JP2023081091A - オゾン供給システム、基板処理装置およびオゾン供給方法 - Google Patents

オゾン供給システム、基板処理装置およびオゾン供給方法 Download PDF

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Abstract

【課題】オゾン発生器におけるオゾンの生成を安定化させることができる技術を提供する。【解決手段】オゾン供給システムは、ガスを供給する供給経路と、前記供給経路に設けられ、前記供給経路の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器と、を有する。前記供給経路は、前記オゾン発生器よりも下流側で複数の分岐経路に分岐している。前記複数の分岐経路のうち少なくとも１つは、前記オゾン含有ガスを使用する処理部に接続される処理用分岐経路である。前記複数の分岐経路のうちの残りは、前記オゾン含有ガスを排出する廃棄部に接続される廃棄用分岐経路である。前記廃棄用分岐経路は、前記オゾン含有ガスの流量を調整する廃棄用流量調整部を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、オゾン供給システム、基板処理装置およびオゾン供給方法に関する。
基板処理装置は、処理容器内で基板の酸化やエッチング等を行う際に、処理ガスとしてオゾン（Ｏ３）を使用することがある。この場合、処理容器にはオゾン供給システムが接続される。オゾン供給システムは、酸素（Ｏ２）に対して放電を行うことでオゾンを生成するオゾン発生器を備える。
また近年は、製造コストやフットプリント削減を図るために、１つのオゾン発生器から複数の処理容器にオゾンを供給するオゾン供給システムが開発されている。例えば、特許文献１には、１つのオゾン発生器から複数の処理容器に供給する際に、原料ガスの流量の変動に応じてオゾン発生器の放電出力を変更することで、オゾンの供給の安定化を図る技術が開示されている。
特開２００５‐１２６２６７号公報
本開示は、オゾン発生器におけるオゾンの生成を安定化させることができる技術を提供する。
本開示の一態様によれば、ガスを供給する供給経路と、前記供給経路に設けられ、前記供給経路の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器と、を有し、前記供給経路は、前記オゾン発生器よりも下流側で複数の分岐経路に分岐しており、前記複数の分岐経路のうち少なくとも１つは、前記オゾン含有ガスを使用する処理部に接続される処理用分岐経路であり、前記複数の分岐経路のうちの残りは、前記オゾン含有ガスを排出する廃棄部に接続される廃棄用分岐経路であり、前記廃棄用分岐経路は、前記オゾン含有ガスの流量を調整する廃棄用流量調整部を備える、オゾン供給システムが提供される。
一態様によれば、オゾン発生器におけるオゾンの生成を安定化させることができる。
一実施形態に係るオゾン供給システムを示す概略説明図である。 オゾン供給システムが設けられた基板処理装置を示す概略断面図である。 オゾン供給システムの制御部の機能ブロックを示すブロック図である。 図４（Ａ）は、本実施形態に係るオゾン供給システムの動作を示す説明図である。図４（Ｂ）は、参考例に係るオゾン供給システムの動作を示す説明図である。 オゾン供給システムのオゾン供給方法を示すフローチャートである。 変形例に係るオゾン供給システムを示す概略説明図である。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〔オゾン供給システムの構成〕
図１に示すように、一実施形態に係るオゾン供給システム１００は、基板処理装置１に設置され、供給対象である処理容器１０にオゾン（Ｏ３）を含むオゾン含有ガスを供給する。また、本実施形態に係るオゾン供給システム１００は、基板処理装置１の複数（図１では２つ）の処理容器１０にオゾン含有ガスを供給可能に構成される。以下の説明では、基板処理装置１の２つの処理容器１０について、第１処理容器１０Ａ、第２処理容器１０Ｂともいう。
オゾン供給システム１００は、各処理容器１０に対してオゾン含有ガスを供給する供給経路１１０を有する。供給経路１１０は、例えば、耐腐食性を有するコーティング等が施された複数の配管を接続することにより構成される。供給経路１１０は、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂの各々にオゾン含有ガスを供給するために分岐している。具体的には、供給経路１１０は、１つの共通経路１１１と、この共通経路１１１の下流端（分岐点Ｓ）において分岐した分岐経路１１２（第１処理用分岐経路１１３、第２処理用分岐経路１１４、廃棄用分岐経路１１５）と、を備える。
第１処理用分岐経路１１３は、第１処理容器１０Ａに接続され、第１処理容器１０Ａにオゾン含有ガスを供給する。第２処理用分岐経路１１４は、第２処理容器１０Ｂに接続され、第２処理容器１０Ｂにオゾン含有ガスを供給する。廃棄用分岐経路１１５は、排出ガスを処理するための廃棄部２００に接続され、オゾン含有ガスを廃棄する。このように、オゾン供給システム１００は、オゾン含有ガスの供給対象である処理容器１０の数よりも１つ多い分岐経路１１２を有しており、これによりオゾン含有ガスを供給する際の安定化を実現する。
具体的には、オゾン供給システム１００は、共通経路１１１の上流側から下流側に向かって順に、酸素供給源１２０と、上流側流量調整器１２１と、オゾン発生器１２２と、圧力センサ１２３と、流量調整バルブ１２４と、遮断用バルブ１２５と、を備える。供給経路１１０は、共通経路１１１の遮断用バルブ１２５よりも下流側の分岐点Ｓにおいて３つの分岐経路１１２に分岐している。また、オゾン供給システム１００は、当該システムの構成を制御する制御部１６０を有する。
オゾン供給システム１００の酸素供給源１２０は、下流側の共通経路１１１に酸素（Ｏ２）ガスを供給する。酸素供給源１２０は、特に限定されず、酸素ガスを貯留可能な高圧タンク、またはエアを取り込んで圧送するコンプレッサ、ポンプ等を適用し得る。酸素供給源１２０よりも下流側のオゾン発生器１２２は、窒素ガスを含有した酸素ガスが供給されることで、酸素分子の解離効率を高めてオゾンの濃度を増加させることができる。
上流側流量調整器１２１は、例えば、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）を適用することができる（以下、上流側ＭＦＣ１２１という）。上流側ＭＦＣ１２１は、制御部１６０からの目標流量の指令に基づき、オゾン発生器１２２に供給する酸素ガスの流量を調整する。オゾン供給システム１００は、上流側ＭＦＣ１２１により酸素ガスの流量を調整することで、１次側からオゾン発生器１２２にかける圧力を制御できる。
オゾン発生器１２２は、上流側から供給された酸素ガスに対して放電を行うことで、オゾンを発生させる放電式の装置である。例えば、オゾン発生器１２２は、平行平板状もしくは同軸円筒状に配置された一対の電極の間に放電領域を形成している。そして、オゾン発生器１２２は、放電領域に酸素ガスを流しつつ、一対の電極の間に交流高電圧を印加することで、酸素ガス中に放電を起こさせてオゾンを発生させる。このオゾン発生器１２２は、酸素ガスを流通しながら電圧印加を続けることで、濃度が略一定のオゾンを継続的に生成できる。そして、オゾン発生器１２２は、発生したオゾン含有ガスを２次側（下流側）の共通経路１１１に送出する。
圧力センサ１２３は、共通経路１１１においてオゾン発生器１２２よりも下流側に設けられ、共通経路１１１を流通するオゾン含有ガスの圧力を検出する。この圧力センサ１２３は、制御部１６０に接続されており、検出した圧力値を制御部１６０に送信する。オゾン発生器１２２の下流側近傍位置に設けられる圧力センサ１２３は、オゾン発生器１２２内の圧力を近似的に検出できる。
流量調整バルブ１２４は、共通経路１１１内の流路を開放および遮断するとともに、制御部１６０の制御下に開度を調整することで、オゾン発生器１２２から２次側に流出されるオゾン含有ガスの量を調整する。また、遮断用バルブ１２５は、オゾン発生器１２２内の圧力が所定以下に低下した場合やトラブル発生等の緊急時に、共通経路１１１の流路を閉塞することで、オゾン含有ガスの供給を遮断する。
そして、分岐経路１１２の第１処理用分岐経路１１３は、第１流量調整部である第１処理用ＭＦＣ１３０と、第１開閉バルブ１３１と、を備える。同様に、分岐経路１１２の第２処理用分岐経路１１４は、第２流量調整部である第２処理用ＭＦＣ１４０と、第２開閉バルブ１４１と、を備える。また、分岐経路１１２の廃棄用分岐経路１１５は、廃棄用流量調整部である廃棄用ＭＦＣ１５０と、第３開閉バルブ１５１と、を備える。
第１処理用ＭＦＣ１３０、第２処理用ＭＦＣ１４０および廃棄用ＭＦＣ１５０は、制御部１６０からの目標流量の指令に基づき、それぞれの分岐経路１１２におけるオゾン含有ガスの流量を調整する。すなわち、第１処理用ＭＦＣ１３０は、オゾン含有ガスの流量を目標流量に維持することで、要求された供給量のオゾン含有ガスを第１処理容器１０Ａに供給する。第２処理用ＭＦＣ１４０は、オゾン含有ガスの流量を目標流量に維持することで、要求された供給量のオゾン含有ガスを第２処理容器１０Ｂに供給する。例えば、オゾン供給システム１００は、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂの処理時に、第１処理用ＭＦＣ１３０の目標流量と、第２処理用ＭＦＣ１４０の目標流量とを同じ値に設定することが好ましい。これにより、オゾン供給システム１００は、第１処理用分岐経路１１３および第２処理用分岐経路１１４の各々に、オゾン含有ガスを均等的に分散させることができる。
廃棄用ＭＦＣ１５０は、制御部１６０が指令する廃棄流量（目標流量）に基づき、廃棄部２００に排出するオゾン含有ガスの流量を調整する。本実施形態に係るオゾン供給システム１００の制御部１６０は、廃棄部２００に排出するオゾン含有ガスの流量を、圧力センサ１２３の圧力値に基づいて調整する。この制御については後に詳述する。
また、第１開閉バルブ１３１、第２開閉バルブ１４１および第３開閉バルブ１５１は、各分岐経路１１２の流路を開閉することで、オゾン含有ガスの供給および供給遮断を切り替える。例えば、オゾン供給システム１００は、各処理容器１０に対するオゾン含有ガスの供給開始時に、第１開閉バルブ１３１、第２開閉バルブ１４１および第３開閉バルブ１５１を同時に開放して、オゾン含有ガスを流通させる。なお、各バルブの開閉タイミングは相互に異なってもよく、一例として、オゾン含有ガスの供給開始時に、先に第３開閉バルブ１５１を開放した後に、第１開閉バルブ１３１および第２開閉バルブ１４１を開放してもよい。
制御部１６０は、上流側ＭＦＣ１２１、オゾン発生器１２２、第１処理用ＭＦＣ１３０、第２処理用ＭＦＣ１４０、廃棄用ＭＦＣ１５０、第１～第３開閉バルブ１３１、１４１、１５１等を制御してオゾン含有ガスの供給を行う。制御部１６０は、１以上のプロセッサ１６１、メモリ１６２、図示しない入出力インタフェースおよび電子回路を有する制御用コンピュータである。１以上のプロセッサ１６１は、ＣＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡもしくは複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち１つまたは複数を組み合わせたものである。メモリ１６２は、不揮発性メモリおよび揮発性メモリを含み、制御部１６０の記憶部を形成している。
〔基板処理装置１の構成〕
次に、上記のオゾン供給システム１００を備える基板処理装置１の一例について説明する。図２に示すように、オゾン含有ガスを使用する基板処理装置１としては、原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）により、基板Ｗの表面に酸化膜を形成する成膜装置があげられる。また、本実施形態に係る基板処理装置１は、２つの処理容器１０（第１処理容器１０Ａ、第２処理容器１０Ｂ）を有することで、２枚の基板Ｗを同時に、または並行して処理可能な、いわゆる２枚葉の成膜装置とすることができる。
成膜処理がなされる基板Ｗとしては、シリコンウエハまたは化合物半導体ウエハなどの半導体基板等があげられる。また、酸化膜としては、高誘電膜（Ｈｉｇｈ－ｋ膜）であるＨｆＯ２膜、ＺｒＯ２膜、Ｌａ２Ｏ３膜、Ｙ２Ｏ３膜等があげられる。本実施形態では、ＨｆＯ２膜をシリコンウエハに成膜する装置を例にして説明する。
具体的には、基板処理装置１は、各処理容器１０に設置または接続される構成として、サセプタ２０と、シャワーヘッド３０と、排気部４０と、ガス供給部５０と、を備える。さらに、基板処理装置１は、各構成を制御して成膜処理を行う制御装置９０を有する。
各処理容器１０は、アルミニウム等の金属により構成され、基板Ｗに対して成膜処理を行う処理空間１０ｓを内部に有する。各処理容器１０は、収容する基板Ｗの平面形状に応じて略円筒状に形成されている。また、各処理容器１０は、基板Ｗを搬入出するための搬入出口１１と、搬入出口１１を開閉するゲートバルブ１２と、を備える。
さらに、処理容器１０は、円環状の排出用ダクト１３を上部に備える。排出用ダクト１３は、内周面の周方向に沿って処理空間１０ｓに連通するスリット１３ａを有するとともに、外周面の所定の位置に排出口１３ｂを有する。
サセプタ２０は、ニッケル等により構成され、各処理容器１０内で支持部材２３により支持されている。サセプタ２０は、基板Ｗに対応した平面形状（正円状）に形成されており、基板Ｗを水平に支持する。また、サセプタ２０は、当該サセプタ２０の載置面（上面）に載置した基板Ｗを加熱するためのヒータ２１を内部に有する。サセプタ２０の載置面は、ヒータ２１により、例えば３００～４５０℃に温度制御される。また、サセプタ２０は、基板Ｗの載置面の外周領域およびサセプタ２０の側面を覆うように、アルミナ等のセラミックスからなるカバー部材２２を備える。
サセプタ２０を支持する支持部材２３は、サセプタ２０の底面中央から処理容器１０の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１０の下方に延び、その下端が上下移動機構２４に接続されている。サセプタ２０は、支持部材２３を介して上下移動機構２４により昇降する。具体的には、上下移動機構２４は、基板Ｗを成膜処理する処理位置と、処理位置の下方で基板Ｗの搬送を可能とする搬送位置との間でサセプタ２０を変位させる。また、処理容器１０よりも鉛直方向下側には、サセプタ２０の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２５と、ベローズ２５の下端を閉じる鍔部２６と、が設けられている。
各処理容器１０は、基板昇降部２７を底壁に備える。基板昇降部２７は、昇降板２７ａと、昇降板２７ａから上方に突出する複数（例えば、３本）の支持ピン２７ｂと、昇降板２７ａを昇降させるピン上下移動機構２７ｃと、を含む。基板昇降部２７は、処理容器１０への基板Ｗの搬入時に、基板搬送機構（不図示）により搬送された基板Ｗに対して、各支持ピン２７ｂを上昇することで基板Ｗを受け取り、その後に各支持ピン２７ｂを下降することで処理位置のサセプタ２０に基板Ｗを載置する。逆に、基板昇降部２７は、処理容器１０からの基板Ｗの搬出時に、各支持ピン２７ｂを上昇することで処理位置のサセプタ２０から基板Ｗを浮上させて、進入した基板搬送機構に基板Ｗを受け渡す。
シャワーヘッド３０は、例えば、アルミニウムにより形成され、各処理容器１０の鉛直方向上側においてサセプタ２０に対向するように設けられている。シャワーヘッド３０は、本体部３１と、シャワープレート３２と、を有する。
本体部３１は、略円筒状に形成され、鉛直方向下側の中央にガス拡散空間３３となる凹部３４を有する。本体部３１の外縁部の上側には、径方向外側に突出して排出用ダクト１３に係合するフランジ３１ａが設けられている。フランジ３１ａと排出用ダクト１３の間は、シール材１５により気密にシールされている。また、本体部３１は、上部中央に鉛直方向上側に向かって突出するガス導入部３５を備える。ガス導入部３５は、ガス拡散空間３３につながる下部ガス流路３５ａと、下部ガス流路３５ａにつながる２つの上部ガス流路３５ｂ、３５ｃと、を有する。
シャワープレート３２は、本体部３１の鉛直方向下側において凹部３４を覆うように取り付けられる。凹部３４とシャワープレート３２とによりガス拡散空間３３が規定される。シャワープレート３２は、ガス拡散空間３３からガスを吐出する複数のガス吐出孔３２ａを有する。
排気部４０は、各処理容器１０の排出用ダクト１３の排出口１３ｂに接続される排出経路４１を備える。排出経路４１は、第１処理容器１０Ａ内および第２処理容器１０Ｂ内の気体を排出するために、上流側において２つに分岐している。排出経路４１の分岐部分の各々には、各処理容器１０内の圧力を調整するための圧力制御バルブ（ＡＰＣ）４２が設けられている。また、排出経路４１の合流部分には、真空ポンプ４３および排出ガスを処理する廃棄部２００が設けられている。基板処理装置１は、成膜処理において、真空ポンプ４３を動作して、各処理容器１０内の気体を吸引する。これにより、各処理容器１０内の気体は、排出用ダクト１３から排出経路４１を通って廃棄部２００に排出される。
ガス供給部５０は、原料ガスを供給する原料ガス供給システム５１と、上記したオゾン供給システム１００と、を含む。
原料ガス供給システム５１は、上部ガス流路３５ｂに接続される原料ガス供給経路５２を備える。また、原料ガス供給システム５１は、第１処理容器１０Ａと第２処理容器１０Ｂとに原料ガスを供給するために、原料ガス供給経路５２を分岐させている。つまり、原料ガス供給経路５２は、共通経路５３と、共通経路５３から第１処理容器１０Ａまで延在する第１処理用分岐経路５４と、共通経路５３から第２処理容器１０Ｂまで延在する第２処理用分岐経路５５と、を有する。
原料ガス供給システム５１は、共通経路１１１の上流側に原料ガス源５６を備える。原料ガス源５６が供給する原料ガスは、成膜処理において金属を含む膜を成膜できるものであれば特に限定されず、有機化合物であっても無機化合物であってもよい。ＨｆＯ２膜を成膜する場合を例にとると、例えば、テトラキスジメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４：ＴＤＭＡＨ）やトリ（ジメチルアミノ）シクロペンタジエニルハフニウムのような有機ハフニウム化合物や、塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）等を用いることができる。
また、第１処理用分岐経路５４および第２処理用分岐経路５５の各々には、上流側から下流に向かって順に、マスフローコントローラ等の流量制御器５７Ａ、５７Ｂと、開閉バルブ５８Ａ、５８Ｂと、が設けられている。基板処理装置１は、制御装置９０により第１処理用分岐経路５４の流量制御器５７Ａおよび開閉バルブ５８Ａを制御することで、原料ガスの流通および流通停止を切り替えるとともに、第１処理容器１０Ａに供給する原料ガスの流量を調整する。同様に、基板処理装置１は、制御装置９０により第２処理用分岐経路５５の流量制御器５７Ｂおよび開閉バルブ５８Ｂを制御することで、原料ガスの流通および流通停止を切り替えるとともに、第２処理容器１０Ｂに供給する原料ガスの流量を調整する。なお、ガス供給部５０は、例えば窒素（Ｎ２）ガス等のパージガスを供給するパージガス経路（不図示）を原料ガス供給経路５２に接続してもよい。パージガスは、成膜処理時のカウンターフローとして利用できる。
そして上記したように、オゾン供給システム１００は、第１処理用分岐経路１１３、第２処理用分岐経路１１４および廃棄用分岐経路１１５を備えている。オゾン供給システム１００は、第１処理用分岐経路１１３を介して第１処理容器１０Ａにオゾン含有ガスを供給するとともに、第２処理用分岐経路１１４を介して第２処理容器１０Ｂにオゾン含有ガスを供給する。また、オゾン供給システム１００の廃棄用分岐経路１１５は、基板処理装置１の排出経路４１（真空ポンプ４３よりも上流側）に接続されている。これにより、基板処理装置１は、廃棄用分岐経路１１５にオゾン含有ガスを流通させることで、各処理容器１０を介さずに共通の廃棄部２００にオゾン含有ガスを直接排出できる。
制御装置９０は、上記のサセプタ２０、排気部４０、原料ガス供給システム５１等を制御して処理容器１０内で成膜処理を行う。制御装置９０は、図示しない１以上のプロセッサ、メモリ、入出力インタフェースおよび電子回路を有する制御用コンピュータである。１以上のプロセッサは、ＣＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡもしくは複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち１つまたは複数を組み合わせたものである。メモリは、不揮発性メモリおよび揮発性メモリを含み、制御装置９０の記憶部を形成している。メモリには、成膜処理を制御するためのプログラムや成膜処理で実行されるレシピが記憶されている。プロセッサは、メモリに記憶されているプログラムやレシピを読み出して制御を行う。
また、制御装置９０は、成膜処理時の適宜のタイミングで、オゾン供給システム１００の制御部１６０に、オゾン含有ガスを第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂに供給するために、供給指令、供給終了指令等を出力する。供給指令には、例えば、供給開始の指令情報の他に、オゾン含有ガスの目標流量が含まれる。これにより、制御部１６０は、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂに、目標流量に応じたオゾン含有ガスを供給するように各構成を制御する。なお、本実施形態では、オゾン供給システム１００の制御部１６０と、基板処理装置１の制御装置９０とが、別に設けられているが、これに限定されず、制御装置９０が制御部１６０の機能（オゾン含有ガスの供給を制御する機能）を備えてもよい。
〔オゾン供給システム１００の制御部１６０〕
オゾン供給システム１００の制御部１６０は、メモリ１６２に記憶されたプログラムをプロセッサ１６１が読み出して実行することで、図３に示すようにオゾン含有ガスを供給するための機能ブロックを内部に構築する。具体的には、制御部１６０の内部には、圧力取得部１７０、オゾン生成制御部１７１、処理側供給制御部１７２、廃棄側制御部１７３が形成される。
圧力取得部１７０は、供給経路１１０に設置された圧力センサ１２３の圧力値を定常的に取得して、メモリ１６２に一時的に記憶するとともに、オゾン生成制御部１７１および廃棄側制御部１７３等に圧力値を出力する。
オゾン生成制御部１７１は、上流側ＭＦＣ１２１、オゾン発生器１２２、流量調整バルブ１２４等を制御して、酸素ガスをオゾン発生器１２２に供給し、オゾン発生器１２２内においてオゾン含有ガスを生成する。また、オゾン生成制御部１７１は、オゾン含有ガスの生成において、圧力センサ１２３の圧力値に基づき上流側ＭＦＣ１２１および流量調整バルブ１２４を制御して、オゾン発生器１２２で生成するオゾン含有ガスの濃度の安定化を図る。
処理側供給制御部１７２は、制御装置９０から取得した目標流量に基づき、第１処理用ＭＦＣ１３０、第２処理用ＭＦＣ１４０、第１開閉バルブ１３１および第２開閉バルブ１４１を制御する。これにより、処理側供給制御部１７２は、各処理容器１０に対するオゾン含有ガスの供給および供給停止、その供給量（流量）を調整する。本実施形態において、処理側供給制御部１７２は、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂに対してオゾン含有ガスを同時に供給するとともに、同じ供給量のオゾンカスを供給する。ただし、オゾン供給システム１００は、第１処理容器１０Ａに対するオゾン含有ガスの供給と、第２処理容器１０Ｂに対するオゾン含有ガスの供給と、を異なるタイミングで実施してもよい。例えば、オゾン供給システム１００は、第２処理容器１０Ｂのオゾン含有ガスの供給停止状態で、第１処理容器１０Ａにオゾン含有ガスを供給してもよい。
廃棄側制御部１７３は、廃棄用分岐経路１１５を流通させるオゾン含有ガスの流量を制御する。この廃棄側制御部１７３の内部には、廃棄流量算出部１７４と、廃棄用分岐経路制御部１７５とが形成される。廃棄流量算出部１７４は、圧力取得部１７０が取得した圧力センサ１２３の圧力値に基づき、廃棄用ＭＦＣ１５０を制御するためのオゾン含有ガスの流量を算出する。例えば、廃棄流量算出部１７４は、圧力値とオゾン含有ガスの流量とを対応付けたマップ情報ＭＩまたは関数を予めメモリ１６２に記憶しており、圧力値を受信するとメモリ１６２のマップ情報ＭＩを参照して、圧力値に応じた流量を抽出する。
廃棄用分岐経路制御部１７５は、廃棄流量算出部１７４が算出したオゾン含有ガスの流量に基づき、廃棄用ＭＦＣ１５０および第３開閉バルブ１５１を制御して、廃棄部２００に対するオゾン含有ガスの排出および排出停止と、廃棄流量とを制御する。すなわち、オゾン供給システム１００は、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂにオゾン含有ガスを供給する際に、廃棄部２００に排出させるオゾン含有ガスの流量を調整する。以下、廃棄用分岐経路１１５において、オゾン含有ガスの流量を制御することの意義について説明する。
図４（Ａ）および（Ｂ）に示すように、共通経路１１１の上流側ＭＦＣ１２１、第１処理用分岐経路１１３の第１処理用ＭＦＣ１３０および第２処理用分岐経路１１４の第２処理用ＭＦＣ１４０は、それぞれ流通するガスの流量を調整する。ただし、各ＭＦＣは、一般的に目標値に対して±１％程度の範囲で流量の誤差が発生する。例えば、図４（Ｂ）に示す廃棄用分岐経路１１５がない参考例に係るオゾン供給システム１００'において、上流側ＭＦＣ１２１で－１％の誤差が生じ、第１処理用ＭＦＣ１３０および第２処理用ＭＦＣ１４０の各々で＋１％の誤差の誤差が生じたとする。この場合、オゾン発生器１２２では、オゾン発生器１２２に流入する酸素ガスの流量が少ない一方で、オゾン発生器１２２から送出されるオゾン含有ガスの流量が大きくなる。そのため、オゾン発生器１２２内の圧力が低下することになる。
誤差によってオゾン発生器１２２の圧力低下が大きくなると、オゾン供給システム１００'は、上流側ＭＦＣ１２１や流量調整バルブ１２４により酸素ガスの供給量やオゾン含有ガスの送出量を変える制御を行う。これにより、オゾンの濃度が不安定になる。特に、複数の処理容器１０にオゾン含有ガスを供給する場合には、１つの処理容器１０にオゾン含有ガスを供給する場合と比べて、複数倍の誤差が生じる可能性があり、オゾン発生器１２２内の圧力変動が大きくなり易い。場合によっては、オゾン含有ガスの生成に異常が生じていると判断して、システムを停止する可能性もある。
本実施形態に係るオゾン供給システム１００は、図４（Ａ）に示すように、供給経路１１０に廃棄用分岐経路１１５を備える。すなわち、オゾン供給システム１００は、オゾン発生器１２２のオゾン含有ガスの上澄み分を廃棄用分岐経路１１５に流通させることで、廃棄用分岐経路１１５を介してオゾン含有ガスの一部を廃棄している。これにより、他の経路の流量変化による圧力変動を、廃棄用分岐経路１１５の流量変化によって補うことができる。
具体的には、制御部１６０は、上流側ＭＦＣ１２１、第１処理用ＭＦＣ１３０および第２処理用ＭＦＣ１４０の誤差分を吸収するように、廃棄用ＭＦＣ１５０のオゾン含有ガスの流量を調整する。これにより、オゾン供給システム１００は、上流側ＭＦＣ１２１や流量調整バルブ１２４による調整を行うことなく、圧力センサ１２３の圧力値を目標圧力で一定となるように制御できる。
廃棄用ＭＦＣ１５０の廃棄流量は、第１処理用ＭＦＣ１３０の流量および第２処理用ＭＦＣ１４０の流量よりも小さく設定されてもよく、または第１処理用ＭＦＣ１３０の流量および第２処理用ＭＦＣ１４０の流量と同じに設定されてもよい。廃棄流量が小さければ、処理容器１０を流れないオゾン含有ガスの量を少なくできる。ただし、廃棄流量は、上流側ＭＦＣ１２１の誤差、第１処理用ＭＦＣ１３０の誤差および第２処理用ＭＦＣ１４０の誤差を全て含む量よりも大きな値に設定される。一例として、上流側ＭＦＣ１２１の誤差が±３０ｃｃｍ、第１処理用ＭＦＣ１３０の誤差が±１０ｃｃｍ、第２処理用ＭＦＣ１４０の誤差が±１０ｃｃｍの場合、廃棄用ＭＦＣ１５０の廃棄流量は、５０ｃｃｍよりも大きな値に設定されるとよい。
例えば、上流側ＭＦＣ１２１で酸素ガスの流量が減り、第１処理用ＭＦＣ１３０および第２処理用ＭＦＣ１４０の各々でオゾン含有ガスの流量が増えた場合、オゾン発生器１２２内の圧力が目標圧力よりも低下することになる。そのため、制御部１６０は、圧力センサ１２３の圧力値に基づき、廃棄用分岐経路１１５に流通するオゾン含有ガスが少なくなるように廃棄用ＭＦＣ１５０を制御する。これにより、廃棄用分岐経路１１５に流通するオゾン含有ガスの流量が減って、オゾン発生器１２２内の圧力が上昇する。つまり、オゾン供給システム１００は、第１処理用分岐経路１１３の流量および第２処理用分岐経路１１４の流量を調整せずに、オゾン発生器１２２内の圧力を目標圧力に戻すことができる。
逆に、上流側ＭＦＣ１２１で酸素ガスの流量が増え、第１処理用ＭＦＣ１３０および第２処理用ＭＦＣ１４０の各々でオゾン含有ガスの流量が減った場合、オゾン発生器１２２内の圧力が目標圧力よりも上昇することになる。そのため、制御部１６０は、圧力センサ１２３の圧力値に基づき、廃棄用分岐経路１１５に流通するオゾン含有ガスが多くなるように廃棄用ＭＦＣ１５０を制御する。これにより、廃棄用分岐経路１１５に流通するオゾン含有ガスの流量が増えて、オゾン発生器１２２側の圧力が低下する。つまり、オゾン供給システム１００は、第１処理用分岐経路１１３の流量および第２処理用分岐経路１１４の流量を調整せずに、オゾン発生器１２２内の圧力を目標圧力に戻すことができる。
〔オゾン供給方法〕
本実施形態に係るオゾン供給システム１００および基板処理装置１は、基本的には以上のように構成されるものであり、以下、オゾン供給システム１００の動作（オゾン供給方法）について説明する。
オゾン供給システム１００の制御部１６０は、基板処理装置１の基板処理の実施時に、制御装置９０から供給指令を受信する（ステップＳ１）。これにより、制御部１６０は、オゾン含有ガスの生成を開始する。まず、オゾン生成制御部１７１は、上流側ＭＦＣ１２１、オゾン発生器１２２、流量調整バルブ１２４等を制御して、オゾン発生器１２２に酸素ガスを供給し、オゾン発生器１２２内において放電を行うことでオゾンを生成する（ステップＳ２）。
そして、処理側供給制御部１７２は、各処理容器１０に対してオゾン含有ガスの供給を開始する（ステップＳ３）。具体的には、処理側供給制御部１７２は、供給指令に含まれる目標流量となるように、第１処理用ＭＦＣ１３０および第２処理用ＭＦＣ１４０を動作させる。これにより、オゾン発生器１２２が生成したオゾン含有ガスが、第１処理用分岐経路１１３を介して第１処理容器１０Ａに供給されるとともに、第２処理用分岐経路１１４を介して第２処理容器１０Ｂに供給される。
さらに、各処理容器１０へのオゾン含有ガスの供給にともなって、廃棄側制御部１７３は、廃棄用分岐経路１１５から廃棄部２００に対するオゾン含有ガスの流通を開始する（ステップＳ４）。すなわち、廃棄側制御部１７３は、第３開閉バルブ１５１を開放するとともに、廃棄用ＭＦＣ１５０を動作させることで、廃棄用分岐経路１１５にオゾン含有ガスを流通させる。
２次側へのオゾン含有ガスの送出時に、制御部１６０の圧力取得部１７０は、圧力センサ１２３によりオゾン発生器１２２から供給されるオゾン含有ガスの圧力値を検出し、この圧力値を継続的に取得する（ステップＳ５）。
またオゾン含有ガスの供給開始後、処理側供給制御部１７２は、第１処理用ＭＦＣ１３０の流量および第２処理用ＭＦＣ１４０の流量を同じ量に調整して、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂにオゾン含有ガスを継続的に供給する（ステップＳ６）。
一方、廃棄側制御部１７３は、各処理容器１０にオゾン含有ガスを供給している間、圧力取得部１７０が取得している圧力センサ１２３の圧力値に基づき、廃棄用ＭＦＣ１５０を制御して廃棄用分岐経路１１５の流量を調整する（ステップＳ７）。詳細には、廃棄流量算出部１７４は、圧力センサ１２３の圧力値に基づき廃棄用分岐経路１１５のオゾン含有ガスの流量を算出する。また、廃棄用分岐経路制御部１７５は、廃棄流量算出部１７４が算出した廃棄流量に応じて、廃棄用ＭＦＣ１５０に流量調整の指令を送信する。これにより、廃棄用ＭＦＣ１５０は、廃棄用分岐経路１１５から廃棄部２００に排出するオゾン含有ガスの流量を調整する。
そして、制御部１６０は、制御装置９０の供給停止指令や予め定められた処理期間等に基づき、オゾン含有ガスの供給を終了するか否かを判定する（ステップＳ８）。オゾン含有ガスの供給を続ける場合（ステップＳ８：ＮＯ）、ステップＳ６に戻り、以下同様の処理を繰り返す。一方、オゾン含有ガスの供給終了を判定した場合（ステップＳ８：ＹＥＳ）、制御部１６０は、終了処理を行ってオゾン含有ガスの供給を停止する。例えば、終了処理において、制御部１６０は、酸素ガスの供給停止、オゾン発生器１２２の停止、各分岐経路１１２の遮断等を行う。
以上のように、オゾン供給システム１００は、廃棄部２００につながる廃棄用分岐経路１１５にオゾン含有ガスを排出することで、オゾン発生器１２２内の圧力を一定とすることができる。これにより、オゾン供給システム１００は、オゾン発生器１２２内において濃度が一定のオゾン含有ガスを安定的に生成できるようになり、また生成したオゾン含有ガスを各処理容器１０に良好に供給することができる。
また一例として、オゾン供給システム１００は、第２処理容器１０Ｂへのオゾン含有ガスの供給を停止した場合でも、第２処理容器１０Ｂへ流すオゾン含有ガスを廃棄用分岐経路１１５に回すことができる。このため、第１処理容器１０Ａに対しては、オゾン含有ガスの流量を変えずに済む。よって、例えばトラブル等の発生時でも、基板処理装置１は、第１処理容器１０Ａおよび第２処理容器１０Ｂで処理している基板Ｗを両方とも無駄にすることを回避できる。
なお、オゾン供給システム１００は、上記の構成に限定されず、種々の変形例を採り得る。例えば、オゾン供給システム１００がオゾン含有ガスを供給する供給対象は、２つに限定されず、３以上であってもよいことは勿論である。
逆に、複数の処理容器１０にオゾン含有ガスを供給することに限定されず、オゾン供給システム１００は、１つの処理容器１０に対してオゾン含有ガスを供給する構成でもよい。この場合でも、オゾン供給システム１００は、２つの分岐経路１１２を有し、一方の分岐経路１１２が１つの処理容器１０に接続され、他方の分岐経路１１２が廃棄部２００に接続される構成をとり得る。あるいは、オゾン供給システム１００は、３以上の分岐経路１１２を有し、１つの分岐経路１１２が廃棄部２００に接続され、他の複数の分岐経路１１２が１つの処理容器１０に接続される構成でもよい。
また例えば、図６に示すように、オゾン供給システム１００は、廃棄用流量調整部として廃棄用ＭＦＣ１５０（マスフローコントローラ）の代わりに、廃棄用分岐経路１１５内の流路の開度を調整可能な廃棄用流量調整バルブ１５２を備えてもよい。廃棄用流量調整バルブ１５２は、廃棄用分岐経路１１５を流通するオゾン含有ガスの流量を容易に調整することができる。要するに、オゾン供給システム１００は、廃棄用流量調整部として廃棄用分岐経路１１５を流通するオゾン含有ガスの流量を調整可能な種々の構成を採用してよい。
以上の実施形態で説明した本開示の技術的思想および効果について以下に記載する。
本開示の第１の態様に係るオゾン供給システム１００は、ガスを供給する供給経路１１０と、供給経路１１０に設けられ、供給経路１１０の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器１２２と、を有し、供給経路１１０は、オゾン発生器１２２よりも下流側で複数の分岐経路１１２に分岐しており、複数の分岐経路１１２のうち少なくとも１つは、オゾン含有ガスを使用する処理部（処理容器１０）に接続される処理用分岐経路（第１処理用分岐経路１１３、第２処理用分岐経路１１４）であり、複数の分岐経路１１２のうちの残りは、オゾン含有ガスを排出する廃棄部２００に接続される廃棄用分岐経路１１５であり、廃棄用分岐経路１１５は、オゾン含有ガスの流量を調整する廃棄用流量調整部（廃棄用ＭＦＣ１５０、廃棄用流量調整バルブ１５２）を備える。
上記によれば、オゾン供給システム１００は、オゾン発生器１２２から送出した一部のオゾン含有ガスを廃棄用分岐経路１１５に流すので、オゾン発生器１２２および供給経路１１０の圧力の変動分を廃棄用分岐経路１１５の流量変化で補うことができる。すなわち、オゾン供給システム１００は、廃棄用ＭＦＣ１５０や廃棄用流量調整バルブ１５２により廃棄用分岐経路１１５のオゾン含有ガスの流量を調整することで、複数の分岐経路１１２よりも上流側のオゾン発生器１２２内の圧力を安定化できる。これにより、オゾン発生器１２２は、オゾンを安定して生成することが可能となる。
また、オゾン発生器１２２と複数の分岐経路１１２の分岐点Ｓとの間の供給経路１１０に圧力センサ１２３を備えるとともに、圧力センサ１２３が検出した圧力値に基づき、廃棄用流量調整部（廃棄用ＭＦＣ１５０、廃棄用流量調整バルブ１５２）によるオゾン含有ガスの流量の調整を制御する制御部１６０を有する。これにより、オゾン供給システム１００は、圧力センサ１２３の圧力値に基づき、適切な流量のオゾン含有ガスを廃棄用分岐経路１１５から排出することができる。
また、制御部１６０は、圧力センサ１２３の圧力値が目標圧力で一定となるように、廃棄用流量調整部（廃棄用ＭＦＣ１５０、廃棄用流量調整バルブ１５２）を制御する。これにより、オゾン供給システム１００は、オゾン発生器１２２内の圧力が一定となり、生成するオゾンの濃度等を安定化することが可能となる。
また、制御部１６０は、目標圧力よりも圧力値が低い場合に廃棄用流量調整部（廃棄用ＭＦＣ１５０、廃棄用流量調整バルブ１５２）を制御してオゾン含有ガスの流量を少なくする一方で、目標圧力よりも圧力値が高い場合に廃棄用流量調整部を制御してオゾン含有ガスの流量を多くする。これにより、オゾン供給システム１００は、オゾン発生器１２２内の圧力を簡単かつ精度よく一定にすることができる。
また、供給経路１１０は、複数の処理部（第１処理容器１０Ａ、第２処理容器１０Ｂ）に各々接続される複数の処理用分岐経路（第１処理用分岐経路１１３、第２処理用分岐経路１１４）と、複数の処理用分岐経路の各々に設けられ、複数の処理部に供給するオゾン含有ガスの流量を調整する処理用流量調整部（第１処理用ＭＦＣ１３０、第２処理用ＭＦＣ１４０）と、を有する。このようにオゾン含有ガスを複数の処理部に供給することで、オゾン供給システム１００は、製造コストやフットプリント削減を促進することが可能となる。また、この構成でも、廃棄用分岐経路１１５および廃棄用流量調整部によって、オゾン発生器１２２におけるオゾン含有ガスの生成を安定化できる。
また、複数の処理用流量調整部（第１処理用ＭＦＣ１３０、第２処理用ＭＦＣ１４０）は、オゾン含有ガスの流量を相互に同一に調整する。これにより、オゾン供給システム１００は、複数の処理部（第１処理容器１０Ａ、第２処理容器１０Ｂ）の各々に供給されたオゾン含有ガスにより、同じ処理を安定して実施させることができる。
また、廃棄用流量調整部は、マスフローコントローラ（廃棄用ＭＦＣ１５０）である。これにより、オゾン供給システム１００は、廃棄用分岐経路１１５を流通するオゾン含有ガスの流量を精度よく調整することが可能となる。
また、廃棄用流量調整部は、廃棄用分岐経路１１５の流路の開度を調整する流量調整バルブ（廃棄用流量調整バルブ１５２）である。この場合でも、オゾン供給システム１００は、廃棄用分岐経路１１５を流通するオゾン含有ガスの流量を簡単に調整できる。
また、本開示の第２の態様は、基板Ｗを処理する処理容器１０と、オゾンを含むオゾン含有ガスを処理容器１０の内部に供給するオゾン供給システム１００と、を備える基板処理装置１であって、オゾン供給システム１００は、ガスを供給する供給経路１１０と、供給経路１１０に設けられ、供給経路１１０の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器１２２と、を有し、供給経路１１０は、オゾン発生器１２２よりも下流側で複数の分岐経路１１２に分岐しており、複数の分岐経路１１２のうち少なくとも１つは、処理容器１０に接続される処理用分岐経路（第１処理用分岐経路１１３、第２処理用分岐経路１１４）であり、複数の分岐経路１１２のうちの残りは、オゾン含有ガスを排出する廃棄部２００に接続される廃棄用分岐経路１１５であり、廃棄用分岐経路１１５は、オゾン含有ガスの流量を調整する廃棄用流量調整部（廃棄用ＭＦＣ１５０、廃棄用流量調整バルブ１５２）を備える。
また、本開示の第３の態様は、ガスを供給する供給経路１１０と、供給経路１１０に設けられ、供給経路１１０の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器１２２と、を有するオゾン供給システム１００のオゾン供給方法であって、供給経路１１０は、オゾン発生器１２２よりも下流側で複数の分岐経路１１２に分岐しており、複数の分岐経路１１２のうち少なくとも１つである処理用分岐経路（第１処理用分岐経路１１３、第２処理用分岐経路１１４）を介して、オゾン含有ガスを処理部（処理容器１０）に供給する工程と、複数の分岐経路１１２のうちの残りである廃棄用分岐経路１１５を介してオゾン含有ガスを排出するとともに、排出時に廃棄用流量調整部（廃棄用ＭＦＣ１５０、廃棄用流量調整バルブ１５２）によりオゾン含有ガスの流量を調整する工程と、を有する。
第２の態様および第３の態様でも、オゾン発生器１２２におけるオゾンの生成を安定化させることができる。
今回開示された実施形態に係るオゾン供給システム１００、基板処理装置１およびオゾン供給方法は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置１は、ALDに限定されず、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。また、オゾン供給システム１００は、オゾン含有ガスを使用する種々の装置に適用可能なことは勿論である。
１００ オゾン供給システム
１１０ 供給経路
１１２ 分岐経路
１１３ 第１処理用分岐経路
１１４ 第２処理用分岐経路
１１５ 廃棄用分岐経路
１２２ オゾン発生器
１５０ 廃棄用ＭＦＣ
１５２ 廃棄用流量調整バルブ

Claims (10)

  1. ガスを供給する供給経路と、
    前記供給経路に設けられ、前記供給経路の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器と、を有し、
    前記供給経路は、前記オゾン発生器よりも下流側で複数の分岐経路に分岐しており、
    前記複数の分岐経路のうち少なくとも１つは、前記オゾン含有ガスを使用する処理部に接続される処理用分岐経路であり、
    前記複数の分岐経路のうちの残りは、前記オゾン含有ガスを排出する廃棄部に接続される廃棄用分岐経路であり、
    前記廃棄用分岐経路は、前記オゾン含有ガスの流量を調整する廃棄用流量調整部を備える、
    オゾン供給システム。
  2. 前記オゾン発生器と前記複数の分岐経路の分岐点との間の前記供給経路に圧力センサを備えるとともに、
    前記圧力センサが検出した圧力値に基づき、前記廃棄用流量調整部による前記オゾン含有ガスの流量の調整を制御する制御部を有する、
    請求項１に記載のオゾン供給システム。
  3. 前記制御部は、前記圧力センサの前記圧力値が目標圧力で一定となるように、前記廃棄用流量調整部を制御する、
    請求項２に記載のオゾン供給システム。
  4. 前記制御部は、前記目標圧力よりも前記圧力値が低い場合に前記廃棄用流量調整部を制御して前記オゾン含有ガスの流量を少なくする一方で、前記目標圧力よりも前記圧力値が高い場合に前記廃棄用流量調整部を制御して前記オゾン含有ガスの流量を多くする、
    請求項３に記載のオゾン供給システム。
  5. 前記供給経路は、
    複数の前記処理部に各々接続される複数の前記処理用分岐経路と、
    複数の前記処理用分岐経路の各々に設けられ、複数の前記処理部に供給する前記オゾン含有ガスの流量を調整する処理用流量調整部と、を有する、
    請求項１乃至４のいずれか１項に記載のオゾン供給システム。
  6. 複数の前記処理用流量調整部は、前記オゾン含有ガスの流量を相互に同一に調整する、
    請求項５に記載のオゾン供給システム。
  7. 前記廃棄用流量調整部は、マスフローコントローラである、
    請求項１乃至６のいずれか１項に記載のオゾン供給システム。
  8. 前記廃棄用流量調整部は、前記廃棄用分岐経路の流路の開度を調整する流量調整バルブである、
    請求項１乃至６のいずれか１項に記載のオゾン供給システム。
  9. 基板を処理する処理容器と、オゾンを含むオゾン含有ガスを前記処理容器の内部に供給するオゾン供給システムと、を備える基板処理装置であって、
    前記オゾン供給システムは、
    ガスを供給する供給経路と、
    前記供給経路に設けられ、前記供給経路の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器と、を有し、
    前記供給経路は、前記オゾン発生器よりも下流側で複数の分岐経路に分岐しており、
    前記複数の分岐経路のうち少なくとも１つは、前記処理容器に接続される処理用分岐経路であり、
    前記複数の分岐経路のうちの残りは、前記オゾン含有ガスを排出する廃棄部に接続される廃棄用分岐経路であり、
    前記廃棄用分岐経路は、前記オゾン含有ガスの流量を調整する廃棄用流量調整部を備える、
    基板処理装置。
  10. ガスを供給する供給経路と、
    前記供給経路に設けられ、前記供給経路の上流側から供給した酸素ガスを用いてオゾンを生成し、当該オゾンを含むオゾン含有ガスを下流側に送出するオゾン発生器と、を有するオゾン供給システムのオゾン供給方法であって、
    前記供給経路は、前記オゾン発生器よりも下流側で複数の分岐経路に分岐しており、
    前記複数の分岐経路のうち少なくとも１つである処理用分岐経路を介して、前記オゾン含有ガスを処理部に供給する工程と、
    前記複数の分岐経路のうちの残りである廃棄用分岐経路を介して前記オゾン含有ガスを排出するとともに、排出時に廃棄用流量調整部により前記オゾン含有ガスの流量を調整する工程と、を有する、
    オゾン供給方法。
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