KR102560322B1 - 진공 처리 장치의 이물 측정 방법 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼가 처리되는 처리실을 내부에 갖는 진공 용기, 및 상기 처리실 내를 배기하는 배기 펌프를 갖는 처리 유닛과, 상기 웨이퍼가 반송되는 반송실을 갖는 진공 반송 유닛과, 상기 웨이퍼를 상기 처리실과 상기 반송실 사이에서 반송 가능한 통로를 갖는 접속관을 구비한 진공 처리 장치의 이물 측정 방법은, 상기 처리실의 내압보다도 상기 반송실의 내압을 높게 함에 의해서, 상기 반송실로부터 상기 처리실을 향해서 상기 통로 내에 기체의 흐름을 발생시키고, 웨이퍼를 상기 반송실과 상기 통로와 상기 처리실에 걸쳐있는 위치로 반송해서, 소정 시간 유지하는 이물 채취 공정과, 상기 웨이퍼의 표면에 부착한 이물을 측정하는 이물 측정 공정을 갖는다.

Description

진공 처리 장치의 이물 측정 방법
본 발명은, 진공 처리 장치의 이물 측정 방법에 관한 것이다.
진공 용기 내부에 감압되는 처리실을 갖고, 당해 처리실 내에 반도체 웨이퍼 등의 기판 형상의 시료를 반송하고 처리용 가스를 도입해서 형성한 플라스마를 이용해서 처리하는 진공 처리 유닛을 구비한 진공 처리 장치가 알려져 있다. 진공 처리 장치에 있어서, 진공 처리 유닛의 진공 용기 내부의 처리실은, 다른 진공 용기인 진공 반송 용기와 연결되어 있다. 처리실 내에서 처리된 시료는, 감압된 진공 용기 내부의 진공 반송실 내를 통과하고, 진공 반송 용기로 이송되어 후공정으로 반송되고, 또한 처리 전의 시료는, 진공 반송 용기로부터 진공 반송실을 통해 진공 용기 내부의 처리실로 이송된다.
이와 같은 진공 처리 장치에서는, 처리실 및 진공 반송실과 이들 사이의 통로 내를 시료가 이송되므로, 이들의 내측 표면에 부착한 입자나 그 퇴적물이, 시료의 이송 중에 표면으로부터 유리되어 시료 표면에 부착해서 이물을 발생시킨다는 문제가 있었다. 시료의 표면에 이물이 부착하면, 부착한 개소를 포함하는 부위로부터 제조된 반도체 디바이스에 불량이 발생하여, 반도체 디바이스의 제조상의 수율이 악화될 우려가 있다.
이 때문에, 이와 같은 이물의 발생을 억제하기 위하여, 진공 처리 장치의 내측 표면으로부터 탈리하는 입자를 수집하고, 그 수나 재료, 조성 등의 특성을 검출하는 것이 종래부터 행해져 왔다. 이와 같은 종래의 기술의 예로서는, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시된 것이 종래부터 알려져 있었다.
이 종래 기술에서는, 드라이 펌프로 배기하고 있는 진공 처리 장치의 감압된 내부 공간 내를, 미립자를 표면에 흡착시켜서 수집하기 위한 측정용 웨이퍼를 이송해서, 소정의 개소에 일정 기간 방치(시팅)하고, 측정용 웨이퍼를 회수한 후, 그 표면에 부착되어 있는 파티클 등 미립자의 수를 측정하는 것이 행해진다.
일본국 특개2019-71410호 공보
그러나, 상기 종래의 기술에서는, 이하와 같은 문제가 있다. 즉, 시팅할 때에, 드라이 펌프로 배기만을 행하면, 분자의 분산이 분자류(分子流)에 가까운 것으로 되어 분산도가 높아진다. 그에 의해, 이물 발생원 후보가 2, 3개소에 밀집되어 있을 경우, 낙하 이물이 분산하면서 웨이퍼에 부착하기 때문에, 이물이 낙하한 장소로부터 이물의 발생원을 특정하는 것이 곤란하다.
