JP5683697B2 - プロセスチャンバの圧力制御システムおよび制御方法 - Google Patents
プロセスチャンバの圧力制御システムおよび制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5683697B2 JP5683697B2 JP2013519636A JP2013519636A JP5683697B2 JP 5683697 B2 JP5683697 B2 JP 5683697B2 JP 2013519636 A JP2013519636 A JP 2013519636A JP 2013519636 A JP2013519636 A JP 2013519636A JP 5683697 B2 JP5683697 B2 JP 5683697B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- pulse valve
- programmed
- gauge
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 72
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 57
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 50
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
- F17C—VESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
- F17C13/00—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
- F17C13/002—Details of vessels or of the filling or discharging of vessels for vessels under pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0396—Involving pressure control
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/85978—With pump
- Y10T137/85986—Pumped fluid control
- Y10T137/86002—Fluid pressure responsive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Control Of Fluid Pressure (AREA)
Description
2 圧力測定機器
3 パルス出力
4 ポンプ
5 パルスバルブ
6 プロセスチャンバ
7 ガス源
Claims (13)
- プロセスチャンバ装置であって、連続的な注入ガス流のための注入口、連続的な排出ガス流のための排出口、圧力ゲージと、プログラマブルロジックコントローラと、パルスバルブとを備えたプロセスチャンバの圧力を制御するための手段、を有し、前記パルスバルブが、前記排出口に位置する、または前記排出口と流体連通しているものであり、さらに前記コントローラが、前記圧力ゲージからの圧力データを処理し、かつ前記パルスバルブの開放状態と閉鎖状態とを切り替えさせるパルス出力を発して、前記プロセスチャンバの圧力を制御するようにプログラムされたものであり、
前記コントローラが、ゲージ圧がプログラムされた圧力未満であるときに前記パルスバルブの閉鎖時間を延長し、かつゲージ圧がプログラムされた圧力を超えているときに前記パルスバルブの閉鎖時間を短縮することで、前記プロセスチャンバ内の圧力を前記プログラムされた圧力またはその近傍で維持するようにプログラムされたものであることを特徴とする装置。 - プロセスチャンバ装置であって、連続的な注入ガス流のための注入口、連続的な排出ガス流のための排出口、圧力ゲージと、プログラマブルロジックコントローラと、パルスバルブとを備えたプロセスチャンバの圧力を制御するための手段、を有し、前記パルスバルブが、前記排出口に位置する、または前記排出口と流体連通しているものであり、さらに前記コントローラが、前記圧力ゲージからの圧力データを処理し、かつ前記パルスバルブの開放状態と閉鎖状態とを切り替えさせるパルス出力を発して、前記プロセスチャンバの圧力を制御するようにプログラムされたものであり、
前記コントローラが、ゲージ圧がプログラムされた圧力未満であるときに前記パルスバルブの開放時間を短縮し、かつゲージ圧がプログラムされた圧力を超えているときに前記パルスバルブの開放時間を延長することで、前記プロセスチャンバ内の圧力を前記プログラムされた圧力またはその近傍で維持するようにプログラムされたものであることを特徴とする装置。 - プロセスチャンバ装置であって、連続的な注入ガス流のための注入口、連続的な排出ガス流のための排出口、圧力ゲージと、プログラマブルロジックコントローラと、パルスバルブとを備えたプロセスチャンバの圧力を制御するための手段、を有し、前記パルスバルブが、前記排出口に位置する、または前記排出口と流体連通しているものであり、さらに前記コントローラが、前記圧力ゲージからの圧力データを処理し、かつ前記パルスバルブの開放状態と閉鎖状態とを切り替えさせるパルス出力を発して、前記プロセスチャンバの圧力を制御するようにプログラムされたものであり、
前記コントローラが、ゲージ圧がプログラムされた圧力未満であるときに前記プロセスチャンバとポンプとの間の平均コンダクタンスをより小さくするよう前記パルスバルブの開放および閉鎖の両タイミングを調節し、かつゲージ圧がプログラムされた圧力を超えているときに前記プロセスチャンバとポンプとの間の平均コンダクタンスをより大きくするよう前記パルスバルブの開放および閉鎖の両タイミングを調節するように、プログラムされたものであることを特徴とする装置。 - 前記ガスが、HF、エタノール蒸気、および窒素であり、かつ前記プロセスチャンバが、半導体ウエハのエッチングに適合されたものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の装置。
- 前記圧力ゲージが、容量マノメータ、冷陰極ゲージ、および熱電対ゲージから、選択されたものであることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の装置。
- 前記圧力を約50から300トル(約6666から約39996Pa)の範囲内の値で維持するように適合されていることを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の装置。
- 前記注入ガス流量を約0.2から4.0SLM(約0.338から約6.76Pa・m3/s)のレベルで維持するように適合されていることを特徴とする請求項1から6いずれか1項記載の装置。
- 連続的な注入ガス流と連続的な排出ガス流とを有するプロセスチャンバ内の圧力を制御する方法であって、
ガス排出口に位置するパルスバルブと、圧力ゲージと、前記圧力ゲージからの圧力データを処理し、かつ前記パルスバルブの開放状態と閉鎖状態とを切り替えさせるパルス出力を発するプログラマブルコントローラとを提供するステップ、および、
ゲージ圧がプログラムされた圧力未満であるときに前記パルスバルブの閉鎖時間を延長しかつゲージ圧がプログラムされた圧力を超えているときに前記パルスバルブの閉鎖時間を短縮することで、前記プロセスチャンバ内の圧力を前記プログラムされた圧力またはその近傍で維持するよう、前記コントローラをプログラムするステップ、を含むことを特徴とする方法。 - 連続的な注入ガス流と連続的な排出ガス流とを有するプロセスチャンバ内の圧力を制御する方法であって、
ガス排出口に位置するパルスバルブと、圧力ゲージと、前記圧力ゲージからの圧力データを処理し、かつ前記パルスバルブの開放状態と閉鎖状態とを切り替えさせるパルス出力を発するプログラマブルコントローラとを提供するステップ、および、
