JPS63257216A - 半導体結晶の製造装置 - Google Patents
半導体結晶の製造装置Info
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体結晶の製造装置に係り、特に複数の
エピタキシャル層を積層成長させるための装置に関する
・ものである。
エピタキシャル層を積層成長させるための装置に関する
・ものである。
近年、半導体結晶の多層エピタキシャル層を得るのに、
金属元素の水素化物ガスおよび存機金属ガスの熱分解成
長によるＭ ＯＣＶ Ｄ （ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法
がさかんに用いられている。
金属元素の水素化物ガスおよび存機金属ガスの熱分解成
長によるＭ ＯＣＶ Ｄ （ＭｏｌｅｃｕｌａｒＣｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法
がさかんに用いられている。
この種の半導体結晶の製造装置の従来例を、ＧａＡｓ
（ガリウム砒素）系とＡＩ！ＧａＡｓ （アルミニ
ウム・ガリウム砒素）系のＭＯＣＶＤ装置を例に採って
説明する。第３図は前記従来のＭＯＣＶＤ装置の一例の
概略図を示している。
（ガリウム砒素）系とＡＩ！ＧａＡｓ （アルミニ
ウム・ガリウム砒素）系のＭＯＣＶＤ装置を例に採って
説明する。第３図は前記従来のＭＯＣＶＤ装置の一例の
概略図を示している。
第３図において、１はＧａＡｓ基板、２はＧａＡｓ１板
ｌを支えるためのサセプター、３は石英反応管、４はＧ
ａＡｓａｌｃ板ｌを加熱するための高周波コイルである
。５は、Ｐ型ＧａＡｓ層、Ｎ型ＧａＡｓ１ｉ、Ｐ型ＡＪ
ＧａＡｓ層、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ層を成長させるための共
通ガス供給系であって、この共通ガス供給系５は共通の
ガス導入配管６によって石英反応管３のガス導入ロアに
接続されている。
ｌを支えるためのサセプター、３は石英反応管、４はＧ
ａＡｓａｌｃ板ｌを加熱するための高周波コイルである
。５は、Ｐ型ＧａＡｓ層、Ｎ型ＧａＡｓ１ｉ、Ｐ型ＡＪ
ＧａＡｓ層、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ層を成長させるための共
通ガス供給系であって、この共通ガス供給系５は共通の
ガス導入配管６によって石英反応管３のガス導入ロアに
接続されている。
次に、第４図によって前記従来装置をさらに詳細に説明
しよう。
しよう。
第４図において、８はＡｓ（砒素）を供給するためのＡ
ｓｏ３ （アルシン）ボンベ、９はＮ型ドーパントのＳ
ｅ（セレン）を供給すためのＨ２Ｓｅ （セレン化水素
）ボンへ、１０はＧａ（ガリウム）を供給するためのト
リメチルガリウム（ＴＭＧ）ａ、１１はＡｌを供給する
ためのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）源、１２はＺ
ｎ（亜鉛）を供給するためのジエチルジンク（ＤＥＺｎ
）［である。各材料ガスは０Ｎ−ＯＦＦバルブ１３゜流
量計（ＭＦ）１４および切り換えバルブ１５を介して、
共通のガス導入配管６にそれぞれ送り出される。なお、
切り換えバルブ１５は、各材料ガスを石英反応管３また
は通気（ＶＥＮＴ）系に導入または停止させるためのも
のである。一方、ガス導入配管６の一端には、前記送り
出された材料ガスを石英反応管３内に送り込むための後
押し用のキャリヤガスとして、Ｈ，Ｃ水素ガス）が流量
計１４および０Ｎ−ＯＦＦバルブ１３を介して供給され
る。
ｓｏ３ （アルシン）ボンベ、９はＮ型ドーパントのＳ
ｅ（セレン）を供給すためのＨ２Ｓｅ （セレン化水素
）ボンへ、１０はＧａ（ガリウム）を供給するためのト
リメチルガリウム（ＴＭＧ）ａ、１１はＡｌを供給する
ためのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）源、１２はＺ
ｎ（亜鉛）を供給するためのジエチルジンク（ＤＥＺｎ
）［である。各材料ガスは０Ｎ−ＯＦＦバルブ１３゜流
量計（ＭＦ）１４および切り換えバルブ１５を介して、
共通のガス導入配管６にそれぞれ送り出される。なお、
切り換えバルブ１５は、各材料ガスを石英反応管３また
は通気（ＶＥＮＴ）系に導入または停止させるためのも
のである。一方、ガス導入配管６の一端には、前記送り
出された材料ガスを石英反応管３内に送り込むための後
押し用のキャリヤガスとして、Ｈ，Ｃ水素ガス）が流量
計１４および０Ｎ−ＯＦＦバルブ１３を介して供給され
る。
しかしながら、上述した従来の半導体結晶の製造装置は
、複数のエピタキシャル層を成長させるための材料ガス
を共通ガス供給系５によって石英反応管３に供給してい
るために、急峻な界面を持つ多層エピタキシャル層を成
長させることが困難であるという問題点がある。これは
、材料ガスを切り替えるために切り換えバルブ１５を停
止してもなお、ガス導入配管６内さらには切り換えバル
ブ部や配管盲腸部に、前の材料ガスが残留する、いわゆ
るメモリ効果があるためである。
、複数のエピタキシャル層を成長させるための材料ガス
を共通ガス供給系５によって石英反応管３に供給してい
るために、急峻な界面を持つ多層エピタキシャル層を成
長させることが困難であるという問題点がある。これは
、材料ガスを切り替えるために切り換えバルブ１５を停
止してもなお、ガス導入配管６内さらには切り換えバル
ブ部や配管盲腸部に、前の材料ガスが残留する、いわゆ
るメモリ効果があるためである。
以下、この問題点を第５図および第６図に基づいて具体
的に説明する。
的に説明する。
第５図は、上述した従来のＭＯＣＶＤ装置でエピタキシ
ャル層を成長させた場合のガス導入配管６の長さと材料
ガスの切り替わり時間との関係を、キャリヤガスの流量
をパラメータとして示している。また、第６図はガス導
入配管６の長さが１０ｍの場合におけるキャリヤガスの
流量と一秒当たりの成長量との関係を示している。
ャル層を成長させた場合のガス導入配管６の長さと材料
ガスの切り替わり時間との関係を、キャリヤガスの流量
をパラメータとして示している。また、第６図はガス導
入配管６の長さが１０ｍの場合におけるキャリヤガスの
流量と一秒当たりの成長量との関係を示している。
これらの図から理解されるように、例えばガス導入配管
６の長さが１０ｍであり、後押し用のキャリヤガスの流
量がｌＱｎ／ｍｉｎのとき、材料ガスを例えばＡｌＧａ
ＡｓからＧａＡｓ （或いはＰ型からＮ型ＧａＡＳ）に
切り替えるのに理論的に約１．７秒かかる。この切り替
え時間は、材料ガスの管壁への吸着や乱流などを考慮す
れば、実際にはそれ以上となる。後押し用のキャリヤガ
スの流量が１Ｑｆｆ／ｍｉｎのとき、成長速度は１６゜
２人／ ｓ ｅ ｃであるから、上記の材料ガスが完全
に切り替わるまでに約２７人の遷移層が成長してしまう
ことになる。
６の長さが１０ｍであり、後押し用のキャリヤガスの流
量がｌＱｎ／ｍｉｎのとき、材料ガスを例えばＡｌＧａ
ＡｓからＧａＡｓ （或いはＰ型からＮ型ＧａＡＳ）に
切り替えるのに理論的に約１．７秒かかる。この切り替
え時間は、材料ガスの管壁への吸着や乱流などを考慮す
れば、実際にはそれ以上となる。後押し用のキャリヤガ
スの流量が１Ｑｆｆ／ｍｉｎのとき、成長速度は１６゜
２人／ ｓ ｅ ｃであるから、上記の材料ガスが完全
に切り替わるまでに約２７人の遷移層が成長してしまう
ことになる。
このように遷移層が厚くなると、例えば半導体レーザの
均一性が悪くなるなどの特性のバラツキが生じたり、そ
の信転性が低下するといった不都合を生じる。
均一性が悪くなるなどの特性のバラツキが生じたり、そ
の信転性が低下するといった不都合を生じる。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たものであって、急峻な界面を持つ複数のエピタキシャ
ル層を積層成長させることができる半導体結晶の製造装
置を提供することを目的としている。
たものであって、急峻な界面を持つ複数のエピタキシャ
ル層を積層成長させることができる半導体結晶の製造装
置を提供することを目的としている。
この発明に係る半導体結晶の製造装置は、ｍ敗のエピタ
キシャル層のうち、所定のエピタキシャル層をそれぞれ
成長させる材料ガスを反応部にそれぞれ個別に供給する
材料ガス供給系を備えたものである。
キシャル層のうち、所定のエピタキシャル層をそれぞれ
成長させる材料ガスを反応部にそれぞれ個別に供給する
材料ガス供給系を備えたものである。
この発明においては、材料ガスをそれぞれ独立して反応
部に供給しているから、材料ガスの切り替えが速やかに
行われ、急峻な界面を持つ？ｊ！数層のエピタキシャル
層を成長させることができる。
部に供給しているから、材料ガスの切り替えが速やかに
行われ、急峻な界面を持つ？ｊ！数層のエピタキシャル
層を成長させることができる。
以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は、この発明の一実施例に係る半導体結晶の製造
装置の構成図である。
装置の構成図である。
同図において、第３図および第４図に示した従来例と同
一符号は、同一部分を示しているから、ここでの説明は
省略する。
一符号は、同一部分を示しているから、ここでの説明は
省略する。
第１図において、２１はＰ型ＧａＡｓ層を成長させるた
めのＰ型ＧａＡｓガス系であって、このガス系にはＴＭ
Ｇ、ＡｓＨ３およびＤＥＺｎの各材料ガス源が備えられ
ている。２２はＮ型ＧａＡＳＮを成長させるためのＮ型
ＧａＡｓガス系、２３ ハＰ型Ａ７！ＧａＡｓ層を成長
するためのＰ型ＡＩｔＧａＡｓガス系、２４はＮ型Ａｊ
！ＧａＡｓ層を成長するために設けられたＮ型ＡｌＧａ
Ａｓガス系である。各ガス系２１〜２４からの材料ガス
は、それぞれ独立して設けられた複数のガス導入配管２
５、〜２５．およびＯＮ ＶＥＮＴバルブ２６１〜２
６４ （あるいは０Ｎ−ＯＦＦバルブ）を介して、石英
反応管３内に個別に供給される。なお、石英反応管３の
ガス導入口から０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２６．〜２６４ま
での配管内に残留する材料ガスの量を少なくするために
、上述した０Ｎ−ＶＥＮＴパルプ２６．〜２６４はでき
るだけ石英反応管３に近づけて設けられることが望まし
い。
めのＰ型ＧａＡｓガス系であって、このガス系にはＴＭ
Ｇ、ＡｓＨ３およびＤＥＺｎの各材料ガス源が備えられ
ている。２２はＮ型ＧａＡＳＮを成長させるためのＮ型
ＧａＡｓガス系、２３ ハＰ型Ａ７！ＧａＡｓ層を成長
するためのＰ型ＡＩｔＧａＡｓガス系、２４はＮ型Ａｊ
！ＧａＡｓ層を成長するために設けられたＮ型ＡｌＧａ
Ａｓガス系である。各ガス系２１〜２４からの材料ガス
は、それぞれ独立して設けられた複数のガス導入配管２
５、〜２５．およびＯＮ ＶＥＮＴバルブ２６１〜２
６４ （あるいは０Ｎ−ＯＦＦバルブ）を介して、石英
反応管３内に個別に供給される。なお、石英反応管３の
ガス導入口から０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２６．〜２６４ま
での配管内に残留する材料ガスの量を少なくするために
、上述した０Ｎ−ＶＥＮＴパルプ２６．〜２６４はでき
るだけ石英反応管３に近づけて設けられることが望まし
い。
次に、上述した実施例の作用を説明する。
例えば、通常のダブルへテロ構造を成長させる場合、予
め、各ガス系２１〜２４から必要な材料ガスをＶＥＮＴ
側に流しておく、そして、Ｐ型ＡｅＧａＡｓガス系２３
に対応したＯ Ｎ Ｖ ＩＥ Ｎ Ｔパルプ２６３の
みを開けて、その材料ガスを石英反応管３内に供給する
ことにより、ＧａＡｓ基板１上にＰ型Ａ／ＧａＡｓＦｇ
を所望の厚さだけ成長させる 続いて０Ｎ−ＶＥＮＴバ
ルブ２６．のみを開けζＰ梨型ＡｌＧａＡｓガス２３か
らＰ型ＧａＡｓガス系２１に切り替えて、Ｐ型ＧａＡｓ
５を成長させる。さらに、Ｐ型ＧａＡｓガス系２Ｉから
Ｎ型ＡｌＧａＡｓガス系２４に切り替えてクラッド層を
成長させ、最終にＮ型Ａ＃ＧａＡｓガス系２４からＮ型
ＧａＡｓガス系２２に切り替えてＧａＡｓコンタクト層
を成長させる。
め、各ガス系２１〜２４から必要な材料ガスをＶＥＮＴ
側に流しておく、そして、Ｐ型ＡｅＧａＡｓガス系２３
に対応したＯ Ｎ Ｖ ＩＥ Ｎ Ｔパルプ２６３の
みを開けて、その材料ガスを石英反応管３内に供給する
ことにより、ＧａＡｓ基板１上にＰ型Ａ／ＧａＡｓＦｇ
を所望の厚さだけ成長させる 続いて０Ｎ−ＶＥＮＴバ
ルブ２６．のみを開けζＰ梨型ＡｌＧａＡｓガス２３か
らＰ型ＧａＡｓガス系２１に切り替えて、Ｐ型ＧａＡｓ
