JP2701339B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は気相成長装置に関し、さらに詳しくは、塩化
水素ガスを用いて半導体基板のエッチングおよび該基板
上への化合物半導体の気相成長を連続して行うのに用い
られる気相成長装置に関する。
水素ガスを用いて半導体基板のエッチングおよび該基板
上への化合物半導体の気相成長を連続して行うのに用い
られる気相成長装置に関する。
［従来の技術］ 半導体、特に化合物半導体は近年さまざまなデバイス
が提案または試作され、それらデバイスの実用化が進め
られるようになった。これらデバイスは超薄膜ヘテロ構
造、複雑な立体構造等を駆使することによって製作さ
れ、新しい機能や超高速動作、光の高出力化等が実現さ
れつつある。これらのデバイスはプロセス技術を駆使す
ることによって製作されているが、そればかりでなく、
新しい結晶成長技術の開発や応用も重要である。
が提案または試作され、それらデバイスの実用化が進め
られるようになった。これらデバイスは超薄膜ヘテロ構
造、複雑な立体構造等を駆使することによって製作さ
れ、新しい機能や超高速動作、光の高出力化等が実現さ
れつつある。これらのデバイスはプロセス技術を駆使す
ることによって製作されているが、そればかりでなく、
新しい結晶成長技術の開発や応用も重要である。
デバイス構造が微細化、超薄膜駆するにつれて、良質
な成長層およびヘテロ界面が必要であると共に、選択成
長や再成長を用いることによって複雑な構造を実現する
ことも必要となっている。
な成長層およびヘテロ界面が必要であると共に、選択成
長や再成長を用いることによって複雑な構造を実現する
ことも必要となっている。
しかしながら、一般には、基板と成長層との界面、あ
るいは再成長層との界面には酸素、有機物、重金属等の
汚れが堆積しており、デバイス特性劣化の原因となって
いた。これを除去する方法として気相成長装置内でエッ
チングと成長を連続して行う方法が広く用いられてお
り、界面の不純物を除去したり、あるいは選択気相エッ
チングを積極的に取り入れて複雑な構造のデバイスを製
作することが行われ始めている。
るいは再成長層との界面には酸素、有機物、重金属等の
汚れが堆積しており、デバイス特性劣化の原因となって
いた。これを除去する方法として気相成長装置内でエッ
チングと成長を連続して行う方法が広く用いられてお
り、界面の不純物を除去したり、あるいは選択気相エッ
チングを積極的に取り入れて複雑な構造のデバイスを製
作することが行われ始めている。
エッチングと成長を連続して行う化合物半導体の気相
成長装置には、塩化水素ガス（以下HClガスと呼称す
る）をエッチングガスに用いたハイドライド気相成長装
置や有機金属気相成長装置が広く用いられている。この
うち、ハイドライド気相成長装置はジャパニーズ・ジャ
ーナル・アプライド・フィジックス（Japanese Journal
Applied Physics）,22巻,1983年,L415〜L416頁に詳述
されている。一方、R.BhatらによってHClガスを用いたG
aAsの気相エッチングの報告があり、用いた有機金属気
相成長装置はジャーナル・エレクトロケミカル・ソサイ
アティ（Journal Electrochemical Society）,121巻,19
74年,1642〜1646頁に記述されている。
成長装置には、塩化水素ガス（以下HClガスと呼称す
る）をエッチングガスに用いたハイドライド気相成長装
置や有機金属気相成長装置が広く用いられている。この
うち、ハイドライド気相成長装置はジャパニーズ・ジャ
ーナル・アプライド・フィジックス（Japanese Journal
Applied Physics）,22巻,1983年,L415〜L416頁に詳述
されている。一方、R.BhatらによってHClガスを用いたG
aAsの気相エッチングの報告があり、用いた有機金属気
相成長装置はジャーナル・エレクトロケミカル・ソサイ
アティ（Journal Electrochemical Society）,121巻,19
74年,1642〜1646頁に記述されている。
上記したような従来の気相成長装置は反応管に成長ガ
スを導入するための供給配管およびHClガスを導入する
ための供給配管がそれぞれ接続されており、ハイドライ
ド気相成長装置ではすべての供給配管および弁は室温の
もとで使用されてきた。有機金属気相成長装置では用い
る有機金属ガスの蒸気圧が室温では小さすぎる場合に限
り、有機金属ガスを入れた容器、その供給配管および弁
を昇温し、有機金属ガスを反応管に導入していた。それ
以外の供給配管および弁はすべて室温のもとで使用され
てきた。
スを導入するための供給配管およびHClガスを導入する
ための供給配管がそれぞれ接続されており、ハイドライ
ド気相成長装置ではすべての供給配管および弁は室温の
もとで使用されてきた。有機金属気相成長装置では用い
る有機金属ガスの蒸気圧が室温では小さすぎる場合に限
り、有機金属ガスを入れた容器、その供給配管および弁
を昇温し、有機金属ガスを反応管に導入していた。それ
以外の供給配管および弁はすべて室温のもとで使用され
てきた。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のハイドライド気相成長装置を用いて半絶縁性In
P基板をエッチングした後、連続してｎ−InP層をエピタ
キシャル成長する方法を例に用いて説明する。InPは通
常行う成長温度（600〜700℃）でHClガス雰囲気にさら
すと、エッチング速度が速く、表面が荒れてしまう。そ
こで、InClとP4からなるInP成長雰囲気にHClガスを添加
した雰囲気を形成してエッチングを行う。つまり、InCl
とP4からなる成長雰囲気にHClガスを加えてHCl濃度を増
加させると成長条件からエッチング条件に移行すること
を利用し、HCl添加量の変化あるいは供給停止でエッチ
ングと成長とを連続して行わせている。
P基板をエッチングした後、連続してｎ−InP層をエピタ
キシャル成長する方法を例に用いて説明する。InPは通
常行う成長温度（600〜700℃）でHClガス雰囲気にさら
すと、エッチング速度が速く、表面が荒れてしまう。そ
こで、InClとP4からなるInP成長雰囲気にHClガスを添加
した雰囲気を形成してエッチングを行う。つまり、InCl
とP4からなる成長雰囲気にHClガスを加えてHCl濃度を増
加させると成長条件からエッチング条件に移行すること
を利用し、HCl添加量の変化あるいは供給停止でエッチ
ングと成長とを連続して行わせている。
しかしながら、従来の成長装置を用いてこのHCl変化
により、InP基板をエッチングした後、続けてSeドープI
nPを成長すると、得られた成長層の不純物濃度分布は第
３図に示すようになる。同図からわかるように、不純物
濃度（キャリア濃度）は成長層と基板との界面近傍でピ
ークを持ち、成長層への一様なドーピングができない。
これはエッチング用に導入したHClガスが直ちに供給停
止できなかったと考えると理解できる。つまり、HCl停
止直後、エッチング条件から成長条件への遷移領域が発
生し、その結果、非常に遅い成長速度のもと、Seの高濃
度ドーピング層が発生したものと考えられる。以上のよ
うに従来の成長装置では不純物分布が一様にならず、か
つエッチングでの層厚を極めて正確に制御することが困
難であった。
により、InP基板をエッチングした後、続けてSeドープI
nPを成長すると、得られた成長層の不純物濃度分布は第
３図に示すようになる。同図からわかるように、不純物
濃度（キャリア濃度）は成長層と基板との界面近傍でピ
ークを持ち、成長層への一様なドーピングができない。
これはエッチング用に導入したHClガスが直ちに供給停
止できなかったと考えると理解できる。つまり、HCl停
止直後、エッチング条件から成長条件への遷移領域が発
生し、その結果、非常に遅い成長速度のもと、Seの高濃
度ドーピング層が発生したものと考えられる。以上のよ
うに従来の成長装置では不純物分布が一様にならず、か
つエッチングでの層厚を極めて正確に制御することが困
難であった。
２成長室ハイドライド気相成長装置を用いてエッチン
グと成長をそれぞれの成長室で行う方法も考えられる
が、我々の実験では基板と成長層界面に不純物の堆積が
観察された。
グと成長をそれぞれの成長室で行う方法も考えられる
が、我々の実験では基板と成長層界面に不純物の堆積が
観察された。
次に、従来の有機金属気相成長装置を用いてエッチン
グに続いてｎ−GaAs層をエピタキシャル成長する場合に
ついて説明する。GaAsは通常用いられる成長温度でもエ
ッチング速度は低く、HClとAsH3との混合雰囲気により
鏡面エッチングができる。従って、この混合ガスにより
エッチングを行い、通常の有機金属成長ガスを用いてｎ
−GaAsの成長実験を行うと、この場合も基板と成長層界
面にキャリア濃度のパイルアップが観察されるととも
に、精密なエッチング層厚を制御できないといった問題
がある。
グに続いてｎ−GaAs層をエピタキシャル成長する場合に
ついて説明する。GaAsは通常用いられる成長温度でもエ
ッチング速度は低く、HClとAsH3との混合雰囲気により
鏡面エッチングができる。従って、この混合ガスにより
エッチングを行い、通常の有機金属成長ガスを用いてｎ
−GaAsの成長実験を行うと、この場合も基板と成長層界
面にキャリア濃度のパイルアップが観察されるととも
に、精密なエッチング層厚を制御できないといった問題
がある。
本発明の目的は、エッチングと成長とを連続して行っ
ても、成長層への均一な不純物ドーピングが可能で、か
つエッチング層厚が精密に制御でき、目的とした層構造
が容易に得られる気相成長装置を提供することにある。
ても、成長層への均一な不純物ドーピングが可能で、か
つエッチング層厚が精密に制御でき、目的とした層構造
が容易に得られる気相成長装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、反応管に塩化水素ガスおよび成長ガスを供
給する供給配管が配設されてなり、塩化水素ガスを用い
た被加工物面のエッチングと、成長ガスを用いた気相成
長とを、前記反応管内で連続的に、かつ両者間の移行を
極めて急峻に行う気相成長装置において、少なくともエ
ッチング用塩化水素ガスを供給する供給配管には塩化水
素ガスの配管内付着を防止する加熱機構が備えられてな
ることを特徴とする気相成長装置である。
給する供給配管が配設されてなり、塩化水素ガスを用い
た被加工物面のエッチングと、成長ガスを用いた気相成
長とを、前記反応管内で連続的に、かつ両者間の移行を
極めて急峻に行う気相成長装置において、少なくともエ
ッチング用塩化水素ガスを供給する供給配管には塩化水
素ガスの配管内付着を防止する加熱機構が備えられてな
ることを特徴とする気相成長装置である。
本発明の気相成長方法において、本装置を例えばハイ
ドライド気相成長方法のように、エッチングガスのみな
らず成長ガスとしてもHClガスを用いる方法に適用する
場合には、成長ガスを反応管に供給する成長ガス供給配
管にも加熱機構を備えていることが好ましい。なお、こ
こで成長ガスとは、直接成長ガスとして作用するものの
ほか、他の物質に作用して間接的に成長に携わるものを
も指称するものとする。
ドライド気相成長方法のように、エッチングガスのみな
らず成長ガスとしてもHClガスを用いる方法に適用する
場合には、成長ガスを反応管に供給する成長ガス供給配
管にも加熱機構を備えていることが好ましい。なお、こ
こで成長ガスとは、直接成長ガスとして作用するものの
ほか、他の物質に作用して間接的に成長に携わるものを
も指称するものとする。
また、本発明による気相成長装置は、前記したような
ハイドライド気相成長方法を行う装置や有機金属気相成
長方法を行う装置のほか、HClを用いたあらゆる種類の
装置に適用することができる。
ハイドライド気相成長方法を行う装置や有機金属気相成
長方法を行う装置のほか、HClを用いたあらゆる種類の
装置に適用することができる。
［作用］ 本発明の気相成長装置では、エッチングに用いられる
HClガスを反応管に供給する塩化水素ガスの供給配管
に、加熱機構が配設されている。
HClガスを反応管に供給する塩化水素ガスの供給配管
に、加熱機構が配設されている。
エッチングに際し、この加熱機構によって配管を加熱
すると、配管内を流れるHClガスが昇温し、HClガスの粘
性および／または付着力が著しく低下する。このためHC
lガスは、例えば通常キャリアガスとして用いられてい
るH2ガスと同様に振る舞うようになり、HClガスの導
入、停止または流量変更後、直ちに反応管内のHClガス
量が変化する。このため、エッチングに引続いて行われ
る成長条件への移行が極めて急峻に行われるので、気相
成長における不純物分布が一様になると共に、エッチン
グの層厚を極めて正確に制御することができる。
すると、配管内を流れるHClガスが昇温し、HClガスの粘
性および／または付着力が著しく低下する。このためHC
lガスは、例えば通常キャリアガスとして用いられてい
るH2ガスと同様に振る舞うようになり、HClガスの導
入、停止または流量変更後、直ちに反応管内のHClガス
量が変化する。このため、エッチングに引続いて行われ
る成長条件への移行が極めて急峻に行われるので、気相
成長における不純物分布が一様になると共に、エッチン
グの層厚を極めて正確に制御することができる。
また、成長ガスとしてHClガスを用いる場合には、成
長ガスを反応管に供給する成長ガスの供給配管にも加熱
機構を備えていると、蒸気と同様の理由によって、反応
管内のHClガス量が直ちに変化し、多元混晶化合物半導
体の多層ヘテロ構造等の形成が容易となる。
長ガスを反応管に供給する成長ガスの供給配管にも加熱
機構を備えていると、蒸気と同様の理由によって、反応
管内のHClガス量が直ちに変化し、多元混晶化合物半導
体の多層ヘテロ構造等の形成が容易となる。
第４図は本発明の作用を測定するための測定装置を示
す概略構成図である。同図においてHClガスは供給配管4
03を通り、弁401aおよび401bによって反応管404側へ流
すか、あるいはそのまま廃棄するかを切り替えられる。
初期状態として弁401bは閉、弁401aは開の状態になって
おり、反応管にHClガスを流す際には、弁401bを開、弁4
01aを閉とする。また、弁を含む供給配管403には加熱用
のヒータ406を設置する。反応管404内に導入されるHCl
ガス量を目視する方法としては紫外線吸収率測定方法を
用いる。HClガスは波長約150nmの位置に強い吸収があ
り、この吸収率から反応管内のHClガス濃度を直ちに知
ることができる。
す概略構成図である。同図においてHClガスは供給配管4
03を通り、弁401aおよび401bによって反応管404側へ流
すか、あるいはそのまま廃棄するかを切り替えられる。
初期状態として弁401bは閉、弁401aは開の状態になって
おり、反応管にHClガスを流す際には、弁401bを開、弁4
01aを閉とする。また、弁を含む供給配管403には加熱用
のヒータ406を設置する。反応管404内に導入されるHCl
ガス量を目視する方法としては紫外線吸収率測定方法を
用いる。HClガスは波長約150nmの位置に強い吸収があ
り、この吸収率から反応管内のHClガス濃度を直ちに知
ることができる。
供給配管403および弁401a,401bを室温に保ち、HClガ
スの導入，停止を繰り返した結果、反応管404内でHClガ
スが完全に安定または消失するのに共に15秒以上必要で
あることがわかった。また、HClガスを反応管に流した
まま、高速応答が可能なマスフローコントローラ405に
よってHClガス流量のみを変化させた場合でも同等の時
間が必要であった。一方、供給配管403および弁401a,40
1bをヒータ406により80℃に加熱した場合では、HClガス
の導入または停止、あるいは流量変更後、直ちにHClガ
スは変化した。
スの導入，停止を繰り返した結果、反応管404内でHClガ
スが完全に安定または消失するのに共に15秒以上必要で
あることがわかった。また、HClガスを反応管に流した
まま、高速応答が可能なマスフローコントローラ405に
よってHClガス流量のみを変化させた場合でも同等の時
間が必要であった。一方、供給配管403および弁401a,40
1bをヒータ406により80℃に加熱した場合では、HClガス
の導入または停止、あるいは流量変更後、直ちにHClガ
スは変化した。
［実施例］ 次に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
実施例１ 本実施例ではハイドライド気相成長装置に本発明を適
用し、反絶縁性InP基板を0.2μｍエッチングし、連続し
て0.2μｍのSeドープｎ−InP層を成長させた例について
述べる。
用し、反絶縁性InP基板を0.2μｍエッチングし、連続し
て0.2μｍのSeドープｎ−InP層を成長させた例について
述べる。
第１図は本実施例に用いた気相成長装置の概略構成図
である。成長室と待機室を併合した反応管101には、HCl
ガスを導入するための供給配管105,106が接続されてい
る。HClガスの供給配管にはそれぞれ弁102a〜102dが設
けられ、それらを加熱するためにヒータ107a,107bがそ
れぞれ配置されている。その他の弁については図中省略
した。
である。成長室と待機室を併合した反応管101には、HCl
ガスを導入するための供給配管105,106が接続されてい
る。HClガスの供給配管にはそれぞれ弁102a〜102dが設
けられ、それらを加熱するためにヒータ107a,107bがそ
れぞれ配置されている。その他の弁については図中省略
した。
実験に際しては金属ソース（In）を800℃、待機室109
に設置された基板103を600℃に昇温した。この時、ヒー
タ107a,107bはそれぞれの供給配管105,106が80℃になる
ように電流制御した。ｎ−InP成長雰囲気として、供給
配管105からHClガスを10cc/min、供給配管106からPH3を
15cc/minおよびH2で5ppmに希釈されたH2Seガスを10cc/m
inそれぞれ供給し、H2キャリアを3000cc/min流して雰囲
気とした。まず、気相エッチングをするために上記成長
雰囲気に加えて供給配管106からHClガスを5cc/min流し
た。基板が600℃になった際、基板を成長室110に移動
し、エッチングを60秒間行い、直ちに弁102a,102bを操
作してエッチング用HClガスの供給を停止した。その
後、SeドープInP層を２分間成長した。
に設置された基板103を600℃に昇温した。この時、ヒー
タ107a,107bはそれぞれの供給配管105,106が80℃になる
ように電流制御した。ｎ−InP成長雰囲気として、供給
配管105からHClガスを10cc/min、供給配管106からPH3を
15cc/minおよびH2で5ppmに希釈されたH2Seガスを10cc/m
inそれぞれ供給し、H2キャリアを3000cc/min流して雰囲
気とした。まず、気相エッチングをするために上記成長
雰囲気に加えて供給配管106からHClガスを5cc/min流し
た。基板が600℃になった際、基板を成長室110に移動
し、エッチングを60秒間行い、直ちに弁102a,102bを操
作してエッチング用HClガスの供給を停止した。その
後、SeドープInP層を２分間成長した。
得られた成長層の不純物濃度（キャリア濃度）は２×
1017cm-3であり、膜厚方向の濃度分布は成長層全体に亘
って極めて均一であり、基板と成長層界面には不純物の
パイルアップは全く観察されなかった。
1017cm-3であり、膜厚方向の濃度分布は成長層全体に亘
って極めて均一であり、基板と成長層界面には不純物の
パイルアップは全く観察されなかった。
また、SiO2マスクが形成されたInP基板を用いて、エ
ッチングの実験を行った。エッチング深さはSiO2を基板
から除去した後、精密膜厚段差計で測定した。実験の結
果、エッチング時間とエッチング深さは比例関係にあ
り、最小2nmの高い精度でエッチング量を制御できるこ
とが解った。
ッチングの実験を行った。エッチング深さはSiO2を基板
から除去した後、精密膜厚段差計で測定した。実験の結
果、エッチング時間とエッチング深さは比例関係にあ
り、最小2nmの高い精度でエッチング量を制御できるこ
とが解った。
実施例２ 本実施例は0.1気圧の減圧有機金属気相成長装置に本
発明を適用し、半絶縁性GaAs基板をエッチングし、連続
してｎ−GaAsを成長させた例について述べる。
発明を適用し、半絶縁性GaAs基板をエッチングし、連続
してｎ−GaAsを成長させた例について述べる。
第２図は本実施例に用いた有機金属気相成長装置の概
略構成図である。Ga原料であるトリメチルガリウム（TM
G）とAs原料であるAsH3を反応管207に供給するための供
給配管201,202およびエッチングを行うためのHCl供給配
管203が反応管に接続されている。HCl供給配管203およ
び弁204a,204bには加熱用のヒータ206が設置されてお
り、本実施例では供給配管203および弁204a,204bを80℃
に加熱した。半絶縁性GaAs基板205をAsH3雰囲気中で700
℃に加熱した後、弁204a,204bを操作することによっ
て、HClを反応管に供給した。この時のHClの流量は10cc
/minであり、全H2流量は3000cc/min、AsH3流量は40cc/m
inである。HClガスの供給を１分間行た後、弁204a,204b
を操作してHClガスの供給を停止した。直ちにTMGを1cc/
minおよびH2で100ppmに希釈されたSiH4を10cc/minの流
量でそれぞれ供給した。ｎ−GaAsの成長時間は15分とし
た。
略構成図である。Ga原料であるトリメチルガリウム（TM
G）とAs原料であるAsH3を反応管207に供給するための供
給配管201,202およびエッチングを行うためのHCl供給配
管203が反応管に接続されている。HCl供給配管203およ
び弁204a,204bには加熱用のヒータ206が設置されてお
り、本実施例では供給配管203および弁204a,204bを80℃
に加熱した。半絶縁性GaAs基板205をAsH3雰囲気中で700
℃に加熱した後、弁204a,204bを操作することによっ
て、HClを反応管に供給した。この時のHClの流量は10cc
/minであり、全H2流量は3000cc/min、AsH3流量は40cc/m
inである。HClガスの供給を１分間行た後、弁204a,204b
を操作してHClガスの供給を停止した。直ちにTMGを1cc/
minおよびH2で100ppmに希釈されたSiH4を10cc/minの流
量でそれぞれ供給した。ｎ−GaAsの成長時間は15分とし
た。
得られたｎ−GaAsの膜厚は0.2μｍであり、成長層の
不純物濃度（キャリア濃度）は２×1017cm-3であり、膜
厚方向の濃度分布は成長層全体に亘って極めて均一であ
った。
不純物濃度（キャリア濃度）は２×1017cm-3であり、膜
厚方向の濃度分布は成長層全体に亘って極めて均一であ
った。
また、SiO2マスクが形成されたGaAs基板を用いてエッ
チングの実験を行った。エッチング深さはSiO2を基板か
ら除去した後、精密膜厚段差計で測定した。実験の結
果、エッチング量がエッチング速度とエッチング時間の
積に一致し、精密膜厚段差計の分解能で1nm以下の高い
精度でエッチング量を制御できた。
チングの実験を行った。エッチング深さはSiO2を基板か
ら除去した後、精密膜厚段差計で測定した。実験の結
果、エッチング量がエッチング速度とエッチング時間の
積に一致し、精密膜厚段差計の分解能で1nm以下の高い
精度でエッチング量を制御できた。
なお、上記実施例１および２ではInPおよびGaAsを成
長させたが、本発明はこれらの混晶に限定されないのは
明らかである。
長させたが、本発明はこれらの混晶に限定されないのは
明らかである。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の気相成長装置は塩化水
素ガスの供給配管に加熱機構が備えられているので、塩
化水素ガスの反応管への供給の制御を極めて精密かつ急
峻に行うことができる。このため本発明による気相成長
装置を用いるとエッチングと成長を連続して行っても成
長層界面にはなんらの不純物堆積はみられず、また膜厚
方向の不純物分布が一定の成長層が得られると共に、精
密にエッチング膜厚を制御できる。これらの特徴を生か
せば、デバイス特性に優れたFETの元基板やさらには複
雑な構造の極微細素子を製作することができる。
素ガスの供給配管に加熱機構が備えられているので、塩
化水素ガスの反応管への供給の制御を極めて精密かつ急
峻に行うことができる。このため本発明による気相成長
装置を用いるとエッチングと成長を連続して行っても成
長層界面にはなんらの不純物堆積はみられず、また膜厚
方向の不純物分布が一定の成長層が得られると共に、精
密にエッチング膜厚を制御できる。これらの特徴を生か
せば、デバイス特性に優れたFETの元基板やさらには複
雑な構造の極微細素子を製作することができる。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図は本発
明の別の一実施例の概略構成図、第３図は成長層の不純
物分布図、第４図は測定装置の概略構成図である。 101,207,404……反応管 102a〜102d,204a,204b,401a,401b……弁 103……基板 105,106,201,202,203……供給配管 107a,107b,206,406……ヒータ 109……待機室 110……成長室 205……GaAs基板 403……HClガス供給配管 405……マスフローコントローラ
明の別の一実施例の概略構成図、第３図は成長層の不純
物分布図、第４図は測定装置の概略構成図である。 101,207,404……反応管 102a〜102d,204a,204b,401a,401b……弁 103……基板 105,106,201,202,203……供給配管 107a,107b,206,406……ヒータ 109……待機室 110……成長室 205……GaAs基板 403……HClガス供給配管 405……マスフローコントローラ
Claims (2)
- 【請求項１】反応管に塩化水素ガスおよび成長ガスを供
給する供給配管が配設されてなり、塩化水素ガスを用い
た被加工物面のエッチングと、成長ガスを用いた気相成
長とを、前記反応管内で連続的に、かつ両者間の移行を
極めて急峻に行う気相成長装置において、少なくともエ
ッチング用塩化水素ガスを供給する供給配管には塩化水
素ガスの配管内付着を防止する加熱機構が備えられてな
ることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】成長ガスには塩化水素ガスが含まれ、成長
ガスの供給配管には塩化水素ガスの配管内付着を防止す
る加熱機構が備えられている請求項（１）記載の気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181510A JP2701339B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63181510A JP2701339B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0232532A JPH0232532A (ja) | 1990-02-02 |
| JP2701339B2 true JP2701339B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16102023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63181510A Expired - Lifetime JP2701339B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701339B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510512A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-19 | Nakajima Doukoushiyo:Kk | ガス燃焼装置 |
| JPH05312325A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-22 | Nakajima Doukou Kk | 液化ガスを用いた熱加工装置 |
| JP2006147922A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JP2009046382A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体結晶とその成長方法、材料、および窒化ガリウム単結晶基板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61101490A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線結晶成長方法と装置 |
| JPS6259595A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-16 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | ひ化ガリウム単結晶薄膜の気相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS62128528A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Sharp Corp | レ−ザ表面処理装置 |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63181510A patent/JP2701339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232532A (ja) | 1990-02-02 |
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