JPH0639705B2 - ガス供給装置 - Google Patents
ガス供給装置Info
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- JPH0639705B2 JPH0639705B2 JP15144887A JP15144887A JPH0639705B2 JP H0639705 B2 JPH0639705 B2 JP H0639705B2 JP 15144887 A JP15144887 A JP 15144887A JP 15144887 A JP15144887 A JP 15144887A JP H0639705 B2 JPH0639705 B2 JP H0639705B2
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- JP
- Japan
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- pressure
- gas
- supply device
- gas supply
- needle valve
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
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- Materials Engineering (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、真空容器へ有機金属ガスを供給するガス供給
装置に関する。
装置に関する。
（従来技術及び発明が解決しようとする問題点） GaAsに代表される化合物半導体は、レーザなどの光素子
のみでなく電界効果トランジスタなどの高速素子の構成
材料として広く用いられている。これらの素子は薄膜形
成装置を用いて作製される。素子性能のより一層の向上
をめざして、より精密な制御が可能な薄膜形成装置が年
々開発されてきた。現在、分子線エピタキシ法（以下Ｍ
ＢＥと呼ぶ）と有機金属熱分解法（以下ＭＯＣＶＤと呼
ぶ）が双璧の技術である。前者は超高真空技術が基本に
あり、膜厚方向の精密制御が可能であるという特長があ
るが、生産性に難点がある。後者はプラント技術が基本
にあるため多量生産に適しているが、膜厚制御がＭＢＥ
に比べて劣る。有機金属分子線エピタキシ法（以下ＭＯ
ＭＢＥと呼ぶ）はＭＢＥとＭＯＣＶＤの融合を目指した
技術である。（文献、日経エレクトロニクス，1985年12
月，p.89）しかし、いまだ研究の初期段階にあるため、
これに適した装置はいまだ市販されていない。
のみでなく電界効果トランジスタなどの高速素子の構成
材料として広く用いられている。これらの素子は薄膜形
成装置を用いて作製される。素子性能のより一層の向上
をめざして、より精密な制御が可能な薄膜形成装置が年
々開発されてきた。現在、分子線エピタキシ法（以下Ｍ
ＢＥと呼ぶ）と有機金属熱分解法（以下ＭＯＣＶＤと呼
ぶ）が双璧の技術である。前者は超高真空技術が基本に
あり、膜厚方向の精密制御が可能であるという特長があ
るが、生産性に難点がある。後者はプラント技術が基本
にあるため多量生産に適しているが、膜厚制御がＭＢＥ
に比べて劣る。有機金属分子線エピタキシ法（以下ＭＯ
ＭＢＥと呼ぶ）はＭＢＥとＭＯＣＶＤの融合を目指した
技術である。（文献、日経エレクトロニクス，1985年12
月，p.89）しかし、いまだ研究の初期段階にあるため、
これに適した装置はいまだ市販されていない。
ＭＯＭＢＥ装置はＭＢＥとＭＯＣＶＤの両方の特徴を有
すると期待されるが、両者の技術基盤が全く異なるた
め、装置開発には多くの問題がある。その一つに原料ガ
ス供給装置がある。ＭＯＭＢＥ装置は超高真空容器内で
膜形成を行うが、その膜の原料ガスを真空外から供給す
る。その供給方法は、模式的に第５図に示すように、Ｍ
ＯＣＶＤ法で使われる方法に依っている。すなわち、水
素の供給源である水素純化器１に水素ガス流量を調整す
るマスフローコントローラ２、ガスの圧力を測する圧力
計３、有機金属が収納されたバブラー４とバブラーの温
度を調整する温調器５、真空容器内の圧力を調整するた
めのニードルバルブ６から構成され、これらはステンレ
スパイプ７で接続されている。ニードルバルブの他端は
ステンレスパイプを介して真空容器８に接続され、真空
容器８は高真空ポンプ９によって常に５×10-4Torr以上
の高真空に保たれている。マスフローコントローラ２に
よって流量制御された水素ガスをバブラー４の入口に流
し込み、出口から有機ガスを含んだ水素ガスを取り出
し、ニードルバルブ６を用いて圧力制御して真空容器８
にこれを送りこむ。水素ガスは有機金属ガスを運ぶので
キャリアガスと呼ばれる。真空容器に導入される有機金
属の量は、バブラーの温度を一定に保つ場合キャリアガ
スの流量によって決定される。真空容器内の圧力Ｐは、
流量Ｑと真空ポンプの排気能力ＳによってＰ＝Ｑ／Ｓで
表わされる。市販のポンプのＳの最大値は2000/secで
ある。このため、流量Ｑの値のわずかな変動によって圧
力Ｐが大きく変動する。例えば、ΔＱ＝１cc／分はΔＰ
＝10-5Torrに相当する。ニードルバルブは、ＭＯＣＶＤ
法で使用される１〜1000Torrの範囲での圧力制御用とし
て開発されたものであり、これを用いてＭＯＭＢＥ法で
の５×10-4Torr以下の圧力を制御することはほとんど不
可能であった。そのため、従来のガス供給装置を用いた
ＭＯＭＢＥ装置では、AlGaAsなどの混晶半導体の組成や
成長速度の制御性，再現性が著しく低いという欠点があ
った。
すると期待されるが、両者の技術基盤が全く異なるた
め、装置開発には多くの問題がある。その一つに原料ガ
ス供給装置がある。ＭＯＭＢＥ装置は超高真空容器内で
膜形成を行うが、その膜の原料ガスを真空外から供給す
る。その供給方法は、模式的に第５図に示すように、Ｍ
ＯＣＶＤ法で使われる方法に依っている。すなわち、水
素の供給源である水素純化器１に水素ガス流量を調整す
るマスフローコントローラ２、ガスの圧力を測する圧力
計３、有機金属が収納されたバブラー４とバブラーの温
度を調整する温調器５、真空容器内の圧力を調整するた
めのニードルバルブ６から構成され、これらはステンレ
スパイプ７で接続されている。ニードルバルブの他端は
ステンレスパイプを介して真空容器８に接続され、真空
容器８は高真空ポンプ９によって常に５×10-4Torr以上
の高真空に保たれている。マスフローコントローラ２に
よって流量制御された水素ガスをバブラー４の入口に流
し込み、出口から有機ガスを含んだ水素ガスを取り出
し、ニードルバルブ６を用いて圧力制御して真空容器８
にこれを送りこむ。水素ガスは有機金属ガスを運ぶので
キャリアガスと呼ばれる。真空容器に導入される有機金
属の量は、バブラーの温度を一定に保つ場合キャリアガ
スの流量によって決定される。真空容器内の圧力Ｐは、
流量Ｑと真空ポンプの排気能力ＳによってＰ＝Ｑ／Ｓで
表わされる。市販のポンプのＳの最大値は2000/secで
ある。このため、流量Ｑの値のわずかな変動によって圧
力Ｐが大きく変動する。例えば、ΔＱ＝１cc／分はΔＰ
＝10-5Torrに相当する。ニードルバルブは、ＭＯＣＶＤ
法で使用される１〜1000Torrの範囲での圧力制御用とし
て開発されたものであり、これを用いてＭＯＭＢＥ法で
の５×10-4Torr以下の圧力を制御することはほとんど不
可能であった。そのため、従来のガス供給装置を用いた
ＭＯＭＢＥ装置では、AlGaAsなどの混晶半導体の組成や
成長速度の制御性，再現性が著しく低いという欠点があ
った。
（発明の目的） 本発明は上記の欠点を解決するために提案されたもの
で、その目的はＭＯＭＢＥ装置において真空容器内に導
入する有機金属ガスの量および圧力を精密に調整できる
ガス供給装置を提供することにある。
で、その目的はＭＯＭＢＥ装置において真空容器内に導
入する有機金属ガスの量および圧力を精密に調整できる
ガス供給装置を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 上記の目的を達成するため、本発明はマスフローコント
ローラとニードルバルブとを用いて、キャリアガスとと
もに有機金属ガスを真空装置内に供給するガス供給装置
において、ニードルバルブの２次側に圧力調整機構ある
いは流量調整機構のいずれか一方を設けたことを特徴と
するガス供給装置を発明の要旨とするものである。
ローラとニードルバルブとを用いて、キャリアガスとと
もに有機金属ガスを真空装置内に供給するガス供給装置
において、ニードルバルブの２次側に圧力調整機構ある
いは流量調整機構のいずれか一方を設けたことを特徴と
するガス供給装置を発明の要旨とするものである。
次に本発明の実施例について説明する。なお、実施例は
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲
で、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまで
もない。
一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しない範囲
で、種々の変更あるいは改良を行いうることは言うまで
もない。
第１図は本発明のガス供給装置を示すもので、図におい
て、１は水素純化器、２はマスフローコントローラ、３
は圧力計、４はバブラー、５は温調器、６はニードルバ
ルブ、７はステンレスパイプ、８は真空容器、９は高真
空ポンプ、10は圧力・流量微調整機構を示す。しかして
本発明は、ニードルバルブ６の２次側に圧力・流量微調
整機構10を備えたことを主な特徴とする。
て、１は水素純化器、２はマスフローコントローラ、３
は圧力計、４はバブラー、５は温調器、６はニードルバ
ルブ、７はステンレスパイプ、８は真空容器、９は高真
空ポンプ、10は圧力・流量微調整機構を示す。しかして
本発明は、ニードルバルブ６の２次側に圧力・流量微調
整機構10を備えたことを主な特徴とする。
従来の装置と同様、マスフローコントローラ２からニー
ドルバルブ６までの配管内の圧力はほぼ大気圧であり、
ニードルバルブから真空容器は５×10-4Torr以下の真空
であり、ニードルバルブはこの差圧を維持する役目を果
している。本発明では、ニードルバルブ６によって圧力
の粗調整を行ったのち、圧力・流量微調整機構10により
真空容器８内に導入される有機金属ガスの圧力・流量の
微調整を行う。
ドルバルブ６までの配管内の圧力はほぼ大気圧であり、
ニードルバルブから真空容器は５×10-4Torr以下の真空
であり、ニードルバルブはこの差圧を維持する役目を果
している。本発明では、ニードルバルブ６によって圧力
の粗調整を行ったのち、圧力・流量微調整機構10により
真空容器８内に導入される有機金属ガスの圧力・流量の
微調整を行う。
第２図は圧力・流量微調整機構の一例を示す。図におい
て、１は水素純化器、２はマスフローコントローラ、３
は圧力計、４はバブラー、５は温調器、６はニードルバ
ルブ、７はステンレスパイプ、８は真空容器、９は高真
空ポンプ、10は圧力・流量微調整機構を示す。しかし
て、ニードルバルブ６の２次側には真空容器８に至る主
ラインＡと、流量調整弁11に至るバイパスラインＢとに
分岐されている。
て、１は水素純化器、２はマスフローコントローラ、３
は圧力計、４はバブラー、５は温調器、６はニードルバ
ルブ、７はステンレスパイプ、８は真空容器、９は高真
空ポンプ、10は圧力・流量微調整機構を示す。しかし
て、ニードルバルブ６の２次側には真空容器８に至る主
ラインＡと、流量調整弁11に至るバイパスラインＢとに
分岐されている。
主ラインＡには圧力計14が連結され、この圧力計14から
の信号により作動する圧力制御器13が連結され、この圧
力制御器13はバイパスラインＢの流量調整弁11を作動す
る。またこの流量調整弁には真空ポンプ12が接続されて
いる。
の信号により作動する圧力制御器13が連結され、この圧
力制御器13はバイパスラインＢの流量調整弁11を作動す
る。またこの流量調整弁には真空ポンプ12が接続されて
いる。
主ラインの圧力調整は、圧力計14からの出力信号が一定
になるように流量調整弁11を開閉し、真空ポンプ９へ排
出されるガスの量を調整することにより行なわれる。
になるように流量調整弁11を開閉し、真空ポンプ９へ排
出されるガスの量を調整することにより行なわれる。
第３図はＭＯＭＢＥ装置の全体像を、第４図は本発明の
ガス供給装置の詳細を示したものである。以下にAlGaAs
膜中のAl組成を精密に制御した例について説明する。
ガス供給装置の詳細を示したものである。以下にAlGaAs
膜中のAl組成を精密に制御した例について説明する。
第３図に示すように、ガス供給装置15から供給されたガ
スはガスソース源16a,16bを経て真空容器８中に置かれ
た基板18に堆積する。本装置を動作するには、まず高真
空ポンプ９を用いて真空容器８内を10-10Torrに排気す
る。GaAs基板は400℃に加熱した。次にガス供給装置15
からＶ族元素源としてアルシンを、III族元素源として
トリエチルガリウム（以下ＴＥＧと呼ぶ）とトリメチル
アルミニウム（以下ＴＭＡと呼ぶ）をキャリアガスを用
いて供給した。
スはガスソース源16a,16bを経て真空容器８中に置かれ
た基板18に堆積する。本装置を動作するには、まず高真
空ポンプ９を用いて真空容器８内を10-10Torrに排気す
る。GaAs基板は400℃に加熱した。次にガス供給装置15
からＶ族元素源としてアルシンを、III族元素源として
トリエチルガリウム（以下ＴＥＧと呼ぶ）とトリメチル
アルミニウム（以下ＴＭＡと呼ぶ）をキャリアガスを用
いて供給した。
第４図は、前記ガス供給装置の内部の配管系統図を模式
的に示したものである。図において、１は水素純化器、
19はアルシンボンベ、2a,2b,2cはマスフローコントロー
ラ、3a,3bは圧力計、4a,4bはバブラー、5a,5bは温調
器、6a,6bはニードルバルブ、11a,11bは圧力調整弁、12
は真空ポンプ、13a,13bは圧力制御器、14a,14b,14c,14d
は圧力計、16a,16bは夫々ガス供給源を示す。アルシン
はガスソース源16aに接続され、ＴＥＧとＴＭＡを含む
水素ガスは１本のラインに統合されてガスソース源16b
に接続されている。アルシン，ＴＥＧ，ＴＭＡの供給量
の制御は以下のようにして行なった。
的に示したものである。図において、１は水素純化器、
19はアルシンボンベ、2a,2b,2cはマスフローコントロー
ラ、3a,3bは圧力計、4a,4bはバブラー、5a,5bは温調
器、6a,6bはニードルバルブ、11a,11bは圧力調整弁、12
は真空ポンプ、13a,13bは圧力制御器、14a,14b,14c,14d
は圧力計、16a,16bは夫々ガス供給源を示す。アルシン
はガスソース源16aに接続され、ＴＥＧとＴＭＡを含む
水素ガスは１本のラインに統合されてガスソース源16b
に接続されている。アルシン，ＴＥＧ，ＴＭＡの供給量
の制御は以下のようにして行なった。
濃度100％のアルシンボンベ19の元栓をあけてマスフロ
ーコントローラ2cにより、その流量を10cc／分に制御し
た。ガスソース源16aの温度は990℃に保っているので、
アルシンはAs2に熱分解されて、GaAs基板に達する。ア
ルシンはGaAs基板が400℃以上に加熱されている状態の
ときは常に基板に照射される。
ーコントローラ2cにより、その流量を10cc／分に制御し
た。ガスソース源16aの温度は990℃に保っているので、
アルシンはAs2に熱分解されて、GaAs基板に達する。ア
ルシンはGaAs基板が400℃以上に加熱されている状態の
ときは常に基板に照射される。
一方、水素純化器１から供給された水素の一部は、圧力
計3aが常に大気圧以上になるように監視しながらマスフ
ローコントローラ2aにより流量を２cc／分に設定してＴ
ＥＧが収められたバブラー4aに導入する。バブラーの温
度は温調器5aにより48℃に保った。次にニードルバルブ
6aをあけ、真空ラインＴＥＧを含む水素ガスを導入し
た。その際、真空容器８への流量調整は次のように行な
った。まず、圧力計（ＭＫＳ社製バラトロンゲージタイ
プ390）14aの指示値が約１×10-4Torrになるようにニー
ドルバルブ6aを調整する。次に設定値を圧力制御器13a
を用いて10-5Torrにセットする。ＴＥＧを含む水素ガス
のほとんどすべては圧力調整弁11aを介して真空ポンプ1
2により排出される。次に圧力計14bの設定値を６×10-5
Torrにセットして、前記ガスの一部をガスソース源16a
に導入した。ＴＭＡの導入量の制御手順は、ＴＥＧと同
様に行なった。ただし、バブラー4bの温度は35℃に、圧
力計14dの設定値は３×10-5Torrにセットした。ガスソ
ース源16bは150℃に保温した。これは、ガスソース源が
液体窒素で冷却された容器内に収められているので、Ｔ
ＥＧとＴＭＡがガスソース源内部に付着することを防ぐ
ためである。GaAs基板18を650℃に加熱した時点で、シ
ャッタ17（第３図参照）をあけ、ＴＥＧとＴＭＡを含む
水素ガスをGaAs基板に照射し、AlGaAs膜を１時間成長し
た。膜厚は1.5μｍで、5.8cm（２インチ）のGaAs基板内
での膜厚変動は１％以内であった。また、二結晶Ｘ線回
折法から決定したAlGaAs膜のAl組成は0.33であり、面内
の組成のバラツキは約0.33±0.01であった。
計3aが常に大気圧以上になるように監視しながらマスフ
ローコントローラ2aにより流量を２cc／分に設定してＴ
ＥＧが収められたバブラー4aに導入する。バブラーの温
度は温調器5aにより48℃に保った。次にニードルバルブ
6aをあけ、真空ラインＴＥＧを含む水素ガスを導入し
た。その際、真空容器８への流量調整は次のように行な
った。まず、圧力計（ＭＫＳ社製バラトロンゲージタイ
プ390）14aの指示値が約１×10-4Torrになるようにニー
ドルバルブ6aを調整する。次に設定値を圧力制御器13a
を用いて10-5Torrにセットする。ＴＥＧを含む水素ガス
のほとんどすべては圧力調整弁11aを介して真空ポンプ1
2により排出される。次に圧力計14bの設定値を６×10-5
Torrにセットして、前記ガスの一部をガスソース源16a
に導入した。ＴＭＡの導入量の制御手順は、ＴＥＧと同
様に行なった。ただし、バブラー4bの温度は35℃に、圧
力計14dの設定値は３×10-5Torrにセットした。ガスソ
ース源16bは150℃に保温した。これは、ガスソース源が
液体窒素で冷却された容器内に収められているので、Ｔ
ＥＧとＴＭＡがガスソース源内部に付着することを防ぐ
ためである。GaAs基板18を650℃に加熱した時点で、シ
ャッタ17（第３図参照）をあけ、ＴＥＧとＴＭＡを含む
水素ガスをGaAs基板に照射し、AlGaAs膜を１時間成長し
た。膜厚は1.5μｍで、5.8cm（２インチ）のGaAs基板内
での膜厚変動は１％以内であった。また、二結晶Ｘ線回
折法から決定したAlGaAs膜のAl組成は0.33であり、面内
の組成のバラツキは約0.33±0.01であった。
圧力計14bと14dの設定値を適当に組み合わせることによ
り、AlGaAs膜のAl組成ｘを、ｘ±0.01（0.05＜ｘ＜0.9
5）の精度で制御できた。
り、AlGaAs膜のAl組成ｘを、ｘ±0.01（0.05＜ｘ＜0.9
5）の精度で制御できた。
以上AlGaAsについて説明したが、本方法はすべてのIII
−Ｖ化合物，II−VI化合物半導体膜の精密な組成制御に
応用できることは言うまでもない。
−Ｖ化合物，II−VI化合物半導体膜の精密な組成制御に
応用できることは言うまでもない。
（発明の効果） 叙上のように本発明によれば、マスフローコントローラ
とニードルバルブとを用いて、キャリアガスとともに有
機金属ガスを真空装置内に供給するガス供給装置におい
て、ニードルバルブの２次側に圧力調整機構あるいは流
量調整機構のいずれか一方を設けたことにより、ニード
ルバルブによって大気圧から10-4Torrへの圧力差を維持
すると共に、真空ラインに真空ゲージを置いて微量の圧
力調整が可能な制御機構を設けているので、真空容器へ
の有機金属の供給量を精密に制御できる利点がある。
とニードルバルブとを用いて、キャリアガスとともに有
機金属ガスを真空装置内に供給するガス供給装置におい
て、ニードルバルブの２次側に圧力調整機構あるいは流
量調整機構のいずれか一方を設けたことにより、ニード
ルバルブによって大気圧から10-4Torrへの圧力差を維持
すると共に、真空ラインに真空ゲージを置いて微量の圧
力調整が可能な制御機構を設けているので、真空容器へ
の有機金属の供給量を精密に制御できる利点がある。
実施例では圧力計にフルスケール１Torrのゲージを用い
たが、フルスケール1000Torrのゲージを用いればＭＯＣ
ＶＤのガス供給装置に応用できることは言うまでもな
い。
たが、フルスケール1000Torrのゲージを用いればＭＯＣ
ＶＤのガス供給装置に応用できることは言うまでもな
い。
第１図は本発明の実施例、第２図は圧力・流量微調整機
構を示し、第３図は有機金属分子線エピタキシ装置の全
体像、第４図は圧力・流量微調整機構の具体的実施例、
第５図は従来例を示す。 １……水素純化器 2,2a,2b,2c……マスフローコントローラ 3,3a,3b……圧力計 4,4a,4b……バブラー 5,5a,5b……温調器 6,6a,6b……ニードルバルブ ７……ステンレスパイプ ８……真空容器 ９……高真空ポンプ 10……圧力・流量微調整機構 11a,11b……圧力調整弁 12……真空ポンプ 13a,13b……圧力制御器 14,14a,14b,14c,14d……圧力計 15……ガス供給装置 16a,16b……ガスソース源 17……シャッタ 18……基板 19……アルシンボンベ
構を示し、第３図は有機金属分子線エピタキシ装置の全
体像、第４図は圧力・流量微調整機構の具体的実施例、
第５図は従来例を示す。 １……水素純化器 2,2a,2b,2c……マスフローコントローラ 3,3a,3b……圧力計 4,4a,4b……バブラー 5,5a,5b……温調器 6,6a,6b……ニードルバルブ ７……ステンレスパイプ ８……真空容器 ９……高真空ポンプ 10……圧力・流量微調整機構 11a,11b……圧力調整弁 12……真空ポンプ 13a,13b……圧力制御器 14,14a,14b,14c,14d……圧力計 15……ガス供給装置 16a,16b……ガスソース源 17……シャッタ 18……基板 19……アルシンボンベ
Claims (2)
- 【請求項１】マスフローコントローラとニードルバルブ
とを用いて、キャリアガスとともに有機金属ガスを真空
装置内に供給するガス供給装置において、ニードルバル
ブの２次側に圧力調整機構あるいは流量調整機構のいず
れか一方を設けたことを特徴とするガス供給装置。 - 【請求項２】ガス供給装置は、ニードルバルブの２次側
を真空容器へ接続する主ラインと、真空ポンプに連結す
るバイパスラインとを備え、前記主ラインに設置された
圧力計により主ラインの圧力を測定し、その値によって
圧力制御装置を介して、流量調整弁を調整し、バイパス
ラインに流れるガス量を変化させることにより、ニード
ルバルブの２次側の圧力を制御することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15144887A JPH0639705B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15144887A JPH0639705B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317674A JPS63317674A (ja) | 1988-12-26 |
| JPH0639705B2 true JPH0639705B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=15518818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15144887A Expired - Fee Related JPH0639705B2 (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0639705B2 (ja) |
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-
1987
- 1987-06-19 JP JP15144887A patent/JPH0639705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63317674A (ja) | 1988-12-26 |
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