JP2003212517A - ガス供給システム及びガス供給方法 - Google Patents

ガス供給システム及びガス供給方法

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JP2003212517A JP2002008685A JP2002008685A JP2003212517A JP 2003212517 A JP2003212517 A JP 2003212517A JP 2002008685 A JP2002008685 A JP 2002008685A JP 2002008685 A JP2002008685 A JP 2002008685A JP 2003212517 A JP2003212517 A JP 2003212517A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 供給するガスのガス流量、ガス生成器で発生
するガス量を適正なものにすること。 【解決手段】 本発明に係るガス供給システムは、ガス
を生成するガス生成器３１と、ガス生成器３１から出力
されるガスを供給するガス供給通路４と、ガス供給通路
４に設けられガス供給通路４に流れるガスの流量を制御
するガス流量制御器４１と、ガス供給通路４と並列して
設けられガス生成器３１から出力されるガスを排出する
ガス排出通路８と、ガス排出通路８に設けられガス排出
通路８に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器８１と
を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オゾンガス、生成
ガス、反応ガス等のガスを処理装置に供給するガス供給
システム及びガス供給方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガス供給システムは、一般に、オゾンガ
ス、生成ガス、反応ガス等のガスを生成するガス生成器
と、ガス生成器と処理装置とに接続されガス生成器から
出力されるガスを処理装置まで導く配管と、この配管に
設けられガス生成器から処理装置へ供給されるガスのガ
ス流量を調整するガス流量制御部とから構成されてい
る。
【０００３】このようなガス供給システムは、例えば、
ガス生成器で生成されるオゾンガスや反応ガスを、内部
に半導体ウエハが収納された半導体処理装置に供給し、
このオゾンガスや反応ガスにより半導体処理装置で半導
体ウエハへの処理（成膜処理、ウエハ洗浄処理、レジス
ト剥離処理、エッチング処理等）がなされる半導体装置
の製造工程等を含め、ガスを処理装置に供給する様々な
分野で利用されている。
【０００４】図１７は上記従来のガス供給システムであ
る特開平８−１３３７０７号公報に記載されたガス供給
システムを示す図である。詳細には、半導体ウエハ上に
シリコン酸化膜を形成するため、オゾンガスをＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）成膜装置に供給するガス供給システムを示す図であ
る。
【０００５】図に示すように、配管１を介して原料ガス
である酸素ガスが、配管２を介して原料ガスである窒素
ガスが各々オゾン発生装置３に供給される。このとき、
配管１に設けられた、ガス開閉弁１１、ガス減圧弁１
２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３により、配管
１を流れる酸素ガスのガス流量が制御され、配管２に設
けられた、ガス開閉弁２１、ガス減圧弁２２、マスフロ
ー流量制御器（ＭＦＣ）２３により、配管２を流れる窒
素ガスのガス流量が制御されるようになっている。
【０００６】このオゾン発生装置３に供給される原料ガ
スは、オゾン発生装置３内に設けられた互いに対向する
電極を有するオゾン発生器としてのオゾン発生器（セ
ル）３１に供給されるが、供給される原料ガスは、圧力
１気圧以上の酸素に窒素を含んだガスになるよう制御さ
れて供給される。それととも、オゾン発生器３１の電極
間に高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２による高
電圧を印加し、電極間に無声放電を発生させてオゾン発
生器３１でオゾンガスを生成する。なお、オゾン生成時
には、無声放電に伴なって放電熱が発生するため、冷却
装置３３からの水によって電極セル自身を冷却し、この
放電熱を冷却する。
【０００７】このようにして生成されたオゾンガスは、
ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５から出
力され、ガス出力管３５に接続されたガス供給管４を介
して半導体処理装置（被処理チャンバー）５に供給され
る。ガス供給管４にはマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）
４１が設けられており、これによりガス供給管４を流れ
るオゾンガスの流量が制御されるようになっている。
【０００８】一方、半導体処理装置５に連通する配管６
が配管２から分岐して設けられており、窒素ガスが配管
６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１を
介してテトラエチルオルソシリケート（以下ＴＥＯＳと
言う）供給器６２に供給される。そして、ＴＥＯＳ供給
器６２で窒素ガスにより液体のＴＥＯＳが気化され、そ
のＴＥＯＳガスが被処理チャンバー５に供給される。
【０００９】被処理チャンバー５内では、配管４を通し
て供給されるオゾンガスと配管６を通して供給されるＴ
ＥＯＳガスとの化学反応により生成されたシリコン酸化
膜が被処理チャンバー５内に配置された半導体ウエハ上
に形成される。なお、被処理チャンバー５に残存するガ
ス等は配管７に設けられている逆止弁７１、ガス分解処
理装置（排オゾン処理装置）７２を介して排出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のガス供給システ
ム及びガス供給方法では、上記のようにガス生成器３１
で生成されたガスが、ガス生成器３１と処理装置５とを
接続するガス供給管４を介して処理装置５に供給される
ようになっている。そのため、処理装置５内へ供給する
ガスのガス流量を適正な値に制御すると、そのガス流量
の制御は、ガス供給管４の処理装置５とは反対側に接続
されているガス生成器３１内の圧力にも影響を与えてし
まう。
【００１１】ここで、ガス生成器３１で生成されるガス
のガス量はガス生成器３１内の圧力に影響するため、処
理装置５内へ供給するガスのガス流量の制御によりガス
生成器３１内の圧力が影響を受けると、それに伴なって
ガス生成器３１内で生成されるガスのガス量も影響を受
けてしまい、生成されるガス量を適切に制御できないと
いう問題点があった。
【００１２】特に、上記半導体装置の製造工程に利用さ
れるガス供給システムの場合には、シリコン酸化膜の堆
積量の管理や酸化膜の品質を高めるため、半導体処理装
置５内を１〜数１００Ｔｏｒｒの範囲で一定の圧力に維
持するとともに、供給するＴＥＯＳガスやオゾンガス量
などをリアルタイム制御する必要がある。また、オゾン
発生器３１内の圧力は、生成されるオゾンガスの生成量
等を考慮して１気圧以上のガス圧になるよう制御する必
要がある。そのため、半導体処理装置５へ供給するガス
量の制御を優先させると、オゾン発生器３１内の圧力が
適正なものとならず、オゾン発生性能が低下するなどの
問題点があった。
【００１３】また、ガス生成器内の圧力影響を抑制する
ため、ガス出力部にバルブを設けることが想定される
が、バルブを設けるだけでは、バルブの開閉度でガス流
量を制御するとともに、ガス流量によって一定の圧損を
持たせるように操作バルブを調整することが困難で十分
な制御が行えないという問題点があった。
【００１４】また、従来のガス供給システム及びガス供
給方法では、接続される処理装置へ供給するガスのガス
流量制御によりガス生成器内の圧力が影響されるので、
接続される処理装置の数が多くなればなるほど、その影
響も大きくなってしまう。よって、ガス生成器内の圧力
影響を少なくするためには、１台のガス生成器に接続す
る処理装置を少なくする必要があり、１台のガス生成器
に対して、複数個の処理装置を接続できないという問題
点があった。
【００１５】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、供給するガスのガス流量、ガス生
成器で発生するガス量を適正なものにすることができる
ガス供給システム及びガス供給方法を提供するものであ
る。
【００１６】また、複数の処理装置に安定したガスを供
給することができるガス供給システム及びガス供給方法
を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるガス供給
システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生
成器から出力されるガスを供給するガス供給通路と、上
記ガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガ
スの流量を制御するガス流量制御器と、上記ガス供給通
路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガ
スを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設け
られ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧
力制御器とを備えている。
【００１８】また、本発明にかかるガス供給システム
は、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から
出力されるガスを供給するガス供給通路と、上記ガス供
給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの流量
を制御するガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記ガ
ス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッフ
ァータンクと、上記ガス生成器と上記ガス流量制御器と
の間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れ
るガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えている。
【００１９】また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力
が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を
制御するようにしてもよい。
【００２０】また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力
が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を
制御するようにしてもよい。
【００２１】また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力
計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範
囲から外れたときに異常対策を施すようにしてもよい。
【００２２】また、ガス供給通路が、並列して設けられ
た複数のガス供給管と、これらの各ガス供給管に設けら
れガス供給管に流れるガスの流量を制御するガス流量制
御器とを含むようにしてもよい。
【００２３】また、複数のガス供給管が各々接続される
複数の処理装置を備えてもよい。
【００２４】また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開
閉を制御する開閉制御器とを備えてもよい。
【００２５】また、複数のガス供給管に接続される処理
装置を備えてもよい。
【００２６】また、複数のガス供給管が、第１のガス流
量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流
量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガ
ス供給管とを含むようにしてもよい。
【００２７】また、本発明にかかるガス供給方法は、ガ
ス生成器から出力されるガスをガス供給通路を介して供
給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記ガス
排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガ
ス供給通路を介して供給されるガスの流量及び上記ガス
生成器内の圧力を制御するものである。
【００２８】また、本発明にかかるガス供給方法は、ガ
ス生成器から出力されるガスをガス供給通路を介して供
給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンク
と圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの
圧力を制御することで、上記ガス供給通路を介して供給
されるガスの流用及び上記ガス生成器内の圧力を制御す
るものである。
【００２９】また、ガス供給通路を、並列して設けられ
た複数のガス供給管にし、これら複数のガス供給管の流
量を各々制御してガスを供給するようにしてもよい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。なお、以下では、処理装置にオゾン
ガス、生成ガス、反応ガス等を供給し、これらのガスを
用いて成膜処理やエッチング処理等の半導体ウエハの処
理を施す半導体装置の製造工程におけるガス供給システ
ム及びガス供給方法について説明する。
【００３１】このように、以下の実施の形態では、上記
半導体装置の製造工程について説明するが、本発明のガ
ス供給システム及びガス供給方法は、この半導体装置の
製造工程に限定されるものではなく、ウエハ洗浄処理や
レジスト剥離処理等、他の半導体装置の製造工程におけ
るガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよい
し、また、他の様々な用途におけるガス供給システム及
びガス供給方法に適用してもよい。
【００３２】実施の形態１．図１はこの実施の形態１の
半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す
概略構成図である。
【００３３】図に示すように、ガス供給システムは、主
に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部
（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成す
るガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器か
ら出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通
路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５
と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部
（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、ガス供給通路と並
列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排
出口から排出するガス排出通路を含むガス排出部（配管
７，８等）とで構成されている。
【００３４】原料ガス供給部は、一端がオゾン発生装置
３に接続され原料としての酸素ガスをオゾン発生装置３
に供給する配管１と、一端がオゾン発生装置３に接続さ
れ原料としての窒素ガスをオゾン発生装置３に供給する
配管２とで構成されており、配管１、２には、図１７と
同様に、ガス開閉弁１１、２１、ガス減圧弁１２、２
２、ガスの流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦ
Ｃ）１３、２３が各々設けられており、各配管から供給
される原料ガスの流量等が調整できるようになってい
る。
【００３５】ガス生成器は、図１７と同様に、オゾン発
生装置３内に設けられ、互いに対向する電極からなるオ
ゾン発生器（セル）３１と、オゾン発生器３１の電極に
高電圧を印加する高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）
３２と、オゾン発生器３１を冷却する冷却装置３３と、
ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５とで構
成されている。
【００３６】また、オゾン発生装置３内には、ガス出力
管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力さ
れるオゾンガスをガス供給口から供給するガス供給通路
としての配管４（その一部又は全て）が設けられてい
る。このガス供給通路（配管４）には、図１７と同様
に、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流
量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１
が設けられている。
【００３７】それに加えて、オゾン発生装置３内には、
ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力
されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路とし
てのガス排出管８（その一部又は全て）が設けられてい
る。ガス排出通路（ガス排出管８）には、ガス排出管８
に流れるガスの圧力を制御することでガス生成器３１の
ガス圧力を自動的に一定値に制御する圧力制御器として
の自動圧力制御器（ＡＰＣ）８１と、逆止弁８２とが設
けられている。
【００３８】すなわち、ＡＰＣ８１、逆止弁８２はガス
供給通路のオゾンガス流量を制御するＭＦＣ４１と並列
に接続配管され、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガス
はガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２にバイパ
ス配管されている。
【００３９】ＴＥＯＳガス供給部は、図１７と同様に、
配管２から分岐して半導体処理装置５に接続される配管
６と、配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦ
Ｃ）６１、ＴＥＯＳ供給器６２とで構成されている。
【００４０】半導体処理装置５は、ガス生成器から出力
されるガス及びＴＥＯＳガス供給部から供給されるＴＥ
ＯＳガスに基づいて半導体ウエハに半導体処理を施す処
理装置（被処理チャンバー）である。
【００４１】なお、この半導体処理としては、例えば、
供給されるオゾンガスとＴＥＯＳガスとの化学反応によ
りシリコン酸化膜を生成し半導体ウエハ上にこのシリコ
ン酸化膜を形成する成膜処理等があげられるが、半導体
処理は成膜処理に限定するものではなく、供給されるガ
スに基づく処理であればよく、エッチング処理、ウエハ
洗浄処理、レジスト剥離処理等他の処理であってもよ
い。
【００４２】ガス排出部は、ガス供給通路４と並列して
設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口か
ら排出するガス排出通路（ガス排出管８）と、半導体処
理装置５から排出されるガスをガス分解処理装置（排オ
ゾン処理装置）７２に排出する配管７等で構成されてい
る。なお、半導体処理装置５に残存するガスは配管７に
設けられている逆止弁７１、排オゾン処理装置７２を介
して排出される。
【００４３】次に動作について説明する。配管１を介し
て酸素が、配管２を介して窒素が各々オゾン発生装置３
に供給され、オゾン発生装置３のオゾン発生器３１で、
供給された原料ガス（酸素、窒素）に基づいてオゾンガ
スが生成される。
【００４４】生成されたオゾンガスはガス出力管３５か
ら出力されるが、このオゾンガスは、ＭＦＣ４１が設け
られたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給さ
れるとともに、ＡＰＣ８１が設けられたガス排出管８を
介して排オゾン処理装置７２に排出される。
【００４５】半導体処理装置５に供給されるオゾンガス
は、適切なガス流量になるよう、ＭＦＣ４１でそのガス
流量が制御される。ここでは、配管６を介して供給され
るＴＥＯＳガスとともに、オゾン処理によるウエハ表面
の酸化膜形成などの半導体処理が適切になるように、供
給するガス流量を制御する。
【００４６】一方、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流
量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が
影響を受けることになるが、この実施の形態では、この
配管４と並列にガス排出管８が配管しているので、この
ガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配
管４のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御する
ことができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を
制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を
制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の
圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００４７】すなわち、ＭＦＣ４１の制御によって、半
導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を増やす場合
には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が少な
くなるようＡＰＣ８１が自動的に閉まるように制御すれ
ばよい。また逆に、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体
処理装置５に供給するオゾンガスの量を減らす場合に
は、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が多くな
るようＡＰＣ８１が自動的に開くように制御すればよ
い。このように制御することで、オゾン発生器３１内の
圧力を一定に保つことができる。
【００４８】この実施の形態１では、ガス生成器から出
力されるガスを供給するガス供給通路と並列して設けら
れ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排
出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通
路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えて
いるので、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行う
ことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御する
ことができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側
に圧力変化が生じても、その圧力の影響を圧力制御器の
制御で解消させることができ、ガス供給通路を介して供
給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切
な値に制御することができる。
【００４９】また、圧力制御器の制御により、ガス供給
通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器
内の圧力が一定になるよう制御することができるので、
ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００５０】この実施の形態では、ガス流量制御にマス
フローを用いたが、ガス流量制御器（ＦＣ）でガス量を
調整してもよい。また、オゾンガスの出力制御について
説明したが、他の生成もしくは反応ガスを出力する制御
方式においても同様の効果がある。
【００５１】実施の形態２.実施の形態１のガス供給シ
ステムでは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置
を接続しているが、この実施の形態２のガス供給システ
ムは、１つのガス生成器に対して複数の処理装置を接続
したものである。
【００５２】図２はこの実施の形態２の半導体装置の製
造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。図に示すように、１つのガス生成器（オゾン発生器
３１）に、複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続
されている。
【００５３】詳細には、オゾン発生器３１で生成される
ガスが出力されるガス出力管３５に連通し互いに並列に
配置される各ガス供給管４０１〜４０３と各半導体処理
装置５０１〜５０３とを各々接続し、このガス供給管４
０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３
にオゾン発生器３１で生成されるオゾンガスを各々供給
する。もちろん、各ガス供給管４０１〜４０３には、マ
スフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１１〜４１３が設けら
れており、各ガス供給管４０１〜４０３のガスのガス流
量が制御できるようになっている。
【００５４】それに加え、配管２から分岐して半導体処
理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処
理装置５０１〜５０３に対応させて複数の配管６０１〜
６０３にし、この配管６０１〜６０３を介して各半導体
処理装置５０１〜５０３にＴＥＯＳガスを各々供給す
る。また、各配管６０１〜６０３には、マスフロー流量
制御器（ＭＦＣ）６１１〜６１３、ＴＥＯＳ供給器６２
１〜６２３が各々設けられている。
【００５５】なお、オゾン発生器３１から出力されるオ
ゾンガスをガス供給通路４０１〜４０３を介して各半導
体処理装置５０１〜５０３に供給するとともに、このガ
ス供給通路４０１〜４０３と並列して設けられガス生成
器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガ
ス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が
設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様で
ある。
【００５６】このように構成することで、各半導体処理
装置５０１〜５０３に供給されるオゾンガスのガス流量
が各ＭＦＣ４１１〜４１３で、供給されるＴＥＯＳガス
のガス流量が各ＭＦＣ６１１〜６１３で適切な値に制御
される。
【００５７】実施の形態１の場合と同様に、このＭＦＣ
４１１〜４１３の制御に伴なって、配管４０１〜４０３
のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになる
が、配管４０１〜４０３に連通しているガス排出管８の
圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４０１〜４０
３のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御するこ
とができる。よって、ＭＦＣ４１１〜４１３で配管４０
１〜４０３の流量を制御しても、その影響分をガス排出
管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オ
ゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすること
ができる。
【００５８】この実施の形態２では、ガス排出通路に流
れるガスの圧力を圧力制御器で制御することで、ガス供
給通路におけるガス生成器側の圧力を調整することがで
きるので、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置
に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生
成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することが
できる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量を
アップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的
に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを
提供できる。
【００５９】実施の形態３．この実施の形態３のガス供
給システムは、実施の形態２のガス供給システムの各ガ
ス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の
有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００６０】図３はこの実施の形態３の半導体装置の製
造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。図に示すように、図２に示したガス供給システムに
加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給す
る各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁
の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を
設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御す
る空圧弁を用いているが、これは特に限定するものでは
なく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６１】このように各ガス供給管４０１〜４０３に
空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成
器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０
１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な
半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガス
を供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停
止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供
給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供
給を停止させることができる。よって、複数の半導体処
理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供
給を効率よく運用することができる。
【００６２】実施の形態４．実施の形態１〜３のガス供
給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガス
の供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにして
いるが、この実施の形態４のガス供給システムは、１つ
の半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供
給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量
並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々
独立に制御するようにしたものである。
【００６３】図４はこの実施の形態４の半導体装置の製
造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出
力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理
装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路
としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【００６４】これらの配管４０４、４０５には、各々ガ
ス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御
器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４
１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２
４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって
弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に
限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁
を用いてもよい。
【００６５】なお、オゾン発生器３１から出力されるオ
ゾンガスをガス供給通路４０４、４０５を介して半導体
処理装置５に供給するとともに、このガス供給通路４０
４、４０５と並列して設けられガス生成器３１から出力
されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路とし
てのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられている
ことも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００６６】このように構成することで、各ガス供給管
４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁
４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガ
スが瞬時に得られるように制御することができる。すな
わち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４
０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立
に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５
の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給す
るのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制
御することができ、時分割的にオゾンガスを半導体処理
装置５に供給することができる。
【００６７】以下、上記時分割的にオゾンガスを半導体
処理装置５に供給する手法を説明する。例えば、半導体
処理装置５内で、半導体ウエハ表面にシリコン酸化膜を
形成する工程は、半導体ウエハ表面へのシリコン酸化膜
の堆積を促進させる工程（デポジッション工程）と、半
導体ウエハ表面に堆積したシリコン酸化膜の絶縁性能等
の品質を向上させる工程（アニーリング工程）と、成膜
した半導体ウエハを取り出す工程（搬送工程）との３つ
に大別される。
【００６８】これら３つの工程では、各処理で必要なガ
ス量が異なっており、デポジッション工程では大量のオ
ゾンガスが、アニーリング工程では少量のオゾンガスが
必要である。また、処理が施された半導体ウエハと未処
理の半導体ウエハとの交換を行うために、搬送工程では
オゾンガスの供給を停止してキャリアガスを供給する必
要がある。このような３工程は、生産工程を高めるため
に、そのスループットを向上させる必要があり、適時、
適量のガスを半導体処理装置５内に供給する必要があ
る。
【００６９】図５は図４に示したガス供給システムにお
いて、上記３つの工程を含む半導体処理を行う場合の、
空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量
の関係を示すタイムチャートである。なお、半導体処理
装置へのオゾンガス以外の薬品やガスの関係については
省略する。
【００７０】予め、配管４０４からデポジッション工程
に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０４
のガス流量をＭＦＣ４１４で設定しておく。一方、配管
４０５からアニーリング工程に対応したオゾンガス量が
供給できるよう、配管４０５のガス流量をＭＦＣ４１５
で設定しておく。
【００７１】例えば、オゾン発生器３１から出力される
オゾン濃度が、１５０ｇ／Ｎｍ３である場合には、半導
体処理装置５に１２．５ｍｇ／ｓの大量のオゾンガスが
供給できるように、ＭＦＣ４１４で配管４０４の流量を
５０００ｃｃ／ｍｉｎに設定し、又、半導体処理装置５
に１.２５ｍｇ／ｓの少量のオゾンガスが供給できるよ
うに、ＭＦＣ４１５で配管４０５の流量を５００ｃｃ／
ｍｉｎに設定すればよい。
【００７２】このように、２つのＭＦＣ４１４、４１５
を予め設定した状態で、空圧弁４２４、４２５の開閉を
制御するようにすれば、弁が開状態にある配管から、適
切なガス量のオゾンガスが供給されるので、上記成膜工
程の３工程をスムーズに実現できる。
【００７３】つまり、デポジッション工程時には、空圧
弁４２４を開状態に、空圧弁４２５を閉状態にすること
で、配管４０４からデポジッション工程に対応したガス
流量５０００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５
に供給され、アニーリング処理工程時には、空圧弁４２
４を閉状態にし、空圧弁４２５を開状態にすることで、
配管４０５からアニーリング工程に対応したガス流量５
００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給さ
れる。さらに、搬送工程には、両空圧弁４２４、４２５
を閉状態にして半導体処理装置５へのオゾンガスの供給
を停止させ、この停止時に、別途キャリアガスの供給に
よるガス交換を行い半導体ウエハの交換を行うようにす
る。
【００７４】この実施の形態４では、１つの半導体処理
装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して
行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に
制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させ
るかを制御するようにしているので、１つの処理装置に
異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、
弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切
り換えることができるので、例えば半導体処理のスルー
プットを向上させることができる。
【００７５】また、この実施の形態では、実施の形態１
のように半導体処理装置が１つの場合について説明した
が、これは特に限定するものではなく、実施の形態２、
３のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよ
い。
【００７６】実施の形態５.実施の形態１のガス供給シ
ステムは、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行う
ことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御する
ようにしているが、この実施の形態５では、ガス供給通
路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらに
よりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するもの
である。
【００７７】図６はこの実施の形態５の半導体装置の製
造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【００７８】図に示すように、ガス供給システムは、主
に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部
（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成す
るガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器か
ら出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通
路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５
と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部
（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、処理装置から出力
されるガスを外部に排出するガス排出部（配管７）とで
構成されている。
【００７９】なお、原料ガス供給部、ガス生成器、半導
体処理装置、ＴＥＯＳガス供給部に関しては、実施の形
態１と同様である。
【００８０】オゾン発生装置３内には、図１と同様に、
ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１か
ら出力されるオゾンガスをガス供給口から半導体処理装
置５に供給するガス供給通路としての配管４（その一部
又は全て）が設けられており、このガス供給通路（配管
４）には、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御する
ガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦ
Ｃ）４１が設けられている。
【００８１】そして、この実施の形態５では、それに加
えて、このガス供給通路におけるガス生成器３１とガス
流量制御器（ＭＦＣ）４１との間に、ＭＦＣ４１による
流量変動に対しても十分に対応できるオゾン量を確保で
きるバッファータンク９１と、ガス供給通路のガス生成
器側の圧力を調整する圧力調整器としての圧力ヘッドノ
ズル９２とが設けられている。
【００８２】なお、圧力調整器は、圧力ヘッドノズルに
限定するものではなく、例えば、バルブやノズル等、圧
力を調整できるものであればよい。
【００８３】次に動作について説明する。実施の形態１
と同様にしてオゾン発生器３１で生成されたオゾンガス
はガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガス
は、バッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２、Ｍ
ＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理
装置５に供給される。なお、半導体処理装置５に供給さ
れるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、実施の
形態１と同様に、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御され
る。
【００８４】このように、ＭＦＣ４１の制御により配管
４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の
圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態で
は、ガス供給管４における、ガス生成器とＭＦＣ４１と
の間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２
とを配置しているので、バッファータンク９１により、
ＭＦＣ４１による流量変化に対して十分対応できるオゾ
ン量を確保できるとともに、圧力ヘッドノズル９２によ
り、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整すること
ができる。その結果、オゾン発生器３１内の圧力を適切
な値（例えば、一定）に制御することができる。そのた
め、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響
分をバッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２で解
消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響
を少なくすることができる。
【００８５】この実施の形態５では、ガス生成器とガス
流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファ
ータンクと、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス
供給通路に設けられガス供給通路に流れるガスの圧力を
調整する圧力調整器とを備えているので、ガス供給通路
のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結
果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じて
も、その圧力の影響を解消させることができ、ガス供給
通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内
の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００８６】また、圧力調整器の制御により、ガス供給
通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器
内の圧力が一定になるよう制御することができるので、
ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００８７】また、ここでは、ガス生成器３１、バッフ
ァータンク９１、圧力調整器９２、ＭＦＣ４１の順に配
置しているが、バッファータンク９１、圧力調整器９２
は、ガス生成器３１とＭＦＣ４１との間に配置されてい
ればよく、図７に示すように、ガス生成器３１、圧力調
整器（圧力ヘッドノズル）９２、バッファータンク９
１、ＭＦＣ４１の順に配置してもよい。
【００８８】また、この実施の形態５では、ガス供給通
路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらに
よりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するよう
にしているが、図８に示すように、実施の形態１のガス
供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンク
と圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００８９】このようにすることで、ガス排出通路に流
れるガスの圧力制御と、ガス供給通路に設けられたバッ
ファータンクと圧力調整器とによる圧力制御とにより、
ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することがで
きるので、より適切な制御を行うことができる。
【００９０】実施の形態６.実施の形態５のガス供給シ
ステムは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を
接続しているが、この実施の形態６のガス供給システム
は、１つのガス供給器に対して複数の処理装置を接続し
たものである。
【００９１】図９はこの実施の形態６の半導体装置の製
造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。図に示すように、図２と同様に、ＭＦＣ４１１〜４
１３が設けられた各ガス供給管４０１〜４０３を介し
て、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に複数の半
導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００９２】また、配管２から分岐して半導体処理装置
５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置
５０１〜５０３に対応させてＭＦＣ６１１〜６１３が設
けられた複数の配管６０１〜６０３にしている。
【００９３】なお、ガス供給通路におけるガス生成器３
１とガス流量制御器４１１〜４１３との間に、バッファ
ータンク９１と、圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器
を設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【００９４】このように構成することで、実施の形態５
と同様に、バッファータンク９１及び圧力調整器９２に
より、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整するこ
とができ、オゾン発生器内の圧力を適切な値に制御する
ことができる。よって、１台のガス生成器から複数の半
導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとと
もに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制
御することができる。その結果、１台のガス生成器のガ
ス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置に
ガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクト
なシステムを提供できる。
【００９５】この実施の形態では、図９に示すように、
３つガス供給管４０１〜４０３に分岐する前のガス供給
通路にバッファータンク９１及び圧力調整器９２を設け
るようにしているが、３つのガス供給管４０１〜４０３
の各々にバッファータンク及び圧力調整器を設けるよう
にしてもよい。
【００９６】また、この実施の形態６では、ガス供給通
路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらに
よりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するよう
にしているが、図１０に示すように、実施の形態２のガ
ス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータン
クと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００９７】実施の形態７.この実施の形態７のガス供
給システムは、実施の形態６のガス供給システムの各ガ
ス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の
有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００９８】図１１はこの実施の形態７の半導体装置の
製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で
ある。図に示すように、図９に示したガス供給システム
に加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給
する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び
弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３
を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御
する空圧弁を用いているが、これは特に限定するもので
はなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよ
い。
【００９９】このように各ガス供給管４０１〜４０３に
空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成
器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０
１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な
半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガス
を供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停
止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供
給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供
給を停止させることができる。よって、複数の半導体処
理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供
給を効率よく運用することができる。
【０１００】また、この実施の形態７では、ガス供給通
路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらに
よりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するよう
にしているが、図１２に示すように、実施の形態３のガ
ス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータン
クと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０１】実施の形態８.実施の形態５〜７のガス供
給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガス
の供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにして
いるが、この実施の形態８のガス供給システムは、１つ
の半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供
給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量
並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々
独立に制御するようにしたものである。
【０１０２】図１３はこの実施の形態８の半導体装置の
製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で
ある。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス
出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処
理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通
路としての配管４０４と配管４０５とが設けられてい
る。
【０１０３】これらの配管４０４、４０５には、各々ガ
ス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御
器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４
１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２
４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって
弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に
限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁
を用いてもよい。
【０１０４】なお、ガス供給通路におけるガス生成器と
ガス流量制御器との間に、バッファータンク９１と圧力
ヘッドノズル９２等の圧力調整器とを設けることも含
め、他は実施の形態５と同様である。
【０１０５】このように構成することで、各ガス供給管
４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁
４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガ
スが瞬時に得られるように制御することができる。すな
わち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４
０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立
に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５
の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給す
るのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制
御することができ、例えば実施の形態４で説明したよう
に、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給す
ることができる。
【０１０６】この実施の形態８では、１つの半導体処理
装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して
行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に
制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させ
るかを制御するようにしているので、１つの処理装置に
異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、
弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切
り換えることができるので、例えば半導体処理のスルー
プットを向上させることができる。
【０１０７】また、この実施の形態では、実施の形態５
のように半導体処理装置が１つの場合について説明した
が、これは特に限定するものではなく、実施の形態６、
７のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよ
い。
【０１０８】また、この実施の形態８では、ガス供給通
路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらに
よりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するよう
にしているが、図１４に示すように、実施の形態４のガ
ス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータン
クと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０９】実施の形態９．この実施の形態９のガス供
給システムは、実施の形態１〜８のガス供給システムに
異常対策機能を施したもので、特に、ガス発生器内の圧
力が所定値以上の圧力になった場合に、異常対策を施す
ものである。
【０１１０】図１５はこの実施の形態９の半導体装置の
製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図
で、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施
したものである。図に示すように、オゾン発生器（圧力
容器）３１中に排圧弁３６と、オゾン発生器３１が所定
圧力以上になると接点信号がＯＮとなる圧力計３７とを
設けている。なお、ここでは、図８に示したガス供給シ
ステムに異常対策を施した例を示しているが、この異常
対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用しても
よい。
【０１１１】この圧力計３７が所定圧力以上になると排
圧弁３６が動作し異常圧力の抑制及び異常圧力信号を出
力するようにし、オゾン発生器３１のオゾナイザ電源３
２の停止もしくはオゾン発生量の抑制指令を出力するよ
うになっている。
【０１１２】このように、異常に圧力が高くなった場合
の安全対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガ
ス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の
高いシステムを提供できる。
【０１１３】実施の形態１０．この実施の形態１０のガ
ス供給システムは、実施の形態１〜９のガス供給システ
ムに異常対策機能を施すようにしたもので、特に、ガス
発生器内の圧力が所定値以下の圧力になった場合に、異
常対策を施すものである。
【０１１４】図１６はこの実施の形態１０の半導体装置
の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図
で、図８に示したガス供給システムに異常対策を施した
ものである。図に示すように、オゾン発生器３１の圧力
を検出し圧力信号を出力する圧力計３８と、圧力信号を
受けてオゾン発生量の増減指令をオゾナイザ電源３２及
び原料ガスのガス流量を制御するマスフロー流量制御器
（ＭＦＣ）１３、２３に送信する制御回路３９とが設け
られている。なお、ここでは、図８に示したガス供給シ
ステムに異常対策機能を施した例を示しているが、この
異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用し
てもよい。
【０１１５】圧力計３８によりオゾン発生器３１内の圧
力を検出し、オゾン発生器３１の動作範囲内であれば、
実施の形態１〜４のような通常の制御を行う。検出した
圧力が動作範囲外の圧力（異常低下圧力）になると、制
御回路３９が異常圧力低下信号を出力し、オゾナイザ電
源３２の停止、オゾン発生量の増加指令によるオゾナイ
ザ電源３２の出力上昇、または、マスフロー流量制御器
（ＭＦＣ）１３、２３の制御による原料ガス流量の増加
等の処理により、オゾン発生器３１内の圧力を増加させ
る方向にフィードバック制御させる。なお、このフィー
ドバック制御には、公知の手法を用いればよい。
【０１１６】このように、異常に圧力が低くなった場合
の安全対策やガス発生量保証対策を施すことで、半導体
装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させる
ことができ、信頼性の高いシステムを提供できるととも
に、その制御範囲を広くすることができるので、効率的
で信頼性の高いシステムを提供することができる。
【０１１７】
【発明の効果】本発明にかかるガス供給システムは、ガ
スを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力さ
れるガスを供給するガス供給通路と、上記ガス供給通路
に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの流量を制御
するガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設
けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガ
ス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排
出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備
えているので、供給するガスのガス流量とガス生成器で
発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１８】また、本発明にかかるガス供給システム
は、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から
出力されるガスを供給するガス供給通路と、上記ガス供
給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの流量
を制御するガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記ガ
ス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッフ
ァータンクと、上記ガス生成器と上記ガス流量制御器と
の間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れ
るガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているの
で、供給するガスのガス流量とガス生成器で発生される
ガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１９】また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力
が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を
制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成
させることができる。
【０１２０】また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力
が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を
制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成
させることができる。
【０１２１】また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力
計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範
囲から外れたときに異常対策を施す場合には、ガス供給
システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシ
ステムを提供できる。
【０１２２】また、ガス供給通路が、並列して設けられ
た複数のガス供給管と、これらの各ガス供給管に設けら
れガス供給管に流れるガスの流量を制御するガス流量制
御器とを含むようにした場合には、複数のガス供給管か
ら安定したガスを供給することができる。
【０１２３】また、複数のガス供給管が各々接続される
複数の処理装置を備えた場合には、複数の処理装置に安
定したガスを供給することができる。
【０１２４】また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開
閉を制御する開閉制御器とを備えた場合には、弁を閉状
態にすることで、その弁を有する配管からのガスの供給
を停止することができるので、他の供給管でのガスの供
給状態に関係なく、ガスの供給・停止を任意に行うこと
ができる。
【０１２５】また、複数のガス供給管に接続される処理
装置を備えた場合には、１つの処理装置に異なるガス流
量のガスを供給することができる。
【０１２６】また、複数のガス供給管が、第１のガス流
量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流
量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガ
ス供給管とを含むようにした場合には、１つの処理装置
に異なるガス流量のガスを供給することができることに
加え、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができ
る。
【０１２７】また、本発明にかかるガス供給方法は、ガ
ス生成器から出力されるガスをガス供給通路を介して供
給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記ガス
排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガ
ス供給通路を介して供給されるガスの流量及び上記ガス
生成器内の圧力を制御するようにしているので、供給す
るガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを
適正なものにすることができる。
【０１２８】また、本発明にかかるガス供給方法は、ガ
ス生成器から出力されるガスをガス供給通路を介して供
給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンク
と圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの
圧力を制御することで、上記ガス供給通路を介して供給
されるガスの流用及び上記ガス生成器内の圧力を制御す
るようにしているので、供給するガスのガス流量とガス
生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることが
できる。
【０１２９】また、ガス供給通路が、並列して設けられ
た複数のガス供給管であって、これら複数のガス供給管
の流量を各々制御してガスを供給する場合には、複数の
ガス供給管から安定したガスを供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工
程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工
程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図３】 本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工
程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図４】 本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工
程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図５】 図４に示したガス供給システムにおける空圧
弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関
係を示すタイムチャートである。
【図６】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工
程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図７】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工
程における他のガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【図８】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工
程における他のガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【図９】 本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工
程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１０】 本発明の実施の形態６の半導体装置の製造
工程における他のガス供給システムを示す概略構成図で
ある。
【図１１】 本発明の実施の形態７の半導体装置の製造
工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【図１２】 本発明の実施の形態７の半導体装置の製造
工程における他のガス供給システムを示す概略構成図で
ある。
【図１３】 本発明の実施の形態８の半導体装置の製造
工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【図１４】 本発明の実施の形態８の半導体装置の製造
工程における他のガス供給システムを示す概略構成図で
ある。
【図１５】 本発明の実施の形態９の半導体装置の製造
工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【図１６】 本発明の実施の形態１０の半導体装置の製
造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図であ
る。
【図１７】 従来のガス供給システムを示す概略構成図
である。
【符号の説明】 １、２ 配管 ３ オゾン発生
装置 ４、４０１〜４０５ ガス供給管 ５、５０１〜５０３ 半導体処理装置 ６、６０１〜６０３ 配管 ７ 配管 ８ ガス排出管 １１、２１ ガス開閉弁 １２、２２ ガ
ス減圧弁 １３、２３ マスフロー流量制御器 ３１ オゾン発生器 ３２ 高周波
高電圧電源 ３３ 冷却装置 ３４ ガスフ
ィルター ３５ ガス出力管 ３６ 排圧弁 ３７、３８ 圧力計 ３９ 制御回
路 ４１、４１１〜４１５ マスフロー流量制御器 ６１、６１１〜６１３ マスフロー流量制御器 ６２、６２１〜６２３ ＴＥＯＳ供給器 ７１、８２ 逆止弁 ７２ ガス分
解処理装置 ８１ 自動圧力制御器 ９１ バッファータンク ９２ 圧力ヘ
ッドノズル ４２１〜４２５ 空圧弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3J071 AA02 BB11 BB14 CC03 EE01 EE24 FF11 4G042 CA01 CB23 CC23 5F045 AB32 AC09 AC11 BB20 EE02 EE04 EE05 EE17 EG06 GB06

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガスを生成するガス生成器と、上記ガス
    生成器から出力されるガスを供給するガス供給通路と、
    上記ガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れる
    ガスの流量を制御するガス流量制御器と、上記ガス供給
    通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力される
    ガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設
    けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する
    圧力制御器とを備えたガス供給システム。
  2. 【請求項２】 ガスを生成するガス生成器と、上記ガス
    生成器から出力されるガスを供給するガス供給通路と、
    上記ガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れる
    ガスの流量を制御するガス流量制御器と、上記ガス生成
    器と上記ガス流量制御器との間のガス供給通路に設けら
    れたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記ガス流
    量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給
    通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備え
    たガス供給システム。
  3. 【請求項３】 圧力制御器は、ガス生成器内の圧力が一
    定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御
    する請求項１記載のガス供給システム。
  4. 【請求項４】 圧力調整器は、ガス生成器内の圧力が一
    定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御
    する請求項２記載のガス供給システム。
  5. 【請求項５】 ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を
    設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲か
    ら外れたときに異常対策を施す請求項１又は請求項２に
    記載のガス供給システム。
  6. 【請求項６】 ガス供給通路は、並列して設けられた複
    数のガス供給管と、これらの各ガス供給管に設けられガ
    ス供給管に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器
    とを含んでいる請求項１又は請求項２に記載のガス供給
    システム。
  7. 【請求項７】 複数のガス供給管が各々接続される複数
    の処理装置を備えた請求項６記載のガス供給システム。
  8. 【請求項８】 各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を
    制御する開閉制御器とを備えた請求項６記載のガス供給
    システム。
  9. 【請求項９】 複数のガス供給管に接続される処理装置
    を備えた請求項８記載のガス供給システム。
  10. 【請求項１０】 複数のガス供給管は、第１のガス流量
    のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量
    とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス
    供給管とを含んでいる請求項９記載のガス供給システ
    ム。
  11. 【請求項１１】 ガス生成器から出力されるガスをガス
    供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介し
    て排出し、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御
    することで、上記ガス供給通路を介して供給されるガス
    の流量及び上記ガス生成器内の圧力を制御するガス供給
    方法。
  12. 【請求項１２】 ガス生成器から出力されるガスをガス
    供給通路を介して供給し、上記ガス供給通路に配置され
    たバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給
    通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供
    給通路を介して供給されるガスの流用及び上記ガス生成
    器内の圧力を制御するガス供給方法。
  13. 【請求項１３】 ガス供給通路は、並列して設けられた
    複数のガス供給管であって、これら複数のガス供給管の
    流量を各々制御してガスを供給する請求項１１又は請求
    項１２に記載のガス供給方法。
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