ゲージ圧がプログラムされた圧力未満であるときに前記パルスバルブの開放時間を短縮しかつゲージ圧がプログラムされた圧力を超えているときに前記パルスバルブの開放時間を延長することで、前記プロセスチャンバ内の圧力を前記プログラムされた圧力またはその近傍で維持するよう、前記コントローラをプログラムするステップ、を含むことを特徴とする方法。 - 連続的な注入ガス流と連続的な排出ガス流とを有するプロセスチャンバ内の圧力を制御する方法であって、
ガス排出口に位置するパルスバルブと、圧力ゲージと、前記圧力ゲージからの圧力データを処理し、かつ前記パルスバルブの開放状態と閉鎖状態とを切り替えさせるパルス出力を発するプログラマブルコントローラとを提供するステップ、および、
ゲージ圧がプログラムされた圧力未満であるときに前記プロセスチャンバとポンプとの間の平均コンダクタンスをより小さくするよう前記パルスバルブの開放および閉鎖の両タイミングを調節し、かつゲージ圧がプログラムされた圧力を超えているときに前記プロセスチャンバとポンプとの間の平均コンダクタンスをより大きくするよう前記パルスバルブの開放および閉鎖の両タイミングを調節するように、前記コントローラをプログラムするステップ、を含むことを特徴とする方法。 - 前記ガスが、HF、エタノール蒸気、および窒素であり、かつ前記プロセスチャンバが、半導体ウエハのエッチングに適合されたものであることを特徴とする請求項8から10いずれか1項記載の方法。
- 前記圧力を約50から300トル(約6666から約39996Pa)の範囲内の値で維持するステップを含むことを特徴とする請求項8から11いずれか1項記載の方法。
- 前記注入ガス流量を約0.2から4.0SLM(約0.338から約6.76Pa・m3/s)のレベルで維持するステップを含むことを特徴とする請求項8から12いずれか1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2010/041906 WO2012008954A1 (en) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | Process chamber pressure control system and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013532391A JP2013532391A (ja) | 2013-08-15 |
JP5683697B2 true JP5683697B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=45469726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013519636A Active JP5683697B2 (ja) | 2010-07-14 | 2010-07-14 | プロセスチャンバの圧力制御システムおよび制御方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10161567B2 (ja) |
EP (1) | EP2593580B1 (ja) |
JP (1) | JP5683697B2 (ja) |
KR (1) | KR101728933B1 (ja) |
WO (1) | WO2012008954A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109641186A (zh) * | 2016-08-12 | 2019-04-16 | Dic株式会社 | 电阻率值调整装置和电阻率值调整方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3047743B1 (fr) | 2016-02-16 | 2020-01-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Systeme d'electrolyse de l'eau (soec) ou pile a combustible (sofc) a fonctionnement sous pression dans une enceinte etanche dont la regulation est amelioree |
EP3372881A1 (de) * | 2017-03-07 | 2018-09-12 | VAT Holding AG | Optimierte druckregelung für und mit einem vakuumventil |
KR102387088B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2022-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US20220084842A1 (en) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | Antifragile systems for semiconductor processing equipment using multiple special sensors and algorithms |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63238281A (ja) | 1987-03-27 | 1988-10-04 | Hitachi Ltd | ウエ−ハ処理装置及びそれに使用する微圧測定器 |
US6013418A (en) * | 1992-04-29 | 2000-01-11 | Lucent Technologies Inc. | Method for developing images in energy sensitive materials |
US5922219A (en) * | 1996-10-31 | 1999-07-13 | Fsi International, Inc. | UV/halogen treatment for dry oxide etching |
US6197123B1 (en) | 1997-12-18 | 2001-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleaning a process chamber used for manufacturing substrates during nonproduction intervals |
US20020025684A1 (en) * | 2000-04-07 | 2002-02-28 | Butterbaugh Jeffrey W. | Gaseous process for surface preparation |
JP2002353205A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法およびそれに用いられるウェハ処理装置並びに半導体装置 |
JP2002091573A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 圧力制御方法、処理装置および処理方法 |
US6861334B2 (en) * | 2001-06-21 | 2005-03-01 | Asm International, N.V. | Method of fabricating trench isolation structures for integrated circuits using atomic layer deposition |
