JP4071968B2 - ガス供給システム及びガス供給方法 - Google Patents
ガス供給システム及びガス供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4071968B2 JP4071968B2 JP2002008685A JP2002008685A JP4071968B2 JP 4071968 B2 JP4071968 B2 JP 4071968B2 JP 2002008685 A JP2002008685 A JP 2002008685A JP 2002008685 A JP2002008685 A JP 2002008685A JP 4071968 B2 JP4071968 B2 JP 4071968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- pressure
- generator
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/10—Preparation of ozone
- C01B13/11—Preparation of ozone by electric discharge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/10—Preparation of ozone
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00002—Chemical plants
- B01J2219/00027—Process aspects
- B01J2219/00038—Processes in parallel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00162—Controlling or regulating processes controlling the pressure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00164—Controlling or regulating processes controlling the flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
- C01B2201/10—Dischargers used for production of ozone
- C01B2201/14—Concentric/tubular dischargers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B2201/00—Preparation of ozone by electrical discharge
- C01B2201/90—Control of the process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Pipeline Systems (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オゾンガス、生成ガス、反応ガス等のガスを処理装置に供給するガス供給システム及びガス供給方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ガス供給システムは、一般に、オゾンガス、生成ガス、反応ガス等のガスを生成するガス生成器と、ガス生成器と処理装置とに接続されガス生成器から出力されるガスを処理装置まで導く配管と、この配管に設けられガス生成器から処理装置へ供給されるガスのガス流量を調整するガス流量制御部とから構成されている。
【０００３】
このようなガス供給システムは、例えば、ガス生成器で生成されるオゾンガスや反応ガスを、内部に半導体ウエハが収納された半導体処理装置に供給し、このオゾンガスや反応ガスにより半導体処理装置で半導体ウエハへの処理（成膜処理、ウエハ洗浄処理、レジスト剥離処理、エッチング処理等）がなされる半導体装置の製造工程等を含め、ガスを処理装置に供給する様々な分野で利用されている。
【０００４】
図１７は上記従来のガス供給システムである特開平８−１３３７０７号公報に記載されたガス供給システムを示す図である。詳細には、半導体ウエハ上にシリコン酸化膜を形成するため、オゾンガスをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜装置に供給するガス供給システムを示す図である。
【０００５】
図に示すように、配管１を介して原料ガスである酸素ガスが、配管２を介して原料ガスである窒素ガスが各々オゾン発生装置３に供給される。このとき、配管１に設けられた、ガス開閉弁１１、ガス減圧弁１２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３により、配管１を流れる酸素ガスのガス流量が制御され、配管２に設けられた、ガス開閉弁２１、ガス減圧弁２２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）２３により、配管２を流れる窒素ガスのガス流量が制御されるようになっている。
【０００６】
このオゾン発生装置３に供給される原料ガスは、オゾン発生装置３内に設けられた互いに対向する電極を有するオゾン発生器としてのオゾン発生器（セル）３１に供給されるが、供給される原料ガスは、圧力１気圧以上の酸素に窒素を含んだガスになるよう制御されて供給される。それととも、オゾン発生器３１の電極間に高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２による高電圧を印加し、電極間に無声放電を発生させてオゾン発生器３１でオゾンガスを生成する。なお、オゾン生成時には、無声放電に伴なって放電熱が発生するため、冷却装置３３からの水によって電極セル自身を冷却し、この放電熱を冷却する。
【０００７】
このようにして生成されたオゾンガスは、ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５から出力され、ガス出力管３５に接続されたガス供給管４を介して半導体処理装置（被処理チャンバー）５に供給される。ガス供給管４にはマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられており、これによりガス供給管４を流れるオゾンガスの流量が制御されるようになっている。
【０００８】
一方、半導体処理装置５に連通する配管６が配管２から分岐して設けられており、窒素ガスが配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１を介してテトラエチルオルソシリケート（以下ＴＥＯＳと言う）供給器６２に供給される。そして、ＴＥＯＳ供給器６２で窒素ガスにより液体のＴＥＯＳが気化され、そのＴＥＯＳガスが被処理チャンバー５に供給される。
【０００９】
被処理チャンバー５内では、配管４を通して供給されるオゾンガスと配管６を通して供給されるＴＥＯＳガスとの化学反応により生成されたシリコン酸化膜が被処理チャンバー５内に配置された半導体ウエハ上に形成される。なお、被処理チャンバー５に残存するガス等は配管７に設けられている逆止弁７１、ガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２を介して排出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のガス供給システム及びガス供給方法では、上記のようにガス生成器３１で生成されたガスが、ガス生成器３１と処理装置５とを接続するガス供給管４を介して処理装置５に供給されるようになっている。そのため、処理装置５内へ供給するガスのガス流量を適正な値に制御すると、そのガス流量の制御は、ガス供給管４の処理装置５とは反対側に接続されているガス生成器３１内の圧力にも影響を与えてしまう。
【００１１】
ここで、ガス生成器３１で生成されるガスのガス量はガス生成器３１内の圧力に影響するため、処理装置５内へ供給するガスのガス流量の制御によりガス生成器３１内の圧力が影響を受けると、それに伴なってガス生成器３１内で生成されるガスのガス量も影響を受けてしまい、生成されるガス量を適切に制御できないという問題点があった。
【００１２】
特に、上記半導体装置の製造工程に利用されるガス供給システムの場合には、シリコン酸化膜の堆積量の管理や酸化膜の品質を高めるため、半導体処理装置５内を１〜数１００Ｔｏｒｒの範囲で一定の圧力に維持するとともに、供給するＴＥＯＳガスやオゾンガス量などをリアルタイム制御する必要がある。また、オゾン発生器３１内の圧力は、生成されるオゾンガスの生成量等を考慮して１気圧以上のガス圧になるよう制御する必要がある。そのため、半導体処理装置５へ供給するガス量の制御を優先させると、オゾン発生器３１内の圧力が適正なものとならず、オゾン発生性能が低下するなどの問題点があった。
【００１３】
また、ガス生成器内の圧力影響を抑制するため、ガス出力部にバルブを設けることが想定されるが、バルブを設けるだけでは、バルブの開閉度でガス流量を制御するとともに、ガス流量によって一定の圧損を持たせるように操作バルブを調整することが困難で十分な制御が行えないという問題点があった。
【００１４】
また、従来のガス供給システム及びガス供給方法では、接続される処理装置へ供給するガスのガス流量制御によりガス生成器内の圧力が影響されるので、接続される処理装置の数が多くなればなるほど、その影響も大きくなってしまう。よって、ガス生成器内の圧力影響を少なくするためには、１台のガス生成器に接続する処理装置を少なくする必要があり、１台のガス生成器に対して、複数個の処理装置を接続できないという問題点があった。
【００１５】
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、供給するガスのガス流量、ガス生成器で発生するガス量を適正なものにすることができるガス供給システム及びガス供給方法を提供するものである。
【００１６】
また、複数の処理装置に安定したガスを供給することができるガス供給システム及びガス供給方法を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えている。
【００１８】
また、本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えている。
【００１９】
また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御するようにしてもよい。
【００２０】
また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御するようにしてもよい。
【００２１】
また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施すようにしてもよい。
【００２３】
また、複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えてもよい。
【００２４】
また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えてもよい。
【００２５】
また、複数のガス供給管に接続される処理装置を備えてもよい。
【００２６】
また、複数のガス供給管が、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含むようにしてもよい。
【００２７】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００２８】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。なお、以下では、処理装置にオゾンガス、生成ガス、反応ガス等を供給し、これらのガスを用いて成膜処理やエッチング処理等の半導体ウエハの処理を施す半導体装置の製造工程におけるガス供給システム及びガス供給方法について説明する。
【００３１】
このように、以下の実施の形態では、上記半導体装置の製造工程について説明するが、本発明のガス供給システム及びガス供給方法は、この半導体装置の製造工程に限定されるものではなく、ウエハ洗浄処理やレジスト剥離処理等、他の半導体装置の製造工程におけるガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよいし、また、他の様々な用途におけるガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよい。
【００３２】
実施の形態１．
図１はこの実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【００３３】
図に示すように、ガス供給システムは、主に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成するガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器から出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、ガス供給通路と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路を含むガス排出部（配管７，８等）とで構成されている。
【００３４】
原料ガス供給部は、一端がオゾン発生装置３に接続され原料としての酸素ガスをオゾン発生装置３に供給する配管１と、一端がオゾン発生装置３に接続され原料としての窒素ガスをオゾン発生装置３に供給する配管２とで構成されており、配管１、２には、図１７と同様に、ガス開閉弁１１、２１、ガス減圧弁１２、２２、ガスの流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３が各々設けられており、各配管から供給される原料ガスの流量等が調整できるようになっている。
【００３５】
ガス生成器は、図１７と同様に、オゾン発生装置３内に設けられ、互いに対向する電極からなるオゾン発生器（セル）３１と、オゾン発生器３１の電極に高電圧を印加する高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２と、オゾン発生器３１を冷却する冷却装置３３と、ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５とで構成されている。
【００３６】
また、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給口から供給するガス供給通路としての配管４（その一部又は全て）が設けられている。このガス供給通路（配管４）には、図１７と同様に、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられている。
【００３７】
それに加えて、オゾン発生装置３内には、ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのガス排出管８（その一部又は全て）が設けられている。ガス排出通路（ガス排出管８）には、ガス排出管８に流れるガスの圧力を制御することでガス生成器３１のガス圧力を自動的に一定値に制御する圧力制御器としての自動圧力制御器（ＡＰＣ）８１と、逆止弁８２とが設けられている。
【００３８】
すなわち、ＡＰＣ８１、逆止弁８２はガス供給通路のオゾンガス流量を制御するＭＦＣ４１と並列に接続配管され、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスはガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２にバイパス配管されている。
【００３９】
ＴＥＯＳガス供給部は、図１７と同様に、配管２から分岐して半導体処理装置５に接続される配管６と、配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１、ＴＥＯＳ供給器６２とで構成されている。
【００４０】
半導体処理装置５は、ガス生成器から出力されるガス及びＴＥＯＳガス供給部から供給されるＴＥＯＳガスに基づいて半導体ウエハに半導体処理を施す処理装置（被処理チャンバー）である。
【００４１】
なお、この半導体処理としては、例えば、供給されるオゾンガスとＴＥＯＳガスとの化学反応によりシリコン酸化膜を生成し半導体ウエハ上にこのシリコン酸化膜を形成する成膜処理等があげられるが、半導体処理は成膜処理に限定するものではなく、供給されるガスに基づく処理であればよく、エッチング処理、ウエハ洗浄処理、レジスト剥離処理等他の処理であってもよい。
【００４２】
ガス排出部は、ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路（ガス排出管８）と、半導体処理装置５から排出されるガスをガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２に排出する配管７等で構成されている。なお、半導体処理装置５に残存するガスは配管７に設けられている逆止弁７１、排オゾン処理装置７２を介して排出される。
【００４３】
次に動作について説明する。
配管１を介して酸素が、配管２を介して窒素が各々オゾン発生装置３に供給され、オゾン発生装置３のオゾン発生器３１で、供給された原料ガス（酸素、窒素）に基づいてオゾンガスが生成される。
【００４４】
生成されたオゾンガスはガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガスは、ＭＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給されるとともに、ＡＰＣ８１が設けられたガス排出管８を介して排オゾン処理装置７２に排出される。
【００４５】
半導体処理装置５に供給されるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御される。ここでは、配管６を介して供給されるＴＥＯＳガスとともに、オゾン処理によるウエハ表面の酸化膜形成などの半導体処理が適切になるように、供給するガス流量を制御する。
【００４６】
一方、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態では、この配管４と並列にガス排出管８が配管しているので、このガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御することができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００４７】
すなわち、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を増やす場合には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が少なくなるようＡＰＣ８１が自動的に閉まるように制御すればよい。また逆に、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を減らす場合には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が多くなるようＡＰＣ８１が自動的に開くように制御すればよい。このように制御することで、オゾン発生器３１内の圧力を一定に保つことができる。
【００４８】
この実施の形態１では、ガス生成器から出力されるガスを供給するガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えているので、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行うことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じても、その圧力の影響を圧力制御器の制御で解消させることができ、ガス供給通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００４９】
また、圧力制御器の制御により、ガス供給通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器内の圧力が一定になるよう制御することができるので、ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００５０】
この実施の形態では、ガス流量制御にマスフローを用いたが、ガス流量制御器（ＦＣ）でガス量を調整してもよい。また、オゾンガスの出力制御について説明したが、他の生成もしくは反応ガスを出力する制御方式においても同様の効果がある。
【００５１】
実施の形態２.
実施の形態１のガス供給システムでは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を接続しているが、この実施の形態２のガス供給システムは、１つのガス生成器に対して複数の処理装置を接続したものである。
【００５２】
図２はこの実施の形態２の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に、複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００５３】
詳細には、オゾン発生器３１で生成されるガスが出力されるガス出力管３５に連通し互いに並列に配置される各ガス供給管４０１〜４０３と各半導体処理装置５０１〜５０３とを各々接続し、このガス供給管４０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３にオゾン発生器３１で生成されるオゾンガスを各々供給する。もちろん、各ガス供給管４０１〜４０３には、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１１〜４１３が設けられており、各ガス供給管４０１〜４０３のガスのガス流量が制御できるようになっている。
【００５４】
それに加え、配管２から分岐して半導体処理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置５０１〜５０３に対応させて複数の配管６０１〜６０３にし、この配管６０１〜６０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３にＴＥＯＳガスを各々供給する。また、各配管６０１〜６０３には、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１１〜６１３、ＴＥＯＳ供給器６２１〜６２３が各々設けられている。
【００５５】
なお、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給通路４０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３に供給するとともに、このガス供給通路４０１〜４０３と並列して設けられガス生成器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００５６】
このように構成することで、各半導体処理装置５０１〜５０３に供給されるオゾンガスのガス流量が各ＭＦＣ４１１〜４１３で、供給されるＴＥＯＳガスのガス流量が各ＭＦＣ６１１〜６１３で適切な値に制御される。
【００５７】
実施の形態１の場合と同様に、このＭＦＣ４１１〜４１３の制御に伴なって、配管４０１〜４０３のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、配管４０１〜４０３に連通しているガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４０１〜４０３のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御することができる。よって、ＭＦＣ４１１〜４１３で配管４０１〜４０３の流量を制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００５８】
この実施の形態２では、ガス排出通路に流れるガスの圧力を圧力制御器で制御することで、ガス供給通路におけるガス生成器側の圧力を調整することができるので、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することができる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを提供できる。
【００５９】
実施の形態３．
この実施の形態３のガス供給システムは、実施の形態２のガス供給システムの各ガス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００６０】
図３はこの実施の形態３の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図２に示したガス供給システムに加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６１】
このように各ガス供給管４０１〜４０３に空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガスを供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供給を停止させることができる。よって、複数の半導体処理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供給を効率よく運用することができる。
【００６２】
実施の形態４．
実施の形態１〜３のガス供給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにしているが、この実施の形態４のガス供給システムは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々独立に制御するようにしたものである。
【００６３】
図４はこの実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【００６４】
これらの配管４０４、４０５には、各々ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６５】
なお、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給通路４０４、４０５を介して半導体処理装置５に供給するとともに、このガス供給通路４０４、４０５と並列して設けられガス生成器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００６６】
このように構成することで、各ガス供給管４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガスが瞬時に得られるように制御することができる。すなわち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給するのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制御することができ、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給することができる。
【００６７】
以下、上記時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給する手法を説明する。
例えば、半導体処理装置５内で、半導体ウエハ表面にシリコン酸化膜を形成する工程は、半導体ウエハ表面へのシリコン酸化膜の堆積を促進させる工程（デポジッション工程）と、半導体ウエハ表面に堆積したシリコン酸化膜の絶縁性能等の品質を向上させる工程（アニーリング工程）と、成膜した半導体ウエハを取り出す工程（搬送工程）との３つに大別される。
【００６８】
これら３つの工程では、各処理で必要なガス量が異なっており、デポジッション工程では大量のオゾンガスが、アニーリング工程では少量のオゾンガスが必要である。また、処理が施された半導体ウエハと未処理の半導体ウエハとの交換を行うために、搬送工程ではオゾンガスの供給を停止してキャリアガスを供給する必要がある。このような３工程は、生産工程を高めるために、そのスループットを向上させる必要があり、適時、適量のガスを半導体処理装置５内に供給する必要がある。
【００６９】
図５は図４に示したガス供給システムにおいて、上記３つの工程を含む半導体処理を行う場合の、空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関係を示すタイムチャートである。なお、半導体処理装置へのオゾンガス以外の薬品やガスの関係については省略する。
【００７０】
予め、配管４０４からデポジッション工程に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０４のガス流量をＭＦＣ４１４で設定しておく。一方、配管４０５からアニーリング工程に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０５のガス流量をＭＦＣ４１５で設定しておく。
【００７１】
例えば、オゾン発生器３１から出力されるオゾン濃度が、１５０ｇ／Ｎｍ３である場合には、半導体処理装置５に１２．５ｍｇ／ｓの大量のオゾンガスが供給できるように、ＭＦＣ４１４で配管４０４の流量を５０００ｃｃ／ｍｉｎに設定し、又、半導体処理装置５に１.２５ｍｇ／ｓの少量のオゾンガスが供給できるように、ＭＦＣ４１５で配管４０５の流量を５００ｃｃ／ｍｉｎに設定すればよい。
【００７２】
このように、２つのＭＦＣ４１４、４１５を予め設定した状態で、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御するようにすれば、弁が開状態にある配管から、適切なガス量のオゾンガスが供給されるので、上記成膜工程の３工程をスムーズに実現できる。
【００７３】
つまり、デポジッション工程時には、空圧弁４２４を開状態に、空圧弁４２５を閉状態にすることで、配管４０４からデポジッション工程に対応したガス流量５０００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給され、アニーリング処理工程時には、空圧弁４２４を閉状態にし、空圧弁４２５を開状態にすることで、配管４０５からアニーリング工程に対応したガス流量５００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給される。さらに、搬送工程には、両空圧弁４２４、４２５を閉状態にして半導体処理装置５へのオゾンガスの供給を停止させ、この停止時に、別途キャリアガスの供給によるガス交換を行い半導体ウエハの交換を行うようにする。
【００７４】
この実施の形態４では、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させるかを制御するようにしているので、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができるので、例えば半導体処理のスループットを向上させることができる。
【００７５】
また、この実施の形態では、実施の形態１のように半導体処理装置が１つの場合について説明したが、これは特に限定するものではなく、実施の形態２、３のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよい。
【００７６】
実施の形態５.
実施の形態１のガス供給システムは、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行うことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、この実施の形態５では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００７７】
図６はこの実施の形態５の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【００７８】
図に示すように、ガス供給システムは、主に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成するガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器から出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、処理装置から出力されるガスを外部に排出するガス排出部（配管７）とで構成されている。
【００７９】
なお、原料ガス供給部、ガス生成器、半導体処理装置、ＴＥＯＳガス供給部に関しては、実施の形態１と同様である。
【００８０】
オゾン発生装置３内には、図１と同様に、ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給口から半導体処理装置５に供給するガス供給通路としての配管４（その一部又は全て）が設けられており、このガス供給通路（配管４）には、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられている。
【００８１】
そして、この実施の形態５では、それに加えて、このガス供給通路におけるガス生成器３１とガス流量制御器（ＭＦＣ）４１との間に、ＭＦＣ４１による流量変動に対しても十分に対応できるオゾン量を確保できるバッファータンク９１と、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整する圧力調整器としての圧力ヘッドノズル９２とが設けられている。
【００８２】
なお、圧力調整器は、圧力ヘッドノズルに限定するものではなく、例えば、バルブやノズル等、圧力を調整できるものであればよい。
【００８３】
次に動作について説明する。
実施の形態１と同様にしてオゾン発生器３１で生成されたオゾンガスはガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガスは、バッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２、ＭＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給される。なお、半導体処理装置５に供給されるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、実施の形態１と同様に、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御される。
【００８４】
このように、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態では、ガス供給管４における、ガス生成器とＭＦＣ４１との間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２とを配置しているので、バッファータンク９１により、ＭＦＣ４１による流量変化に対して十分対応できるオゾン量を確保できるとともに、圧力ヘッドノズル９２により、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整することができる。その結果、オゾン発生器３１内の圧力を適切な値（例えば、一定）に制御することができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響分をバッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２で解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００８５】
この実施の形態５では、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているので、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じても、その圧力の影響を解消させることができ、ガス供給通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００８６】
また、圧力調整器の制御により、ガス供給通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器内の圧力が一定になるよう制御することができるので、ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００８７】
また、ここでは、ガス生成器３１、バッファータンク９１、圧力調整器９２、ＭＦＣ４１の順に配置しているが、バッファータンク９１、圧力調整器９２は、ガス生成器３１とＭＦＣ４１との間に配置されていればよく、図７に示すように、ガス生成器３１、圧力調整器（圧力ヘッドノズル）９２、バッファータンク９１、ＭＦＣ４１の順に配置してもよい。
【００８８】
また、この実施の形態５では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図８に示すように、実施の形態１のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００８９】
このようにすることで、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御と、ガス供給通路に設けられたバッファータンクと圧力調整器とによる圧力制御とにより、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができるので、より適切な制御を行うことができる。
【００９０】
実施の形態６.
実施の形態５のガス供給システムは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を接続しているが、この実施の形態６のガス供給システムは、１つのガス供給器に対して複数の処理装置を接続したものである。
【００９１】
図９はこの実施の形態６の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図２と同様に、ＭＦＣ４１１〜４１３が設けられた各ガス供給管４０１〜４０３を介して、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００９２】
また、配管２から分岐して半導体処理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置５０１〜５０３に対応させてＭＦＣ６１１〜６１３が設けられた複数の配管６０１〜６０３にしている。
【００９３】
なお、ガス供給通路におけるガス生成器３１とガス流量制御器４１１〜４１３との間に、バッファータンク９１と、圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器を設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【００９４】
このように構成することで、実施の形態５と同様に、バッファータンク９１及び圧力調整器９２により、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整することができ、オゾン発生器内の圧力を適切な値に制御することができる。よって、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することができる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを提供できる。
【００９５】
この実施の形態では、図９に示すように、３つガス供給管４０１〜４０３に分岐する前のガス供給通路にバッファータンク９１及び圧力調整器９２を設けるようにしているが、３つのガス供給管４０１〜４０３の各々にバッファータンク及び圧力調整器を設けるようにしてもよい。
【００９６】
また、この実施の形態６では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１０に示すように、実施の形態２のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００９７】
実施の形態７.
この実施の形態７のガス供給システムは、実施の形態６のガス供給システムの各ガス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００９８】
図１１はこの実施の形態７の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図９に示したガス供給システムに加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００９９】
このように各ガス供給管４０１〜４０３に空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガスを供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供給を停止させることができる。よって、複数の半導体処理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供給を効率よく運用することができる。
【０１００】
また、この実施の形態７では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１２に示すように、実施の形態３のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０１】
実施の形態８.
実施の形態５〜７のガス供給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにしているが、この実施の形態８のガス供給システムは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々独立に制御するようにしたものである。
【０１０２】
図１３はこの実施の形態８の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【０１０３】
これらの配管４０４、４０５には、各々ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【０１０４】
なお、ガス供給通路におけるガス生成器とガス流量制御器との間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器とを設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【０１０５】
このように構成することで、各ガス供給管４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガスが瞬時に得られるように制御することができる。すなわち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給するのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制御することができ、例えば実施の形態４で説明したように、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給することができる。
【０１０６】
この実施の形態８では、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させるかを制御するようにしているので、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができるので、例えば半導体処理のスループットを向上させることができる。
【０１０７】
また、この実施の形態では、実施の形態５のように半導体処理装置が１つの場合について説明したが、これは特に限定するものではなく、実施の形態６、７のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよい。
【０１０８】
また、この実施の形態８では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１４に示すように、実施の形態４のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０９】
実施の形態９．
この実施の形態９のガス供給システムは、実施の形態１〜８のガス供給システムに異常対策機能を施したもので、特に、ガス発生器内の圧力が所定値以上の圧力になった場合に、異常対策を施すものである。
【０１１０】
図１５はこの実施の形態９の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施したものである。図に示すように、オゾン発生器（圧力容器）３１中に排圧弁３６と、オゾン発生器３１が所定圧力以上になると接点信号がＯＮとなる圧力計３７とを設けている。なお、ここでは、図８に示したガス供給システムに異常対策を施した例を示しているが、この異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用してもよい。
【０１１１】
この圧力計３７が所定圧力以上になると排圧弁３６が動作し異常圧力の抑制及び異常圧力信号を出力するようにし、オゾン発生器３１のオゾナイザ電源３２の停止もしくはオゾン発生量の抑制指令を出力するようになっている。
【０１１２】
このように、異常に圧力が高くなった場合の安全対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できる。
【０１１３】
実施の形態１０．
この実施の形態１０のガス供給システムは、実施の形態１〜９のガス供給システムに異常対策機能を施すようにしたもので、特に、ガス発生器内の圧力が所定値以下の圧力になった場合に、異常対策を施すものである。
【０１１４】
図１６はこの実施の形態１０の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で、図８に示したガス供給システムに異常対策を施したものである。図に示すように、オゾン発生器３１の圧力を検出し圧力信号を出力する圧力計３８と、圧力信号を受けてオゾン発生量の増減指令をオゾナイザ電源３２及び原料ガスのガス流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３に送信する制御回路３９とが設けられている。なお、ここでは、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施した例を示しているが、この異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用してもよい。
【０１１５】
圧力計３８によりオゾン発生器３１内の圧力を検出し、オゾン発生器３１の動作範囲内であれば、実施の形態１〜４のような通常の制御を行う。検出した圧力が動作範囲外の圧力（異常低下圧力）になると、制御回路３９が異常圧力低下信号を出力し、オゾナイザ電源３２の停止、オゾン発生量の増加指令によるオゾナイザ電源３２の出力上昇、または、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３の制御による原料ガス流量の増加等の処理により、オゾン発生器３１内の圧力を増加させる方向にフィードバック制御させる。なお、このフィードバック制御には、公知の手法を用いればよい。
【０１１６】
このように、異常に圧力が低くなった場合の安全対策やガス発生量保証対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できるとともに、その制御範囲を広くすることができるので、効率的で信頼性の高いシステムを提供することができる。
【０１１７】
【発明の効果】
本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１８】
また、本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１９】
また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成させることができる。
【０１２０】
また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成させることができる。
【０１２１】
また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施す場合には、ガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できる。
【０１２３】
また、複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えた場合には、複数の処理装置に安定したガスを供給することができる。
【０１２４】
また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えた場合には、弁を閉状態にすることで、その弁を有する配管からのガスの供給を停止することができるので、他の供給管でのガスの供給状態に関係なく、ガスの供給・停止を任意に行うことができる。
【０１２５】
また、複数のガス供給管に接続される処理装置を備えた場合には、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができる。
【０１２６】
また、複数のガス供給管が、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含むようにした場合には、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができることに加え、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができる。
【０１２７】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するようにしているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１２８】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するようにしているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図３】 本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図４】 本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図５】 図４に示したガス供給システムにおける空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関係を示すタイムチャートである。
【図６】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図７】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図８】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図９】 本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１０】 本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１１】 本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１２】 本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１３】 本発明の実施の形態８の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１４】 本発明の実施の形態８の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１５】 本発明の実施の形態９の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１６】 本発明の実施の形態１０の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１７】 従来のガス供給システムを示す概略構成図である。
【符号の説明】
１、２ 配管 ３ オゾン発生装置
４、４０１〜４０５ ガス供給管
５、５０１〜５０３ 半導体処理装置
６、６０１〜６０３ 配管 ７ 配管
８ ガス排出管
１１、２１ ガス開閉弁 １２、２２ ガス減圧弁
１３、２３ マスフロー流量制御器
３１ オゾン発生器 ３２ 高周波高電圧電源
３３ 冷却装置 ３４ ガスフィルター
３５ ガス出力管 ３６ 排圧弁
３７、３８ 圧力計 ３９ 制御回路
４１、４１１〜４１５ マスフロー流量制御器
６１、６１１〜６１３ マスフロー流量制御器
６２、６２１〜６２３ ＴＥＯＳ供給器
７１、８２ 逆止弁 ７２ ガス分解処理装置
８１ 自動圧力制御器
９１ バッファータンク ９２ 圧力ヘッドノズル
４２１〜４２５ 空圧弁
【発明の属する技術分野】
本発明は、オゾンガス、生成ガス、反応ガス等のガスを処理装置に供給するガス供給システム及びガス供給方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ガス供給システムは、一般に、オゾンガス、生成ガス、反応ガス等のガスを生成するガス生成器と、ガス生成器と処理装置とに接続されガス生成器から出力されるガスを処理装置まで導く配管と、この配管に設けられガス生成器から処理装置へ供給されるガスのガス流量を調整するガス流量制御部とから構成されている。
【０００３】
このようなガス供給システムは、例えば、ガス生成器で生成されるオゾンガスや反応ガスを、内部に半導体ウエハが収納された半導体処理装置に供給し、このオゾンガスや反応ガスにより半導体処理装置で半導体ウエハへの処理（成膜処理、ウエハ洗浄処理、レジスト剥離処理、エッチング処理等）がなされる半導体装置の製造工程等を含め、ガスを処理装置に供給する様々な分野で利用されている。
【０００４】
図１７は上記従来のガス供給システムである特開平８−１３３７０７号公報に記載されたガス供給システムを示す図である。詳細には、半導体ウエハ上にシリコン酸化膜を形成するため、オゾンガスをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜装置に供給するガス供給システムを示す図である。
【０００５】
図に示すように、配管１を介して原料ガスである酸素ガスが、配管２を介して原料ガスである窒素ガスが各々オゾン発生装置３に供給される。このとき、配管１に設けられた、ガス開閉弁１１、ガス減圧弁１２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３により、配管１を流れる酸素ガスのガス流量が制御され、配管２に設けられた、ガス開閉弁２１、ガス減圧弁２２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）２３により、配管２を流れる窒素ガスのガス流量が制御されるようになっている。
【０００６】
このオゾン発生装置３に供給される原料ガスは、オゾン発生装置３内に設けられた互いに対向する電極を有するオゾン発生器としてのオゾン発生器（セル）３１に供給されるが、供給される原料ガスは、圧力１気圧以上の酸素に窒素を含んだガスになるよう制御されて供給される。それととも、オゾン発生器３１の電極間に高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２による高電圧を印加し、電極間に無声放電を発生させてオゾン発生器３１でオゾンガスを生成する。なお、オゾン生成時には、無声放電に伴なって放電熱が発生するため、冷却装置３３からの水によって電極セル自身を冷却し、この放電熱を冷却する。
【０００７】
このようにして生成されたオゾンガスは、ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５から出力され、ガス出力管３５に接続されたガス供給管４を介して半導体処理装置（被処理チャンバー）５に供給される。ガス供給管４にはマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられており、これによりガス供給管４を流れるオゾンガスの流量が制御されるようになっている。
【０００８】
一方、半導体処理装置５に連通する配管６が配管２から分岐して設けられており、窒素ガスが配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１を介してテトラエチルオルソシリケート（以下ＴＥＯＳと言う）供給器６２に供給される。そして、ＴＥＯＳ供給器６２で窒素ガスにより液体のＴＥＯＳが気化され、そのＴＥＯＳガスが被処理チャンバー５に供給される。
【０００９】
被処理チャンバー５内では、配管４を通して供給されるオゾンガスと配管６を通して供給されるＴＥＯＳガスとの化学反応により生成されたシリコン酸化膜が被処理チャンバー５内に配置された半導体ウエハ上に形成される。なお、被処理チャンバー５に残存するガス等は配管７に設けられている逆止弁７１、ガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２を介して排出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のガス供給システム及びガス供給方法では、上記のようにガス生成器３１で生成されたガスが、ガス生成器３１と処理装置５とを接続するガス供給管４を介して処理装置５に供給されるようになっている。そのため、処理装置５内へ供給するガスのガス流量を適正な値に制御すると、そのガス流量の制御は、ガス供給管４の処理装置５とは反対側に接続されているガス生成器３１内の圧力にも影響を与えてしまう。
【００１１】
ここで、ガス生成器３１で生成されるガスのガス量はガス生成器３１内の圧力に影響するため、処理装置５内へ供給するガスのガス流量の制御によりガス生成器３１内の圧力が影響を受けると、それに伴なってガス生成器３１内で生成されるガスのガス量も影響を受けてしまい、生成されるガス量を適切に制御できないという問題点があった。
【００１２】
特に、上記半導体装置の製造工程に利用されるガス供給システムの場合には、シリコン酸化膜の堆積量の管理や酸化膜の品質を高めるため、半導体処理装置５内を１〜数１００Ｔｏｒｒの範囲で一定の圧力に維持するとともに、供給するＴＥＯＳガスやオゾンガス量などをリアルタイム制御する必要がある。また、オゾン発生器３１内の圧力は、生成されるオゾンガスの生成量等を考慮して１気圧以上のガス圧になるよう制御する必要がある。そのため、半導体処理装置５へ供給するガス量の制御を優先させると、オゾン発生器３１内の圧力が適正なものとならず、オゾン発生性能が低下するなどの問題点があった。
【００１３】
また、ガス生成器内の圧力影響を抑制するため、ガス出力部にバルブを設けることが想定されるが、バルブを設けるだけでは、バルブの開閉度でガス流量を制御するとともに、ガス流量によって一定の圧損を持たせるように操作バルブを調整することが困難で十分な制御が行えないという問題点があった。
【００１４】
また、従来のガス供給システム及びガス供給方法では、接続される処理装置へ供給するガスのガス流量制御によりガス生成器内の圧力が影響されるので、接続される処理装置の数が多くなればなるほど、その影響も大きくなってしまう。よって、ガス生成器内の圧力影響を少なくするためには、１台のガス生成器に接続する処理装置を少なくする必要があり、１台のガス生成器に対して、複数個の処理装置を接続できないという問題点があった。
【００１５】
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、供給するガスのガス流量、ガス生成器で発生するガス量を適正なものにすることができるガス供給システム及びガス供給方法を提供するものである。
【００１６】
また、複数の処理装置に安定したガスを供給することができるガス供給システム及びガス供給方法を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えている。
【００１８】
また、本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えている。
【００１９】
また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御するようにしてもよい。
【００２０】
また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御するようにしてもよい。
【００２１】
また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施すようにしてもよい。
【００２３】
また、複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えてもよい。
【００２４】
また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えてもよい。
【００２５】
また、複数のガス供給管に接続される処理装置を備えてもよい。
【００２６】
また、複数のガス供給管が、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含むようにしてもよい。
【００２７】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００２８】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。なお、以下では、処理装置にオゾンガス、生成ガス、反応ガス等を供給し、これらのガスを用いて成膜処理やエッチング処理等の半導体ウエハの処理を施す半導体装置の製造工程におけるガス供給システム及びガス供給方法について説明する。
【００３１】
このように、以下の実施の形態では、上記半導体装置の製造工程について説明するが、本発明のガス供給システム及びガス供給方法は、この半導体装置の製造工程に限定されるものではなく、ウエハ洗浄処理やレジスト剥離処理等、他の半導体装置の製造工程におけるガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよいし、また、他の様々な用途におけるガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよい。
【００３２】
実施の形態１．
図１はこの実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【００３３】
図に示すように、ガス供給システムは、主に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成するガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器から出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、ガス供給通路と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路を含むガス排出部（配管７，８等）とで構成されている。
【００３４】
原料ガス供給部は、一端がオゾン発生装置３に接続され原料としての酸素ガスをオゾン発生装置３に供給する配管１と、一端がオゾン発生装置３に接続され原料としての窒素ガスをオゾン発生装置３に供給する配管２とで構成されており、配管１、２には、図１７と同様に、ガス開閉弁１１、２１、ガス減圧弁１２、２２、ガスの流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３が各々設けられており、各配管から供給される原料ガスの流量等が調整できるようになっている。
【００３５】
ガス生成器は、図１７と同様に、オゾン発生装置３内に設けられ、互いに対向する電極からなるオゾン発生器（セル）３１と、オゾン発生器３１の電極に高電圧を印加する高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２と、オゾン発生器３１を冷却する冷却装置３３と、ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５とで構成されている。
【００３６】
また、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給口から供給するガス供給通路としての配管４（その一部又は全て）が設けられている。このガス供給通路（配管４）には、図１７と同様に、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられている。
【００３７】
それに加えて、オゾン発生装置３内には、ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのガス排出管８（その一部又は全て）が設けられている。ガス排出通路（ガス排出管８）には、ガス排出管８に流れるガスの圧力を制御することでガス生成器３１のガス圧力を自動的に一定値に制御する圧力制御器としての自動圧力制御器（ＡＰＣ）８１と、逆止弁８２とが設けられている。
【００３８】
すなわち、ＡＰＣ８１、逆止弁８２はガス供給通路のオゾンガス流量を制御するＭＦＣ４１と並列に接続配管され、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスはガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２にバイパス配管されている。
【００３９】
ＴＥＯＳガス供給部は、図１７と同様に、配管２から分岐して半導体処理装置５に接続される配管６と、配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１、ＴＥＯＳ供給器６２とで構成されている。
【００４０】
半導体処理装置５は、ガス生成器から出力されるガス及びＴＥＯＳガス供給部から供給されるＴＥＯＳガスに基づいて半導体ウエハに半導体処理を施す処理装置（被処理チャンバー）である。
【００４１】
なお、この半導体処理としては、例えば、供給されるオゾンガスとＴＥＯＳガスとの化学反応によりシリコン酸化膜を生成し半導体ウエハ上にこのシリコン酸化膜を形成する成膜処理等があげられるが、半導体処理は成膜処理に限定するものではなく、供給されるガスに基づく処理であればよく、エッチング処理、ウエハ洗浄処理、レジスト剥離処理等他の処理であってもよい。
【００４２】
ガス排出部は、ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路（ガス排出管８）と、半導体処理装置５から排出されるガスをガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２に排出する配管７等で構成されている。なお、半導体処理装置５に残存するガスは配管７に設けられている逆止弁７１、排オゾン処理装置７２を介して排出される。
【００４３】
次に動作について説明する。
配管１を介して酸素が、配管２を介して窒素が各々オゾン発生装置３に供給され、オゾン発生装置３のオゾン発生器３１で、供給された原料ガス（酸素、窒素）に基づいてオゾンガスが生成される。
【００４４】
生成されたオゾンガスはガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガスは、ＭＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給されるとともに、ＡＰＣ８１が設けられたガス排出管８を介して排オゾン処理装置７２に排出される。
【００４５】
半導体処理装置５に供給されるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御される。ここでは、配管６を介して供給されるＴＥＯＳガスとともに、オゾン処理によるウエハ表面の酸化膜形成などの半導体処理が適切になるように、供給するガス流量を制御する。
【００４６】
一方、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態では、この配管４と並列にガス排出管８が配管しているので、このガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御することができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００４７】
すなわち、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を増やす場合には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が少なくなるようＡＰＣ８１が自動的に閉まるように制御すればよい。また逆に、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を減らす場合には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が多くなるようＡＰＣ８１が自動的に開くように制御すればよい。このように制御することで、オゾン発生器３１内の圧力を一定に保つことができる。
【００４８】
この実施の形態１では、ガス生成器から出力されるガスを供給するガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えているので、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行うことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じても、その圧力の影響を圧力制御器の制御で解消させることができ、ガス供給通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００４９】
また、圧力制御器の制御により、ガス供給通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器内の圧力が一定になるよう制御することができるので、ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００５０】
この実施の形態では、ガス流量制御にマスフローを用いたが、ガス流量制御器（ＦＣ）でガス量を調整してもよい。また、オゾンガスの出力制御について説明したが、他の生成もしくは反応ガスを出力する制御方式においても同様の効果がある。
【００５１】
実施の形態２.
実施の形態１のガス供給システムでは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を接続しているが、この実施の形態２のガス供給システムは、１つのガス生成器に対して複数の処理装置を接続したものである。
【００５２】
図２はこの実施の形態２の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に、複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００５３】
詳細には、オゾン発生器３１で生成されるガスが出力されるガス出力管３５に連通し互いに並列に配置される各ガス供給管４０１〜４０３と各半導体処理装置５０１〜５０３とを各々接続し、このガス供給管４０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３にオゾン発生器３１で生成されるオゾンガスを各々供給する。もちろん、各ガス供給管４０１〜４０３には、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１１〜４１３が設けられており、各ガス供給管４０１〜４０３のガスのガス流量が制御できるようになっている。
【００５４】
それに加え、配管２から分岐して半導体処理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置５０１〜５０３に対応させて複数の配管６０１〜６０３にし、この配管６０１〜６０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３にＴＥＯＳガスを各々供給する。また、各配管６０１〜６０３には、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１１〜６１３、ＴＥＯＳ供給器６２１〜６２３が各々設けられている。
【００５５】
なお、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給通路４０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３に供給するとともに、このガス供給通路４０１〜４０３と並列して設けられガス生成器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００５６】
このように構成することで、各半導体処理装置５０１〜５０３に供給されるオゾンガスのガス流量が各ＭＦＣ４１１〜４１３で、供給されるＴＥＯＳガスのガス流量が各ＭＦＣ６１１〜６１３で適切な値に制御される。
【００５７】
実施の形態１の場合と同様に、このＭＦＣ４１１〜４１３の制御に伴なって、配管４０１〜４０３のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、配管４０１〜４０３に連通しているガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４０１〜４０３のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御することができる。よって、ＭＦＣ４１１〜４１３で配管４０１〜４０３の流量を制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００５８】
この実施の形態２では、ガス排出通路に流れるガスの圧力を圧力制御器で制御することで、ガス供給通路におけるガス生成器側の圧力を調整することができるので、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することができる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを提供できる。
【００５９】
実施の形態３．
この実施の形態３のガス供給システムは、実施の形態２のガス供給システムの各ガス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００６０】
図３はこの実施の形態３の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図２に示したガス供給システムに加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６１】
このように各ガス供給管４０１〜４０３に空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガスを供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供給を停止させることができる。よって、複数の半導体処理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供給を効率よく運用することができる。
【００６２】
実施の形態４．
実施の形態１〜３のガス供給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにしているが、この実施の形態４のガス供給システムは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々独立に制御するようにしたものである。
【００６３】
図４はこの実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【００６４】
これらの配管４０４、４０５には、各々ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６５】
なお、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給通路４０４、４０５を介して半導体処理装置５に供給するとともに、このガス供給通路４０４、４０５と並列して設けられガス生成器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００６６】
このように構成することで、各ガス供給管４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガスが瞬時に得られるように制御することができる。すなわち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給するのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制御することができ、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給することができる。
【００６７】
以下、上記時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給する手法を説明する。
例えば、半導体処理装置５内で、半導体ウエハ表面にシリコン酸化膜を形成する工程は、半導体ウエハ表面へのシリコン酸化膜の堆積を促進させる工程（デポジッション工程）と、半導体ウエハ表面に堆積したシリコン酸化膜の絶縁性能等の品質を向上させる工程（アニーリング工程）と、成膜した半導体ウエハを取り出す工程（搬送工程）との３つに大別される。
【００６８】
これら３つの工程では、各処理で必要なガス量が異なっており、デポジッション工程では大量のオゾンガスが、アニーリング工程では少量のオゾンガスが必要である。また、処理が施された半導体ウエハと未処理の半導体ウエハとの交換を行うために、搬送工程ではオゾンガスの供給を停止してキャリアガスを供給する必要がある。このような３工程は、生産工程を高めるために、そのスループットを向上させる必要があり、適時、適量のガスを半導体処理装置５内に供給する必要がある。
【００６９】
図５は図４に示したガス供給システムにおいて、上記３つの工程を含む半導体処理を行う場合の、空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関係を示すタイムチャートである。なお、半導体処理装置へのオゾンガス以外の薬品やガスの関係については省略する。
【００７０】
予め、配管４０４からデポジッション工程に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０４のガス流量をＭＦＣ４１４で設定しておく。一方、配管４０５からアニーリング工程に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０５のガス流量をＭＦＣ４１５で設定しておく。
【００７１】
例えば、オゾン発生器３１から出力されるオゾン濃度が、１５０ｇ／Ｎｍ３である場合には、半導体処理装置５に１２．５ｍｇ／ｓの大量のオゾンガスが供給できるように、ＭＦＣ４１４で配管４０４の流量を５０００ｃｃ／ｍｉｎに設定し、又、半導体処理装置５に１.２５ｍｇ／ｓの少量のオゾンガスが供給できるように、ＭＦＣ４１５で配管４０５の流量を５００ｃｃ／ｍｉｎに設定すればよい。
【００７２】
このように、２つのＭＦＣ４１４、４１５を予め設定した状態で、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御するようにすれば、弁が開状態にある配管から、適切なガス量のオゾンガスが供給されるので、上記成膜工程の３工程をスムーズに実現できる。
【００７３】
つまり、デポジッション工程時には、空圧弁４２４を開状態に、空圧弁４２５を閉状態にすることで、配管４０４からデポジッション工程に対応したガス流量５０００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給され、アニーリング処理工程時には、空圧弁４２４を閉状態にし、空圧弁４２５を開状態にすることで、配管４０５からアニーリング工程に対応したガス流量５００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給される。さらに、搬送工程には、両空圧弁４２４、４２５を閉状態にして半導体処理装置５へのオゾンガスの供給を停止させ、この停止時に、別途キャリアガスの供給によるガス交換を行い半導体ウエハの交換を行うようにする。
【００７４】
この実施の形態４では、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させるかを制御するようにしているので、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができるので、例えば半導体処理のスループットを向上させることができる。
【００７５】
また、この実施の形態では、実施の形態１のように半導体処理装置が１つの場合について説明したが、これは特に限定するものではなく、実施の形態２、３のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよい。
【００７６】
実施の形態５.
実施の形態１のガス供給システムは、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行うことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、この実施の形態５では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００７７】
図６はこの実施の形態５の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【００７８】
図に示すように、ガス供給システムは、主に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成するガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器から出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、処理装置から出力されるガスを外部に排出するガス排出部（配管７）とで構成されている。
【００７９】
なお、原料ガス供給部、ガス生成器、半導体処理装置、ＴＥＯＳガス供給部に関しては、実施の形態１と同様である。
【００８０】
オゾン発生装置３内には、図１と同様に、ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給口から半導体処理装置５に供給するガス供給通路としての配管４（その一部又は全て）が設けられており、このガス供給通路（配管４）には、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられている。
【００８１】
そして、この実施の形態５では、それに加えて、このガス供給通路におけるガス生成器３１とガス流量制御器（ＭＦＣ）４１との間に、ＭＦＣ４１による流量変動に対しても十分に対応できるオゾン量を確保できるバッファータンク９１と、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整する圧力調整器としての圧力ヘッドノズル９２とが設けられている。
【００８２】
なお、圧力調整器は、圧力ヘッドノズルに限定するものではなく、例えば、バルブやノズル等、圧力を調整できるものであればよい。
【００８３】
次に動作について説明する。
実施の形態１と同様にしてオゾン発生器３１で生成されたオゾンガスはガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガスは、バッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２、ＭＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給される。なお、半導体処理装置５に供給されるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、実施の形態１と同様に、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御される。
【００８４】
このように、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態では、ガス供給管４における、ガス生成器とＭＦＣ４１との間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２とを配置しているので、バッファータンク９１により、ＭＦＣ４１による流量変化に対して十分対応できるオゾン量を確保できるとともに、圧力ヘッドノズル９２により、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整することができる。その結果、オゾン発生器３１内の圧力を適切な値（例えば、一定）に制御することができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響分をバッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２で解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００８５】
この実施の形態５では、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているので、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じても、その圧力の影響を解消させることができ、ガス供給通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００８６】
また、圧力調整器の制御により、ガス供給通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器内の圧力が一定になるよう制御することができるので、ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００８７】
また、ここでは、ガス生成器３１、バッファータンク９１、圧力調整器９２、ＭＦＣ４１の順に配置しているが、バッファータンク９１、圧力調整器９２は、ガス生成器３１とＭＦＣ４１との間に配置されていればよく、図７に示すように、ガス生成器３１、圧力調整器（圧力ヘッドノズル）９２、バッファータンク９１、ＭＦＣ４１の順に配置してもよい。
【００８８】
また、この実施の形態５では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図８に示すように、実施の形態１のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００８９】
このようにすることで、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御と、ガス供給通路に設けられたバッファータンクと圧力調整器とによる圧力制御とにより、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができるので、より適切な制御を行うことができる。
【００９０】
実施の形態６.
実施の形態５のガス供給システムは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を接続しているが、この実施の形態６のガス供給システムは、１つのガス供給器に対して複数の処理装置を接続したものである。
【００９１】
図９はこの実施の形態６の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図２と同様に、ＭＦＣ４１１〜４１３が設けられた各ガス供給管４０１〜４０３を介して、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００９２】
また、配管２から分岐して半導体処理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置５０１〜５０３に対応させてＭＦＣ６１１〜６１３が設けられた複数の配管６０１〜６０３にしている。
【００９３】
なお、ガス供給通路におけるガス生成器３１とガス流量制御器４１１〜４１３との間に、バッファータンク９１と、圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器を設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【００９４】
このように構成することで、実施の形態５と同様に、バッファータンク９１及び圧力調整器９２により、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整することができ、オゾン発生器内の圧力を適切な値に制御することができる。よって、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することができる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを提供できる。
【００９５】
この実施の形態では、図９に示すように、３つガス供給管４０１〜４０３に分岐する前のガス供給通路にバッファータンク９１及び圧力調整器９２を設けるようにしているが、３つのガス供給管４０１〜４０３の各々にバッファータンク及び圧力調整器を設けるようにしてもよい。
【００９６】
また、この実施の形態６では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１０に示すように、実施の形態２のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００９７】
実施の形態７.
この実施の形態７のガス供給システムは、実施の形態６のガス供給システムの各ガス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００９８】
図１１はこの実施の形態７の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図９に示したガス供給システムに加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００９９】
このように各ガス供給管４０１〜４０３に空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガスを供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供給を停止させることができる。よって、複数の半導体処理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供給を効率よく運用することができる。
【０１００】
また、この実施の形態７では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１２に示すように、実施の形態３のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０１】
実施の形態８.
実施の形態５〜７のガス供給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにしているが、この実施の形態８のガス供給システムは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々独立に制御するようにしたものである。
【０１０２】
図１３はこの実施の形態８の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【０１０３】
これらの配管４０４、４０５には、各々ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【０１０４】
なお、ガス供給通路におけるガス生成器とガス流量制御器との間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器とを設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【０１０５】
このように構成することで、各ガス供給管４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガスが瞬時に得られるように制御することができる。すなわち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給するのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制御することができ、例えば実施の形態４で説明したように、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給することができる。
【０１０６】
この実施の形態８では、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させるかを制御するようにしているので、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができるので、例えば半導体処理のスループットを向上させることができる。
【０１０７】
また、この実施の形態では、実施の形態５のように半導体処理装置が１つの場合について説明したが、これは特に限定するものではなく、実施の形態６、７のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよい。
【０１０８】
また、この実施の形態８では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１４に示すように、実施の形態４のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０９】
実施の形態９．
この実施の形態９のガス供給システムは、実施の形態１〜８のガス供給システムに異常対策機能を施したもので、特に、ガス発生器内の圧力が所定値以上の圧力になった場合に、異常対策を施すものである。
【０１１０】
図１５はこの実施の形態９の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施したものである。図に示すように、オゾン発生器（圧力容器）３１中に排圧弁３６と、オゾン発生器３１が所定圧力以上になると接点信号がＯＮとなる圧力計３７とを設けている。なお、ここでは、図８に示したガス供給システムに異常対策を施した例を示しているが、この異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用してもよい。
【０１１１】
この圧力計３７が所定圧力以上になると排圧弁３６が動作し異常圧力の抑制及び異常圧力信号を出力するようにし、オゾン発生器３１のオゾナイザ電源３２の停止もしくはオゾン発生量の抑制指令を出力するようになっている。
【０１１２】
このように、異常に圧力が高くなった場合の安全対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できる。
【０１１３】
実施の形態１０．
この実施の形態１０のガス供給システムは、実施の形態１〜９のガス供給システムに異常対策機能を施すようにしたもので、特に、ガス発生器内の圧力が所定値以下の圧力になった場合に、異常対策を施すものである。
【０１１４】
図１６はこの実施の形態１０の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で、図８に示したガス供給システムに異常対策を施したものである。図に示すように、オゾン発生器３１の圧力を検出し圧力信号を出力する圧力計３８と、圧力信号を受けてオゾン発生量の増減指令をオゾナイザ電源３２及び原料ガスのガス流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３に送信する制御回路３９とが設けられている。なお、ここでは、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施した例を示しているが、この異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用してもよい。
【０１１５】
圧力計３８によりオゾン発生器３１内の圧力を検出し、オゾン発生器３１の動作範囲内であれば、実施の形態１〜４のような通常の制御を行う。検出した圧力が動作範囲外の圧力（異常低下圧力）になると、制御回路３９が異常圧力低下信号を出力し、オゾナイザ電源３２の停止、オゾン発生量の増加指令によるオゾナイザ電源３２の出力上昇、または、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３の制御による原料ガス流量の増加等の処理により、オゾン発生器３１内の圧力を増加させる方向にフィードバック制御させる。なお、このフィードバック制御には、公知の手法を用いればよい。
【０１１６】
このように、異常に圧力が低くなった場合の安全対策やガス発生量保証対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できるとともに、その制御範囲を広くすることができるので、効率的で信頼性の高いシステムを提供することができる。
【０１１７】
【発明の効果】
本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１８】
また、本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１９】
また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成させることができる。
【０１２０】
また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成させることができる。
【０１２１】
また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施す場合には、ガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できる。
【０１２３】
また、複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えた場合には、複数の処理装置に安定したガスを供給することができる。
【０１２４】
また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えた場合には、弁を閉状態にすることで、その弁を有する配管からのガスの供給を停止することができるので、他の供給管でのガスの供給状態に関係なく、ガスの供給・停止を任意に行うことができる。
【０１２５】
また、複数のガス供給管に接続される処理装置を備えた場合には、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができる。
【０１２６】
また、複数のガス供給管が、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含むようにした場合には、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができることに加え、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができる。
【０１２７】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するようにしているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１２８】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するようにしているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図３】 本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図４】 本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図５】 図４に示したガス供給システムにおける空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関係を示すタイムチャートである。
【図６】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図７】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図８】 本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図９】 本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１０】 本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１１】 本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１２】 本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１３】 本発明の実施の形態８の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１４】 本発明の実施の形態８の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１５】 本発明の実施の形態９の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１６】 本発明の実施の形態１０の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１７】 従来のガス供給システムを示す概略構成図である。
【符号の説明】
１、２ 配管 ３ オゾン発生装置
４、４０１〜４０５ ガス供給管
５、５０１〜５０３ 半導体処理装置
６、６０１〜６０３ 配管 ７ 配管
８ ガス排出管
１１、２１ ガス開閉弁 １２、２２ ガス減圧弁
１３、２３ マスフロー流量制御器
３１ オゾン発生器 ３２ 高周波高電圧電源
３３ 冷却装置 ３４ ガスフィルター
３５ ガス出力管 ３６ 排圧弁
３７、３８ 圧力計 ３９ 制御回路
４１、４１１〜４１５ マスフロー流量制御器
６１、６１１〜６１３ マスフロー流量制御器
６２、６２１〜６２３ ＴＥＯＳ供給器
７１、８２ 逆止弁 ７２ ガス分解処理装置
８１ 自動圧力制御器
９１ バッファータンク ９２ 圧力ヘッドノズル
４２１〜４２５ 空圧弁
Claims (11)
- ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えたガス供給システム。
- ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えたガス供給システム。
- 圧力制御器は、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する請求項１記載のガス供給システム。
- 圧力調整器は、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御する請求項２記載のガス供給システム。
- ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施す請求項１又は請求項２に記載のガス供給システム。
- 複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えた請求項１又は請求項２に記載のガス供給システム。
- 複数のガス供給管に接続される１つの処理装置を備えた請求項１又は請求項２に記載のガス供給システム。
- 各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えた請求項６又は請求項７に記載のガス供給システム。
- 複数のガス供給管は、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含んでいる請求項７記載のガス供給システム。
- ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するガス供給方法。
- ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するガス供給方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002008685A JP4071968B2 (ja) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | ガス供給システム及びガス供給方法 |
| US10/210,872 US20030133854A1 (en) | 2002-01-17 | 2002-08-02 | System for supplying a gas and method of supplying a gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002008685A JP4071968B2 (ja) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | ガス供給システム及びガス供給方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003212517A JP2003212517A (ja) | 2003-07-30 |
| JP4071968B2 true JP4071968B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=19191439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002008685A Expired - Lifetime JP4071968B2 (ja) | 2002-01-17 | 2002-01-17 | ガス供給システム及びガス供給方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030133854A1 (ja) |
| JP (1) | JP4071968B2 (ja) |
Families Citing this family (382)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3999059B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2007-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
| US20050011459A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor |
| US20050178336A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-08-18 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
| US20060019029A1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Hamer Kevin T | Atomic layer deposition methods and apparatus |
| US20090096349A1 (en) * | 2007-04-26 | 2009-04-16 | Moshtagh Vahid S | Cross flow cvd reactor |
| US8216419B2 (en) * | 2008-03-28 | 2012-07-10 | Bridgelux, Inc. | Drilled CVD shower head |
| US8668775B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | Machine CVD shower head |
| JP4977636B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2012-07-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| JP5627027B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-11-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾンガス供給システム |
| EP2749528B1 (en) * | 2009-11-26 | 2019-05-15 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Ozone gas supply system |
| CN102770369B (zh) * | 2009-11-26 | 2014-11-26 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 臭氧发生单元及臭氧气体供给系统 |
| JP5627028B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-11-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾン発生ユニット及びオゾンガス供給システム |
| JP2011068560A (ja) * | 2010-10-29 | 2011-04-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置及びオゾン濃縮装置の運転方法 |
| US8980189B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-03-17 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Ozone gas supply system |
| KR101522483B1 (ko) * | 2011-04-13 | 2015-05-21 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 질소 첨가리스·오존 발생 유닛 및 오존 가스 공급 시스템 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20140130922A1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-05-15 | Intermolecular, Inc. | Control Methods and Hardware Configurations for Ozone Delivery Systems |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| KR101486031B1 (ko) * | 2013-08-13 | 2015-01-23 | 에이펫(주) | 반도체 세정 장치의 버퍼 탱크 |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| FR3026319A1 (fr) * | 2014-09-26 | 2016-04-01 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif d'alimentation en gaz d'un equipement de laboratoire et methode de distribution dans le dispositif |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| JP6354539B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2018-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| KR102748085B1 (ko) * | 2015-08-17 | 2024-12-31 | 아이커 시스템즈, 인크. | 유체 제어 시스템 |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| JP6723661B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2020-07-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾンガス発生装置 |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| TWI879056B (zh) | 2018-05-11 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| CN120591748A (zh) | 2018-06-27 | 2025-09-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及膜和结构 |
| TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102762833B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-02-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102929471B1 (ko) | 2019-05-07 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR102869364B1 (ko) | 2019-05-07 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR102929472B1 (ko) | 2019-05-10 | 2026-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR102918757B1 (ko) | 2019-06-10 | 2026-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR102911421B1 (ko) | 2019-07-03 | 2026-01-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646B (zh) | 2019-07-10 | 2026-02-10 | Asmip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR102895115B1 (ko) | 2019-07-16 | 2025-12-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR102903090B1 (ko) | 2019-07-19 | 2025-12-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309900B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-04 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309899B (zh) | 2019-07-30 | 2025-11-14 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| KR20210018761A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP7810514B2 (ja) | 2019-08-21 | 2026-02-03 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR102928101B1 (ko) | 2019-08-23 | 2026-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120998766A (zh) | 2019-11-29 | 2025-11-21 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TWI901623B (zh) | 2020-01-06 | 2025-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102882467B1 (ko) | 2020-01-16 | 2025-11-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TWI871421B (zh) | 2020-02-03 | 2025-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR102916725B1 (ko) | 2020-02-13 | 2026-01-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TWI895326B (zh) | 2020-02-28 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| CN113363196A (zh) | 2020-03-04 | 2021-09-07 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于反应器系统的对准夹具 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202143328A (zh) | 2020-04-21 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於調整膜應力之方法 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| TWI887400B (zh) | 2020-04-24 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於穩定釩化合物之方法及設備 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TWI907417B (zh) | 2020-05-04 | 2025-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| JP7736446B2 (ja) | 2020-05-07 | 2025-09-09 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同調回路を備える反応器システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| US12057314B2 (en) | 2020-05-15 | 2024-08-06 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors |
| KR102905441B1 (ko) | 2020-05-19 | 2025-12-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI908816B (zh) | 2020-06-24 | 2025-12-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI896694B (zh) | 2020-07-01 | 2025-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積方法、半導體結構、及沉積系統 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TWI864307B (zh) | 2020-07-17 | 2024-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構、方法與系統 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202219303A (zh) | 2020-07-27 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 薄膜沉積製程 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
| KR102915124B1 (ko) | 2020-08-14 | 2026-01-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220026500A (ko) | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면을 세정하는 방법 |
| TW202534193A (zh) | 2020-08-26 | 2025-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| KR20220027772A (ko) | 2020-08-27 | 2022-03-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다중 패터닝 공정을 사용하여 패터닝된 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI904232B (zh) | 2020-09-10 | 2025-11-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114388427A (zh) | 2020-10-06 | 2022-04-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| KR102855834B1 (ko) | 2020-10-14 | 2025-09-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법 |
| KR102873665B1 (ko) | 2020-10-15 | 2025-10-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| KR20220077875A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| US12159788B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-12-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures for threshold voltage control |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1099184S1 (en) | 2021-11-29 | 2025-10-21 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| JP2023081091A (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | オゾン供給システム、基板処理装置およびオゾン供給方法 |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| JP7543622B1 (ja) * | 2023-02-27 | 2024-09-03 | 明電ナノプロセス・イノベーション株式会社 | オゾンガス供給システム |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2210362C3 (de) * | 1972-03-03 | 1980-10-09 | Linde Ag, 6200 Wiesbaden | Selbsttätiges Druckregelventil |
| US3932266A (en) * | 1973-12-12 | 1976-01-13 | The Lummus Company | Synthetic crude from coal |
| US5308433A (en) * | 1991-04-11 | 1994-05-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for vapor growth |
| JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
| JP3174856B2 (ja) * | 1993-05-07 | 2001-06-11 | 日本エア・リキード株式会社 | 混合ガス供給装置 |
| TW288253B (ja) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
| US5632868A (en) * | 1994-08-24 | 1997-05-27 | Ebara Corporation | Method and apparatus for generating ozone and methods of its use |
| US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
| US5968588A (en) * | 1997-03-17 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | In-situ liquid flow rate estimation and verification by sonic flow method |
| JPH10306377A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Tokyo Electron Ltd | 微量ガス供給方法及びその装置 |
| US5904170A (en) * | 1997-05-14 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Pressure flow and concentration control of oxygen/ozone gas mixtures |
| GB9712165D0 (en) * | 1997-06-11 | 1997-08-13 | Air Prod & Chem | Processes and apparatus for producing a gaseous product |
| US5929324A (en) * | 1997-08-08 | 1999-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for detecting leakage in a gas reactor |
| US5980686A (en) * | 1998-04-15 | 1999-11-09 | Applied Komatsu Technology, Inc. | System and method for gas distribution in a dry etch process |
| KR100505310B1 (ko) * | 1998-05-13 | 2005-08-04 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막 장치 및 방법 |
| JP3507331B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2004-03-15 | 松下電器産業株式会社 | 基板温度制御方法及び装置 |
| US6261374B1 (en) * | 1998-09-29 | 2001-07-17 | Applied Materials, Inc. | Clog resistant gas delivery system |
| US6454860B2 (en) * | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| EP1109210A1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-06-20 | Tokyo Electron Limited | Ozone treatment device of semiconductor process system |
| US6645302B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-11-11 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Vapor phase deposition system |
| KR100332313B1 (ko) * | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | Ａｌｄ 박막증착장치 및 증착방법 |
| US20030213561A1 (en) * | 2001-03-12 | 2003-11-20 | Selwyn Gary S. | Atmospheric pressure plasma processing reactor |
| US7638161B2 (en) * | 2001-07-20 | 2009-12-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling dopant concentration during BPSG film deposition to reduce nitride consumption |
| US7074298B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-07-11 | Applied Materials | High density plasma CVD chamber |
-
2002
- 2002-01-17 JP JP2002008685A patent/JP4071968B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-02 US US10/210,872 patent/US20030133854A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003212517A (ja) | 2003-07-30 |
| US20030133854A1 (en) | 2003-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4071968B2 (ja) | ガス供給システム及びガス供給方法 | |
| KR100910602B1 (ko) | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 | |
| KR101255873B1 (ko) | 멀티 챔버 툴을 위한 오존 시스템 | |
| US8261692B2 (en) | Substrate processing apparatus and reaction container | |
| JP4235076B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
| US9624579B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method, and non-transitory computer-readable storage medium | |
| KR20230156273A (ko) | 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치 | |
| JP7818612B2 (ja) | 高速ガス交換装置、システム、及び方法 | |
| CN100458629C (zh) | 流体处理装置及流体处理方法 | |
| US20240212987A1 (en) | Gas supply system, gas control system, plasma processing apparatus, and gas control method | |
| US20130270103A1 (en) | Method Of Enabling And Controlling Ozone Concentration And Flow | |
| US20250232966A1 (en) | Wafer processing apparatus | |
| KR100560772B1 (ko) | 가스 공급 장치를 구비하는 반응 챔버 시스템 | |
| JP2008248395A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の調圧方法 | |
| JP7250152B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム及び排ガス処理システム | |
| CN222100143U (zh) | 气体供给系统以及薄膜沉积设备 | |
| WO2007083480A1 (ja) | プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 | |
| TWI913416B (zh) | 快速氣體交換設備、系統及方法 | |
| KR100266668B1 (ko) | 반도체 플라즈마 에칭장치 | |
| TWM650775U (zh) | 低濃度臭氧氣體供應裝置 | |
| CN118371497A (zh) | 一种应用在管路清洁系统上的冷却装置 | |
| JP2007116196A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の処理方法 | |
| WO2015162868A1 (ja) | 反応装置 | |
| KR20200067503A (ko) | 분산 구조의 플라즈마 스크러버 장치 | |
| KR20000021333A (ko) | 수분 배출구를 포함하는 가스 세정기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040312 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040604 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040803 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041214 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20041214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071015 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071206 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080118 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4071968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |