JP4085043B2 - 発生オゾンの安定制御方法 - Google Patents
発生オゾンの安定制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4085043B2 JP4085043B2 JP2003362167A JP2003362167A JP4085043B2 JP 4085043 B2 JP4085043 B2 JP 4085043B2 JP 2003362167 A JP2003362167 A JP 2003362167A JP 2003362167 A JP2003362167 A JP 2003362167A JP 4085043 B2 JP4085043 B2 JP 4085043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- raw material
- ozone
- material gas
- discharge output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
図4は、本実施形態のオゾン発生システムの概略構成を示す図である。このオゾン発生システムは、ガス流量に変動が生じた場合であっても安定した発生オゾン濃度を確保することができるオゾン発生システムであって、原料ガス供給装置41、原料ガス流量検出手段42、制御手段43、記憶手段44、オゾン発生装置45、開閉装置46、及び、チャンバーまたは処理槽47、を備えるオゾン発生システムである。
先ず、このオゾン発生システムの記憶手段44には、予め原料ガスの各流量毎に、このオゾン発生システムにおける放電出力と発生オゾン濃度との相関に関する情報が記憶される。この情報は、図2に示したように、特定の原料ガス流量下において発生オゾン濃度と放電出力との関係を調査して得られたものである。
このオゾン発生システムは、原料ガス流量の設定値を固定した状態で開閉装置46を利用することによって、複数のチャンバーまたは処理槽47へ発生したオゾンを供給するものであるが、開閉装置を利用したシステムでなくてもよい。即ち、使用するチャンバーまたは処理槽の数に応じて、言い換えれば、プロセスの状態によって、原料ガス流量をステップ的に変化させるシステムであってもよい。原料ガス流量をステップ的に変化させる場合には、このステップ的に変化する原料ガス流量に対してフィードバック制御を利用することにより、設定値通りの安定した原料ガス流量を得ることができる。
実施例として、配管で接続された2台の放電部(商品名:GR−RF22、住友精密工業株式会社製)を内蔵したオゾン発生装置(商品名:SGR−02FA−120、住友精密工業株式会社製)を使用して、図5に示したようにチャンバーまたは処理槽を5つ有するオゾン発生システムとした。各チャンバーに供給するガス流量を4L/minとし、発生オゾン濃度を200g/m3(N)に設定した。放電出力は、チャンバー1〜5つ分の流量のときの放電出力を記憶させ、原料ガス流量変更時の放電出力とした。
比較例として、放電出力の制御を行わない従来のフィードバック制御オゾン発生システムにおける原料ガス流量及び発生オゾン濃度を図7に示した。従来のオゾン発生システムでは、原料ガス流量が増加する際には、発生オゾン濃度が25〜75g/m3(N)低下し、設定値に到達する時間も60秒以上要した。逆に、原料ガス流量が増加する際には、発生オゾン濃度が25〜75g/m3(N)増加し、設定値に到達する時間も30秒以上要した。このように、図6と図7とを比較すれば明らかであるように、本実施例は比較例よりも原料ガス流量に変動が生じた場合の発生オゾン濃度の安定性が格段に優れていることが確認された。
42、52 原料ガス流量検出手段
43、53 制御手段
44、54 記憶手段
35、45、55 オゾン発生装置
36、46、56 開閉装置
37、47、57 チャンバーまたは処理槽
Claims (7)
- 酸素ガスを含む原料ガスを放電処理してオゾンを発生させるにあたり、
原料ガスの流量が定常状態にあるときには、放電出力のフィードバック制御を行うものであるとともに、原料ガスの流量が変動したときには、フィードバック制御を一時的に停止させ、前記原料ガスの各流量毎のオゾン発生装置における放電出力と発生オゾン濃度との相関に関する情報に基づいて、変動後の原料ガスの流量において要求される、発生オゾン濃度に対応した放電出力若しくは当該放電出力よりも高い放電出力で前記放電処理を行うものであることを特徴とする発生オゾンの安定制御方法。 - 前記情報は、原料ガスの流量が定常状態にあるときに定期的又は常時更新するものであることを特徴とする請求項1記載の発生オゾンの安定制御方法。
- 酸素ガスを含む原料ガスを放電処理し、当該放電処理によって得られた処理ガスを吐出するオゾン発生装置と、前記原料ガスを前記オゾン発生装置へ供給する原料ガス供給装置と、前記オゾン発生装置により発生したオゾンが送られる複数のチャンバーと、前記オゾン発生装置と前記チャンバーとの間の分岐されたライン上それぞれに配置され前記複数のチャンバーの使用状況に応じてそれぞれ開閉が行われる複数の開閉装置と、を備えた放電式のオゾン発生システムであって、
前記原料ガスの各流量毎に、前記オゾン発生装置における放電出力と発生オゾン濃度との相関に関する情報が予め記憶されている記憶手段と、
前記原料ガス供給装置から前記オゾン発生装置へ供給される原料ガスの流量を検出する原料ガス流量検出手段と、
前記オゾン発生装置の放電出力の制御を行う制御手段と、を備え、
前記制御手段は、原料ガス流量検出手段において原料ガスの流量が定常状態にあると検出されているときには、前記オゾン発生装置の前記放電出力のフィードバック制御を行うものであるとともに、前記複数の開閉装置のうちの少なくとも一部の開閉が行われ、原料ガスの流量が変動し、原料ガスの流量の変動が前記原料ガス流量検出手段によって検出されたときには、前記フィードバック制御を一時的に停止させ、前記記憶手段に記憶されている情報に基づいて、変動後の原料ガスの流量において要求される、発生オゾン濃度に対応した放電出力を算出し、当該算出された放電出力若しくは当該放電出力よりも高い放電出力に前記オゾン発生装置の放電出力を設定するものであることを特徴とするオゾン発生システム。 - 前記記憶手段は、前記フィードバック制御によって原料ガスの流量が定常状態にあるときに、当該原料ガスの流量下における前記オゾン発生装置の放電出力と発生オゾン濃度との相関に関する情報が定期的又は常時、記憶され、更新されるものであることを特徴とする請求項3記載のオゾン発生システム。
- 酸素ガスを含む原料ガスを放電処理し、当該放電処理によって得られた処理ガスを吐出するオゾン発生装置と、前記原料ガスを前記オゾン発生装置へ供給する原料ガス供給装置と、前記オゾン発生装置により発生したオゾンが送られる複数のチャンバーと、前記オゾン発生装置と前記チャンバーとの間の分岐されたライン上それぞれに配置され前記複数のチャンバーの使用状況に応じてそれぞれ開閉が行われる複数の開閉装置と、前記原料ガスの各流量毎に、前記オゾン発生装置における放電出力と発生オゾン濃度との相関に関する情報が予め記憶されている記憶手段と、前記原料ガス供給装置から前記オゾン発生装置へ供給される原料ガスの流量を検出する原料ガス流量検出手段と、前記オゾン発生装置の放電出力の制御を行う制御手段と、を備えた放電式のオゾン発生システムを制御するプログラムであって、
前記原料ガス流量検出手段からの検出に応じて、原料ガスの流量が定常状態にあると検出されているときには、前記放電出力のフィードバック制御を行うように前記オゾン発生装置に対して指令するとともに、前記複数の開閉装置のうちの少なくとも一部の開閉が行われ、原料ガスの流量の変動が検出されたときには、前記フィードバック制御を一時的に停止させ、前記記憶手段に記憶されている情報に基づいて、変動後の原料ガスの流量において要求される、発生オゾン濃度に対応した放電出力を算出し、当該算出された放電出力若しくは当該放電出力よりも高い放電出力を放電出力とするように前記制御手段に指令するものであることを特徴とする発生オゾンの安定制御方法をコンピュータ又は演算回路に実行させるためのプログラム。 - 前記プログラムであって、前記フィードバック制御によって原料ガスの流量が定常状態にあるときに、当該原料ガスの流量下における前記オゾン発生装置の放電出力と発生オゾン濃度との相関に関する情報を定期的又は常時、記憶し、更新するように前記記憶手段に指令するものであることを特徴とする請求項5記載のプログラム。
- 請求項5又は6記載のプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003362167A JP4085043B2 (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 発生オゾンの安定制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003362167A JP4085043B2 (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 発生オゾンの安定制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005126267A JP2005126267A (ja) | 2005-05-19 |
JP4085043B2 true JP4085043B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=34641903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003362167A Expired - Fee Related JP4085043B2 (ja) | 2003-10-22 | 2003-10-22 | 発生オゾンの安定制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4085043B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230041100A (ko) | 2020-08-04 | 2023-03-23 | 스미토모 세이미츠 고교 가부시키가이샤 | 오존 발생 장치 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4954995B2 (ja) | 2005-07-07 | 2012-06-20 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | マルチ・チャンバ・ツールのためのオゾン・システム |
JP5627027B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-11-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾンガス供給システム |
WO2011065087A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾンガス供給システム |
JP6723661B2 (ja) * | 2017-05-16 | 2020-07-15 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | オゾンガス発生装置 |
JP2023081091A (ja) | 2021-11-30 | 2023-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | オゾン供給システム、基板処理装置およびオゾン供給方法 |
-
2003
- 2003-10-22 JP JP2003362167A patent/JP4085043B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230041100A (ko) | 2020-08-04 | 2023-03-23 | 스미토모 세이미츠 고교 가부시키가이샤 | 오존 발생 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005126267A (ja) | 2005-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101255873B1 (ko) | 멀티 챔버 툴을 위한 오존 시스템 | |
US7681055B2 (en) | Control device and method for a substrate processing apparatus | |
KR101920937B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 | |
US8262800B1 (en) | Methods and apparatus for cleaning deposition reactors | |
CN104934350A (zh) | 基板处理装置以及使用基板处理装置的基板处理方法 | |
JP2003212517A (ja) | ガス供給システム及びガス供給方法 | |
JP2008277762A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4085043B2 (ja) | 発生オゾンの安定制御方法 | |
KR20200059306A (ko) | 플라즈마 챔버에서 플라즈마 글로우 (glow) 방전을 제어하기 위한 방법들 및 시스템들 | |
JP5645516B2 (ja) | 基板液処理装置及び処理液生成方法並びに処理液生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4520460B2 (ja) | セルフクリーニング触媒化学蒸着装置及びそのクリーニング方法 | |
JP2010021431A (ja) | プラズマ処理装置システムの制御装置、プラズマ処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 | |
JP2009147310A (ja) | インシチュでのチャンバ洗浄方法 | |
US20220262630A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium | |
US20150096589A1 (en) | Method of non-destructive post tungsten etch residue removal | |
KR20090001030A (ko) | 반도체 제조설비 | |
EP4343821A1 (en) | Substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device, program and substrate processing apparatus | |
JP6850650B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JPH11251208A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20080190446A1 (en) | Control of dry clean process in wafer processing | |
US20220270885A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
EP4300547A1 (en) | Substrate processing device, substrate processing method, method for manufacturing semiconductor device, program, and exhaust system | |
JP2007273189A (ja) | プラズマ処理装置,基板処理システムおよび電力切替方法 | |
US20230143108A1 (en) | Furnace and method for forming film | |
KR100685305B1 (ko) | 챔버의 정제장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |