１７）に流し、導入配管（９）には昇温
時のＧａＡｓ基板の熱解離を防ぐためにＡｓＨ，をＨ！
キャリアガスとともに流して、時刻ｔ１から基板（１８
）を所定温度に昇温する。
時刻ｔ２の成長開始時には、成長室（ｌＯ）へのＡｓＨ
ｌを捨て配管（１７〉に切り換えて供給を停止すると同
時に、Ｔ Ｍ Ｇ 、 Ｔ Ｍ Ｉ 、 Ｐ Ｈｓを
３方コツク（７） （８） （１６）で導入配管（９）
に接続して成長室（１０）に導入し、Ｉ ｎＧａ Ｐ混
晶のエピタキシャル成長を開始する。
ｌを捨て配管（１７〉に切り換えて供給を停止すると同
時に、Ｔ Ｍ Ｇ 、 Ｔ Ｍ Ｉ 、 Ｐ Ｈｓを
３方コツク（７） （８） （１６）で導入配管（９）
に接続して成長室（１０）に導入し、Ｉ ｎＧａ Ｐ混
晶のエピタキシャル成長を開始する。
所定時間後、時刻ｔ、にて成長を終了するには、３方コ
ツク（７） （８）を切り換えてＴＭＧ、ＴＭＩの供給
を停止し、成長層の熱解離を防ぐためにＰＨ。
ツク（７） （８）を切り換えてＴＭＧ、ＴＭＩの供給
を停止し、成長層の熱解離を防ぐためにＰＨ。
を流したまま降温する。
しかしながら、上記従来の半導体気相成長装置では、３
方コツクを別々軽操作しなければならず、また、３方コ
ツクから成長室までの配管長さが異なるために、ＧａＡ
ｓ基板上に原料ガスを同時に供給し、且つ、供給を停止
することは極めて困難で、エピタキシャル成長の開始時
、もしくは、組成切り換え時に以下のような問題が生じ
ていた。
方コツクを別々軽操作しなければならず、また、３方コ
ツクから成長室までの配管長さが異なるために、ＧａＡ
ｓ基板上に原料ガスを同時に供給し、且つ、供給を停止
することは極めて困難で、エピタキシャル成長の開始時
、もしくは、組成切り換え時に以下のような問題が生じ
ていた。
１）有機金属とＰＨ，とめ供給タイミングがずれ、基板
上に有機金属の液滴や２４分子の付着が生じる。
上に有機金属の液滴や２４分子の付着が生じる。
２ ） Ａ ｓ Ｈｓ停止が早すぎてＧａＡｓが熱解離
する。
する。
３）ＡｓＨｓがＩ ｎＧａ Ｐ成長に混入して異常組成
の層ができる。
の層ができる。
これらの原因により、成長界面での結晶性が劣化し、結
果として、得られるエピタキシャル成長層の品質を悪化
させることになっていた。
果として、得られるエピタキシャル成長層の品質を悪化
させることになっていた。
本発明は、上記従来の欠点を解決するもので、■族及び
■族元素原料の半導体基板上への供給を同時に行うこと
のできる半導体気相成長装置を提供することを課題とし
ている。
■族元素原料の半導体基板上への供給を同時に行うこと
のできる半導体気相成長装置を提供することを課題とし
ている。
上記課題を解決するために、本発明では、ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体の結晶成長を行う半導体気相成長装置にお
いて、■族及びＶ族元素原料を混合させて供給する第１
のガス配管系と、Ｖ族元素原料ガスを供給する第２のガ
ス配管系とを合わせ持つとともに、これら２系統のガス
配管系のそれぞれを成長型及び捨て配管のいずれか一方
に選択的に接続する切替え弁を備えるという手段を講じ
た。
化合物半導体の結晶成長を行う半導体気相成長装置にお
いて、■族及びＶ族元素原料を混合させて供給する第１
のガス配管系と、Ｖ族元素原料ガスを供給する第２のガ
ス配管系とを合わせ持つとともに、これら２系統のガス
配管系のそれぞれを成長型及び捨て配管のいずれか一方
に選択的に接続する切替え弁を備えるという手段を講じ
た。
また、前記２系統のガス配管系を、単一の切替え弁によ
って成長型及び捨て配管のいずれか一方に選択的に接続
するようにしても良い。
って成長型及び捨て配管のいずれか一方に選択的に接続
するようにしても良い。
以上の構成によれば、■族及びＶ族元素原料ガスを混合
した状態から３方コツク等の切替え弁により導入配管及
び捨て配管のいずれか一方に切替えるので、原理的に、
各原料ガスを同時に半導体基板上に供給できる。
した状態から３方コツク等の切替え弁により導入配管及
び捨て配管のいずれか一方に切替えるので、原理的に、
各原料ガスを同時に半導体基板上に供給できる。
さらに、上記混合ガス配管系とＶ族元素ガス配管系との
成長型への接続切替えを、単一の切替え弁により行うよ
うにすると、半導体基板上での両者のガス切替えが瞬時
に行われる。
成長型への接続切替えを、単一の切替え弁により行うよ
うにすると、半導体基板上での両者のガス切替えが瞬時
に行われる。
以下に、本発明にかかる半導体気相成長装置を図面に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
第１図は、本発明の第一の実施例に於けるＩｎＧａＰ混
晶威長用常成長ＯＶＰＥ成長装置の概略図である。
晶威長用常成長ＯＶＰＥ成長装置の概略図である。
従来例と異なるのは、ＴＭＧ、ＴＭｌ、ＰＨ３およびＡ
ｓＨ，を混合して供給する混合ガス配管系（２１）と、
Ａｓ）１．およびＰｉ（Ｉガスのみを供給する５族ガス
配管系（２２）とを別に設け、それぞれを、３方コツク
の切り替えで捨て配管（２３）あるいは成長型（２４）
に接続できる点である。
ｓＨ，を混合して供給する混合ガス配管系（２１）と、
Ａｓ）１．およびＰｉ（Ｉガスのみを供給する５族ガス
配管系（２２）とを別に設け、それぞれを、３方コツク
の切り替えで捨て配管（２３）あるいは成長型（２４）
に接続できる点である。
第１図の半導体気相成長装置を用いて、ＧａＡｓ基板上
にＩ ｎＧａ Ｐ混晶のエピタキシャル成長を行い、従
来技術によるものと、結晶性及び表面モフォロジーを比
較した。
にＩ ｎＧａ Ｐ混晶のエピタキシャル成長を行い、従
来技術によるものと、結晶性及び表面モフォロジーを比
較した。
実施例における成長方法は以下の通りである。
ＴＭＧ、ＴＭＩは恒温槽（２５） （２６）により、そ
れぞれ−１５℃、７．０℃に保温し、また、ＰＨ，、Ａ
ｓＨ３はそれぞれ、２５％、１０％にＨ８希釈したもの
を用いた。まず、各原料ガスの流量を所定の値に設定し
た状態で混合ガス配管（２１）を捨て配管（２３）に接
続し、■族ガス配管（２２）を成長型（２４）に接続し
た。この状態で半導体基板（２７）を加熱し、所定温度
（例えば７００″′Ｃ）に落ち着いた時刻ｔ２で、Ｖ族
ガス配管（２２〉の３方コツク（２８）及び、混合ガス
配管（２１）の３方コツク（２９）を切り換えて、Ａｓ
Ｈ３の成長型（２４）への供給を停止すると同時に、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＩ、Ｐ）（ｓの混合ガスを成長型（２４）に
導入した。
れぞれ−１５℃、７．０℃に保温し、また、ＰＨ，、Ａ
ｓＨ３はそれぞれ、２５％、１０％にＨ８希釈したもの
を用いた。まず、各原料ガスの流量を所定の値に設定し
た状態で混合ガス配管（２１）を捨て配管（２３）に接
続し、■族ガス配管（２２）を成長型（２４）に接続し
た。この状態で半導体基板（２７）を加熱し、所定温度
（例えば７００″′Ｃ）に落ち着いた時刻ｔ２で、Ｖ族
ガス配管（２２〉の３方コツク（２８）及び、混合ガス
配管（２１）の３方コツク（２９）を切り換えて、Ａｓ
Ｈ３の成長型（２４）への供給を停止すると同時に、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＩ、Ｐ）（ｓの混合ガスを成長型（２４）に
導入した。
所定時間の後、時刻ｔ３でエピタキシャル成長を終了す
るためには、まず、Ｖ族ガス配管（２２）のＡｓＨ，を
停止し、ＰＨ，に切り換えた。この状態で３方コツク（
２８） （２９）を同時に切り換えて、混合ガス配管（
２１）を捨て配管（２３）に接続すると同時に、成長槽
の熱解離防止のために成長型（２４）にはＰＨ３を流し
、そのまま降温した。
るためには、まず、Ｖ族ガス配管（２２）のＡｓＨ，を
停止し、ＰＨ，に切り換えた。この状態で３方コツク（
２８） （２９）を同時に切り換えて、混合ガス配管（
２１）を捨て配管（２３）に接続すると同時に、成長槽
の熱解離防止のために成長型（２４）にはＰＨ３を流し
、そのまま降温した。
以上の構成の本発明の半導体気相成長装置を従来例と比
較すると、それぞれ、ＧａＡｓ基盤上にＩｎＧａＰ混晶
を約１μｍ成長した試料に対して、光学顕微鏡による表
面モフォロジー観察とＸ線ロッキングカーブの測定とに
より両者を比°較した。
較すると、それぞれ、ＧａＡｓ基盤上にＩｎＧａＰ混晶
を約１μｍ成長した試料に対して、光学顕微鏡による表
面モフォロジー観察とＸ線ロッキングカーブの測定とに
より両者を比°較した。
従来の成長装置で成長した試料では、表面に小丘状の突
起物が多数党られ、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は約
５０秒と広かったのに対し、本発明の半導体気相成長装
置で作製した試料では、表面は平坦で、且つ、半値幅は
約２０秒であった。
起物が多数党られ、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は約
５０秒と広かったのに対し、本発明の半導体気相成長装
置で作製した試料では、表面は平坦で、且つ、半値幅は
約２０秒であった。
Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は狭いほど結晶性が優れ
ていることを示し、本発明の半導体気相成長装置で作製
した試料の方が良質のエピタキシャル成長層であること
が確認できた。。
ていることを示し、本発明の半導体気相成長装置で作製
した試料の方が良質のエピタキシャル成長層であること
が確認できた。。
次に、第２の実施例について説明する。
第２図は、本実施例に用いた半導体気相成長装置におい
て、第２の実施例と第１の実施例との異なる点を示すガ
ス配管図である。
て、第２の実施例と第１の実施例との異なる点を示すガ
ス配管図である。
第１の実施例では、混合ガス配管（２１）及びＶ族ガス
配管（２２）の成長型（２４〉と捨て配管（２３）との
接続切り替えに、第１図の３方コツク（２Ｂ） （２９
）及び、第２図（ａ）に示す別々の３方コツクを用いて
いたが、本実施例では第２図（ｂ）に示すように、上記
両ガス配管の接続切り替え弁に４方コツクを用いた。こ
のような構成の常圧ＭＯＶＰＥ装置を用い、第１の実施
例と同様の方法でＧａＡｓ基盤上にＩｎＧａＰ混晶を成
長し評価したところ、第１の実施例に比べ、更に良質の
結晶が得られることが判明した。
配管（２２）の成長型（２４〉と捨て配管（２３）との
接続切り替えに、第１図の３方コツク（２Ｂ） （２９
）及び、第２図（ａ）に示す別々の３方コツクを用いて
いたが、本実施例では第２図（ｂ）に示すように、上記
両ガス配管の接続切り替え弁に４方コツクを用いた。こ
のような構成の常圧ＭＯＶＰＥ装置を用い、第１の実施
例と同様の方法でＧａＡｓ基盤上にＩｎＧａＰ混晶を成
長し評価したところ、第１の実施例に比べ、更に良質の
結晶が得られることが判明した。
以上の実施例のように、■族及びＶ族元素原料を混合さ
せて供給するガス配管系と、Ｖ族元素原料ガスを供給す
る別のガス配管系とを合わせ持ち、これら２系統のガス
配管のそれぞれが切り替え弁により、成長室及び捨て配
管のいずれか一方に選択的に接続でき、更に、上記混合
ガス配管系と■族元素ガス配管系との成長室への接続切
り替えが、同−切り替え弁により行える構成を持つ半導
体気相成長装置により、表面モフォロジーが平坦で、結
晶性に優れたＩ ｎＧａ Ｐエピタキシャル成長層を得
ることができた。
せて供給するガス配管系と、Ｖ族元素原料ガスを供給す
る別のガス配管系とを合わせ持ち、これら２系統のガス
配管のそれぞれが切り替え弁により、成長室及び捨て配
管のいずれか一方に選択的に接続でき、更に、上記混合
ガス配管系と■族元素ガス配管系との成長室への接続切
り替えが、同−切り替え弁により行える構成を持つ半導
体気相成長装置により、表面モフォロジーが平坦で、結
晶性に優れたＩ ｎＧａ Ｐエピタキシャル成長層を得
ることができた。
なお、本発明の実施例では、ＧａＡｓ基盤上へのＩｎＧ
ａＰ混晶のエピタキシャル成長の場合について述べたが
、ＩｎＰ基板上へのＩ ｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡ
ｓＰ混晶のエピタキシャル成長なと異なる■−Ｖ族化合
物半導体の組み合わせにも適応可能であり、また、Ｖ族
元素の異なる■−Ｖ族化合物半導体からなる複数のエピ
タキシャル成長層を形成する際にも有効である。
ａＰ混晶のエピタキシャル成長の場合について述べたが
、ＩｎＰ基板上へのＩ ｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡ
ｓＰ混晶のエピタキシャル成長なと異なる■−Ｖ族化合
物半導体の組み合わせにも適応可能であり、また、Ｖ族
元素の異なる■−Ｖ族化合物半導体からなる複数のエピ
タキシャル成長層を形成する際にも有効である。
更に、本発明の実施例では、ＭＯＶＰＥ戒長法に成長て
述べたが、他の気相成長法での半導体気相成長装置にも
適用可能であることは言うまでもない。
述べたが、他の気相成長法での半導体気相成長装置にも
適用可能であることは言うまでもない。
本発明は、■−Ｖ族化合物半導体の結晶成長を行う半導
体気相成長装置において、■族及びＶ族元素原料を混合
させて供給する第１のガス配管系と、Ｖ族元素原料ガス
を供給する第２のガス配管系とを合わせ持つとともに、
これら２系統のガス配管系のそれぞれを成長室及び捨て
配管のいずれか一方に選択的に接続する切替え弁を備え
ることにより、各原料ガスを同時に半導体基板上に供給
できるので、表面モフォロジーが平坦で且つ結晶性に優
