JPH1126552A - 半導体装置製造設備及びこれの駆動方法 - Google Patents

半導体装置製造設備及びこれの駆動方法

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JPH1126552A
JPH1126552A JP10077712A JP7771298A JPH1126552A JP H1126552 A JPH1126552 A JP H1126552A JP 10077712 A JP10077712 A JP 10077712A JP 7771298 A JP7771298 A JP 7771298A JP H1126552 A JPH1126552 A JP H1126552A
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high vacuum
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line
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潤 植 楊
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は低真空状態で運用されるロードロッ
クチャンバーと高真空状態で運用される前記ロードロッ
クチャンバー及び工程チャンバーの間に位置するゲート
バルブを備えた半導体装置製造設備及びこれの駆動方法
に関するものである。 【解決手段】 本発明による半導体装置製造設備は、低
真空ポンプに連結され低真空状態が形成されるロードロ
ックチャンバー、高真空ポンプに連結され高真空状態が
形成される工程チャンバー、前記ロードロックチャンバ
ーと工程チャンバーの間に位置するゲートバルブ及び前
記ゲートバルブ開放時に前記低真空状態のロードロック
チャンバーと前記高真空状態の工程チャンバー間の圧力
差を緩和する圧力調節手段を備えることを特徴とする。
従って、ロードロックチャンバーと工程チャンバーの間
に設置されたゲートバルブが開放される時、渦巻きの流
れにより工程チャンバーの内部に蓄積された工程副産物
が工程チャンバー内部に飛散する等により工程が進行す
るウェーハを汚染させる問題点を解決することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造設備
及びその駆動方法に関し、より詳しくは低真空状態で運
用されるロードロックチャンバーと高真空状態で運用さ
れる工程チャンバーと前記ロードロックチャンバー及び
前記工程チャンバーの間に位置するゲートバルブが備え
られた半導体装置製造設備及びその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置製造工程は、工程条件
として単位体積当たりパーティクル（Particle）の数の
存在頻度が低い高真空状態の工程チャンバー内部で進行
される。
【０００３】これによって、半導体装置製造工程が進行
されるウェーハが前記工程チャンバーの内部に投入され
る時、高真空状態の工程チャンバーの内部と外部の間の
圧力の差によって渦巻きの流れが発生した。 そして、
前記渦巻きの流れによって工程チャンバーの外部のパー
ティクルが工程チャンバーの内部に流入され後続される
半導体装置製造工程を進行する時、工程不良の要因とし
て作用した。
【０００４】従って、半導体装置製造工程が進行される
ウェーハは、１００ないし、５００mTorr程度のロード
ロックチャンバーを通過して前記ロードロックチャンバ
ーと比較して相対的に高真空状態である１０mTorr以下
の工程チャンバー内部に移送される。
【０００５】図２を参照すると、半導体装置製造工程が
進行されるウェーハが一定時間待機するロードロックチ
ャンバー１０が設置されている。 前記ロードロックチ
ャンバー１０はアイソレーションバルブ１６が設置され
たロードロックチャンバー低真空ライン１４によって低
真空ポンプ１２と連結されている。
【０００６】また、反応ガスを利用した半導体装置製造
工程が進行される工程チャンバー１８が設置されてい
る。 前記工程チャンバー１８は排気ガスの流れを基準
に排気バルブ２０、高真空ポンプ２２及びアイソレーシ
ョンバルブ２８が順次的に設置された工程チャンバー高
真空ライン２６によって低真空ポンプ２４と連結されて
いる。
【０００７】そして、前記ロードロックチャンバー１０
及び工程チャンバー１８はゲートバルブ３０によってお
