JP2007116196A - 基板処理装置及び半導体装置の処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板処理装置は、基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常停止状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインとを備えたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、上記課題を解決するために請求項2記載の半導体装置の製造方法は、請求項1記載の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の処理方法であって、供給工程と、処理工程と、排出工程と、導通工程とを備えたことを特徴とする。
ここで、供給工程は、前記ガス供給ラインから前記処理空間に前記ガスを供給する工程である。処理工程は、前記処理空間にて前記基板に対して所定の処理を施す工程である。排出工程は、前記排ガス圧力制御手段が排ガス圧力を制御しつつ前記ガス排出ラインにより前記処理空間から前記ガスを排出する工程である。導通工程は、前記装置の非常停止状態が発生したときには前記バイパスラインが導通する工程である。
111…炉口
112…ガス導入部
113…ガス排出部
12…ボート
13…ヒータ
14…ガス供給ライン
141(1),141(2),141(3)…ガスタンク
142(1),142(2),142(3)…ガス供給配管
144(1),144(2),144(3)…ハンドバルブ
145(1),145(2),145(3)…マスフローコントローラ
146(1),146(2),146(3)…エアバルブ
147…燃焼管
151…ガス排出配管
152…ハンドバルブ
153…スクラバ
16…APCバルブ
171…バイパス配管
172…エアバルブ
Claims (2)
- 基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、
この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、
このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、
前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常停止状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、
この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、
このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、
前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常停止状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインと
を備える基板処理装置を用いて処理する半導体装置の処理方法であって、
前記ガス供給ラインから前記処理空間に前記ガスを供給する工程と、
前記処理空間にて前記基板に対して所定の処理を施す工程と、
前記排ガス圧力制御手段が排ガス圧力を制御しつつ前記ガス排出ラインにより前記 処理空間から前記ガスを排出する工程と、
前記装置の非常停止状態が発生したときには前記バイパスラインが導通する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の処理方法。
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JPH0261068A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-01 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
JPH05152217A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Toyo Eng Corp | 高性能半導体製造用の排気システムおよびその制御方法 |
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2007
- 2007-01-19 JP JP2007010597A patent/JP4342559B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN114963234B (zh) * | 2022-06-29 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备的点火装置及半导体工艺设备 |
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