JPH10237654A - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPH10237654A
JPH10237654A JP3621497A JP3621497A JPH10237654A JP H10237654 A JPH10237654 A JP H10237654A JP 3621497 A JP3621497 A JP 3621497A JP 3621497 A JP3621497 A JP 3621497A JP H10237654 A JPH10237654 A JP H10237654A
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JP
Japan
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purge
reactors
reactor
exhaust line
line
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JP3621497A
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English (en)
Inventor
Michio Takahashi
道生 高橋
Hiroaki Tanaka
宏明 田中
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 1つのガス供給制御装置と複数の反応炉から
なり、成長膜の品質を損なうことなく、設備費用および
設備設置スペースを減少させることができる気相成長装
置を提供する。 【解決手段】 一つのガス供給制御装置5と、該ガス供
給制御装置5に接続した複数の反応炉1a、1bと、該
複数の反応炉1a、1bのそれぞれに接続し、相互に分
離した複数のパージライン17a、17bと、前記複数
の反応炉1a、1bに接続し、前記複数のパージライン
17a、17bから分離した一つの真空排気ライン3
と、前記複数の反応炉1a、1bに接続し、前記複数の
パージライン17a、17bから分離された一つの原料
ガス排気ライン2を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数個の反応炉を
有する気相成長装置の排気に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の気相成長装置は、ウエハを載置し
て加熱し、原料ガスを加熱分解してウエハ上に薄膜を形
成する反応炉と、原料ガスを供給するためのガス供給制
御装置、反応炉から排出される未反応の原料ガスを含む
排気ガスを除害して排気する排気系に大別できる。この
排気系は、通常3本の排気ラインから構成されている。
即ち、 1)原料ガス排気ライン:成長中の反応炉内の圧力を設
定値に制御するための圧力制御手段を有し、成長中に反
応炉から排出される未反応の原料ガスを除害装置へ導く
(減圧成長する場合は、このラインに減圧ポンプ、圧力
制御手段を付設する)。 2)真空排気ライン:反応炉内を真空引きする。 3)パージライン:成長前後の反応炉内ガスを水素ガス
などでパージをする際に、パージガスを排気する。
【0003】気相成長装置で薄膜を製造しようとする場
合、製造工程にはウエハのセット、反応炉内ガスの前パ
ージ、成長、反応炉内ガスの後パージ、ウエハ取り出し
といった工程がある。この製造工程のうち、成長工程の
占める割合は、時間にして全体の1/3程度である。そ
こで従来は、気相成長装置による薄膜の生産能力を上げ
ようとする場合、除害装置等の周辺設備を含めて一括し
て設備を増設していた。そのため、設備費用が2倍、3
倍となるばかりでなく、スペースも2倍、3倍のものを
要していた。最近、この問題を解決するため、反応炉だ
けを2台若しくはそれ以上を備える方法が検討されてき
ている。この場合、1つの反応炉が成長工程にあると
き、他の反応炉でウエハのセット等別工程を行い、1つ
の反応炉で成長が終了した後、他の反応炉で直ちに次の
成長を開始して、薄膜成長の効率化を図るものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
反応炉だけを複数個備えた装置には次のような問題があ
った。図5を用いて、2個の反応炉1a、1bと、一つ
の排気系(原料ガス排気ライン2、真空排気ライン3、
パージライン4からなる)、一つのガス供給制御装置5
からなる装置について説明する。反応炉1aが成長前の
パージ工程にあり、反応炉1bが成長工程にあるとす
る。ガス供給制御装置5からは、各々の反応炉1a、1
bに要求されるガスを供給する。この時は、バルブ6
b、9bが開き、バルブ6a、6c、9aが閉じて、反
応炉1aのパージラインが開かれている。また、バルブ
7c、9cが開き、バルブ7a、7bが閉じて、反応炉
1bの原料ガス排気ラインが開かれている。反応炉1b
の成長工程が終了し、後パージ工程に入るときは、ガス
供給制御装置5から原料ガスの供給を止め、パージ用の
例えばH2 ガスを供給し、バルブ7cを閉じ、バルブ7
bを開ける。そうすると、パージライン4には反応炉1
a、1bの2個分の流量のパージガスが流れ、当初パー
ジしていた反応炉1a内の圧力が上がり、排気している
パージガスが逆流してくる恐れがあった。その結果、反
応炉1aは逆流してきたパーティクルで汚染され、反応
炉1a内の製品が不良となる恐れがあった。なお、図
中、8a、8bはバルブ、10は圧力調整のニードルバ
ルブ、11a、11bは真空ポンプ、12は除害装置、
13はブロワー、14a、14bは圧力計である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決すべくなされたもので、請求項1記載の発明は、一つ
のガス供給制御装置と、該ガス供給制御装置に接続した
複数の反応炉と、該複数の反応炉のそれぞれに接続し、
相互に分離した複数のパージラインと、前記複数の反応
炉に接続し、前記複数のパージラインから分離した一つ
の真空排気ラインと、前記複数の反応炉に接続し、前記
複数のパージラインから分離された一つの原料ガス排気
ラインを備えたことを特徴とする気相成長装置である。
【0006】また、請求項2記載の発明は、一つのガス
供給制御装置と、該ガス供給制御装置に接続した複数の
反応炉と、該複数の反応炉に接続した圧力制御手段を有
する一つのパージラインと、前記複数の反応炉に接続し
た一つの真空排気ラインと、前記複数の反応炉に接続し
た一つの原料ガス排気ラインを備えたことを特徴とする
気相成長装置である。
【0007】請求項1記載の発明では、複数の反応炉の
それぞれは、相互に分離した複数のパージラインに接続
しているので、パージ中の反応炉には他の反応炉がパー
ジ工程に入った際に、圧力が変動してパージガスが逆流
することはない。
【0008】請求項2記載の発明では、複数の反応炉に
は圧力制御手段を有する一つのパージラインが接続して
いるので、パージラインの圧力は常に所定の圧力に制御
され、パージ中の反応炉内の圧力は他の反応炉の影響を
受けて変動することはなく、パージガスが反応炉内に逆
流することもない。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。 (実施形態1)図1は、本発明にかかる気相成長装置の
一実施形態の説明図である。図1において、図5に関し
て説明した部分と同部分は同符号で指示してある。本実
施形態は、2個の反応炉1a、1bと、該2個の反応炉
1a、1bに接続された一つのガス供給制御装置5、原
料ガス排気ライン2、真空排気ライン3、反応炉1aに
接続されたパージライン17a、および反応炉1bに接
続されたパージライン17bとからなる。パージライン
17a、17bは相互に分離しているとともに、原料ガ
ス排気ライン2および真空排気ライン3からも分離して
いる。また、パージライン17a、17bには、それぞ
れに除害装置15a、15b、ブロワー16a、16b
が設けられている。本実施形態において、反応炉1aが
成長前のパージ工程にあり、反応炉1bが成長工程にあ
るとする。この時は、バルブ6bが開き、バルブ6a、
6cが閉じており、パージライン17aを用いてパージ
している。また、バルブ7c、9cが開き、バルブ7
a、7b、9aが閉じている。その後、反応炉1bの成
長工程が終了し、後パージ工程に入るときは、バルブ7
cを閉じ、バルブ7bを開け、パージライン17bを用
いてパージする。この際、パージライン17a、17b
は分離されているので、パージライン17aはパージラ
イン17bの影響を受けることがなく、圧力変動もな
く、排気しているパージガスが逆流することもない。ま
た、反応炉1bが成長中で、反応炉1aが真空引きを開
始する場合でも、反応炉1a側のバルブ6bは開から閉
へ、バルブ6aは閉から開へ、バルブ9aは閉から開と
なり、真空ポンプ11aから真空の排気がなされるが、
反応炉1bにとってはニードルバルブ10、真空ポンプ
11bの後流側に合流するので、反応炉1bの圧力変動
は生じない。
【0010】(実施形態2)図2は、本発明の他の実施
形態の説明図である。本実施形態は、2個の反応炉1
a、1bと、該2個の反応炉1a、1bに接続された一
つのガス供給制御装置5、原料ガス排気ライン2、真空
排気ライン3およびパージライン18とからなる。原料
ガス排気ライン2、真空排気ライン3およびパージライ
ン18は共通の除害装置12およびブロワー13に接続
している。パージライン18には圧力センサー19と、
該圧力センサー19からの出力により圧力調整を行う圧
力制御バルブ20とからなる圧力制御手段が設けられて
いる。圧力制御バルブ20としては、可変コンダクタン
ス方式のバタフライ型バルブを用いた。また、パージラ
イン18は原料ガス排気ライン2および真空排気ライン
3と共用する除害装置12、ブロワー13に接続してい
る。本実施形態において、パージライン18の設定圧力
を700Torrとし、反応炉1aを50リットル/m
inの流量の水素ガスでパージ中に、反応炉1bから同
流量の水素ガスを混合させた。そうすると、水素ガスの
混合当初には、パージライン18には±7Torr程度
の圧力変動が生じたが、数秒後には設定圧力に戻った。
また、反応炉1aを上記条件でパージ中に、反応炉1b
を真空ポンプ11aで真空引きを開始したところ(バル
ブ9a、9bが開いて、パージライン18と真空排気ラ
イン3が連通する)、最初はパージライン18には±1
0Torr程度の圧力変動が生じたが、数秒後には設定
圧力に戻った。このような圧力変動と変動時間の制御
は、上記の運転条件においては十分に許容範囲に入るも
のであった。なお、圧力変動と変動時間の許容範囲は、
成長装置とその運転条件により定まることは言うまでも
ない。本実施形態では、反応炉の個数が増えても、実施
形態1のようにパージライン、除害装置、真空ポンプ、
ブロワーが増加することがなく、装置が簡単化し、設備
費の増加も少ない。
【0011】(実施形態3)図3は、本発明のさらなる
他の実施形態の説明図である。本実施形態は、実施形態
2において、パージライン18と真空排気ライン3を原
料ガス排気ライン2から分離し、パージライン18と真
空排気ライン3を新たに設けられた共用する除害装置2
1およびブロワー22に接続したものである。なお、除
害装置21およびブロワー22は原料ガス排気ライン2
に接続されていないので、原料ガス排気ライン2に接続
されている除害装置12およびブロワー13に比較して
小型なものでよい。また、本来は毒性ガスの流れるライ
ンではないため、除害装置21はなくてもよいが、自衛
上設けたものである。
【0012】(実施形態4)図4は、本発明のさらなる
他の実施形態の説明図である。本実施形態は、実施形態
2において、パージライン18を真空排気ライン3およ
び原料ガス排気ライン2から分離し、パージライン18
を除害装置21およびブロワー22に接続したものであ
る。本実施形態では、反応炉1aをパージ中に、反応炉
1bを真空ポンプ11aで真空引きを開始しても、反応
炉1aは反応炉1bの真空排気の影響を受けない。ま
た、圧力センサー19および圧力制御バルブ20はパー
ジライン18のガス流量のみを考慮して、容易に設計す
ることができる。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、1つのガス供給制御装
置と複数の反応炉からなる気相成長装置において、成長
膜の品質を損なうことなく、設備費用および設備設置ス
ペースを減少させることができるという優れた効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る気相成長装置の一実施形態の説明
図である。
【図2】本発明の他の実施形態の説明図である。
【図3】本発明のさらなる他の実施形態の説明図であ
る。
【図4】本発明のさらなる他の実施形態の説明図であ
る。
【図5】従来の気相成長装置の説明図である。
【符号の説明】
1a、1b 反応炉 2 原料ガス排気ライン 3 真空排気ライン 4、17a、17b、18 パージライン 5 ガス供給制御装置 6a〜6c、7a〜7c、8a、8b、9a〜9cバル
ブ 10 ニードルバルブ 11a、11b 真空ポンプ 12、15a、15b、21 除害装置 13、16a、16b、22 ブロワー 14a、14b 圧力計 19 圧力センサー 20 圧力制御バルブ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一つのガス供給制御装置と、該ガス供給
    制御装置に接続した複数の反応炉と、該複数の反応炉の
    それぞれに接続し、相互に分離した複数のパージライン
    と、前記複数の反応炉に接続し、前記複数のパージライ
    ンから分離した一つの真空排気ラインと、前記複数の反
    応炉に接続し、前記複数のパージラインから分離された
    一つの原料ガス排気ラインを備えたことを特徴とする気
    相成長装置。
  2. 【請求項2】 一つのガス供給制御装置と、該ガス供給
    制御装置に接続した複数の反応炉と、該複数の反応炉に
    接続した圧力制御手段を有する一つのパージラインと、
    前記複数の反応炉に接続した一つの真空排気ラインと、
    前記複数の反応炉に接続した一つの原料ガス排気ライン
    を備えたことを特徴とする気相成長装置。
JP3621497A 1997-02-20 1997-02-20 気相成長装置 Pending JPH10237654A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086392A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法
JP2007150138A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 気相エピタキシャル成長装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086392A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法
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