互い連結されているし、前記ゲートバルブ３０は開放ラ
イン３２及び閉鎖ライン３４からなるエアー供給ライン
３５によってエアー供給源３６とお互い連結されてい
る。 前記ゲートバルブ３０は、一定量以上のエアーが
開放ライン３２を通じてゲートバルブ３０内部に供給さ
れると開放され、一定量以上のエアーが閉鎖ライン３４
をゲートバルブ３０の内部に供給されると閉鎖されるよ
うになっている。
【０００８】従って、半導体装置製造工程が進行される
ウェーハが大気圧状態のロードロックチャンバー１０内
部に投入されると、ロードロックチャンバー低真空ライ
ン１４上に設置されたアイソレーションバルブ１６は開
放され、低真空ポンプ１２はポンピング動作を行うこと
によりロードロックチャンバー１０の圧力状態は一定の
低真空状態に維持される。
【０００９】そして、エアー供給源３６から放出された
一定量のエアーがエアー供給ライン３５の開放ライン３
２を通じてゲートバルブ３０内部に供給されることによ
ってゲートバルブ３０は開放される。
【００１０】続いて、前記ウェーハは排気バルブ２０が
開いた状態で低真空ポンプ２４のポンピング動作によっ
て一定の水準の低真空状態が形成された後、再び高真空
ポンプ２２のポンピング動作によって一定の高真空状態
が維持される工程チャンバー１８内部に移動される。
【００１１】最後に、工程チャンバー１８の内部では工
程副産物を工程チャンバー１８の内部に蓄積させ反応ガ
スを利用した半導体装置製造工程が進行される。
【００１２】しかし、前記ウェーハの移動のためにゲー
トバルブ３０が開放される時、低真空状態のロードロッ
クチャンバー１０と高真空状態の工程チャンバー１８の
間の圧力差によって渦巻きの流れが発生する。
【００１３】これによって、前記渦巻きの流れによって
ロードロックチャンバー１０の内部に存在するパーティ
クルが、工程が進行される工程チャンバー１８の内部に
流入し、工程チャンバー１８の内部に蓄積された工程副
産物が工程チャンバー１８内部に飛散し工程の進行中に
ウェーハを汚染させる問題点があった。
【００１４】また、前記渦巻きの流れがロードロックチ
ャンバー１０と工程チャンバー１８の間に設置されたゲ
ートバルブ３０に圧力が加わることにより前記ゲートバ
ルブ３０が摩耗されるか変形されるなどの問題点があっ
た。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ーハ移送のために低真空状態で運用されるロードロック
チャンバーと高真空状態で運用される工程チャンバーの
間に位置するゲートバルブが開放される時、圧力の差に
よって渦巻きの流れが発生されることを防止する半導体
装置製造設備及びこれの駆動方法を提供することにあ
る。
【００１６】
【発明を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明による半導体装置製造設備は、低真空ポンプに
連結され低真空状態が形成されるロードロックチャンバ
ー、高真空ポンプに連結され高真空状態が形成される工
程チャンバー、前記ロードロックチャンバーと工程チャ
ンバーとの間に設置されるゲートバルブ及び前記ゲート
バルブ開放時に、前記低真空状態のロードロックチャン
バーと前記高真空状態の工程チャンバーの間の圧力の差
を緩和させる圧力調節手段を備えることを特徴とする。
【００１７】前記圧力調節手段は、前記ロードロックチ
ャンバーを高真空状態に形成するために前記ロードロッ
クチャンバーに高真空ポンプを連結した高真空ラインか
らなるものである。
【００１８】また、前記圧力調節手段の高真空ポンプは
前記工程チャンバーに連結されている高真空ポンプを使
用しうる。
【００１９】そして、前記ロードロックチャンバーに連
結される高真空ライン上に開閉手段が設置され得る。
【００２０】また、前記ロードロックチャンバーと前記
開閉手段の間にフィルターが設置され、前記ロードロッ
クチャンバーと前記フィルターの間にマニュアルバルブ
が設置され得る。
【００２１】そして、本発明による半導体装置製造設備
は、低真空ポンプに連結され低真空状態が形成されるロ
ードロックチャンバー、高真空ポンプに連結され高真空
状態が形成される工程チャンバー、前記ロードロックチ
ャンバーと工程チャンバーの間に設置して、エアー供給
ラインを通じて供給されるエアーによって開閉動作を行
うゲートバルブ及び前記ゲートバルブに連結されるエア
ー供給ラインに連結されたエアーバルブを中間に含み、
前記ロードロックチャンバーと高真空ポンプを連結する
高真空ラインを備えることを特徴とする。
【００２２】前記ゲートバルブに連結されるエアー供給
ライン上に前記ゲートバルブの開閉動作を遅延させるデ
ィレー手段がさらに設置され得る。
【００２３】そして、前記エアー供給ラインは開放ライ
ン及び閉鎖ラインからなり、前記ディレー手段は前記開
放ライン上で前記ゲートバルブと前記ロードロックチャ
ンバー用高真空ラインのエアーバルブへの分岐点との間
に設置され得る。
【００２４】また、前記ロードロックチャンバーに連結
される高真空ポンプは前記工程チャンバーに連結される
高真空ポンプを使用することができる。
【００２５】そして、前記ロードロックチャンバーと前
記エアーバルブの間にフィルターがさらに設置され得
る。
【００２６】また、前記ディレー手段はニードルバルブ
からなり得る。
【００２７】そして、本発明による半導体装置製造設備
の駆動方法は、低真空ポンプに連結され低真空状態が形
成されるロードロックチャンバー、高真空ポンプに連結
され高真空状態が形成される工程チャンバー、前記ロー
ドロックチャンバーと工程チャンバーの間に位置して、
エアー供給ラインを通じて供給されるエアーによって開
閉動作を行うゲートバルブ及び前記ゲートバルブに連結
されるエアー供給ラインに連結されたエアーバルブを中
間に含み、前記ロードロックチャンバーと高真空ポンプ
を連結する高真空ラインを備える半導体装置製造設備の
駆動方法において、前記ロードロックチャンバー内に作
業対象物を投入した後、ロードロックチャンバーに連結
された前記低真空ポンプを駆動してロードロックチャン
バーを一定の低真空状態に維持する段階、前記工程チャ
ンバーに連結された高真空ポンプを駆動して工程チャン
バー内を一定の高真空状態に維持する段階、前記ロード
ロックチャンバーに連結される高真空ラインのエアーバ
ルブを開放して、前記ロードロックチャンバーを高真空
状態に維持する段階及び前記ゲートバルブを開放して前
記ロードロックチャンバーに投入された作業対象物を前
記工程チャンバーに移送する段階を備えてなることを特
徴とする。
【００２８】前記ロードロックチャンバーに連結される
高真空ポンプは前記工程チャンバーに連結される高真空
ポンプであり、前記ゲートバルブに対するエアー供給ラ
インは開放ライン及び閉鎖ラインからなり、前記開放ラ
イン上にゲートバルブの動作を遅延させるディレー手段
が設置されており、前記エアーバルブの開放と共に前記
ゲートバルブが前記ディレー手段によって遅延されなが
ら開放されることが望ましい。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例を
添付した図面を参照に詳しく説明する。
【００３０】＜半導体装置製造装置の構成＞ 図１は本
発明による半導体装置製造設備及びこれの駆動方法の一
実施例を説明するための構成図である。
【００３１】図１を参照すると、半導体装置製造工程が
進行されるウェーハが１００ないし５００mTorr程度の
低真空状態で一定の時間待機するロードロックチャンバ
ー１０が設置されている。前記ロードロックチャンバー
１０はアイソレーションバルブ１６が設置されたロード
ロックチャンバー低真空ライン１４によってポンピング
動作を行うドライポンプ（Dry pump）等の低真空ポンプ
１２と連結されている。
【００３２】また、単位体積当たりパーティクルの数の
存在頻度が低い１０mTorr以下の高真空状態で半導体装
置製造工程が進行される工程チャンバー１８が設置され
ている。
【００３３】前記工程チャンバー１８は工程チャンバー
高真空ライン２６によってドライポンプ等の低真空ポン
プ２４と連結されていて、前記工程チャンバー高真空ラ
イン２６上には工程チャンバー１８内部から外部に放出
される排気ガスの流れを基準として排気バルブ２０、タ
ーボポンプ（Turbo pump）等の高真空ポンプ２２及びア
イソレーションバルブ２８が順次的に設置されている。
【００３４】そして、前記ロードロックチャンバー１０
及び工程チャンバー１８の間にゲートバルブ３０が設置
されている。
【００３５】前記ゲートバルブ３０は、開放ライン３２
及び閉鎖ライン３４からなるエアー供給ライン３５によ
ってエアー供給源３６と連結されている。また、前記ゲ
ートバルブ３０は開放ライン３２及び閉鎖ライン３４を
通じて選択的に供給される一定量以上のエアーによる圧
力に相応して次に述べる高真空ライン４４の開閉動作を
行うことにより排気ガスの流れを制御するようになって
おり、前記開放ライン３２上には通過するエアーの流れ
を所定量に調節することができるニードルバルブ（Need
le valve）等のディレーバルブ（Delay valve：４０）
が設置されている。
【００３６】また、前記ロードロックチャンバー１０の
底面が前記ロードロックチャンバー用高真空ライン４４
によって工程チャンバー用高真空ライン２６上に設置さ
れた高真空ポンプ２２と連結されている。前記高真空ラ
イン４４上には前記高真空ポンプ２２のポンピング動作
によってロードロックチャンバー１０内部から外部にポ
ンピングされる排気ガスの流れを基準に作業者によって
開閉されるマニュアルバルブ（Manual valve：４６）、
通過するガスに含まれた不純物を除去するフィルター４
８及びエアーの供給の有無によって高真空ライン４４の
開閉動作を行うエアーバルブ５０が設置されている。
【００３７】そして、前記エアー供給源３６から放出さ
れるエアーの流れを基準に、開放ライン３２上に設置さ
れたディレーバルブ４０の前端から分岐されるエアー分
岐ライン４２が形成されており、前記エアー分岐ライン
４２はエアーバルブ５０と連結されている。
【００３８】本実施例ではロードロックチャンバー用高
真空ポンプとして工程チェンバー用高真空ポンプを使用
しているため、装置の簡素化、小型化に寄与するととも
に同一の高真空ライン２６を使用することによりロード
ロックチャンバーと工程チェンバーの圧力を同一な程度
に接近させることができる。
【００３９】＜半導体装置製造設備の駆動方法＞ 半導
体装置製造工程が進行されるウェーハがロードロックチ
ャンバー１０内部に投入されると、ロードロックチャン
バー低真空ライン１４上に設置されたアイソレーション
バルブ１６は開放される。
【００４０】そして、ロードロックチャンバー低真空ラ
イン１４と連結されたドライポンプ等の低真空ポンプ１
２がポンピング動作を行うことにより、ロードロックチ
ャンバー１０内部の圧力は一定の低真空状態に到達し維
持される。
【００４１】また、工程チャンバー高真空ライン２６上
に設置された排気バルブ２０が開放された状態でドライ
ポンプ等の低真空ポンプ２４がポンピング動作を行うこ
とにより工程チャンバー１８の圧力は一定の低真空状態
が形成され、続いて、ターボポンプ等の高真空ポンプ２
２がポンピング動作を行うことにより工程チャンバー１
８の圧力状態は半導体装置製造工程が進行される１０mT
orr以下の高真空状態が維持される。
【００４２】続いて、作業者によって高真空ライン４４
上に設置されたマニュアルバルブ４６が開放された後、
エアー供給源３６は一定量のエアーをエアー供給ライン
３５の開放ライン３２に放出する。なお、この際排気バ
ルブ２０を必要に応じて一時閉鎖することも可能であ
る。
【００４３】前記開放ライン３２に放出された一定量の
エアーは、エアー分岐ライン４２を通じて高真空ライン
４４上に設置されたエアーバルブ５０に供給され、エア
ーバルブ５０を開放させる。一方、前記開放ライン３２
に放出された他のエアーは所定のエアー通過量に調節さ
れたニードルバルブ等のディレーバルブ４０を通過した
後、徐々にゲートバルブ３０内部に供給される。そのた
め、ゲートバルブ３０の開放動作に必要な量のエアーが
供給されるまでに一定の時間的遅延を生ずることにな
る。
【００４４】これによって、工程チャンバー１８の圧力
状態を調節するターボポンプ等の高真空ポンプ２２のポ
ンピング力が高真空ライン４４上に設置されたエアーバ
ルブ５０、フィルター４８及びマニュアルバルブ４６を
通過してロードロックチャンバー１０に伝達される。
【００４５】そして、前記高真空ポンプ２２のポンピン
グによって、ロードロックチャンバー１０内部に存在す
るパーティクル等が含まれた排気ガスはマニュアルバル
ブ４６を通過して、再びフィルター４８を通過しフィル
ターリング工程が進行され、またエアーバルブ５０を通
過した後、工程チャンバー高真空ライン２６を通過して
外部に排気されることによりロードロックチャンバー１
０と工程チャンバー１８の圧力差が緩和される。
【００４６】そして、ロードロックチャンバー１０の圧
力状態が工程チャンバー１８と同じ高真空状態に移行す
ると、エアー供給源３６から放出されたエアーが開放ラ
イン３２上に設置されたニードルバルブ等のディレーバ
ルブ４０を通過してゲートバルブ３０の内部へ十分に供
給されることによりゲートバルブ３０は開放される。
【００４７】すなわち、開放ライン３２に放出されたエ
アーによって、エアーバルブ３０が開放され、そののち
一定時間経過後にゲートバルブ３０が開放されることに
なる。
【００４８】次に、ロードロックチャンバー１０内部の
ウェーハが開放されたゲートバルブ３０を通過して、高
真空状態の工程チャンバー１８の内部に移送されると、
エアー供給源３６では開放ライン３２へのエアーの供給
を中止して、閉鎖ライン３４にエアーを供給することに
よってゲートバルブ３０は閉鎖される。前記高真空状態
の工程チャンバー１８内部では反応ガスを利用した半導
体装置製造工程が進行する。
【００４９】また他の実施例としては、前記ロードロッ
クチャンバー１０と工程チャンバー高真空ライン２６上
に設置された高真空ポンプ２２以外の他の高真空ポンプ
を高真空ラインに連結させ、前記高真空ライン上にロー
ドロックチャンバー１０から前記高真空ラインに排気さ
れる排気ガスの流れを基準に図１に図示されたようなマ
ニュアルバルブ４６、フィルター４８及びエアー分岐ラ
イン４２を通じて供給されるエアーによって開閉動作を
行うエアーバルブ５０を設置して前述した動作を行うこ
とによりロードロックチャンバー１０と工程チャンバー
１８の間の圧力差を緩和させることもできる。
【００５０】
【発明の効果】従って、本発明によれば低真空状態に運
用されるロードロックチャンバーと高真空状態に運用さ
れる工程チャンバーの間に設置されたゲートバルブがウ
ェーハ移送のために開放される時に、その圧力差によっ
て渦巻きの流れが発生することを防止することができ
る。
【００５１】これによって、前記渦巻きの流れによって
ロードロックチャンバーの内部に存在しうるパーティク
ルが工程チャンバー内部に流入するとともに、半導体装
置製造工程によって工程チャンバーの内部に蓄積された
工程副産物が工程チャンバーの内部に飛散し工程が進行
するウェーハを汚染するという問題を解決できる効果が
ある。
【００５２】また、前記渦巻きの流れによってゲートバ
ルブが摩耗されるか変形されるなどの問題点を解決でき
るという効果がある。
【００５３】以上で本発明は記載された具体例に対して
のみ詳細に説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明
白なことであり、このような変形及び修正が添付された
特許請求範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置製造設備の一実施例を
説明するための構成図である。
【図２】従来の半導体装置製造設備の概略的な構成図で
ある。
【符号の説明】
１０ ロードロックチャンバー １２、２４ 低真空ポンプ １４ ロードロックチャンバー用低真空ライン １６、２８ アイソレーションバルブ １８ 工程チャンバー ２０ 排気バルブ ２２ 高真空ポンプ ２６ 工程チャンバー用高真空ライン ３０ ゲートバルブ ３２ 開放ライン ３４ 閉鎖ライン ３５ エアー供給ライン ３６ エアー供給源 ４０ ディレーバルブ ４２ エアー分岐ライン ４４ ロードロックチャンバー用高真空ライン ４６ マニュアルバルブ ４８ フィルター ５０ エアーバルブ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低真空ポンプが連結され低真空状態が形
    成されるロードロックチャンバーと、 高真空ポンプが連結され高真空状態が形成される工程チ
    ャンバーと、 前記ロードロックチャンバーと前記工程チャンバーの間
    に設置されるゲートバルブと、 前記ゲートバルブ開放時に低真空状態の前記ロードロッ
    クチャンバーと高真空状態の前記工程チャンバーの間の
    圧力の差を緩和させる圧力調節手段と、を備えることを
    特徴とする半導体装置製造設備。
  2. 【請求項２】 前記圧力調節手段は前記ロードロックチ
    ャンバーに高真空状態を形成するために、前記高真空ポ
    ンプとは別の高真空ポンプを前記ロードロックチャンバ
    ーに連結した高真空ラインからなることを特徴とする請
    求項１記載の半導体装置製造設備。
  3. 【請求項３】 前記圧力調節手段は前記ロードロックチ
    ャンバーに高真空状態を形成するために、前記工程チャ
    ンバーに連結された前記高真空ポンプを前記ロードロッ
    クチャンバーに連結した高真空ラインからなることを特
    徴とする請求項１記載の半導体装置製造設備。
  4. 【請求項４】 前記ロードロックチャンバーに連結され
    る前記高真空ライン上に開閉手段が設置されることを特
    徴とする請求項２又は３記載の半導体装置製造設備。
  5. 【請求項５】 前記ロードロックチャンバーと前記開閉
    手段の間にフィルターが設置されることを特徴とする請
    求項４記載の半導体装置製造設備。
  6. 【請求項６】 前記ロードロックチャンバーと前記フィ
    ルターの間にマニュアルバルブが設置されることを特徴
    とする請求項５記載の半導体装置製造設備。
  7. 【請求項７】 低真空ポンプが連結され低真空状態が形
    成されるロードロックチャンバーと、 高真空ポンプが連結され高真空状態が形成される工程チ
    ャンバーと、 前記ロードロックチャンバーと前記工程チャンバーとの
    間に設置されエアー供給ラインを通じて供給されるエア
    ーによって開閉動作を行うゲートバルブと、 前記エアー供給ラインに連結されたエアーバルブを中間
    に含んで高真空ポンプが前記ロードロックチャンバーに
    連結されるロードロックチャンバー用高真空ラインと、
    を備えることを特徴とする半導体装置製造設備。
  8. 【請求項８】 前記ゲートバルブに連結される前記エア
    ー供給ライン上に前記ゲートバルブの開閉動作を遅延さ
    せるディレー手段がさらに設置されることを特徴とする
    請求項７記載の半導体装置製造設備。
  9. 【請求項９】 前記エアー供給ラインは開放ライン及び
    閉鎖ラインからなり、前記ディレー手段は前記開放ライ
    ン上で前記ゲートバルブと前記ロードロックチャンバー
    用高真空ラインの前記エアーバルブへの分岐点の間に設
    置されることを特徴とする請求項８記載の半導体装置製
    造設備。
  10. 【請求項１０】 前記ロードロックチャンバーに連結さ
    れる高真空ポンプは前記工程チャンバーに連結される高
    真空ポンプであることを特徴とする請求項７記載の半導
    体装置製造設備。
  11. 【請求項１１】 前記ロードロックチャンバーと前記エ
    アーバルブの間にフィルターがさらに設置されることを
    特徴とする請求項７記載の半導体装置製造設備。
  12. 【請求項１２】 前記ディレー手段はニードルバルブか
    らなることを特徴とする請求項８又は９記載の半導体装
    置製造設備。
  13. 【請求項１３】 低真空ポンプが連結され低真空状態が
    形成されるロードロックチャンバーと、高真空ポンプが
    連結され高真空状態が形成される工程チャンバーと、前
    記ロードロックチャンバーと前記工程チャンバーの間に
    位置し、エアー供給ラインを通じて供給されるエアーに
    よって開閉動作を行うゲートバルブと、前記ゲートバル
    ブに連結される前記エアー供給ラインに連結されたエア
    ーバルブを中間に含んで高真空ポンプが前記ロードロッ
    クチャンバーに連結される高真空ラインとを備える半導
    体装置製造設備の駆動方法であって、 前記ロードロックチャンバー内に作業対象物を投入した
    後、前記ロードロックチャンバーに連結された前記低真
    空ポンプを駆動して前記ロードロックチャンバーを一定
    の低真空状態に維持する段階と、 前記工程チャンバーに連結された前記高真空ポンプを駆
    動して前記工程チャンバー内を一定の高真空状態に維持
    する段階と、 前記ロードロックチャンバーに連結される前記高真空ラ
    インの前記エアーバルブを開放して前記ロードロックチ
    ャンバーを高真空状態に移行し維持する段階と、 前記ゲートバルブを開放して前記ロードロックチャンバ
    ーに投入された前記作業対象物を前記工程チャンバーへ
    移送する段階と、を備えることを特徴とする半導体装置
    製造設備の駆動方法。
  14. 【請求項１４】 前記ロードロックチャンバーに連結さ
    れる高真空ポンプは前記工程チャンバーに連結される高
    真空ポンプであって、前記ゲートバルブによる前記エア
    ー供給ラインは開放ライン及び閉鎖ラインからなり、前
    記開放ライン上に前記ゲートバルブの開放動作を遅延さ
    せるディレー手段が設置されており、 前記エアーバルブが開放されると共に前記ゲートバルブ
    が前記ディレー手段によって遅延されて開放されること
    を特徴とする請求項１３記載の半導体装置製造設備の駆
    動方法。
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