JP2010067992A - 基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】例えば一方の真空チャンバが基板に対して真空処理を行うための基板処理室、他方が基板搬送装置を備えた搬送室であるとするとゲートバルブを開く前に両方のチャンバ内の圧力が66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件にゲート弁を開くようにする。この場合、基板処理室内に圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスの流量よりも大きな流量でパーティクル剥離用のパージガスを供給することが好ましい。また両方のチャンバ内のいずれもが9.98Paよりも低いことを条件にゲートを開くことも有効である。
【選択図】図15
Description
前記基板搬送装置が設けられる搬送室と、
この搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の受け渡しが行われる基板処理室と、
前記搬送室の周囲に前記旋回中心を中心とする円に沿って配置されると共に、当該搬送室に接続され、前記基板搬送装置により基板の搬出入が行われる搬出入室と、
前記搬送室内における基板の搬送時間が前記基板処理室内における基板の処理時間よりも長い時に、第1及び第2の基板保持部により同時に基板処理室内の処理後の基板と搬出入室内の処理前の基板とを夫々受け取る動作を行い、次いで第1及び第2の基板保持部により同時に搬出入室内と基板処理室内とに対して、夫々処理後の基板と処理前の基板とを受け渡す動作を行うように、前記第1及び第2の進退駆動部と、前記第1及び第2の旋回駆動部と、を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する圧力調整用のパージガス供給手段と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する工程と、
次いで、第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開く工程と、を含むことを特徴とする。
前記基板処理室内及び搬送室内の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くことを特徴とする。
され、この第1の搬送室13には、左右に並ぶ2個のロードロック室(待機室)である予備真空室14,15を介して真空雰囲気とされる第2の搬送室16が気密に接続されている。ここで予備真空室14,15は本発明の搬出入室であるチャンバに相当する。なお図中10は壁面部を構成するパネルである。第1の搬送室13内には、ウエハWを回転させてその向きを合わせるための位置合わせステージ17,18と、カセット室11,12及び予備真空室14,15並びに位置合わせステージ17,18との間でウエハWを搬送するための第1の基板搬送装置19と、が設けられている。カセット室11,12及び第1の搬送室13は、例えば不活性ガス雰囲気とされるが、真空雰囲気としてもよい。
載置台21及び処理ガスを供給するためのガス供給部22などが設けられ、各真空チャンバ2における載置台21上に載置されるウエハWの中心部は、第2の搬送室16の中心を中心とする円の上にある。
旋回アーム41が基準位置からα度だけ回転すると中段アーム42は−2α度回転する。また中段アーム42が時計方向に回転すると、中間プーリ66が中段アーム42に対して相対的に反時計方向に回転するので、第1の基板保持部43は反時計方向に回転し、中間プーリ66と先端プーリ67との歯数比が1:2であるから、第1の基板保持部43はα度回転する。従って図6に示すように、第1の多関節アーム3Aを基準位置から伸長させて第1の基板保持部43を前進させると、第1の基板保持部43、詳しくは第1の基板保持部43に保持されるウエハWの中心位置の軌跡は、旋回中心100を通り、前記基準位置にある旋回アーム41に直交する直線を描くこととなる。
あるいは受け渡す)とは、完全に同じタイミングでウエハWを受け取る(あるいは受け渡す)場合に限らず、互いの受け取り(あるいは受け渡し)のタイミングのずれが0.5秒以内の場合も含むものとする。
そして図14に示すように、第1の基板保持部43により第1の予備真空室14にアクセスし、第1の基板保持部43に保持されている処理後のウエハW1を第1の予備真空室14に搬入する。
、その後バルブ204を開き、パーティクル剥離用のパージガスであるC4F8ガスを流量調整部203を調整して流量Q0で基板処理室2内に流入させいわばプーリパージを行う(ステップS2)。この基板搬送装置が運転されている間は開閉バルブ26は開いている状態にあるから、C4F8ガスが基板処理室2内を通流し、その粘性力により壁面や載置台21の表面に付着しているパーティクルが剥離される。
このような実施の形態によれば、搬送室2内の圧力P0及び基板処理室2内の圧力P1のいずれも66.5Pa(500mTorr)よりも小さくし、更にP0よりもP1を小さくしかつP0がP1の2倍よりも小さいこと(圧力差が2倍以内であること)を条件としてゲートバルブGを開いているので、衝撃波が十分に小さく抑えられ、このためウエハに対するパーティクルの汚染を抑制できる。また圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力及び処理ガスを供給するときの粘性力のいずれよりも大きい粘性力でパーティクル剥離防止用のパージガスを基板処理室2内に通流しているため、圧力調整用のパージガスを供給するとき、及びプロセスを行うときのいずれにおいてもガスの通流によるパージガスの剥離を抑えられ、この点からもウエハに対するパーティクルの汚染を抑制できる。
13.3Pa(100mTorr)よりも低くなるように制御しているが、この設定値は後述の実験例から分かるように9.98Pa(75mTorr)であることがより好ましい。
11,12 カセット室
13 第1の搬送室
14,15 予備真空室
16 第2の搬送室
19 第1の基板搬送装置
2(2A〜2F) 真空チャンバ
3 第2の基板搬送装置
3A 第1の多関節アーム
3B 第2の多関節アーム
25,32 圧力調整部
28,35 圧力検出部
202 パーティクル剥離用のパージガス供給源
302 圧力調整用のパージガス供給源
80 制御部
501 レーザ光照射装置
502 CCDカメラ
41,51 旋回アーム
42,52 中段アーム
43,53 基板保持部
44,54 保持部位
60,70 旋回軸
61,71 回転軸
62,72 基端プーリ
63,73 支持プーリ
66,76 中間プーリ
67,77 先端プーリ
100 旋回中心
Claims (12)
- 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送するように構成され、基板に対して真空処理が行われる基板処理装置において、
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する圧力調整用のパージガス供給手段と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記一方の真空チャンバ内に、圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力よりも大きな粘性力でパーティクル剥離用のパージガスを供給するパーティクル剥離用のパージガス供給手段を備えたことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記パーティクル剥離用のパージガスの分子量は、圧力調整用のパージガスの分子量よりも大きいことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。
- 前記パージガスが供給される一方の真空チャンバは、基板に対して真空処理するための基板処理室を構成するものであり、
前記パーティクル剥離用のパージガスの流量は、圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力及び基板処理室内に基板が搬入されている状態で当該基板処理室内に供給されるガスの粘性力のいずれよりも大きな粘性力となるように設定されることを特徴とする請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力するモードと、前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力するモードと、の間でモードの選択を行うことができることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一に記載の基板処理装置。
- 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送するように構成され、基板に対して真空処理が行われる基板処理装置において、
前記第1の真空チャンバ内の圧力を検出する第1の圧力検出部と、
前記第2の真空チャンバ内の圧力を検出する第2の圧力検出部と、
前記第1の圧力検出部及び第2の圧力検出部の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くための制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの一方は基板に対して真空処理するための基板処理室を構成するものであり、
前記仕切り弁を開く前にパーティクル剥離用のパージガスを基板処理室に供給するためのパージガス供給手段を備え、
パーティクル剥離用のパージガスの流量は、前記基板処理室内に基板が搬入されている状態で前記基板処理室内に供給されるガスの粘性力よりも大きい粘性力となるように設定されることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置。 - 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送する基板搬送方法において、
前記第1の真空チャンバ内及び第2の真空チャンバ内の一方に圧力調整用のパージガスを供給する工程と、
次いで、第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの圧力検出値がいずれも66.5Paよりも低くかつ圧力検出値の高い方が低い方の2倍よりも小さいことを条件に仕切り弁を開く工程と、を含むことを特徴とする基板搬送方法。 - 前記一方の真空チャンバ内に、圧力調整用のパージガスを供給する前に圧力調整用のパージガスを供給するときの粘性力よりも大きな粘性力となるようにパーティクル剥離用のパージガスを供給する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の基板搬送方法。
- 前記パーティクル剥離用のパージガスの分子量は、圧力調整用のパージガスの分子量よりも大きいことを特徴とする請求項9記載の基板搬送方法。
- 第1の真空チャンバに、仕切り弁により開閉される搬送口を介して第2の真空チャンバが接続され、基板搬送装置により第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの間で前記搬送口を介して基板を搬送する基板搬送方法において、
前記基板処理室内及び搬送室内の各圧力検出値のいずれもが13.3Paよりも低いことを条件に仕切り弁を開くことを特徴とする基板搬送方法。 - 前記第1の真空チャンバ及び第2の真空チャンバの一方は基板に対して真空処理するための基板処理室を構成するものであり、
前記仕切り弁を開く前にパーティクル剥離用のパージガスを基板処理室内に供給する工程を含み、
パーティクル剥離用のパージガスの流量は、前記基板処理室内に基板が搬入されている状態で前記基板処理室内に供給されるガスの粘性力よりも大きい粘性力となるように設定されることを特徴とする請求項11記載の基板搬送方法。
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