JPS6016898A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6016898A JPS6016898A JP12500383A JP12500383A JPS6016898A JP S6016898 A JPS6016898 A JP S6016898A JP 12500383 A JP12500383 A JP 12500383A JP 12500383 A JP12500383 A JP 12500383A JP S6016898 A JPS6016898 A JP S6016898A
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- Japan
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- organic compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体等を基板上に薄膜状に結晶成長
する場合に用いる気相結晶成長装置に関するものである
。
する場合に用いる気相結晶成長装置に関するものである
。
従来例の構成とその問題点
近年、有機化合物、特に■族有機金属化合物や■族有機
化合物等を用いる気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が、大面
積エビクキシャル、量産性、膜厚や組成のｆｌ＋ｌＪ御
性等の点から注目を集め、各所で研究開発が活発に行な
われている。
化合物等を用いる気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）が、大面
積エビクキシャル、量産性、膜厚や組成のｆｌ＋ｌＪ御
性等の点から注目を集め、各所で研究開発が活発に行な
われている。
以下に従来の有機化合物を用いる気相成長装置について
説明する。
説明する。
第１図は従来の有機化合物を用いる気相成長装置のガス
系統図であシ、１は結晶成長室、２は有機化合物ボンベ
、３は有機化合物をボンベから結晶成長室内へ導くステ
ンレス製パイプ、４は有機化合物ボンベへ供給するキャ
リアガスの流量調整用マス７０−コントローラー−、５
１ｄ−Ｖ 放水素化物あるいはＪＩＫ化水素等のガスボ
ンベ、６はＶ放水素化物あるいは塩化水素等の流量調整
用マスフローコントローラー、７はロータリーポンプ、
５ｌ−１１ガス処理装置、９はザセプター、１０は高周
波コイル、１１は基板、１２は熱電対である。第１図に
示す」：うに、従来の有機化合物を用いる気相成長装置
では、有機化合物をボンベから結晶成長室内へ導くステ
ンレス製パイプ３が有機化合物ボンベと結晶成長室の間
で１本に統合され、最終的には有機化合物を導くパイプ
としては１本だけが結晶成長室１に接続されていた。
系統図であシ、１は結晶成長室、２は有機化合物ボンベ
、３は有機化合物をボンベから結晶成長室内へ導くステ
ンレス製パイプ、４は有機化合物ボンベへ供給するキャ
リアガスの流量調整用マス７０−コントローラー−、５
１ｄ−Ｖ 放水素化物あるいはＪＩＫ化水素等のガスボ
ンベ、６はＶ放水素化物あるいは塩化水素等の流量調整
用マスフローコントローラー、７はロータリーポンプ、
５ｌ−１１ガス処理装置、９はザセプター、１０は高周
波コイル、１１は基板、１２は熱電対である。第１図に
示す」：うに、従来の有機化合物を用いる気相成長装置
では、有機化合物をボンベから結晶成長室内へ導くステ
ンレス製パイプ３が有機化合物ボンベと結晶成長室の間
で１本に統合され、最終的には有機化合物を導くパイプ
としては１本だけが結晶成長室１に接続されていた。
しかしながら上記のような構造では５、各有機化合物ボ
ンベから供給される種々の有機化合物が同一のステンレ
ス製パイプ３内を通過することになり、室温では液体で
あるためステンレス製パイプ中を通過する際、その内壁
にその一部が吸着されるという性質がある有機化合物は
、それぞれが混合された状態で吸着してし甘う。そして
例えばある特定の有機化合物しかその供給を必要としな
い場合ニおいても、ステンレス製パイプ内壁に吸着して
いた他の有機化合物が、パイプ内壁から蒸発して必要と
する有機化合物と共に結晶成長室内へ導かれ、所望の成
長結晶が得られないという問題点を有していた。この問
題点は特に混晶成長の場合の組成制御、不純物ドーピン
グの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構造作成の場合の
界面急峻性の制御等を非常に困難なものにしていた。
ンベから供給される種々の有機化合物が同一のステンレ
ス製パイプ３内を通過することになり、室温では液体で
あるためステンレス製パイプ中を通過する際、その内壁
にその一部が吸着されるという性質がある有機化合物は
、それぞれが混合された状態で吸着してし甘う。そして
例えばある特定の有機化合物しかその供給を必要としな
い場合ニおいても、ステンレス製パイプ内壁に吸着して
いた他の有機化合物が、パイプ内壁から蒸発して必要と
する有機化合物と共に結晶成長室内へ導かれ、所望の成
長結晶が得られないという問題点を有していた。この問
題点は特に混晶成長の場合の組成制御、不純物ドーピン
グの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構造作成の場合の
界面急峻性の制御等を非常に困難なものにしていた。
発明の目的
本発明は、上記従来の問題点を解消するもので、結晶成
長時に必要とする有機化合物だけが結晶成長室内に供給
され、不必要な有機化合物は結晶成長室内に一切混入す
ることがなく、所望の結晶を再現性よく成長できる有機
化合物を用いる気相成長装置を提供することを目的とす
る。
長時に必要とする有機化合物だけが結晶成長室内に供給
され、不必要な有機化合物は結晶成長室内に一切混入す
ることがなく、所望の結晶を再現性よく成長できる有機
化合物を用いる気相成長装置を提供することを目的とす
る。
発明の構成
本発明にかかる複数個の有機化合物を用いる化合物半導
体結晶の気相成長装置は、有機化合物をそのボンベ（容
器）から結晶成長室内まで導く管が、有機化合物ボンベ
ごとにそれぞれ独立に備えられ、かつその管と結晶成長
室との接続部にそれぞれ開閉弁が備えられたものである
。従って結晶成長時にはその原料材料となる有機化合物
が結晶成長室内に供給され、その他年必要な有機化合′
勿は一切結晶成長室内に混入することがないため、混晶
成長の場合の組成、不純物ドーピングの場合の不純物濃
度、多層薄膜構造作成の場合の界面急峻性等をＩＪＴＡ
性よく容易に制御することのできるものである。
体結晶の気相成長装置は、有機化合物をそのボンベ（容
器）から結晶成長室内まで導く管が、有機化合物ボンベ
ごとにそれぞれ独立に備えられ、かつその管と結晶成長
室との接続部にそれぞれ開閉弁が備えられたものである
。従って結晶成長時にはその原料材料となる有機化合物
が結晶成長室内に供給され、その他年必要な有機化合′
勿は一切結晶成長室内に混入することがないため、混晶
成長の場合の組成、不純物ドーピングの場合の不純物濃
度、多層薄膜構造作成の場合の界面急峻性等をＩＪＴＡ
性よく容易に制御することのできるものである。
実施例の説明
実施例１
本発明による複数個の有機化合物を用いる化合物半導体
の気相成長装置の具体的なガス系統図を第２図に示す。
の気相成長装置の具体的なガス系統図を第２図に示す。
第２図において、第１図と同一部分には同一番号を付す
。図に示すように、この場合は有機化合物ボンベ２は３
個設置することができ、そのボンベ２がら結晶成長室１
−１８で有機化合物を導くステンレス製パイプ３ばそれ
ぞれのボンベごとに備えて合計３系統とした。またその
ステンレス製パイプ３と結晶成長室１との接続部にそれ
ぞれ空気作動式開閉弁１３を備え／こ。他の部分は従来
の有機化合物を用いる気相成長装置と同じ構造である。
。図に示すように、この場合は有機化合物ボンベ２は３
個設置することができ、そのボンベ２がら結晶成長室１
−１８で有機化合物を導くステンレス製パイプ３ばそれ
ぞれのボンベごとに備えて合計３系統とした。またその
ステンレス製パイプ３と結晶成長室１との接続部にそれ
ぞれ空気作動式開閉弁１３を備え／こ。他の部分は従来
の有機化合物を用いる気相成長装置と同じ構造である。
この本発明による気相成長装置を用いて、１．３μｍ帯
半導体レーザーの一構造であるＺｎ ドープＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、４ｎＰ／ＩｎＰ基板というダブルへテロ
構造作成の場合について以下に述べる。
半導体レーザーの一構造であるＺｎ ドープＩｎＰ／Ｉ
ｎＧａＡｓＰ、４ｎＰ／ＩｎＰ基板というダブルへテロ
構造作成の場合について以下に述べる。
この場合有機化合物には、Ｉｎのソース材料であるＩｎ
（Ｃ２Ｈ６）３．Ｇａソース材料であるＧａ（Ｃ２Ｈ５
）３．Ｐ型不純物のソース材料であるＺｎ（Ｃ２Ｈ６）
３を用いた。捷たＰのソース材料としてＰＨ３ボンベ５
．Ａｓのソース材料としてＡ ｓ Ｈｓボンベ５を用い
た。最初、結晶成長室内１のカーボン製ザセプター上１
１に設置されだＩｎＰ基板１１の温度を成長温度６００
’Ｃ丑で上昇させる。なおこの際、ＩｎＰ基板表面のサ
ーマルダメ＝−ジを防ぐためＶＣＰＨ３を４ ｃｃ／ｕ
ｒｎ供給した。そしてその抜工の表に示す成長条件によ
り順次成長を行なった。
（Ｃ２Ｈ６）３．Ｇａソース材料であるＧａ（Ｃ２Ｈ５
）３．Ｐ型不純物のソース材料であるＺｎ（Ｃ２Ｈ６）
３を用いた。捷たＰのソース材料としてＰＨ３ボンベ５
．Ａｓのソース材料としてＡ ｓ Ｈｓボンベ５を用い
た。最初、結晶成長室内１のカーボン製ザセプター上１
１に設置されだＩｎＰ基板１１の温度を成長温度６００
’Ｃ丑で上昇させる。なおこの際、ＩｎＰ基板表面のサ
ーマルダメ＝−ジを防ぐためＶＣＰＨ３を４ ｃｃ／ｕ
ｒｎ供給した。そしてその抜工の表に示す成長条件によ
り順次成長を行なった。
なお上記の表の中でＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３．Ｇａ（Ｃ２Ｈ
６）３゜Ｚ ｎ （Ｃ２Ｈ５） ３の供給量については
、それぞれ４５℃に保温したＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３ボンベ
２に供給するＨ２の流量、０℃に保温したＧａ（Ｃ２Ｈ
５）３ボンベ２に供給するＨ２の流量、０℃に保温した
Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）３ボンベ２に供給するＨ２の流量を表
わしている。丑だ全流量としては５ ｌ ／ｍｉｎ 、
成長時の結晶成長室内圧としては７６０〜１０ ＭＩＩ
Ｐである。
６）３゜Ｚ ｎ （Ｃ２Ｈ５） ３の供給量については
、それぞれ４５℃に保温したＩｎ（Ｃ２Ｈ５）３ボンベ
２に供給するＨ２の流量、０℃に保温したＧａ（Ｃ２Ｈ
５）３ボンベ２に供給するＨ２の流量、０℃に保温した
Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）３ボンベ２に供給するＨ２の流量を表
わしている。丑だ全流量としては５ ｌ ／ｍｉｎ 、
成長時の結晶成長室内圧としては７６０〜１０ ＭＩＩ
Ｐである。
以上のように本実施例によればＩ ｎ （Ｃ２Ｈ５）３
゜Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３．ｚｎ（Ｃ２Ｈ６）３の結晶成長
室１への供給は、それぞれに対応した空気作動式開閉弁
１３の開閉によって瞬時に行なう仁とができて、１だそ
れぞれが導かれるステンレス製パイプ３が決１っている
ので不必要な有機化合物が結晶成長室内１へ混入するこ
とはなかった。特に、ＺｎドープＩｎＰ成長の場合にそ
の前のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ成長時に供給されて
いだＧａ（Ｃ２Ｈ５）３の混入は一切なく、Ｚｎドープ
ＩｎＰ結晶中からはＧａは検出されなかった。捷た各Ｉ
ｎＰとＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ の界面の急峻性に
ついても、その組成の遷移層幅は１０μｍ以下であり、
４元混晶ＩｎＧａＡｓＰの組成およびＺｎ不純物濃度等
の制御も再現性よく行なえた。
゜Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３．ｚｎ（Ｃ２Ｈ６）３の結晶成長
室１への供給は、それぞれに対応した空気作動式開閉弁
１３の開閉によって瞬時に行なう仁とができて、１だそ
れぞれが導かれるステンレス製パイプ３が決１っている
ので不必要な有機化合物が結晶成長室内１へ混入するこ
とはなかった。特に、ＺｎドープＩｎＰ成長の場合にそ
の前のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ成長時に供給されて
いだＧａ（Ｃ２Ｈ５）３の混入は一切なく、Ｚｎドープ
ＩｎＰ結晶中からはＧａは検出されなかった。捷た各Ｉ
ｎＰとＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ の界面の急峻性に
ついても、その組成の遷移層幅は１０μｍ以下であり、
４元混晶ＩｎＧａＡｓＰの組成およびＺｎ不純物濃度等
の制御も再現性よく行なえた。
実施例２
次に本発明による複数個の有機化合物を用いた化合物生
導体の気相成長装置において、有機化合物をそのボンベ
２から結晶成長室１まで導くステンレス製パイプ３が各
有機化合物のボンベごとに独立になっていて、かつそれ
らステンレス製パイプ３の途中にキャリガスを流入させ
るだめのステンレス製パイプ１４が接続されている場合
の具体的なガス系統図を第３図に示す。この場合、ステ
ンレス製パイプ１４からステンレス製パイプ３へ流入さ
せるギヤリアガスの流量を調整するためのマスフローコ
ントローラー１５が必要であるが、その他の部分の構造
について（は実施例１の場合と同様である。
導体の気相成長装置において、有機化合物をそのボンベ
２から結晶成長室１まで導くステンレス製パイプ３が各
有機化合物のボンベごとに独立になっていて、かつそれ
らステンレス製パイプ３の途中にキャリガスを流入させ
るだめのステンレス製パイプ１４が接続されている場合
の具体的なガス系統図を第３図に示す。この場合、ステ
ンレス製パイプ１４からステンレス製パイプ３へ流入さ
せるギヤリアガスの流量を調整するためのマスフローコ
ントローラー１５が必要であるが、その他の部分の構造
について（は実施例１の場合と同様である。
才だ実施例１の場合と同一の成長結晶を作成する場合用
いるソース材料および成長条件も実施例１の場合と変わ
りはない。ただし、この実施例２の場合キャリアガスが
ステンレス製パイプ３へ、例えば５００ ｒ／ｍｉｎの
流量で供給されるので、有機化合物がステンレス製パイ
フ四コを通過する速度が増加して、ステンレス製パイプ
３の内壁にイ」着する有機化合物の量が減少する。この
結果、実施例１の場合よりも、混晶成長の場合の組成制
御、不純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄
膜構造作成の場合の界面急峻性制御等が容易に行なえる
。
いるソース材料および成長条件も実施例１の場合と変わ
りはない。ただし、この実施例２の場合キャリアガスが
ステンレス製パイプ３へ、例えば５００ ｒ／ｍｉｎの
流量で供給されるので、有機化合物がステンレス製パイ
フ四コを通過する速度が増加して、ステンレス製パイプ
３の内壁にイ」着する有機化合物の量が減少する。この
結果、実施例１の場合よりも、混晶成長の場合の組成制
御、不純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄
膜構造作成の場合の界面急峻性制御等が容易に行なえる
。
以上述べた実施例においてはＩ ｎ、Ｐ−Ｉ ｎＧａＡ
ｓ Ｐ系の結晶成長について説明したが、本発明による
気相成長装置はＧ ａ Ａ ｓ −Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ系、八４ＧａＩｎＰ−Ｇ ａ Ａ ｓ系の他のＩＩ
Ｉ−Ｖ族半導体結晶の成長に用 ′いることができるば
かりでなく、更にＺｎ５ｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体結晶、ＩＩ−Ｖｌ族とＩ−Ｖ族の混晶等の成長に用い
ることが可能である。丑だ、以上述べた実施例は、有機
化合物の数が３個でかつｍ族および■族有機化合物を用
いた場合であったが、有機化合物の数に制限はなく、ま
た■族および■族有機化合物を用いることも可能である
。
ｓ Ｐ系の結晶成長について説明したが、本発明による
気相成長装置はＧ ａ Ａ ｓ −Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ
ｓ系、八４ＧａＩｎＰ−Ｇ ａ Ａ ｓ系の他のＩＩ
Ｉ−Ｖ族半導体結晶の成長に用 ′いることができるば
かりでなく、更にＺｎ５ｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体結晶、ＩＩ−Ｖｌ族とＩ−Ｖ族の混晶等の成長に用い
ることが可能である。丑だ、以上述べた実施例は、有機
化合物の数が３個でかつｍ族および■族有機化合物を用
いた場合であったが、有機化合物の数に制限はなく、ま
た■族および■族有機化合物を用いることも可能である
。
発明の効果
本発明にかかる複数個の有機化合物を用いた化合物半導
体結晶の気相成長装置は、有機化合物をそのボンベから
結晶成長室内寸で導く管を、有機化合物ボンベごとにそ
れぞれ独立に設け、かつその管と結晶成長室との接続部
にそれぞれ開閉弁を設けることにより、混晶成長の場合
の組成制御。
体結晶の気相成長装置は、有機化合物をそのボンベから
結晶成長室内寸で導く管を、有機化合物ボンベごとにそ
れぞれ独立に設け、かつその管と結晶成長室との接続部
にそれぞれ開閉弁を設けることにより、混晶成長の場合
の組成制御。
不純物ドーピングの場合の不純物濃度制御、多層薄膜構
造作成の場合の界面急峻性の制御等を精密に再現性よく
行なうことが可能になり、この結果例えば超格子構造等
の作成が容易となって、非常にその実用的効果は太きい
。
造作成の場合の界面急峻性の制御等を精密に再現性よく
行なうことが可能になり、この結果例えば超格子構造等
の作成が容易となって、非常にその実用的効果は太きい
。
第１図は従来の複数個の有機化合物を用いる気相成長装
置のガス系統図、第２図は本発明の実施例１における複
数個の有機化合物を用いる気相成長装置のガス系統図、
第３図は本発明の実施例２における複数個の有機化合物
を用いる気相成長装置のガス系統図である。
置のガス系統図、第２図は本発明の実施例１における複
数個の有機化合物を用いる気相成長装置のガス系統図、
第３図は本発明の実施例２における複数個の有機化合物
を用いる気相成長装置のガス系統図である。
Claims (1)
- （１）複数個の有機化合物を原料利料として用い、前記
有機化合物をその容器から結晶成長室内まで導く管が、
有機化合物容器ごとにそれぞれ独立に備えられ、かつ前
記管と結晶成長室との接続部に開閉弁を備えたことを特
徴とする気相成長装置。 翰）有機化合物を容器から結晶成長室内で導く管の途中
にキャリアガスを流入させるだめの管が接続された特許
請求の範囲第１項に記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12500383A JPS6016898A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12500383A JPS6016898A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016898A true JPS6016898A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14899466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12500383A Pending JPS6016898A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016898A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180996A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相エピタキシヤル成長方法及び装置 |
| JPS63257216A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体結晶の製造装置 |
| JPH0333175U (ja) * | 1989-08-10 | 1991-04-02 | ||
| US5538578A (en) * | 1992-10-30 | 1996-07-23 | Kinugawa Rubber Ind. Co., Ltd. | Method for joining end portions of weatherstrip and apparatus for forming joining member therefor |
| US8329132B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-12-11 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon manufacturing apparatus and manufacturing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5678497A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-27 | Fujitsu Ltd | Vapor growth apparatus |
| JPS5988395A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12500383A patent/JPS6016898A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5678497A (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-27 | Fujitsu Ltd | Vapor growth apparatus |
| JPS5988395A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180996A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相エピタキシヤル成長方法及び装置 |
| JPS63257216A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体結晶の製造装置 |
| JPH0333175U (ja) * | 1989-08-10 | 1991-04-02 | ||
| US5538578A (en) * | 1992-10-30 | 1996-07-23 | Kinugawa Rubber Ind. Co., Ltd. | Method for joining end portions of weatherstrip and apparatus for forming joining member therefor |
| US8329132B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-12-11 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon manufacturing apparatus and manufacturing method |
| RU2495164C2 (ru) * | 2007-11-28 | 2013-10-10 | Мицубиси Матириалз Корпорейшн | Аппарат для получения и способ получения поликристаллического кремния |
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