JPH01319929A - 結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長装置Info
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- JPH01319929A JPH01319929A JP15308788A JP15308788A JPH01319929A JP H01319929 A JPH01319929 A JP H01319929A JP 15308788 A JP15308788 A JP 15308788A JP 15308788 A JP15308788 A JP 15308788A JP H01319929 A JPH01319929 A JP H01319929A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、配管系統の残留酸素や水分を単時間に、か
つ完全に除去するようにした結晶成長装置に関する。
つ完全に除去するようにした結晶成長装置に関する。
第２図は従来の有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ ：
Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＧａＡｓ系の結晶
成長装置の配管系統を線図として示した図である。この
図において、１は反応管、２はこの反応管１内で表面に
結晶成長されるＧａＡｓ基板、３はこのＧａＡｓ基板２
が搭載されるサセプタ、４はサセプタ支持棒、５は前記
反応管１を加熱する高周波加熱コイル、６は前記反応管
１へのガス導入口、７は同じくガス排気口、８は前記反
応管１の真空排気ポンプ、９はＡｓＨ＝、１０は）（２
Ｓｅ、１１はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡＪＺ）、
１２はトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、１３はトリメ
チル亜鉛（ＴＭＺｎ）、１４はＨ２導入口、１５はパー
ジライン、１６はマスフローコントローラ、１７は切％
バルブである。
Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるＧａＡｓ系の結晶
成長装置の配管系統を線図として示した図である。この
図において、１は反応管、２はこの反応管１内で表面に
結晶成長されるＧａＡｓ基板、３はこのＧａＡｓ基板２
が搭載されるサセプタ、４はサセプタ支持棒、５は前記
反応管１を加熱する高周波加熱コイル、６は前記反応管
１へのガス導入口、７は同じくガス排気口、８は前記反
応管１の真空排気ポンプ、９はＡｓＨ＝、１０は）（２
Ｓｅ、１１はトリメチルアルミニウム（ＴＭＡＪＺ）、
１２はトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、１３はトリメ
チル亜鉛（ＴＭＺｎ）、１４はＨ２導入口、１５はパー
ジライン、１６はマスフローコントローラ、１７は切％
バルブである。
次に動作原理について説明する。
ＩＩＩ族原料であるＡＳＨ３９，ＩＩ族原料であるＴＭ
Ｇａ １２．ＴＭＡＪ！ １１をキャリアガスであるＨ
２により反応管１へ供給する。高周波加熱コイル５によ
り加熱されたサセプタ３およびＧａＡｓ基板２付近で各
原料９，１２．１１が熱分解しＧａＡｓ基板２上にＧａ
ＡｓまたはＡＪＺＧａＡｓがエピタキシャル成長する。
Ｇａ １２．ＴＭＡＪ！ １１をキャリアガスであるＨ
２により反応管１へ供給する。高周波加熱コイル５によ
り加熱されたサセプタ３およびＧａＡｓ基板２付近で各
原料９，１２．１１が熱分解しＧａＡｓ基板２上にＧａ
ＡｓまたはＡＪＺＧａＡｓがエピタキシャル成長する。
その際に１（２Ｓｅ１０またはＴＭＺｎ１３を同時に導
入することにより、Ｓｅをドープしたｎ形層またはＺｎ
をドープしたＰ形層を得ることができる。反応管１で消
費されたガスはガス排気ロアより反応管１外へ排出され
除害されて廃棄される。ＧａＡｓ、Ａｊ２ＧａＡｓエピ
タキシャル成長層は装置配管内の残留酸素や水分の影響
を受けて高抵抗性を示したり、発光効率の低下を示すな
どの結晶の品質に悪影響を及ぼすため、装置にはこれら
の残留酸素や水分を除くために配管系を真空引きできる
真空排気ポンプ８やキャリアガスである水素により配管
内をパージするためのパージライン１５が装備されてい
る。
入することにより、Ｓｅをドープしたｎ形層またはＺｎ
をドープしたＰ形層を得ることができる。反応管１で消
費されたガスはガス排気ロアより反応管１外へ排出され
除害されて廃棄される。ＧａＡｓ、Ａｊ２ＧａＡｓエピ
タキシャル成長層は装置配管内の残留酸素や水分の影響
を受けて高抵抗性を示したり、発光効率の低下を示すな
どの結晶の品質に悪影響を及ぼすため、装置にはこれら
の残留酸素や水分を除くために配管系を真空引きできる
真空排気ポンプ８やキャリアガスである水素により配管
内をパージするためのパージライン１５が装備されてい
る。
しかしながら、ＭＯＣＶＤ装置は一般に配管が多岐にわ
たるとともに、バルブ類、マスフローコントローラ類な
どを使用している部品が多いことから配管中の残留酸素
や水分を除くには長時間を要し、しかも、なかなか完全
には除去できないという問題点があった。
たるとともに、バルブ類、マスフローコントローラ類な
どを使用している部品が多いことから配管中の残留酸素
や水分を除くには長時間を要し、しかも、なかなか完全
には除去できないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、配管中の残留酸素や水分を短時間で極めて
効果的に除くことができる結晶成長装置を得ることを目
的とする。
れたもので、配管中の残留酸素や水分を短時間で極めて
効果的に除くことができる結晶成長装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る結晶成長装置は、反応管内に、装置の配
管系統を介して所望のガスを導入し基板上に結晶成長せ
しめる結晶成長装置において、配管系統のうち、有機金
属ガスが回らない配管系統に、残留酸素や水分を除去す
るための有機金属ガスを導入する配管を接続したもので
ある。
管系統を介して所望のガスを導入し基板上に結晶成長せ
しめる結晶成長装置において、配管系統のうち、有機金
属ガスが回らない配管系統に、残留酸素や水分を除去す
るための有機金属ガスを導入する配管を接続したもので
ある。
この発明においては、配管内に有機金属ガスを導入する
ことにより、配管内の酸素や水分と有機金属ガスとを反
応させて酸化物や水酸化物に変えて残留酸素や水分が除
去される。
ことにより、配管内の酸素や水分と有機金属ガスとを反
応させて酸化物や水酸化物に変えて残留酸素や水分が除
去される。
第１図はこの発明の一実施例を示す結晶成長装置の配管
系統図を線図として示した図である。この図において、
１８は有機金属ガスを導入するための配管であり、ＡＳ
Ｈ３９およびＨ２Ｓｅ１Ｏの配管系統に、有機金属であ
るＴＭＡＪ２１１．ＴＭＧａ１２．ＴＭＺｎ１３の配管
系統を切換バルブ１７を介して接続したものである。
系統図を線図として示した図である。この図において、
１８は有機金属ガスを導入するための配管であり、ＡＳ
Ｈ３９およびＨ２Ｓｅ１Ｏの配管系統に、有機金属であ
るＴＭＡＪ２１１．ＴＭＧａ１２．ＴＭＺｎ１３の配管
系統を切換バルブ１７を介して接続したものである。
上記のようにこの実施例では、ＴＭＡＩＬｌ １が切換
バルブ１７を介して配管１８によってＡｓＨ３９，Ｈ２
Ｓｅ １０に接続されている。ＴＭＡｊ２１１．ＴＭＧ
ａ １２．ＴＭＺｎ １３’から反応管１へ至る配管は
それ自身が有機金属ガス用であるので残留酸素や水分は
除去される、また、ＡｓＨ３９，Ｈ２Ｓｅ１ｏから反応
管１へ至る配管１８にはＴＭＡｎ １１が接続されてい
るので、ＴＭＡｉｌｌを導入することによりＡ ｓ Ｈ
ｓ ９ ｒ Ｈ２ＳｅｌＯの配管系統も同様に残留酸素
や水分を除去できる。
バルブ１７を介して配管１８によってＡｓＨ３９，Ｈ２
Ｓｅ １０に接続されている。ＴＭＡｊ２１１．ＴＭＧ
ａ １２．ＴＭＺｎ １３’から反応管１へ至る配管は
それ自身が有機金属ガス用であるので残留酸素や水分は
除去される、また、ＡｓＨ３９，Ｈ２Ｓｅ１ｏから反応
管１へ至る配管１８にはＴＭＡｎ １１が接続されてい
るので、ＴＭＡｉｌｌを導入することによりＡ ｓ Ｈ
ｓ ９ ｒ Ｈ２ＳｅｌＯの配管系統も同様に残留酸素
や水分を除去できる。
なお、上記実施例では、ＴＭＡＡ １１を残留酸素や水
分の除去剤として使用したが、他の有機金属ＴＭＧａ
１２．ＴＭＺｎ １３などを使用しても有効であること
は言うもでもない。また、上記実施例ではＡＪ２ＧａＡ
ｓ系のＭＯＣＶＤ装置により説明したが、他の材料、例
えばＩｎＧａＡｓＰ系、Ａｌ１．ＧａＩｎＰ系などのＭ
ＯＣＶＤ装置にも同様にこの発明が有効であることは言
うまでもない。
分の除去剤として使用したが、他の有機金属ＴＭＧａ
１２．ＴＭＺｎ １３などを使用しても有効であること
は言うもでもない。また、上記実施例ではＡＪ２ＧａＡ
ｓ系のＭＯＣＶＤ装置により説明したが、他の材料、例
えばＩｎＧａＡｓＰ系、Ａｌ１．ＧａＩｎＰ系などのＭ
ＯＣＶＤ装置にも同様にこの発明が有効であることは言
うまでもない。
さらに、上記実施例ではＭＯＣＶＤ装置により説明した
が、他の方式の装置、液相成長装置、ハライド気相成長
装置などにも同様に有効である。
が、他の方式の装置、液相成長装置、ハライド気相成長
装置などにも同様に有効である。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明は、結晶成長装置の配管
系統のうち、有機金属ガスが回らない配管系統に残留酸
素や水分を除去するための有機金属ガスを導入する配管
を接続したので、有機金属ガスの導入により配管内の残
留酸素や水分を除去することができ、有機金属の配管系
統に接続するだけの簡素な装置構成でよく、短時間で効
果の高い配管内の清浄化が可能である利点がある。
系統のうち、有機金属ガスが回らない配管系統に残留酸
素や水分を除去するための有機金属ガスを導入する配管
を接続したので、有機金属ガスの導入により配管内の残
留酸素や水分を除去することができ、有機金属の配管系
統に接続するだけの簡素な装置構成でよく、短時間で効
果の高い配管内の清浄化が可能である利点がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すＡＪ２ＧａＡｓ系Ｍ
ＯＣＶＤ装置の配管系統図、第２図は従来のＡｕＧａＡ
ｓ系ＭＯＣＶＤ装置の配管系統図である。 図において、１は反応管、２はＧａＡｓ基板、３はサセ
プタ、４はサセプタ支持棒、５は高周波加熱コイル、６
はガス導入口、７はガス排気口、８は真空排気ポンプ、
９はＡｓＨ３，１０はＨ２Ｓｅ、１１はＴＭ／ｌ、１２
はＴＭＧａ、１３はＴＭＺｎ、１４はＨ２導入口、１５
はバージライン、１６はマスフローコントローラ、１７
は切換バルブ、１８は有機金属ガスを導入するための配
管である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 １、事件の表示 特願昭６３−１５３０８７号
オフ２、発明の名称 結晶成長装置 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対生 明細占の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第３頁１６〜１７行の「コントローラ類などを使
用している」を、「コントローラ類など使用している」
と補正する。 以 上
ＯＣＶＤ装置の配管系統図、第２図は従来のＡｕＧａＡ
ｓ系ＭＯＣＶＤ装置の配管系統図である。 図において、１は反応管、２はＧａＡｓ基板、３はサセ
プタ、４はサセプタ支持棒、５は高周波加熱コイル、６
はガス導入口、７はガス排気口、８は真空排気ポンプ、
９はＡｓＨ３，１０はＨ２Ｓｅ、１１はＴＭ／ｌ、１２
はＴＭＧａ、１３はＴＭＺｎ、１４はＨ２導入口、１５
はバージライン、１６はマスフローコントローラ、１７
は切換バルブ、１８は有機金属ガスを導入するための配
管である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 １、事件の表示 特願昭６３−１５３０８７号
オフ２、発明の名称 結晶成長装置 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対生 明細占の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第３頁１６〜１７行の「コントローラ類などを使
用している」を、「コントローラ類など使用している」
と補正する。 以 上
Claims (1)
- 反応管内に、装置の配管系統を介して所望のガスを導
入し基板上に結晶成長せしめる結晶成長装置において、
前記配管系統のうち、有機金属ガスが回らない配管系統
に、残留酸素や水分を除去するための有機金属ガスを導
入する配管を接続したことを特徴とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15308788A JPH01319929A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15308788A JPH01319929A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319929A true JPH01319929A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15554692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15308788A Pending JPH01319929A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01319929A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453096B2 (en) | 2001-03-27 | 2008-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device |
| US7518161B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-04-14 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15308788A patent/JPH01319929A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453096B2 (en) | 2001-03-27 | 2008-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device |
| US7518161B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-04-14 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US8293555B2 (en) | 2001-03-27 | 2012-10-23 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
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