KR20050108938A - 세정용 산소가스 공급라인을 별도로 구비하는 플라즈마강화 ｃｖｄ장치 - Google Patents

세정용 산소가스 공급라인을 별도로 구비하는 플라즈마강화 ｃｖｄ장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조장치 중 플라즈마 강화 화학증착장치에 있어, 세정용 산소가스 공급라인을 별도로 구비하는 플라즈마 강화 화학증착장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 반응챔버에 적어도 한가지 반응가스를 공급하는 반응가스 공급파이프, 상기 파이프에 연결되어 박막증착용 산소가스를 공급하는 프로세스라인, 상기 파이프에 연결되어 세정용 산소가스를 공급하는 클리닝라인; 및 상기 프로세스라인과 상기 클리닝라인에 설치되어 산소가스의 유량을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 강화 CVD장치에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 강화 CVD장치를 사용하면, 산소가스 공급라인의 매스플로우콘트롤러가 제어하는 유량을 타임아웃 내에 1/10 또는 10배로 변화시킬 필요없이, 프로세스 모듈과 세정모듈에서 요구되는 산소가스를 공급할 수 있다. 이것은 산소가스가 진공의 반응챔버 내에서 미세입자 공급원으로 작용하게 되는 것을 막을 수 있다.

Description

세정용 산소가스 공급라인을 별도로 구비하는 플라즈마 강화 ＣＶＤ장치{plasma-enhanced chemical vapor deposition equipped with cleaning oxygen gas line}
본 발명은 반도체 제조장치 중 플라즈마 강화 화학증착시스템에 있어, 세정용 산소가스 공급라인을 별도로 구비하는 플라즈마 강화 화학증착시스템에 관한 것이다.
플라즈마 강화 화학증착장치(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD)는 화학증착장치(chemical vapor deposition, CVD)의 한 변형예이다. PE-CVD는 하나 이상의 처리용 가스가 가스 플라즈마로 이온화되어 반응챔버에 에너지를 제공하는 것이다. PE-CVD는 처리온도와 보통의 CVD에서 적절한 반응에 일반적으로 필요한 열 에너지량을 낮추기 때문에 바람직하다.
플라즈마 강화 CVD장치에는 지너스 시스템(Genus system), 노벨러스 시스템(Novellus system), 피-5000 시스템(P-5000 system) 등과 같이 여러 종류가 있다. 이 중에서 노벨러스 시스템은 400℃의 낮은 온도에서 프로세스를 진행하는 플라즈마 강화 CVD장치이다.
도1은 종래의 플라즈마 강화 CVD장치의 개략도이다. 즉, 진공의 반응챔버(60)와, 반응가스를 미리 플라즈마 상태로 상기 반응챔버(60)로 유입시키는 마이크로웨이브가이드(90)와, 가스확산기(80 및 82)와, 기판을 안착할 수 있는 서셉터(62)로 구성되어져 있다. 반응가스는 가스확산기(80 및 82)를 통해 반응챔버(60) 내부로 공급되는데, 상기 가스확산기(80 및 82)는 반응가스를 공급할 수 있는 반응가스 공급파이프(98)가 연결되어 있다. 이 반응가스 공급 파이프(98)에는 자연가스 상태의 불소계가스를 공급할 수 있는 라인이 연결되어 있으며, 스위칭밸브(92a) 및 매스플로우콘트롤러(MFC)(94a)가 설치되어 불소계가스의 공급량을 제어할 수 있다. 한편, 반응가스 공급파이프(98)에는 플라즈마로 여기된 상태로 가스를 공급하기 위하여 플라즈마를 발생시키는 마이크로웨이브 가이드(90)가 중간에 설치되며, 질소가스, 산소가스, 수소가스, 아르곤가스 및 NF3 가스가 각기 매스플로우콘트롤러(94b, 94c, 94d, 94e, 94f)와 스위칭밸브(92b, 92c, 92d, 92e, 92f)에 의해 그 공급량이 제어되면서 공급된다.
배기구는 반응챔버(60)의 하단부에 설치되며, 반응챔버(60)를 진공상태로 유지하기 위해 반응챔버(60) 내부의 가스 등 공기를 배기하기 위한 통로로써, 상기 배기구에는 파이프(84)가 연결되어 있으며, 이 파이프(84)에는 스위칭밸브(86)와 진공펌프(88)가 설치되어 있다.
매스플로우콘트롤러(MFC:Mass Flow Controller)는 반도체공정 등의 분야에서 부식성 가스 등의 공급량을 정밀하게 제어하는 유량측정 장비이다. 기체는 분자 구조상 온도와 압력에 의하여 수축, 팽창이 쉽게 발생하여 일반적인 유량계로 측정할 경우 압력과 온도를 일정하게 유지 시켜야 정확한 측정값을 얻을 수 있다. 측정 중 압력 혹은 온도의 변화가 있을 경우 공식에 의하여 유량값을 계산하여야 되는데, 이 기체용 매스플로우콘트롤러는 이러한 번거러움 없이 압력, 온도의 변화에도 별도의 계산 없이 고정도의 측정값을 얻을 수 있다.
상기 플라즈마 강화 CVD장치에서도 각 반응가스 공급라인의 매스플로우콘트롤러는 공급되는 가스의 용량을 제어한다. 플라즈마 강화 CVD장치에서 산소가스는 기판에 박막을 증착시키는 프로세스 모듈 및 기판의 불순물을 제거하는 세정모듈에서 모두 사용된다. 그러나, 프로세스 모듈에서는 11000SCCM(유량부피단위, 질소기준으로 1SCCM은 1㎤에 해당)의 산소가스가 사용되고, 세정모듈에서는 1400SCCM의 산소가스가 사용된다. 이렇게 두 모듈에서 요구되는 산소가스의 용량에 큰 차이가 나는 것은, 산소가스 공급라인에 설치되어 공급되는 가스의 유량을 제어하는 매스플로우콘트롤러의 동작에 무리를 주게 된다.
매스플로우콘트롤러는 제어할 수 있는 유량이 정해져 있고, 그 유량 근처의 값을 정확히 제어할 수 있는 것이기 때문이다. 따라서, 시중에 판매되는 매스플로우콘트롤러는 20000SCCM, 15000SCCM과 같이 제어하는 유량값이 정해져 있다.
종래 노벨러스 시스템은 20000SCCM의 매스플로우콘트롤러를 사용하여 프로세스모듈에서 요구되는 산소가스11000SCCM와 세정모듈에서 요구되는 산소가스 1400SCCM을 동시에 제어하게 하였다.
그러나, 매스플로우콘트롤러가 용량 차이가 큰 유량을 동시에 제어하는 과정에서 플로우 헌팅(flow hunting) 및 유량이 정확하게 제어되지 못하는 에러가 발생하게 된다.
매스플로우콘트롤러는 정해진 시간(time out) 내에 유량을 조절하여 가스를 흘려보낸다. 따라서, 타임아웃 내에 유량이 정확히 조절되지 못할 경우에는 정확한 양의 가스가 흐르지 못하고, 그보다 더하거나 덜한 양의 가스가 흘려보내지게 된다.
이런 문제는 매스플로우콘트롤러가 제어하는 유량의 차이가 클수록 심각해지는 것은 당연히 예상되는 바이다.
이렇게 부정확한 양의 반응가스가 공급되면 반응가스는 진공의 반응챔버 내에 미세입자 공급원(particle source)으로 작용하여 반응챔버는 물론 기판 오염의 원인이 된다.
따라서, 본 발명은 플라즈마 강화 CVD장치에서 산소가스 공급라인을 프로세스 라인과 세정라인으로 분리하므로써, 프로세스모듈과 세정모듈에서 공급되는 유량의 제어를 용이하고 정확하게 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반응챔버 내에 정확한 양의 산소가스가 공급됨에 따라, 여분의 산소가스가 미세입자로 작용할 수 있는 여지가 제거되어 정밀한 공정의 수행이 가능하게 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반응챔버에 적어도 한가지 반응가스를 공급하는 반응가스 공급파이프, 상기 파이프에 연결되어 박막증착용 산소가스를 공급하는 프로세스라인(도2에서 92c 및 94c가 설치된 라인), 상기 파이프에 연결되어 세정용 산소가스를 공급하는 클리닝라인(도2에서 92g 및 94g가 설치된 라인); 및 상기 프로세스라인과 상기 클리닝라인에 설치되어 산소가스의 유량을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 강화 CVD장치를 제공한다.
상기 제어부는 상기 프로세스라인에 설치되는 프로세스 매스플로우콘트롤러 및 상기 클리닝라인에 설치되는 클리닝 매스플로우콘트롤러이다.
도2는 본 발명의 플라즈마 강화 CVD장치를 도시한 것이다. 다수개의 반응가스 공급라인과 연결되어 있는 반응가스 공급파이프(98)는 산소가스 공급라인을 프로세스라인과 클리닝라인으로 나누어 별도로 구비하고 있다. 또한, 상기 프로세스라인과 클리닝라인에는 각각의 매스플로우콘트롤러(94c 및 94g) 및 스위칭밸브(94c 및 94g)가 설치되어 있다.
프로세스라인에 설치된 프로세스 매스플로우콘트롤러(94c)는 15000 내지 20000SCCM 용량의 유량을 제어하는 것으로 하고, 클리닝라인에 설치된 클리닝 매스플로우콘트롤러(94g)는 1500 내지 2000SCCM용량의 유량을 제어하는 것이 바람직하다.
이것은 프로세스모듈에서 요구되는 산소가스의 양 11000SCCM과 세정모듈에서 요구되는 산소가스의 양 1400SCCM에 맞추어 선택된 것이다.
즉, 프로세스라인과 클리닝라인의 매스플로우콘트롤러는 각 라인에 공급되는 가스의 용량에 맞는 것으로 설치된다.
따라서, 프로세스모듈에서 사용되는 10000SCCM단위의 산소가스를 공급하는 프로세스라인은 프로세스 매스콘트롤러에 의해, 세정모듈에서 사용되는 1000SCCM단위의 산소가스를 공급하는 클리닝라인은 클리닝 매스콘트롤러에 의해 유량이 제어된다. 상기 각 매스플로우콘트롤러는 일정한 유량을 제어하게 되므로, 타임아웃 내에 1/10 또는 10배로 제어하는 유량을 변화시키는 과정이 필요없다.
본 발명의 플라즈마 강화 CVD장치를 사용하면, 프로세스 모듈과 세정모듈에서 요구되는 산소가스를 정확한 양으로 공급할 수 있다.
이것은 부정확하게 공급된 산소가스로 인해 진공의 반응챔버 내에서 산소가스가 미세입자로 작용하게 되는 것을 막을 수 있다. 즉, 산소 미세입자가 반응챔버 또는 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
도1은 종래의 플라즈마 강화 CVD장치의 개략도이다.
도2는 본 발명의 플라즈마 강화 CVD 장치의 개략도이다.
도면 부호에 대한 설명
60: 반응챔버 62: 서셉터 80 및 82: 가스확산기
90: 마이크로웨이브가이드 98: 반응가스 공급파이프
92a, 92b, 92c, 92d, 92e, 92f, 92g: 스위칭밸브
94a, 94b, 94c, 94d, 94e, 94f, 94g: 매스플로우콘트롤러(MFC)
84: 파이프 86: 스위칭밸브 88: 진공펌프

Claims (3)

  1. 반응챔버에 적어도 한가지 반응가스를 공급하는 파이프;
    상기 파이프에 연결되어 박막증착용 산소가스를 공급하는 프로세스라인;
    상기 파이프에 연결되어 세정용 산소가스를 공급하는 클리닝라인; 및
    상기 프로세스라인과 상기 클리닝 라인에 설치되어 산소가스의 유량을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 강화 CVD장치.
  2. 제 1 항에서, 상기 제어부는 상기 프로세스라인에 설치되는 프로세스 매스플로우콘트롤러 및 상기 클리닝라인에 설치되는 클리닝 매스플로우콘트롤러로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 강화 CVD장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에서, 상기 프로세스 매스플로우콘트롤러는 15000 내지 20000SCCM 용량의 유량을 제어하고, 상기 클리닝 매스플로우콘트롤러는 1500 내지 2000SCCM용량의 유량을 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 강화 CVD장치.
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KR20200073153A (ko) * 2018-12-13 2020-06-23 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 표면 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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