KR20220050271A - 기판 제조 장치 및 그의 제어 방법 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 139
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N2015/1021—Measuring mass of individual particles
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N2015/1029—Particle size
-
- G01N2015/1043—
-
- G01N2015/1087—
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명은 기판 제조 장치 및 그의 제어 방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 캐리어 가스를 공급하는 제 1 캐리어 가스 공급부와, 전구체 용액을 공급하는 전구체 용액 공급부와, 전구체 용액을 기화시켜 전구체 가스를 생성하는 기화기와, 기판의 제조 공정을 수행하는 챔버와, 기화기를 챔버에 연결하는 공급 배관과, 챔버 내의 반응 후 가스를 펌핑하는 펌프와, 펌프를 상기 챔버에 연결하는 배기 배관과, 공급 배관으로부터 분기되고, 챔버를 우회하여 배기 배관에 연결되는 우회 배관과, 우회 배관에 연결되고, 전구체 가스의 액적 크기를 측정하여 상기 전구체 가스를 액적 크기에 근거하여 챔버 내에 제공하시키는 입자 측정기를 포함한다.
Description
본 발명은 기판 제조 장치 및 그의 제어 방법에 관한 것으로, 상세하게는 박막을 증착하는 기판 제조 장치 및 그의 제어 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 방법은 박막 증착 공정, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 박막 증착 공정은 기판 상에 박막을 형성하는 공정일 수 있다. 예를 들어, 박막 증착 공정은 화학기상증착방법 및 물리기상증착방법을 포함할 수 있다. 화학기상증착방법은 전구체 가스와 반응 가스를 이용하여 박막을 형성하는 방법일 수 있다. 전구체 가스와 반응 가스는 기판 상에서 반응되어 박막을 형성하고 반응 후 가스를 생성할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 불량 발생을 억제할 수 있는 기판 제조 장치 및 그의 제어 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 기판 제조 장치를 개시한다. 그의 장치는, 제 1 캐리어 가스를 공급하는 제 1 캐리어 가스 공급부; 상기 제 1 캐리어 가스에 의해 기화되는 전구체 용액을 공급하는 전구체 용액 공급부; 상기 제 1 캐리어 가스 공급부 및 상기 전구체 용액 공급부에 연결되고, 상기 제 1 캐리어 가스를 이용하여 상기 전구체 용액을 기화시켜 전구체 가스를 생성하는 기화기; 상기 전구체 가스를 이용하여 기판의 제조 공정을 수행하는 챔버; 상기 기화기를 상기 챔버에 연결하고, 상기 기화기 내의 상기 전구체 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 공급 배관; 상기 챔버 내의 상기 전구체 가스의 반응 후 가스를 펌핑하는 펌프; 상기 펌프를 상기 챔버에 연결하여 상기 챔버 내의 상기 반응 후 가스를 상기 펌프에 배기시키는 배기 배관; 상기 공급 배관으로부터 분기되고, 상기 챔버를 우회하여 상기 배기 배관에 연결되는 우회 배관; 및 상기 우회 배관에 연결되고, 상기 전구체 가스의 액적 크기를 측정하여 상기 전구체 가스를 상기 액적 크기에 근거하여 상기 챔버 내에 제공시키는 입자 측정기를 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 기판 제조 장치의 제어 방법은, 제 1 캐리어 가스를 기화기 내에 제공하는 단계; 상기 제 1 캐리어 가스에 의해 기화되는 전구체 용액을 상기 기화기 내에 제공하는 단계; 상기 전구체 용액을 기화시켜 전구체 가스를 생성하는 단계; 상기 전구체 가스의 액적 크기를 측정하는 단계; 상기 액적 크기가 문턱 값보다 작은지를 판별하는 단계; 및 상기 액적 크기가 상기 문턱 값 이상으로 클 경우, 상기 기화기의 온도 또는 상기 제 1 캐리어 가스의 유량을 증가하는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 개념에 따른 기판 제조 장치는 전구체 가스의 액적 크기를 측정하는 입자 측정기를 이용하여 문턱 값보다 작은 액적 크기의 전구체 가스를 챔버 내에 제공하여 불량 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 기판 제조 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 제조 장치의 제어 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 3은 도 1의 전구체 가스의 액적 크기에 따른 불량의 발생 개수를 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 1의 기화기의 온도에 따른 전구체 용액의 기화 효율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 1의 기판 제조 장치의 제어 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 6은 도 1의 제 1 캐리어 가스의 유량에 따른 전구체 용액의 기화 효율을 보여주는 그래프이다.
도 2는 도 1의 기판 제조 장치의 제어 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 3은 도 1의 전구체 가스의 액적 크기에 따른 불량의 발생 개수를 보여주는 그래프이다.
도 4는 도 1의 기화기의 온도에 따른 전구체 용액의 기화 효율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 도 1의 기판 제조 장치의 제어 방법의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 6은 도 1의 제 1 캐리어 가스의 유량에 따른 전구체 용액의 기화 효율을 보여주는 그래프이다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 기판 제조 장치(100)의 일 예를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 제조 장치(100)는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 장치일 수 있다. 일 예로, 본 발명의 기판 제조 장치(100)는 제 1 캐리어 가스 공급부(10), 제 2 캐리어 가스 공급부(20), 전구체 용액 공급부(30), 기화기(40), 반응 가스 공급부(50), 챔버(60), 펌프(70), 입자 측정기(80) 및 제어부(90)를 포함할 수 있다.
제 1 캐리어 가스 공급부(10)는 기화기(40)에 연결될 수 있다. 제 1 캐리어 가스 공급부(10)는 제 1 캐리어 가스(12)를 기화기(40)에 공급할 수 있다. 예를 들어, 제 1 캐리어 가스 공급부(10)는 제 1 캐리어 가스(12)의 저장 탱크일 수 있다. 제 1 캐리어 가스(12)는 아르곤(Ar) 가스를 포함할 수 있다. 제 1 캐리어 가스 공급부(10)와 기화기(40) 사이에 제 1 유량 조절기(14)가 제공될 수 있다. 제 1 유량 조절기(14)는 제 1 캐리어 가스(12)의 공급 유량을 제어할 수 있다.
제 2 캐리어 가스 공급부(20)는 전구체 용액 공급부(30)에 연결될 수 있다. 제 2 캐리어 가스 공급부(20)는 제 2 캐리어 가스(22)를 전구체 용액 공급부(30) 내에 제공할 수 있다. 제 2 캐리어 가스 공급부(20)는 제 2 캐리어 가스 (22)의 저장 탱크일 수 있다. 제 2 캐리어 가스(22)는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다.
전구체 용액 공급부(30)는 제 2 캐리어 가스 공급부(20)와 기화기(40) 사이에 연결될 수 있다. 전구체 용액 공급부(30)는 제 2 캐리어 가스(22)를 이용하여 전구체 용액(32)을 기화기(40)에 공급할 수 있다. 전구체 용액 공급부(30)는 전구체 용액(32)의 저장 탱크일 수 있다. 제 2 캐리어 가스(22)가 전구체 용액 공급부(30) 내에 제공되면, 전구체 용액 공급부(30)는 제 2 캐리어 가스(22)에 비례하여 전구체 용액(32)을 기화기(40)에 제공할 수 있다. 전구체 용액(32)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 용액을 포함할 수 있다. 전구체 용액 공급부(30)와 기화기(40) 사이에 제 2 유량 조절기(34)가 제공될 수 있다. 제 2 유량 조절기(34)는 전구체 용액(32)의 공급 유량을 제어할 수 있다.
기화기(40)는 전구체 용액 공급부(30)와 챔버(60) 사이에 연결될 수 있다. 또한, 기화기(40)는 제 1 캐리어 가스 공급부(10)와 챔버(60) 사이에 연결될 수 있다. 기화기(40)는 제 1 캐리어 가스(12)를 이용하여 전구체 용액(32)을 기화시켜 전구체 가스(42)를 생성할 수 있다. 전구체 가스(42)는 TEOS 스프레이를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 기화기(40)는 전구체 용액(32) 및 전구체 가스(42)를 가열하는 히터를 구비할 수 있다. 예를 들어, 기화기(40)는 전구체 용액(32) 및 전구체 가스(42)를 약 100℃ 이상으로 가열할 수 있다.
기화기(40)와 챔버(60) 사이에 공급 배관(46)이 제공될 수 있다. 공급 배관(46)은 기화기(40)를 챔버(60)에 연결할 수 있다. 공급 배관(46)은 기화기(40) 내의 전구체 가스(42)를 챔버(60) 내에 제공할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 전구체 가스(42)는 공급 배관(46) 내에서 제 1 캐리어 가스(12)와 혼합되어 챔버(60) 내에 제공될 수 있다. 공급 배관(46)에 공급 밸브(44)가 제공될 수 있다. 공급 밸브(44)는 전구체 가스(42)의 공급을 제어할 수 있다.
반응 가스 공급부(50)는 챔버(60)에 연결될 수 있다. 반응 가스 공급부(50)는 반응 가스(52)를 챔버(60) 내에 제공할 수 있다. 예를 들어, 반응 가스(52)는 산소(O2) 또는 오존(O3)을 포함할 수 있다. 반응 가스(52)는 챔버(60) 내에서 전구체 가스(42)와 반응하여 기판(W) 상에 박막(ex, SiO2)을 증착시킬 수 있다. 반응 가스 공급부(50)와 챔버(60) 사이에 제 3 유량 조절기(54)가 제공될 수 있다. 제 3 유량 조절기(54)는 반응 가스(52)의 유량을 제어할 수 있다.
챔버(60)는 기화기(40)와 펌프(70) 사이에 연결될 수 있다. 챔버(60)는 기판(W)에 대해 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 챔버(60)는 반응 가스(52) 및 전구체 가스(42)를 이용하여 기판(W)의 제조 공정을 수행할 수 있다. 챔버(60)는 반응 가스(52) 및 전구체 가스(42)를 이용하여 기판(W) 상에 박막(ex, SiO2)을 형성시킬 수 있다. 챔버(60)는 히터 척(62) 및 샤워헤드(64)를 포함할 수 있다. 히터 척(62)은 기판(W)을 수납할 수 있다. 히터 척(62)은 기판(W)을 전구체 가스(42)와 유사한 온도로 가열할 수 있다. 예를 들어, 히터 척(62)은 기판(W)을 약 100℃ 이상으로 가열할 수 있다.
샤워헤드(64)는 히터 척(62) 상에 배치될 수 있다. 샤워헤드(64)는 기화기(40) 및 반응 가스 공급부(50)에 연결될 수 있다. 샤워헤드(64)는 기판(W) 상에 전구체 가스(42) 및 반응 가스(52)를 제공할 수 있다. 전구체 가스(42) 및 반응 가스(52)는 그들의 화학적 반응에 의해 기판(W) 상에 박막(ex, SiO2)을 형성시킬 수 있다.
펌프(70)는 챔버(60)에 연결될 수 있다. 펌프(70)는 챔버(60) 내의 반응 가스(52)와 전구체 가스(42)의 반응 후 가스(72)를 펌핑할 수 있다. 펌프(70)와 챔버(60) 사이에 배기 배관(74)이 제공될 수 있다. 배기 배관(74)은 펌프(70)를 챔버(60)에 연결할 수 있다. 배기 배관(74)은 챔버(60) 내의 반응 후 가스(72)는 펌프(70)로 배기시킬 수 있다. 도시되지는 않았지만, 반응 후 가스(72)는 펌프(70)에 연결된 스크러버(scrubber)를 통해 정화된 후에 대기 중에 방출될 수 있다.
공급 배관(46)과 배기 배관(74) 사이에 우회 배관(bypass line, 82)이 연결될 수 있다. 우회 배관(82)은 공급 밸브(44)와 기화기(40) 사이의 공급 배관(46)으로부터 분기되어 배기 배관(74)에 다시 연결될 수 있다. 우회 배관(82)은 챔버(60)를 우회하여 기화기(40)를 펌프(70)에 연결시킬 수 있다. 우회 배관(82)은 전구체 가스(42)를 챔버(60)에 우회하여 펌프(70)로 배기시킬 수 있다. 기화기(40)에 인접하는 우회 배관(82)에 우회 밸브(84)가 제공될 수 있다. 우회 밸브(84)는 우회 배관(82)을 통해 챔버(60)에 우회되는 전구체 가스(42)를 제어할 수 있다.
입자 측정기(80)는 우회 밸브(84)와 펌프(70) 사이의 우회 배관(82)에 체결될 수 있다. 입자 측정기(80)는 전구체 가스(42)의 액적 크기를 측정할 수 있다. 예를 들어, 입자 측정기(80)는 질량 분석기를 포함할 수 있다. 도시되지 않았지만, 입자 측정기(80)는 전구체 가스(42)를 전기적으로 대전 및 가속시키고, 상기 전구체 가스(42)의 궤적을 측정하여 상기 전구체 가스(42)의 질량 및 액적 크기를 측정할 수 있다.
제어부(90)는 제 1 유량 조절기(14), 제 2 유량 조절기(34), 제 3 유량 조절기(54), 기화기(40), 공급 밸브(44), 우회 밸브(84), 및 입자 측정기(80)에 연결될 수 있다. 제어부(90)는 제 1 캐리어 가스(12), 전구체 용액(32), 및 전구체 가스(42), 및 반응 가스(52)의 유량을 제어할 수 있다. 제어부(90)는 입자 측정기(80)의 측정 신호를 이용하여 전구체 가스(42)의 액적 크기를 판별할 수 있다. 그리고, 제어부(90)는 전구체 가스(42)의 액적 크기에 근거하여 기화기(40)의 온도 및/또는 제 1 캐리어 가스(12)의 유량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(90)는 기화기(40)의 온도를 증가시켜 전구체 가스(42)의 액적 크기를 감소시킬 수 있다. 또한, 제어부(90)는 제 1 캐리어 가스(12)의 유량을 증가시켜 전구체 가스(42)의 액적 크기를 감소시킬 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 기판 제조 장치(100)의 제어 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 2는 도 1의 기판 제조 장치(100)의 제어 방법의 일 예를 보여준다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제 1 캐리어 가스 공급부(10)는 캐리어 가스(12)를 기화기(40) 내에 제공한다(S10). 제 1 유량 조절기(14)는 제 1 캐리어 가스(12)의 유량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제 1 캐리어 가스(12)는 약 1L/min 내지 약 4L/min 유량으로 기화기(40) 내에 제공될 수 있다.
다음, 전구체 용액 공급부(30)는 전구체 용액(32)을 기화기(40) 내에 제공한다(S20). 제 2 유량 조절기(34)는 전구체 용액(32)의 유량을 제어할 수 있다. 전구체 용액(32)은 약 1L/min의 유량으로 기화기(40) 내에 제공될 수 있다. 전구체 용액(32)의 유량은 제 2 캐리어 가스 공급부(20)의 제 2 캐리어 가스(22)의 유량 및/또는 압력에 비례하여 증가할 수 있다.
기화기(40)는 제 1 캐리어 가스(12)를 이용하여 전구체 용액(32)을 기화시켜 전구체 가스(42)를 생성한다(S30). 기화기(40)는 제 1 캐리어 가스(12)를 이용하여 전구체 용액(32)을 기화시킬 수 있다. 기화기(40)는 제 1 캐리어 가스(12) 및 전구체 용액(32)을 약 100℃ 이상으로 가열할 수 있다. 전구체 가스(42)는 우회 배관(82)을 통해 입자 측정기(80)에 제공될 수 있다. 공급 밸브(44)는 닫혀지고, 우회 밸브(84)는 열릴 수 있다. 전구체 가스(42)는 우회 배관(82)을 통해 입자 측정기(80)에 제공될 수 있다.
입자 측정기(80)는 전구체 가스(42)의 액적 크기를 측정한다(S40). 입자 측정기(80)는 전구체 가스(42)의 질량을 분석하여 그의 액적 크기를 측정할 수 있다. 전구체 가스(42)는 그의 액적 크기에 따라, 기판(W) 상에 불량(ex, 방울 불량(droplet defects))을 유발할 수 있다.
도 3은 도 1의 전구체 가스(42)의 액적 크기에 따른 불량의 발생 개수를 보여준다.
도 3을 참조하면, 약 1㎛ 이상의 액적 크기를 갖는 전구체 가스(42)는 기판(W) 상에 불량을 발생시킬 수 있었다. 약 1㎛ 보다 작은 액적 크기를 갖는 전구체 가스(42)는 불량을 발생시키지 않을 수 있었다. 따라서, 약 1㎛의 액적 크기는 불량 판단 기준의 문턱 값(48)으로 설정될 수 있다.
제어부(90)는 입자 측정기(80)의 액적 크기의 측정 신호를 이용하여 전구체 가스(42)의 액적 크기가 문턱 값(48)보다 작은지를 판별한다(S50).
전구체 가스(42)의 액적 크기가 문턱 값(48) 이상으로 클 경우, 제어부(90)는 기화기(40)의 온도를 증가시킨다(S60). 기화기(40)의 온도가 증가된 후에 “S30” 단계 내지 “S50” 단계는 다시 수행될 수 있다.
도 4는 도 1의 기화기(40)의 온도에 따른 전구체 용액(32)의 기화 효율을 보여준다.
도 4를 참조하면, 전구체 용액(32)의 기화 효율은 기화기(40)의 온도에 비례하여 증가할 수 있었다. 기화기(40)의 온도가 150℃ 이상으로 증가하면, 전구체 용액(32)의 기화 효율은 약 98% 이상으로 증가할 수 있었다. 전구체 용액(32)의 기화 효율이 증가하면, 전구체 가스(42)의 액적 크기는 감소하고 불량 발생은 억제될 수 있었다. 따라서, 제어부(90)는 기화기(40)를 150℃ 이상으로 가열하여 전구체 가스(42)의 액적 크기를 감소시키고 불량 발생을 억제할 수 있다. 여기서, 기화 효율은 전구체 용액(32)이 전구체 가스(42)로 변환되는 효율일 수 있다. 구체적으로, 기화 효율은 제 2 유량 조절기에서 측정되는 전구체 용액(32)의 질량 대비, 입자 측정기(80)에서 측정된 전구체 가스(42)의 질량의 비율일 수 있다.
전구체 가스(42)의 액적 크기가 문턱 값(48)보다 작으면, 전구체 가스(42)를 챔버(60) 내에 제공한다(S70). 공급 밸브(44)는 열리고, 우회 밸브(84)는 닫힐 수 있다. 챔버(60)의 샤워헤드(64)는 전구체 가스(42)를 기판(W) 상에 제공할 수 있다.
다음, 반응 가스 공급부(50)는 반응 가스(52)를 챔버(60) 내에 제공한다(S80). 반응 가스(52)는 챔버(60) 내의 기판(W) 상에 제공될 수 있다. 반응 가스(52)는 전구체 가스(42)와 반응하여 기판(W) 상에 박막(ex, SiO2))을 형성할 수 있다.
도 5는 도 1의 기판 제조 장치(100)의 제어 방법의 일 예를 보여준다.
도 5를 참조하면, 기판 제조 장치(100)의 제조 방법은 전구체 가스(42)의 액적 크기가 문턱 값(48)보다 클 때, 제 1 캐리어 가스(12)의 유량을 증가하는 단계(S90)를 더 포함할 수 있다. 제 1 캐리어 가스(12)의 유량이 증가된 후, “S10” 단계 내지 “S50” 단계는 다시 수행될 수 있다.
제 1 캐리어 가스(12)를 제공하는 단계(S10), 전구체 용액(32)을 제공하는 단계(S20), 전구체 가스(42)를 생성하는 단계(S30), 전구체 가스(42)의 액적 크기를 측정하는 단계(S40), 전구체 가스(42)의 액적 크기가 문턱 값(48)보다 작은지를 판별하는 단계(S50), 전구체 가스(42)를 챔버(60) 내에 제공하는 단계(S70), 및 반응 가스(52)를 챔버(60) 내에 제공하는 단계(S80)는 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.
도 6은 도 1의 제 1 캐리어 가스(12)의 유량에 따른 전구체 용액(32)의 기화 효율을 보여준다.
도 6을 참조하면, 전구체 용액(32)의 기화 효율은 기화기(40)에 제공되는 제 1 캐리어 가스(12)의 유량에 비례하여 증가할 수 있었다. 전구체 용액(32)은 기화기(40) 내에 약 1L/min의 유량으로 제공될 수 있다. 제 1 캐리어 가스(12)의 유량이 약 3L/min 이상으로 증가되면, 전구체 용액(32)의 기화 효율은 약 98% 이상으로 증가될 수 있었다. 전구체 용액(32)의 기화 효율이 증가되면, 전구체 가스(42)의 액적 크기는 감소하고 불량 발생은 억제될 수 있었다. 따라서, 제어부(90)는 제 1 캐리어 가스(12)의 유량을 약 3L/min 이상으로 증가시켜 전구체 가스(42)의 액적 크기를 감소시키고 불량 발생을 억제할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (10)
- 제 1 캐리어 가스를 공급하는 제 1 캐리어 가스 공급부;
상기 제 1 캐리어 가스에 의해 기화되는 전구체 용액을 공급하는 전구체 용액 공급부;
상기 제 1 캐리어 가스 공급부 및 상기 전구체 용액 공급부에 연결되고, 상기 제 1 캐리어 가스를 이용하여 상기 전구체 용액을 기화시켜 전구체 가스를 생성하는 기화기;
상기 전구체 가스를 이용하여 기판의 제조 공정을 수행하는 챔버;
상기 기화기를 상기 챔버에 연결하고, 상기 기화기 내의 상기 전구체 가스를 상기 챔버 내에 공급하는 공급 배관;
상기 챔버 내의 상기 전구체 가스의 반응 후 가스를 펌핑하는 펌프;
상기 펌프를 상기 챔버에 연결하여 상기 챔버 내의 상기 반응 후 가스를 상기 펌프에 배기시키는 배기 배관;
상기 공급 배관으로부터 분기되고, 상기 챔버를 우회하여 상기 배기 배관에 연결되는 우회 배관; 및
상기 우회 배관에 체결되고, 상기 전구체 가스의 액적 크기를 측정하여 상기 전구체 가스를 상기 액적 크기에 근거하여 상기 챔버 내에 제공시키는 입자 측정기를 포함하는 기판 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 기화기 및 상기 입자 측정기에 연결된 제어부를 더 포함하되,
상기 제어부는 상기 전구체 가스의 상기 액적 크기에 근거하여 상기 기화기의 온도, 또는 상기 제 1 캐리어 가스의 유량을 제어하는 기판 제조 장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 공급 배관에 체결되어 상기 공급 배관 내의 상기 전구체 가스를 제어하는 공급 밸브; 및
상기 공급 배관과 상기 입자 측정기 사이의 상기 우회 배관에 체결되어 상기 우회 배관 내의 상기 전구체 가스를 제어하는 우회 밸브를 더 포함하는 기판 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전구체 용액 공급부에 연결되고, 상기 전구체 용액 공급부에 제 2 캐리어 가스를 제공하는 제 2 캐리어 가스 공급부를 더 포함하는 기판 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 입자 측정기는 질량 분석기를 포함하는 기판 제조 장치.
- 제 1 캐리어 가스를 기화기 내에 제공하는 단계;
상기 제 1 캐리어 가스에 의해 기화되는 전구체 용액을 상기 기화기 내에 제공하는 단계;
상기 전구체 용액을 기화시켜 전구체 가스를 생성하는 단계;
상기 전구체 가스의 액적 크기를 측정하는 단계;
상기 액적 크기가 문턱 값보다 작은지를 판별하는 단계; 및
상기 액적 크기가 상기 문턱 값 이상으로 클 경우, 상기 기화기의 온도 또는 상기 제 1 캐리어 가스의 유량을 증가하는 단계를 포함하는 기판 제조 장치의 제어 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 문턱 값은 1㎛인 기판 제조 장치의 제어 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 액적 크기가 상기 문턱 값보다 작으면, 상기 전구체 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계; 및
상기 전구체 가스와 반응하는 반응 가스를 상기 챔버 내에 제공하는 단계를 더 포함하는 기판 제조 장치의 제어 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 기화기의 온도는 150℃ 이상으로 증가되는 기판 제조 장치의 제어 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 캐리어 가스의 유량은 3L/min 이상으로 증가되는 기판 제조 장치의 제어 방법.
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2020
- 2020-10-15 KR KR1020200133414A patent/KR20220050271A/ko not_active Application Discontinuation
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