이물의 발생원을 특정할 수 없으면, 진공 처리 장치 내부에 이용되고 웨이퍼가 반송되는 공간에 면한 부재로서, 웨이퍼에 부착하는 물질의 입자나 파편이 발생할 가능성이 있는 부재의 청소나 교환 등의 보수의 작업을 정확히 행할 수 없고, 그에 의해 처리 웨이퍼에 있어서의 이물의 부착을 초래하여, 처리의 수율이 손상될 우려가 있었다.
본 발명은, 이물의 발생원 혹은 그 발생을 정밀하게 검출하고, 이물의 발생을 억제해서 처리의 수율을 향상할 수 있는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 대표적인 본 발명의 진공 처리 장치의 이물 측정 방법은,
웨이퍼가 처리되는 처리실을 내부에 갖는 진공 용기, 및 상기 처리실 내를 배기하는 배기 펌프를 갖는 처리 유닛과, 상기 웨이퍼가 반송되는 반송실을 갖는 진공 반송 유닛과, 상기 웨이퍼를 상기 처리실과 상기 반송실 사이에서 반송 가능한 통로를 갖는 접속관을 구비한 진공 처리 장치의 이물 측정 방법으로서,
소정의 타이밍에, 이물 채취 공정과 이물 측정 공정을 실행하고,
상기 이물 채취 공정에 있어서, 상기 처리실의 내압보다도 상기 반송실의 내압을 높게 함에 의해서, 상기 반송실로부터 상기 처리실을 향해서 상기 통로 내에 기체의 흐름을 발생시키고, 웨이퍼를 상기 반송실과 상기 통로와 상기 처리실에 걸쳐있는 위치로 반송해서, 소정 시간 유지하고,
상기 이물 측정 공정에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 부착한 이물을 측정함에 의해 달성된다.
본 발명에 의해서, 이물의 발생원 혹은 그 발생을 정밀하게 검출하고, 이물의 발생을 억제해서 처리의 수율을 향상할 수 있는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법을 제공할 수 있다.
상기한 것 이외의 과제, 구성 및 효과는, 이하의 실시형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 전체 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도.
도 2는, 도 1에 나타내는 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 기판 처리 유닛의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도.
도 3은, 도 1에 나타내는 반도체 제조 장치에 대해서 실시되는 보수 또는 점검 시에 있어서의 이물을 채취하는 상태를 모식적으로 나타내는 횡단면도.
도 4는, 도 1에 나타내는 실시형태에 따른 반도체 제조 장치가 실시하는 이물 측정에 있어서의 웨이퍼의 주위의 가스의 흐름을 모식적으로 나타내는 종단면도.
도 5는, 도 4에 나타내는 이물 측정 중에 부착하는 입자 등의 상태를 모식적으로 나타내는 종단면도.
도 6은, 도 1에 나타내는 실시형태에 따른 진공 처리 장치의 메인터넌스 운전 중에 행하는 웨이퍼의 이물 채취 및 이물 측정의 수순의 흐름을 나타내는 플로차트.
도 7은, 도 6에 나타내는 실시형태의 이물 측정에 있어서 이용되는 웨이퍼(W)의 표면의 이물을 측정하는 이물 측정기의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조해서 설명한다. 또, 본 명세서 및, 도면에 있어서, 동일한 부호가 부여된 구성에 대해서는, 실질적으로 동일한 구성을 구비하고 있고, 중복된 설명을 생략하는 것으로 한다.
(실시형태 1)
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 도 1 내지 7을 이용해서 설명한다.
우선, 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(100)의 전체적인 구성을, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 전체 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
여기에서는, 처리 대상의 시료인 반도체 웨이퍼는, 반도체 디바이스를 제조하기 위하여 처리되는 것, 및 기판 처리 유닛 내부의 이물을 채취하기 위하여 이용되는 것을 포함한다. 이러한 반도체 웨이퍼를, 웨이퍼(W)로 호칭한다.
도 1에 나타내는 반도체 제조 장치(100)는, 진공 처리 장치의 일례이며, 소위 멀티 챔버 타입의 장치로서, 진공 용기의 내부에, 처리 대상으로 되는 기판 형상의 시료인 웨이퍼(W)가 배치되는 하나의 처리실을 가진 복수의 기판 처리 유닛과, 이들에 연결되고 하나의 진공 반송실을 구비한 진공 용기를 갖는다. 반도체 제조 장치(100)는, 싱글 챔버 타입이어도 된다.
도 1에 있어서, 제1 진공 반송 유닛(112), 제2 진공 반송 유닛(122), 및 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)은, 각각이 진공 용기를 구비한 반도체 제조 장치(100)를 구성하는 하나의 유닛이다. 도 1에 나타난 4개의 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)은, 이하의 설명에서는, 단순히 총칭으로서 기판 처리 유닛(128)으로 호칭되는 경우도 있다.
편의상, 도 1에서 아래쪽을 앞쪽측으로 하고, 위쪽을 뒤쪽측이라 한다. 도 1의 반도체 제조 장치(100)는, 앞쪽측에 대기측 블록(101)을 배치하고, 뒤쪽측에 진공측 블록(102)을 배치하고 있다. 대기측 블록(101)은, 내부의 대기압으로 된 반송실 내를 웨이퍼(W)가 반송되고, 수납의 위치 결정 등이 행해지는 블록이다. 한편, 진공측 블록(102)은, 대기측 블록(101)의 뒤쪽측에 인접해서 연결되고, 소정의 진공도까지 감압된 내부의 실내에서 웨이퍼(W)가 반송되고, 미리 정해진 어느 하나의 기판 처리 유닛(128) 내부의 처리실 내에 배치된 후, 처리가 실시되는 블록이다. 그리고, 대기측 블록(101)과 진공측 블록(102) 사이에는, 이들을 연결해서 배치되고, 웨이퍼(W)를 내부에 가진 상태에서 압력을 대기압과 진공압 사이에서 조정 가능한 영역이 배치되어 있다.
대기측 블록(101)에는, 내부에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 대기 반송 로봇(105)을 구비한 대략 직방체 형상의 케이싱인 대기 반송 용기(103)가 구비되어 있다. 이 대기 반송 용기(103)의 앞쪽측의 면에는, 웨이퍼(W)를 수납한 카세트를 그 상면에 재치(載置)하는 복수의 카세트대(104)가 복수 대(여기에서는 3개) 배치되어 있다.
대기 반송 용기(103)의 전면(前面)에 마련한 이들 카세트대(104) 상면의 위쪽의 개소에는, 도시하지 않은 로드 포트가 배치되어 있다. 로드 포트는, 웨이퍼(W)가 대기 반송 로봇(105)의 선단부 상에 유지되어, 대기 반송 용기(103) 내부의 실내 공간과 카세트 내부 사이에서 주고받기될 때에 통과하는 개구를 개폐 가능하게 되어 있다. 카세트대(104)의 각각의 상면에는, 예를 들면 25매의 웨이퍼(W)가 수납된 FOUP(Front Opening Unified Pod)가 재치된다.
대기 반송 용기(103) 내에 배치된 대기 반송 로봇(105)은, 로드 포트에 있어서의 개방된 개구를 통해, 어느 하나의 FOUP로부터 웨이퍼(W)를 대기 반송 용기(103) 내부의 대기 반송실 내에 반입하고, 상하의 로크실(107)의 어느 하나에 반입한다. 혹은, 대기 반송 로봇(105)은, 어느 하나의 로크실(107)로부터 웨이퍼(W)를 반출하고, 당해 웨이퍼(W)를 원래의 FOUP의 원래의 위치에 반입한다.
진공측 블록(102)은, 평면으로부터 본 형상이 대략 직사각형 또는 사각형인 진공 용기를 구비한 제1 진공 반송 유닛(112) 및 제2 진공 반송 유닛(122)과, 하나 또는 복수의 로크실(107)을 구비하고 있다. 로크실(107)은, 제1 진공 반송 유닛(112)과, 대기측 블록(101)의 대기 반송 용기(103)의 배면 사이에 배치된 다른 진공 용기로서, 웨이퍼(W)를 내부에 유지한 상태에서, 내부의 압력을 대략 대기압에 가까운 값과 소정의 진공도로 감압된 값 사이에서 증감하는 기능을 갖는다.
로크실(107)은, 내부의 공간에 웨이퍼(W)가 복수 매, 상하 방향으로 극간을 두고 수납 가능한 용기를 갖고 있다. 또한 로크실(107)의 전후 단부(端部)에는, 대기 반송 용기(103) 및 제1 진공 반송 유닛(112)에 연결되는 개소에, 웨이퍼가 내부를 통과해서 반송되는 통로인 게이트가 마련되어 있다.
대기측(대기 반송 용기(103)측)의 게이트는, 게이트 밸브(106)에 의해 개방되거나 또는 폐지되어 기밀적으로 봉지(封止) 가능하게 되고, 진공측(제1 진공 반송 유닛(112)측)의 게이트는, 게이트 밸브(108)에 의해 개방되거나 또는 폐지되어 기밀적으로 봉지 가능하게 되어 있다. 게이트 밸브(106, 108)를 폐지함으로써, 대기측 블록과 진공측 블록 사이를 기밀적으로 격리하고 있다.
도 1에서는, 평면으로부터 보았을 때 단일의 로크실(107)만이 나타나 있지만, 본 실시형태에서는, 동일 또는 동일하다고 간주할 수 있을 정도로 가까운 치수의 복수의 로크실이 연직 방향으로 겹쳐져서 배치되어 있다. 또, 이하의 설명에서는 특별히 명시하지 않는 경우, 복수의 로크실(107)에 대해서도 단일의 로크실(107)로서 설명한다. 이와 같이, 진공측 블록(102)은, 높은 진공도의 압력으로 유지 가능한 용기가 연결되고, 내부의 전체가 감압된 상태로 유지된 공간으로 되어 있는 블록이다.
제1 진공 반송 유닛(112), 제2 진공 반송 유닛(122)은, 각각의 평면으로부터 본 형상이 대략 직사각형 형상을 가진 진공 용기인 진공 반송 용기(여기에서는 제1 진공 반송 유닛(112), 제2 진공 반송 유닛(122)을 각각 둘러싸는 케이싱을 말하며, 그들의 내부를 진공 반송실이라 함)를 포함하는 유닛이다. 이들 유닛은, 실질적으로 동일하다고 간주할 수 있을 정도의 구성상의 차이를 갖는 2개의 유닛이다. 이들 제1, 제2 진공 반송 유닛의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 진공 반송 로봇(113, 123)이 배치되어 있다. 진공 반송 로봇(113, 123)은 총칭해서, 진공 반송 로봇이라고도 한다.
이들 진공 반송 로봇(113, 123)은, 각각이 진공 용기 내부의 반송실 내의 중앙부에 배치된 연직 방향의 축 둘레로 회전 가능하게 구성되고, 복수의 빔(beam) 형상으로 연장되는 완부(腕部)의 양 단부가 연직 방향에 축을 갖는 관절부에서 접속된 암(arm)을 구비하고 있다. 암의 각 관절부의 축 둘레로 각 완부가 회동함에 의해 회전, 신축이 가능한 로봇암이 구성되고, 선단의 완부의 일단부에는 선단의 평면형이 U자형을 가진 완드(113', 123')가 구비된다.
진공 반송 로봇(113, 123)은, 웨이퍼(W)를 완드(113', 123') 상에 유지한 상태에서, 기판 처리 유닛(128-1∼128-4), 혹은 로크실(107) 등의 목표에 대해서 정면으로 대향시킨 위치로 되도록, 암을 중앙부의 축 둘레로 회전하여 신장시켜서 위치 결정을 행하고, 또한 목표에 대해서 웨이퍼(W)를 반입하는 기능을 갖는다. 또한 진공 반송 로봇(113, 123)은, 목표로부터 웨이퍼(W)를 반출하고, 암을 수축시켜서 반송실 내에 반출하는 기능을 갖고 있다.
본 실시형태의 제1 진공 반송 유닛(112)은, 진공 반송 용기의 좌우(도 1에서 좌우)의 측벽면 각각이, 그 외측에 배치된 기판 처리 유닛(128-1, 128-2)과 접속관(114, 115)을 통해서 연결되어 있다. 접속관(114, 115)은 내부에, 웨이퍼(W)가 진공 반송 로봇(113)에 놓여서 반송되는 통로를 갖고 있다.
또한 접속관(114, 115)의 내측 단부는, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 반송 용기의 좌우의 측벽에 형성된 개구인 게이트를 통해서, 각각 진공 반송실과 연통(連通)된다. 당해 게이트의 개구는, 진공 반송 용기 내부에 배치되고 상하 방향으로 이동하는 게이트 밸브(110, 111)에 의해 개방, 혹은 기밀하게 폐지된다.
또한, 제1 진공 반송 유닛(112)은, 진공 반송 용기의 전후(도 1에서 상하)의 측벽면 각각이, 그 외측에 배치된 대기 반송 용기(103), 제2 진공 반송 유닛(122)의 진공 반송 용기와, 각각 로크실(107), 버퍼실(118)을 통해서 연결되어 있다. 로크실(107)과 마찬가지로 버퍼실(118)도, 내부에 웨이퍼(W)가 진공 반송 로봇(113)에 놓여서 반입되어 격납되거나, 혹은 반출되는 수납 공간을 갖고 있다.
버퍼실(118)의 전후 방향의 양 단부는, 로크실(107)과 마찬가지로, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 반송 용기의 배면 및 제2 진공 반송 유닛(122)의 진공 반송 용기의 전면의 측벽에 형성된 개구부인 게이트를 통해서, 그들의 진공 반송실과 연통된다. 당해 게이트의 개구는, 각각의 진공 반송 용기 내부에 배치되고 상하 방향으로 이동하는 게이트 밸브(109, 119)에 의해 개방, 혹은 기밀하게 폐지된다.
마찬가지로, 본 실시형태의 제2 진공 반송 유닛(122)은, 진공 반송 용기의 좌우(도 1에서 좌우)의 측벽면 각각이, 그 외측에 배치된 기판 처리 유닛(128-3, 128-4)과 접속관(124, 125)을 통해서 연결되어 있다. 접속관(124, 125)은, 내부에 웨이퍼(W)가 진공 반송 로봇(123)에 의해 반송되는 통로를 갖고 있다.
또한 접속관(124, 125)의 내측 단부는, 제2 진공 반송 유닛(122)의 진공 반송 용기의 좌우 측벽에 형성된 개구인 게이트를 통해서, 각각 진공 반송실과 연통된다. 당해 게이트의 개구는, 진공 반송 용기 내부에 배치되고 상하 방향으로 이동하는 게이트 밸브(120, 121)에 의해 개방, 혹은 기밀하게 폐지된다.
또한, 제2 진공 반송 유닛(122)은, 진공 반송 용기의 전측(도 1에서 하부)의 측벽면이, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 반송 용기와 버퍼실(118)을 통해서 연결되어 있다.
본 실시형태의 버퍼실(118)은, 평면으로부터 본 형상이 대략 직사각형 또는 사각형인 하나의 용기이지만, 복수의 용기가 상하 방향으로 겹쳐져서 배치되고, 각각에 대해서 진공 반송 로봇(113, 123)이 웨이퍼(W)를 반입·반출하는 구성이어도 된다. 또한, 본 실시형태의 게이트 밸브(109, 110, 111, 119, 120, 121)는, 각각이 개폐하는 게이트에 따른 접속관(114, 115, 124, 125)을 통해서 접속된 각 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)이 웨이퍼(W)의 처리를 실시하는 운전 중에는 개방되고, 대응하는 접속관(114, 115, 124, 125) 내부의 통로는, 진공 반송실 내와 같은 감압된 압력으로 된다.
한편, 접속관(114, 115, 124, 125) 내부의 통로는, 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)의 각각의 진공 용기의 측벽에 형성된 웨이퍼(W)가 반송되는 개구부인 게이트를 통해서, 각 진공 용기 내부의 처리실과 연통된다. 또한, 접속관(114, 115, 124, 125) 내부의 기판 처리 유닛(128) 각각에 가까운 측의 단부에, 상하로 이동해서 각 기판 처리 유닛(128)의 게이트를 개방 혹은 기밀하게 폐지하는 프로세스 밸브(116, 117, 126, 127)가 구비되어 있다.
이와 같이, 본 예에서는, 각 기판 처리 유닛(128)과 제1, 제2 진공 반송 유닛(112, 122) 사이에서, 복수의 게이트 밸브 및 프로세스 밸브가 각 게이트를 개방한 상태에서, 웨이퍼(W)의 반입 혹은 반출이 행해진다. 또한, 게이트 밸브(108,109, 119)가 개방된 상태에서, 제1 진공 반송 유닛(112), 제2 진공 반송 유닛(122)과, 로크실(107) 혹은 버퍼실(118) 사이에서 웨이퍼(W)의 반입 또는 반출이 행해진다.
또한, 버퍼실(118)은 로크실(107)의 배치의 구성과 마찬가지로, 상하 방향으로 2개의 실이 겹치는 위치에 배치되어 있다. 보다 상세하게는, 버퍼실(118)은 내부의 웨이퍼를 수납하기 위한 공간을 구성하는 진공 용기의 내부에는, 이것을 상하로 구획하는 착탈 가능한 도시하지 않은 칸막이판을 구비하고 있어, 구획된 2개의 실내끼리의 사이의 가스나 입자의 이동이 저감되어 있다.
즉, 버퍼실(118)은, 내부가 다른 진공 반송실 또는 진공 처리실과 동등한 진공도까지 감압 가능한 진공 용기로서, 복수의 웨이퍼를 이들의 면과 면 사이에서 극간을 둠과 함께 착탈 가능한 칸막이판에 의해 구획된 각각의 실내에서, 웨이퍼(W)가 수평으로 유지되는 수납부를 구비하고 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)가 제1, 제2 진공 반송 유닛끼리의 사이에서 반송될 때에, 일단 반입되어 수납된 후에 반출되는, 소위 받아넘김되는 중계실의 기능을 나타낸다.
즉, 버퍼실(118)은, 복수의 기판 처리 유닛(128)의 어느 하나의 처리실에서 처리되거나, 혹은 처리된 웨이퍼(W)가 수납되는 스테이션이다. 이 때문에, 이들 처리실 중 어느 하나에서 처리가 실시될 예정인 처리 전의 웨이퍼(W)가 버퍼실(118) 내부의 수납 공간에서 대기하고 있는 상태에서, 다른 쪽의 처리실에서 처리를 받은 처리 완료된 웨이퍼(W)가 당해 수납 공간에 반입되는 상태, 혹은 기판 처리 유닛(128-3, 128-4)에서 처리된 웨이퍼(W)가 당해 수납 공간 내에서 어느 하나의 로크실(107)에의 반송을 대기하고 있는 상태에서, 이들 기판 처리 유닛(128-3, 128-4)에 반입되는 경우가 발생할 가능성이 있다. 상기와 같은 상하로 구획된 수납 공간을 구비함에 의해, 처리 전의 웨이퍼(W)와 처리 후의 웨이퍼(W)가 버퍼실(118) 내에 동시에 존재해도, 후자의 주위에 잔류하는 가스나 생성물이 전자에 악영향을 미치는 것이 억제된다.
또, 본 실시형태의 게이트 밸브(109, 110, 111, 119, 120, 121) 모두, 각 게이트를 폐지한 상태에서, 한쪽의 측의 공간이 대략 대기압으로 되고 다른 쪽의 측의 공간이 운전 중과 동등한 진공도까지 감압된 압력에서, 기밀한 봉지가 유지되는 성능을 구비하고 있다. 한편, 프로세스 밸브(116, 117, 126, 127)는, 이것이 내부에 배치된 접속관(114, 115, 124, 125)의 감압된 웨이퍼(W)의 통로와, 각 기판 처리 유닛(128)의 진공 용기 내부의 앞의 통로 내와 같거나 이보다 더 높은 진공도까지 감압된 처리실 사이를 연통하는 게이트를 폐지해서 기밀적으로 봉지할 수 있다.