US6887521B2 (en) * | 2002-08-15 | 2005-05-03 | Micron Technology, Inc. | Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices |
US7647886B2 (en) * | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
US7628861B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Pulsed mass flow delivery system and method |
JP4613587B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2011-01-19 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成方法とその装置 |
JP4807660B2 (ja) | 2006-03-03 | 2011-11-02 | 大同特殊鋼株式会社 | 真空浸炭装置 |
JP4142704B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2008-09-03 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | スタナン気体供給システム |
US7659214B2 (en) * | 2007-09-30 | 2010-02-09 | Tokyo Electron Limited | Method for growing an oxynitride film on a substrate |
-
2010
- 2010-07-14 US US13/809,610 patent/US10161567B2/en active Active
- 2010-07-14 JP JP2013519636A patent/JP5683697B2/ja active Active
- 2010-07-14 WO PCT/US2010/041906 patent/WO2012008954A1/en active Application Filing
- 2010-07-14 KR KR1020137002002A patent/KR101728933B1/ko active IP Right Grant
- 2010-07-14 EP EP10854822.3A patent/EP2593580B1/en active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109641186A (zh) * | 2016-08-12 | 2019-04-16 | Dic株式会社 | 电阻率值调整装置和电阻率值调整方法 |
CN109641186B (zh) * | 2016-08-12 | 2022-02-25 | Dic株式会社 | 电阻率值调整装置和电阻率值调整方法 |
US11542185B2 (en) | 2016-08-12 | 2023-01-03 | Dic Corporation | Resistivity adjustment device and resistivity adjustment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130141428A (ko) | 2013-12-26 |
EP2593580A4 (en) | 2013-12-04 |
US10161567B2 (en) | 2018-12-25 |
EP2593580B1 (en) | 2020-05-06 |
WO2012008954A1 (en) | 2012-01-19 |
US20130153045A1 (en) | 2013-06-20 |
KR101728933B1 (ko) | 2017-05-02 |
JP2013532391A (ja) | 2013-08-15 |
EP2593580A1 (en) | 2013-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5683697B2 (ja) | プロセスチャンバの圧力制御システムおよび制御方法 | |
JP5455371B2 (ja) | ターボポンプを使用する広範囲圧力制御 | |
JP4954995B2 (ja) | マルチ・チャンバ・ツールのためのオゾン・システム | |
KR102575610B1 (ko) | 초크 유동에 기반한 질량 유량 검증을 위한 방법들, 시스템들 및 장치 | |
TW200405401A (en) | Thermal processing apparatus and method for evacuating a process chamber | |
JP6678489B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5029303B2 (ja) | 処理ガスの供給方法、処理ガスの供給システム及び被処理体の処理システム | |
JP2004510221A (ja) | 環境が制御されたチャンバ内で圧力を維持するための装置及び方法 | |
TWI575349B (zh) | 流動比率控制器組件、氣體輸送系統及其操作方法 | |
KR20020032341A (ko) | 기상 증착 방법 및 장치 | |
JPWO2015064035A1 (ja) | 圧力式流量制御装置 | |
CN111599718B (zh) | 背压气路装置、反应腔室基座背压控制方法及反应腔室 | |
JP2008248395A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の調圧方法 | |
WO2024043993A1 (en) | System and method for controlling foreline pressure | |
US20120000607A1 (en) | Mass flow control system, plasma processing apparatus, and flow control method | |
CN112768332B (zh) | 一种气体输送系统及半导体处理装置 | |
JP2002363755A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の調圧方法 | |
KR101889379B1 (ko) | 유량제어시스템 | |
CN117912983A (zh) | 半导体热处理设备气路系统及半导体热处理设备 | |
JP2013227613A (ja) | ガス導入装置 | |
KR20050108938A (ko) | 세정용 산소가스 공급라인을 별도로 구비하는 플라즈마강화 cvd장치 | |
KR19990032974A (ko) | 반도체 제조장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140624 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20140714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20140714 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140924 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141001 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141024 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5683697 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |