JP4520460B2 - セルフクリーニング触媒化学蒸着装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents
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Description
CVD法としては、熱CVD法、プラズマCVD法などが従来より知られているが、近年、加熱したタングステン等の素線(以下、「触媒体」という)を触媒として、この触媒体による触媒作用により反応室内に供給される原料ガスを分解することによって基板に薄膜を堆積させる触媒CVD法(Cat-CVD法又はホットワイヤCVD法とも呼ばれている)が実用化されている。
このような触媒CVD法によって成膜を行う触媒CVD装置では、熱CVD装置やプラズマCVD装置と同様に、成膜過程で分解された原料ガスが基板に堆積膜を形成する際に、分解された原料ガスの一部は反応容器の内壁や基板載置台等にも膜として付着する。
これらの付着した膜が堆積するとやがて剥離して反応容器内を浮遊し、基板に付着することによって処理品質の低下を招くことになる。
また請求項2記載の発明は、前記クリーニングガスをラジカル種に分解して反応容器に導入するラジカル種発生器を設けたことを特徴とするものである。
さらに請求項3記載の発明は、前記クリーニングガスが、ハロゲン元素含有ガスと、不活性ガス及び還元性ガスのいずれかとの混合ガスであることを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、クリーニングガスが不活性ガス及び還元性ガスのいずれかを含んでおり、不活性ガス及び還元性ガスの種類に基づいたバイアス電圧の極性にすることを特徴とするものである。
請求項6記載の発明は、ハロゲン元素含有ガスが、NF3、HF、C2F6、C3F8、SF6、CF4、CClF3、C2ClF5及びCCl4のいずれか、或いはこれらの組み合わせであり、還元性ガスがH2であり、不活性ガスが希ガスである構成を有している。
請求項7記載の発明は、クリーニングガスがハロゲン元素含有ガスとH2との混合ガスであって、正極性のバイアス電圧を印加する構成を有している。
請求項8記載の発明は、クリーニングガスがハロゲン元素含有ガスとArとの混合ガスであって、負極性のバイアス電圧を印加する構成を有している。
請求項9記載の発明は、前記触媒体自体のエッチングの発生を検出する監視装置が、触媒体の電気抵抗に基づいて監視するものである。
また請求項11記載の発明は、クリーニングガスを導入する過程が、クリーニングガスをラジカル種に分解して反応容器内に導入する過程であることを特徴とするものである。
さらに請求項12記載の発明は、クリーニングガスが、ハロゲン元素含有ガスと、不活性ガス及び還元性ガスのいずれかとの混合ガスであることを特徴とするものである。
請求項13記載の発明は、クリーニングガスが不活性ガス及び還元性ガスのいずれかを含んでおり、不活性ガス及び還元性ガスの種類に基づいて決定した極性のバイアス電圧を印加することを特徴とするものである。
請求項15記載の発明は、ハロゲン元素含有ガスが、NF3、HF、C2F6、C3F8、SF6、CF4、CClF3、C2ClF5及びCCl4のいずれか、或いはこれらの組み合わせであり、還元性ガスがH2であり、不活性ガスが希ガスであることを特徴とするものである。
請求項16記載の発明は、クリーニングガスがハロゲン含有ガスとH2との混合ガスであって、正極性のバイアス電圧を印加することを特徴とする。
請求項17記載の発明は、クリーニングガスがハロゲン含有ガスとArとの混合ガスであって、負極性のバイアス電圧を印加することを特徴とする。
請求項18記載の発明は、クリーニング中、その場で前記触媒体自体のエッチングの発生を、触媒体の電気抵抗に基づいて監視することを特徴とするものである。
また、クリーニングガスによる触媒体の腐食劣化が抑制されることによって、成膜時においても安定して良好な膜を基板上に堆積(成膜)することができる。
さらに、クリーニング時に触媒体を2000℃以上に加熱する必要がないので、触媒体自体の蒸発による劣化や、この蒸発にともなう触媒体の構成要素によって反応容器内が汚染されることもなく、また、融点の低い廉価な部材を使用することができるのでコストの低減を図れるようになる。
2 反応容器
4 触媒体
6 加熱用電源
8 定電圧電源
10 制御装置
11 クリーニングガス分解用容器
14 監視装置
以下、図1〜図5に基づき、実質的に同一又は対応する部材には同一符号を用いて、本発明による最良の実施形態について説明する。
先ず実施形態1について説明する。
図1は、本発明の実施形態1に係るセルフクリーニング触媒化学蒸着装置を示す概略構成図である。
このセルフクリーニング触媒化学蒸着装置1は、反応容器2と、この反応容器2内に設けられた、基板(不図示)が載置される基板載置台3と、反応容器2内に供給される原料ガスを加熱して分解するための触媒作用を有する直径0.5mmのタングステン線からなる触媒体4を備えている。
このような触媒作用を有する触媒体として、タングステン線の他に、インジウム、モリブデン、タンタル及びニオブ等が使用可能であり、さらにこれらの合金でもよい。
反応容器2は、反応容器2のクリーニング時にクリーニングガスを供給し、成膜時に原料ガスを供給するためのガス供給系(不図示)と、反応容器2を真空排気してその内部の圧力を調整するためのガス排気系(不図示)とを備えており、図1に示すようにガス供給口2aからクリーニングガスを導入し、ガス排気口2bから真空排気されるようになっている。
不活性ガスとしてはArと同類の希ガスが使用可能である。
触媒体4には、導線5a、5bを介して定直流電源の加熱用電源6が接続されており、加熱用電源6から定電流制御された直流電圧が印加されることによって、触媒体4が抵抗加熱されるようになっている。
一端側が加熱用電源6の各端子6a、6bに接続されている各導線5a、5bは、絶縁部材7a、7bによって反応容器2と電気的に絶縁されており、また、反応容器2と加熱用電源6は接地されている。
また、加熱用電源6と触媒体4とを電気的に接続する一方の導線5bには、加熱用電源6から触媒体4に印加される電位を制御するための定直流電源である定電圧電源8が抵抗器9を介して接続されている。
定電圧電源8は、印加するバイアス電圧の極性を切り換えるための切換えスイッチ8aを有しており、接続されている制御装置10からの制御信号によって、印加するバイアス電圧の極性を切り換えることができるようになっている。
印加するバイアス電圧の極性は、抵抗加熱する触媒体4自体のエッチングが生じないようにするために設定するものであり、導入する不活性ガス及び還元性ガスの種類に応じて適宜切り換え可能である。
触媒体4の抵抗加熱の給電に定電流源を使用する場合、セルフクリーニング中に触媒体4自体のエッチングが生じると、通常細線状の触媒体径が減少して電気抵抗が増大するため、設定電流源の出力端子間の電圧が上昇する。
したがって、監視装置14によりセルフクリーニング中の端子間電圧を検出することにより触媒体4のエッチングの発生を検出することができる。
図1を参照して、本実施形態に係るセルフクリーニング触媒化学蒸着装置1の成膜処理は、反応容器2内に基板(不図示)を搬入し、基板載置台3上に載置する。
次に、反応容器2内を真空排気しつつ、Arガスや水素ガスでパージ後、これらのパージガス雰囲気中で所定圧力に制御しながら、触媒体4に直流電圧を印加して抵抗加熱し、所定温度、例えば、1700℃程度に加熱しておく。
次いで、ガス供給系からガス供給口2aを通して反応容器2内に原料ガス、例えば、SiH4とH2の混合ガスの導入に切り換え、ガス排気系によりガス排気口2bを通して反応容器2内を排気して所定の圧力に調整する。
このとき、導入された原料ガスが1700℃に加熱した触媒体4により接触し分解して、ラジカル種が発生し、基板上に薄膜が堆積する。
このような成膜プロセス処理を繰り返すことにより、分解された反応ガスの一部は反応容器2の内壁や基板載置台3等にも堆積膜として付着する。
このため、触媒化学蒸着装置は所定稼動時間毎に反応容器2内をクリーニングする必要がある。
本発明の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法は、真空排気可能な反応容器2内で抵抗加熱した触媒体4の触媒作用を利用して薄膜を形成する触媒化学蒸着装置のクリーニング方法であって、抵抗加熱した触媒体4に所定極性のバイアス電圧を印加する過程と、クリーニングガスを導入する過程と、抵抗加熱した触媒体にクリーニングガスが接触し分解してラジカル種を発生する過程と、反応容器内に付着した付着膜を除去するが触媒体自体をエッチングしない過程とを備えるものである。
先ず、反応容器2を真空排気しつつ、Arガスや水素ガスでパージ後、これらパージガス雰囲気中で例えば、65Paに制御しつつ、抵抗加熱により触媒体4を例えば1700℃に加熱する。
このとき、Arガスを導入するときは、極性を負極性に、水素ガスを導入するときは、極性を正極性にしてバイアス電圧を印加しておく。
次に、ガス供給系の導入ガスの切換え操作によって、ガス供給口2aを通して反応容器2内にクリーニングガスを導入する。
還元性ガスとして水素ガスを流すため、極性は前もって正極性にスイッチしておく。
このとき、反応容器2内に混合ガスを導入すると同時に、ガス排気系によりガス排気口2bを通して反応容器2内を真空排気しつつ65Paに調整維持している。
そして、導入されたクリーニングガスが1700℃になっている触媒体4に接触し分解して発生するハロゲン含有ラジカル種によって反応容器2の内壁や基板載置台3等に付着した付着膜をエッチングして除去し、ガス排気口2bを通して排出する。
このようにして触媒体の触媒作用を利用し、触媒化学蒸着装置を実用的なクリーニング速度で良好なクリーニングをすることができ、しかも触媒体自体のエッチングを抑制することができる。
本実施形態のクリーニング時において、定電圧電源8から導線5bに直流バイアス電圧を印加した場合と、このバイアス電圧を印加しない場合における、加熱用電源6の端子間発生電圧(加熱用電源6から触媒体4に印加する電位)の変化を図2に示す。
図2において、aは定電圧電源8からバイアス電圧を印加しない場合、bは定電圧電源8から+120Vのバイアス電圧を印加した場合、cは定電圧電源8から−180Vのバイアス電圧を印加した場合を示す。
いずれの場合においても、反応容器2の内壁や基板載置台3等に付着した付着膜は良好に除去された。
図2に示す結果から明らかなように、定電圧電源8からバイアス電圧を印加しない場合(図2のa)には、クリーニングが進行するにつれて、加熱用電源6の端子間発生電圧が上昇(約68Vから約77.5V)している。
これは、クリーニング時にクリーニングガスの分解によって発生したハロゲン元素含有ラジカル種によって触媒体4がエッチング(腐食劣化)されて触媒体4の径が小さくなることにより、その電気抵抗が大きくなることによる。
また、定電圧電源8から−180Vのバイアス電圧を印加した場合(図2のc)には、クリーニングが進行するにつれて、加熱用電源6の端子間発生電圧が少し上昇(約78Vから約82.5V)しているのは、触媒体4がエッチング(腐食劣化)されたためである。
また、本実施形態において、クリーニングガスとしてNF3とArの混合ガスを使用した場合においても同様に、定電圧電源8から導線5bに直流バイアス電圧を印加した場合とこのバイアス電圧を印加しない場合における、加熱用電源6の端子間発生電圧(加熱用電源6から触媒体4に印加する電位)の変化を図3に示す。
いずれの場合においても、反応容器2の内壁や基板載置台3等に付着した付着膜は良好に除去された。
このクリーニング時におけるクリーニング条件は、反応容器2内の圧力が65Pa、触媒体4の加熱温度が1700℃程度、NF3とArのそれぞれの流量が20sccm、触媒体4の直径が0.5mmである。
また、定電圧電源8から+120Vのバイアス電圧を印加した場合(図3のb)には、クリーニングが進行するにつれて、加熱用電源6の端子間発生電圧が上昇(約82Vから約100V)し、触媒体4がエッチング(腐食劣化)される。
一方、定電圧電源8から−180Vのバイアス電圧を印加した場合(図3のc)には、クリーニングが進行しても加熱用電源6の端子間発生電圧の上昇はほとんどなく、触媒体4のエッチング(腐食劣化)が抑制される。
したがって、図2に示したように、クリーニングガスがNF3とH2の混合ガスの場合には、定電圧電源8から+120Vのバイアス電圧を印加したときに触媒体4のエッチング(腐食劣化)が抑制され、図3に示したようにクリーニングガスがNF3とArの混合ガスの場合には、定電圧電源8から−180Vのバイアス電圧を印加したときに触媒体4のエッチング(腐食劣化)が抑制される。
さらに、クリーニング時に従来例のように触媒体4を2000℃以上に加熱する必要がないので、触媒体4自体の蒸発による劣化や、この蒸発にともなう触媒体4の構成要素によって反応容器2内が汚染されることもなく、また、融点の低い廉価な部材を使用することができるのでコストの低減を図れるようになる。
次に実施形態2について説明する。
本実施形態は、図1に示したセルフクリーニング触媒化学蒸着装置1を用い、低電圧電源8から加熱用電源6の端子間電圧にバイアス電圧を印加しないで、零バイアス電圧としたものである。
本実施形態におけるクリーニング条件は、反応容器内の圧力が10Pa、触媒体の線形が0.7mm、触媒体の加熱温度が1700℃であり、クリーニングガスのNF3とH2との混合ガスとしてそれぞれ20sccm導入したものである。
図4は実施形態2の触媒体自体のエッチングの発生を示す加熱電源用端子間発生電圧とクリーニング時間との関係を示す図であり、aは実施形態2に係るクリーニングガスがNF3とH2との混合ガスの場合を示し、bは比較例としてクリーニングガスがNF3とArの混合ガスの場合を示す。
比較のために、“NF3とArの混合ガス”を使用した場合における、クリーニング時での加熱用電源6の端子間電圧、即ち、加熱用電源6から触媒体4に印加する電位の変化を合わせて示した(図4中のbを参照)。
この比較例のクリーニング条件は実施形態2と同様であり、NF3とArのそれぞれの流量も20sccmである。
図4に示した結果から、クリーニングガスとしてNF3とArの混合ガスを使用した場合、加熱した触媒体(タングステン線)4にNF3が接触分解して発生したフッ素含有ラジカル種の一部が、触媒体4自体を還元剤としてフッ化タングステン(WFx;通常はx≦6)を生成しようとする反応経路が存在するため、触媒体4のエッチング(腐食劣化)が進行するものと推察される。
また、実施形態1の場合よりも反応容器2内の圧力を小さくしていることも、触媒体4のエッチング(腐食劣化)の抑制に寄与しているものと推察される。
このように、クリーニングガスとしてNF3とH2の混合ガスを使用することによっても、反応容器内に付着した付着膜を除去することができるとともに、触媒体4のエッチング(腐食劣化)を抑制することができる。
次に実施形態3について説明する。
図5は、実施形態3に係るセルフクリーニング触媒化学蒸着装置を示す概略構成図である。
なお、図1に示したセルフクリーニング触媒化学蒸着装置と同一機能を有する部材には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
このセルフクリーニング触媒化学蒸着装置20は、反応容器2の外側にクリーニングガスを分解し、ラジカル種を発生するためのラジカル種発生器として、クリーニングガス分解用容器11が設けられている。
クリーニングガス分解用容器11には、RFプラズマやマイクロ波プラズマ等のプラズマ発生装置12が設置されており、導入されるクリーニングガス、例えばNF3とArの混合ガスを電磁エネルギーによりプラズマ分解してハロゲン含有ラジカル種を発生させることができる。
導入されるクリーニングガスの分解手段としては、プラズマ以外にも他の方法、例えば紫外線を照射する光エネルギーを用いるものでもよい。
他の構成は、図1に示した実施形態1のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置1と同様である。
先ず、不活性ガスでパージしつつ、ガス排気系(不図示)によりガス排気口2bを通して反応容器2内を真空排気して所定の圧力、例えば65Paに調整する。
そして、加熱用電源6から導線5a、5bを介して触媒体4に直流電圧を印加して抵抗加熱し、触媒体4を所定温度、例えば1700℃程度に加熱する。
このとき、不活性ガスとしてArガスを使用するので、負極性にしてバイアス電圧を印加しておく。
この導入されるクリーニングガス、即ち、NF3とArの混合ガスをプラズマ発生装置12によりプラズマ分解してハロゲン含有ラジカル種を発生させ、このハロゲン含有ラジカル種を反応容器2内に供給し、反応容器2の内壁や基板載置台3等に付着した付着膜をエッチングし除去して、ガス排気口2bを通して排出する。
この際、実施形態1と同様に、制御装置10の制御によって定電圧電源8から適切な極性で適切な値のバイアス電圧を、加熱用電源6の端子間電位(加熱用電源6から触媒体4に印加する電位)に印加する。
これにより、実施形態1で説明したように触媒体4のハロゲン含有ラジカル種による腐食劣化を抑制することができる。
本実施形態では、H2をガス供給口2aから反応容器2内に供給したが、クリーニングガス分解用容器11にクリーニングガスとともにH2を導入して、クリーニングガス分解用容器11を通して反応容器2内に供給するようにしてもよい。
Claims (18)
- 真空排気可能な反応容器内で抵抗加熱した触媒体の触媒作用を利用して薄膜を形成する触媒化学蒸着装置において、
上記触媒体にバイアス電圧を印加するための電源と、印加するバイアス電圧の極性を切り換える切換えスイッチと、クリーニングガスを導入するガス供給口と、上記触媒体自体のエッチングの発生を検出する監視装置とを備え、
上記ガス供給口から導入したクリーニングガスが上記抵抗加熱した触媒体に接触し分解して発生したラジカル種によって、上記反応容器内に付着した付着膜を除去する際、触媒体に触媒自体をエッチングしない極性のバイアス電圧を印加することを特徴とするセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。 - 前記クリーニングガスをラジカル種に分解して前記反応容器に導入するラジカル種発生器を設けたことを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記クリーニングガスが、ハロゲン元素含有ガスと、不活性ガス及び還元性ガスのいずれかとの混合ガスであることを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記クリーニングガスが不活性ガス及び還元性ガスのいずれかを含んでおり、不活性ガス及び還元性ガスの種類に基づいたバイアス電圧の極性にすることを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記所定極性のバイアス電圧が零のとき、前記クリーニングガスがハロゲン元素含有ガスと還元性ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記ハロゲン元素含有ガスが、NF3、HF、C2F6、C3F8、SF6、CF4、CClF3、C2ClF5及びCCl4のいずれか、或いはこれらの組み合わせであり、前記還元性ガスがH2であり、前記不活性ガスが希ガスであることを特徴とする請求項3、4又は5に記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記クリーニングガスがハロゲン元素含有ガスとH2との混合ガスであって、正極性の前記バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記クリーニングガスがハロゲン元素含有ガスとArとの混合ガスであって、負極性の前記バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 前記触媒体自体のエッチングの発生を検出する監視装置が、触媒体の電気抵抗に基づいて監視することを特徴とする請求項1記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置。
- 真空排気可能な反応容器内で抵抗加熱した触媒体の触媒作用を利用して薄膜を形成する触媒化学蒸着装置のクリーニング方法であって、
抵抗加熱した触媒体に所定極性のバイアス電圧を印加する過程と、クリーニングガスを導入する過程と、抵抗加熱した触媒体にクリーニングガスが接触し分解してラジカル種を発生する過程と、反応容器内に付着した付着膜をクリーニングガスを導入した状態で上記触媒体自体のエッチングの発生を監視する過程と、を備えた触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。 - 前記クリーニングガスを導入する過程が、クリーニングガスをラジカル種に分解して前記反応容器内に導入する過程であることを特徴とする請求項10記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスが、ハロゲン元素含有ガスと、不活性ガス及び還元性ガスのいずれかとの混合ガスであることを特徴とする請求項10記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスが不活性ガス及び還元性ガスのいずれかを含んでおり、不活性ガス及び還元性ガスの種類に基づいて決定した極性のバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項10記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- 前記所定極性のバイアス電圧が零のとき、前記クリーニングガスがハロゲン元素含有ガスと還元性ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項10記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- 前記ハロゲン元素含有ガスが、NF3、HF、C2F6、C3F8、SF6、CF4、CClF3、C2ClF5及びCCl4のいずれか、或いはこれらの組み合わせであり、前記還元性ガスがH2であり、前記不活性ガスが希ガスであることを特徴とする請求項12、13又は14に記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスがハロゲン含有ガスとH2との混合ガスであって、正極性の前記バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項10記載のセルフクリーニング触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- 前記クリーニングガスがハロゲン含有ガスとArとの混合ガスであって、負極性の前記バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項10記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
- クリーニング中、その場で前記触媒体自体のエッチングの発生を、触媒体の電気抵抗に基づいて監視することを特徴とする請求項10記載の触媒化学蒸着装置のクリーニング方法。
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