JP2008248395A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の調圧方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、成膜室101内でプラズマを発生させて被処理物100に対し表面処理を行うものであり、成膜室101内に導入するプロセスガスの流量を制御するための流量制御器109と、流量制御器109内に設置したオリフィスと、オリフィスの上流側におけるプロセスガスの圧力を制御するための圧力制御手段115とを備える。そして、オリフィス上流側における圧力制御によりガス流量を制御し、流量制御されたガスを成膜室101内導入する。また、調圧バルブ107のコンダクタンスを適切に調節し、プラズマ処理中のプロセスガス圧を安定化する。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1のプラズマ処理装置の構成図である。本実施の形態におけるプラズマ処理装置は、成膜室(処理室)101および導入室102の2つの真空容器を備えたプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置であり、成膜室101および導入室102には、それぞれ排気バルブ103,104を介して真空ポンプ105,106が接続されている。
処理開始前は、成膜室101と導入室102間のゲートバルブ113は閉じており、成膜室101は排気バルブ103を開き真空排気を行なっている状態で、ガス導入バルブ111および110は閉じてガス導入は行なっていない。導入室102は排気バルブ104を閉じ真空排気を行なわず大気圧の状態である。
比較のために、従来のプラズマ処理装置の場合の比較例を示す。本比較例のプラズマ処理装置は、図1の実施の形態1の装置構成と同じプラズマCVD装置であるが、3組の流量制御器109は内部の流量調整バルブが従来のサーマルバルブを用いた方式であり、設定流量付近で流量のオーバーシュートが生じるため設定流量に至るまで5から6秒かかり、オーバーシュートを抑制するためにソフトスタート機能を用いた場合には、流量制御を開始してからガスが流れ始めるまで4から10秒程度要する。
次に、本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置について説明する。本実施の形態2では、調圧バルブコンダクタンスの動作範囲を変化させた場合の調圧特性について述べる。
次に、本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態3では、実施の形態1と同様の構成のプラズマ処理装置において、3式の流量制御器109それぞれのガス流量、プロセスガス圧が同じ場合に、調圧バルブコンダクタンスが、成膜ガス圧で安定するときのバルブコンダクタンスに対して、0%から136%の間で変化するように設定された場合のガス圧の変化を図5に示す。
次に、本発明の実施の形態4について説明する。実施の形態1と同様の構成のプラズマ処理装置において、3式の流量制御器109それぞれガス流量、プロセスガス圧が同じ場合に、調圧バルブ107のコンダクタンスが、成膜ガス圧で安定するときのバルブコンダクタンスに対して、73%から235%の間で変化するよう設定された場合のガス圧の変化を図6に示す。
次に、本発明の実施の形態5について説明する。本実施の形態のプラズマ処理装置は、実施の形態1の装置構成と同じプラズマCVD装置であるが、プロセスガス圧を実施の形態1と同じとし、3式の流量制御器109それぞれのガス流量をガス導入開始から2.5秒間は実施の形態1の2倍、その後実施の形態1と同じに変化させるように制御している。
Claims (2)
- 処理室内でプラズマを発生させて被処理物に対し表面処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記処理室内に導入するプロセスガスの流量を制御するための流量制御器と、
前記流量制御器内に設置したオリフィスと、
前記オリフィスの上流側に設置され、前記プロセスガスの圧力を制御するための圧力制御手段と、
前記処理室内の圧力を測定する圧力モニタと、
前記処理室内のガスを排気するためのポンプと、
前記処理室内における処理時の圧力を一定に保持するためにコンダクタンスを変化させることで実行排気速度を制御するための調圧バルブと、
を備えたプラズマ処理装置。 - 処理室内でプラズマを発生させて被処理物に対し表面処理を行うプラズマ処理装置の調圧方法であって、
前記プラズマ処理装置は、内部にオリフィスを有し前記処理室内に導入するプロセスガスの流量を制御するための流量制御器を備え、
前記オリフィスの上流側における前記プロセスガスの圧力を制御することにより流量制御された前記プロセスガスを前記処理室内に導入し、前記処理室内の圧力を調節することを特徴とするプラズマ処理装置の調圧方法。
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