５を成長させる。さらに、Ｐ型ＧａＡｓガス系２Ｉから
Ｎ型ＡｌＧａＡｓガス系２４に切り替えてクラッド層を
成長させ、最終にＮ型Ａ＃ＧａＡｓガス系２４からＮ型
ＧａＡｓガス系２２に切り替えてＧａＡｓコンタクト層
を成長させる。
このように上述した実施例は、それぞれの成長層に必要
な材料ガス供給系を単独に備え、各材料ガスの石英反応
管３への導入を０Ｎ−ＯＦＦすることによってエピタキ
シャル層の成長を切り替えているから、材料ガスの切り
替え時間が短（、しかも、配管内での材料ガスの残留や
吸着が極めて少なくなり、数１０人程度の原子層レベル
のエピタキシャル層を成長させることも可能になった。
な材料ガス供給系を単独に備え、各材料ガスの石英反応
管３への導入を０Ｎ−ＯＦＦすることによってエピタキ
シャル層の成長を切り替えているから、材料ガスの切り
替え時間が短（、しかも、配管内での材料ガスの残留や
吸着が極めて少なくなり、数１０人程度の原子層レベル
のエピタキシャル層を成長させることも可能になった。
また、上記実施例では、各エピタキシャル層に対応した
単独の材料ガス供給系を備え、成長に必要な材料ガスを
常時流しておくことができるので、材料ガスの流動変動
がたいへん少なくなり、そのため各層の組成および不純
物１度の再現性もたいへん優れたものにすることができ
る。
単独の材料ガス供給系を備え、成長に必要な材料ガスを
常時流しておくことができるので、材料ガスの流動変動
がたいへん少なくなり、そのため各層の組成および不純
物１度の再現性もたいへん優れたものにすることができ
る。
次に、この発明のその他の実施例を、第２図に従って説
明する。
明する。
上述した実施例では、各ガス系２１〜２４ごとにＴ Ｍ
Ｇ 、 Ａ ｓ ＨｓおよびＤＥＺｎなどの各材料ガ
ス源を備えたが、この実施例ではこれらの材料ガス源を
各ガス系に共通して設けることによってガス系ごとに材
料ガス源を備えなくてもよいようにしている。
Ｇ 、 Ａ ｓ ＨｓおよびＤＥＺｎなどの各材料ガ
ス源を備えたが、この実施例ではこれらの材料ガス源を
各ガス系に共通して設けることによってガス系ごとに材
料ガス源を備えなくてもよいようにしている。
即ち、Ｐ型ＧａＡｓガス系３１は、Ａ３Ｈ３ガス源３５
．ＴＭＧガス′ｐＪ３６およびＤＥＺ ｎガス源３７か
ら送られた各材料ガスが、個別の各流量系（ＭＦ）１４
を介してガス４人配管２５．に集められて、０Ｎ−ＶＥ
ＮＴバルブ２６．を介して石英反応管３内に供給される
ようになっている。
．ＴＭＧガス′ｐＪ３６およびＤＥＺ ｎガス源３７か
ら送られた各材料ガスが、個別の各流量系（ＭＦ）１４
を介してガス４人配管２５．に集められて、０Ｎ−ＶＥ
ＮＴバルブ２６．を介して石英反応管３内に供給される
ようになっている。
Ｐ型ＡｌＧａＡｓガス系３２は、Ａ３Ｈｆｆガス源３５
．ＴＭＧガス１ｌｌＪＸ３６．ＤＥＺｎガス源３７およ
び第１ＴＭＡガス源３８から送られた各材料ガスが、個
別の各流量系（ＭＦ）１４を介してガス導入配管２５□
に集められて、０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２６□を介して石
英反応管３内に供給されるようになっている。
．ＴＭＧガス１ｌｌＪＸ３６．ＤＥＺｎガス源３７およ
び第１ＴＭＡガス源３８から送られた各材料ガスが、個
別の各流量系（ＭＦ）１４を介してガス導入配管２５□
に集められて、０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２６□を介して石
英反応管３内に供給されるようになっている。
Ｎ型ＡｌＧａＡｓガス系３３は、ＡｓＨ，ガス源３５．
ＴＭＧガス源３６，１ｅａｓｅガス源３９および第２Ｔ
ＭＡガス源４０から送られた各材料ガスが、個別の各流
量系（ＭＦ）１４を介してガス導入配管２５．に集めら
れて、０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２６．を介して石英反応管
３内に供給されるようになっている。
ＴＭＧガス源３６，１ｅａｓｅガス源３９および第２Ｔ
ＭＡガス源４０から送られた各材料ガスが、個別の各流
量系（ＭＦ）１４を介してガス導入配管２５．に集めら
れて、０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２６．を介して石英反応管
３内に供給されるようになっている。
Ｎ型ＧａＡｓガス系３４は、ＡｓＨ３ガス源３５、ＴＭ
Ｇガス源３６およびＨｚＳｅガス源３９から送られた各
材料ガスが、個別の各流量系（ＭＦ）１４を介してガス
導入配管２５４に集められて、０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２
６４を介して石英反応管３内に供給されるようになって
いる。
Ｇガス源３６およびＨｚＳｅガス源３９から送られた各
材料ガスが、個別の各流量系（ＭＦ）１４を介してガス
導入配管２５４に集められて、０Ｎ−ＶＥＮＴバルブ２
６４を介して石英反応管３内に供給されるようになって
いる。
なお、上述の二つの実施例では、ＧａＡｓ、ＡｉＧａＡ
Ｓ系のＭＯＣＶＤ装置について説明したが、この発明は
その他の■−■族化合物半導体や■−■族化合物半導体
、あるいは気相エピタキシャル法（Ｖ Ｐ Ｅ）にも適
用することができる。
Ｓ系のＭＯＣＶＤ装置について説明したが、この発明は
その他の■−■族化合物半導体や■−■族化合物半導体
、あるいは気相エピタキシャル法（Ｖ Ｐ Ｅ）にも適
用することができる。
さらに、上述の実施例ではＭＯＣＶＤ装置に備えられる
全ての材料ガス供給系をそれぞれ独立させて設けるよう
に構成したが、必ずしも全ての材料ガス供給系を独立さ
せる必要はなく、特に急峻な界面を必要とされるエピタ
キシャル層を成長させるための材料ガス系のみを独立さ
せ、他の材料ガス供給系は共通にするものであってもよ
い。
全ての材料ガス供給系をそれぞれ独立させて設けるよう
に構成したが、必ずしも全ての材料ガス供給系を独立さ
せる必要はなく、特に急峻な界面を必要とされるエピタ
キシャル層を成長させるための材料ガス系のみを独立さ
せ、他の材料ガス供給系は共通にするものであってもよ
い。
以上のように、この発明によれば、複数層のエピタキシ
ャル層のうち、所定のエピタキシャル層を成長させるた
めの材料ガスを反応部にそれぞれ個別に供給する材料ガ
ス供給系を備えたので、前記材料ガスを個別に供給する
材料ガス供給系を適宜に切り替えていくだけで、前記所
定のエピタキシャル層について原子層レベルの急峻な界
面を持たせることかできる。
ャル層のうち、所定のエピタキシャル層を成長させるた
めの材料ガスを反応部にそれぞれ個別に供給する材料ガ
ス供給系を備えたので、前記材料ガスを個別に供給する
材料ガス供給系を適宜に切り替えていくだけで、前記所
定のエピタキシャル層について原子層レベルの急峻な界
面を持たせることかできる。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体結晶の製造装
置の構成の概略を示した説明図、第２図はこの発明のそ
の他の実施例の構成図、第３図は従来装置の構成の概略
を示した説明図、第４図は７５３図に示した従来装置の
詳細図、第５図は前記従来Ｗ２におけるガス切り替わり
時間とガス導入配管の長さとの関係図、第６図は前記従
来装置におけるエピタキシャル層の成長量とキャリアガ
ス流量との関係図である。 図において、１はＧａｐｓ基板、３は石英反応管、２１
はＰ型ＧａＡｓガス系、２２はＮ型ＧａＡｓガス系、２
３はＰ型ＡｌＧａＡｓガス系、２４はＮ型ＡＪＧａＡｓ
ガス系、２５．〜２５４はガス導入配管、２６１〜２６
４は０Ｎ−ＶＥＮＴバルブである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
置の構成の概略を示した説明図、第２図はこの発明のそ
の他の実施例の構成図、第３図は従来装置の構成の概略
を示した説明図、第４図は７５３図に示した従来装置の
詳細図、第５図は前記従来Ｗ２におけるガス切り替わり
時間とガス導入配管の長さとの関係図、第６図は前記従
来装置におけるエピタキシャル層の成長量とキャリアガ
ス流量との関係図である。 図において、１はＧａｐｓ基板、３は石英反応管、２１
はＰ型ＧａＡｓガス系、２２はＮ型ＧａＡｓガス系、２
３はＰ型ＡｌＧａＡｓガス系、２４はＮ型ＡＪＧａＡｓ
ガス系、２５．〜２５４はガス導入配管、２６１〜２６
４は０Ｎ−ＶＥＮＴバルブである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）複数の材料ガスを反応部に供給して、複数のエピ
タキシャル層を積層成長させる半導体結晶の製造装置に
おいて、 前記複数のエピタキシャル層のうち、所定のエピタキシ
ャル層をそれぞれ成長させる材料ガスを前記反応部にそ
れぞれ個別に供給する材料ガス供給系を備えたことを特
徴とする半導体結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092712A JPH0626187B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 半導体結晶の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62092712A JPH0626187B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 半導体結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63257216A true JPS63257216A (ja) | 1988-10-25 |
| JPH0626187B2 JPH0626187B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=14062075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62092712A Expired - Lifetime JPH0626187B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | 半導体結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626187B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02122619A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988395A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
| JPS59223294A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS6016898A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS61202422A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-08 | Nec Corp | 化合物半導体気相成長方法 |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62092712A patent/JPH0626187B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988395A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体結晶気相成長装置 |
| JPS59223294A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS6016898A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS61202422A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-08 | Nec Corp | 化合物半導体気相成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02122619A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0626187B2 (ja) | 1994-04-06 |
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