れたエピタキシャル成長層を得ることが可能となる。
体気相成長装置において、■族及びＶ族元素原料を混合
させて供給する第１のガス配管系と、Ｖ族元素原料ガス
を供給する第２のガス配管系とを合わせ持つとともに、
これら２系統のガス配管系のそれぞれを成長室及び捨て
配管のいずれか一方に選択的に接続する切替え弁を備え
ることにより、各原料ガスを同時に半導体基板上に供給
できるので、表面モフォロジーが平坦で且つ結晶性に優
れたエピタキシャル成長層を得ることが可能となる。
更に、前記２系統のガス配管系を単一の切り替え弁によ
り行える構成とすることにより、■族元素とＶ族元素の
原料ガスの半導体基板上への供給及び停止を同時に行う
ことができ、この結果、表面モフォロジーが平坦で、且
つ、結晶性に優れたエピタキシャル成長層を得ることが
できる。
り行える構成とすることにより、■族元素とＶ族元素の
原料ガスの半導体基板上への供給及び停止を同時に行う
ことができ、この結果、表面モフォロジーが平坦で、且
つ、結晶性に優れたエピタキシャル成長層を得ることが
できる。
第１図は本発明の半導体気相成長装置の実施例のガス配
管図、第２図は同装置の切り替え弁の周辺を示すガス配
管図、第３図は本発明の実施例及び従来例に用いたＩ
ｎＧａＰ混晶戒長方成長説明する説明図、第４図は従来
例の半導体製造装置を説明するガス配管図である。 （２１）−・・混合ガス配管（第１のガス配管系）、（
２２）・・・Ｖ族ガス配管（第２のガス配管系） 、（
２３）・・・捨て配管、（２４）−・・成長室、（２８
）−３方コツク（切り替え弁’） 、（２９）−・・３
方コツク（切り替え弁）。 第３図
管図、第２図は同装置の切り替え弁の周辺を示すガス配
管図、第３図は本発明の実施例及び従来例に用いたＩ
ｎＧａＰ混晶戒長方成長説明する説明図、第４図は従来
例の半導体製造装置を説明するガス配管図である。 （２１）−・・混合ガス配管（第１のガス配管系）、（
２２）・・・Ｖ族ガス配管（第２のガス配管系） 、（
２３）・・・捨て配管、（２４）−・・成長室、（２８
）−３方コツク（切り替え弁’） 、（２９）−・・３
方コツク（切り替え弁）。 第３図
Claims (2)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の結晶成長を行う半導体
気相成長装置において、III族及びＶ族元素原料を混合
させて供給する第１のガス配管系と、Ｖ族元素原料ガス
を供給する第２のガス配管系とを合わせ持つとともに、
これら２系統のガス配管系のそれぞれを成長室及び捨て
配管のいずれか一方に選択的に接続する切替え弁を備え
たことを特徴とする半導体気相成長装置。 - （２）前記２系統のガス配管系を、単一の切替え弁によ
って成長室及び捨て配管のいずれか一方に選択的に接続
することを特徴とする請求項（１）記載の半導体気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28251989A JPH03142922A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28251989A JPH03142922A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142922A true JPH03142922A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17653509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28251989A Pending JPH03142922A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009279527A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 調圧機能付高速ガス切替装置 |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP28251989A patent/JPH03142922A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009279527A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 調圧機能付高速ガス切替装置 |
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