상기한 바와 같이, 각 기판 처리 유닛(128)과 이것이 연결된 제1 진공 반송 유닛(112) 혹은 제2 진공 반송 유닛(122)은, 대응하는 게이트 밸브(110, 111, 120, 121) 및 프로세스 밸브(116, 117, 126, 127)의 개방에 의해, 접속관(114, 115, 124, 125) 및 게이트를 통한 연통이 확보되어, 진공 반송 로봇(113, 123)에 의한 각 기판 처리 유닛(128)에 대한 웨이퍼(W)의 반송이 가능해진다. 또한, 상기 프로세스 밸브의 폐지에 의해, 접속관(114, 115, 124, 125) 및 게이트가 기밀적으로 폐지된다.
각 기판 처리 유닛(128)의 진공 용기 내부의 처리실 내는, 진공 용기에 접속된 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 포함하는 배기 장치 및 배기의 유량이나 속도를 조절하는 밸브의 동작에 의해 소정의 진공도로 감압된 상태가 유지되고, 그 내부에 배치된 웨이퍼(W)에 대해서, 처리실 내에 형성된 플라스마를 이용한 에칭, 혹은 성막의 시공, 처리실 내부의 클리닝 등의 처리가 실시된다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 반도체 제조 장치(100)의 어느 하나의 기판 처리 유닛(128)의 구성에 대하여, 도 2를 이용해서 설명한다. 도 2는, 도 1에 나타내는 실시형태에 따른 반도체 제조 장치의 기판 처리 유닛의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
본 도면에 나타내는 처리 유닛(200)은, 도 1에 나타낸 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)을 대표해서, 예를 들면 기판 처리 유닛(128-1)과, 이것이 접속관(114)을 통해 접속된 제1 진공 반송 유닛(112)을 포함하고 있다. 기판 처리 유닛(128-1)은, 진공 용기(211)와, 그 위쪽에 배치되고 진공 용기(211) 내부에 플라스마를 형성하기 위한 전계 또는 자계를 공급하는 전계 공급부와, 진공 용기(211)의 하부의 저면에 접속되고, 진공 용기 내부를 배기해서 감압하는 진공 펌프를 구비한 배기부를 갖고 있다.
원통 형상을 가진 진공 용기(211)의 상부의 원통형의 측벽의 외주측 또는 상부의 덮개부 위쪽에 배치된 전계 공급부는, 처리실 내에 플라스마를 형성하기 위한 전계로서 마이크로파대의 특정의 주파수의 전계를 발생시키는 전계 발생용 전원(207)과, 발생한 전계가 내부를 전파해서 아래쪽의 진공 용기(211) 내부의 처리실(201) 내에 도입하기 위한 도파관(206)과, 진공 용기(211)의 외주위(外周圍)에 자계를 형성하는 솔레노이드 코일(208)을 구비하고 있다.
본 실시형태의 기판 처리 유닛(128-1)에서는, 처리실(201) 내에 도입된 처리용의 가스의 분자 또는 원자가, 공급된 마이크로파의 전계 및 자계가 상호작용에 의해 발생된 ECR(Electron Cyclotron Resonance)에 의해서, 여기(勵起)하여 전리 또는 해리해서 플라스마가 형성되고, 이것을 이용해서 처리실(201) 내에 배치된 웨이퍼(W) 상면의 처리 대상의 막이 에칭된다.
진공 용기(211)의 상부에는, 내부의 공간으로서 웨이퍼(W)가 배치됨과 함께 플라스마가 형성되는 처리실(201)의 위쪽을 덮어서 배치되고, 진공 용기(211)의 덮개부를 구성하는 원판 형상의 유전체, 예를 들면 석영제의 유전체창(204)이 배치되어 있다. 진공 용기(211)의 상부의 원통형의 측벽의 상단부와의 사이에 O링 등의 시일용 부재를 끼워서 부착되어, 처리실(201) 내부와, 분위기가 대기압인 외부 사이가 기밀적으로 봉지된다.
유전체창(204)의 아래쪽의 처리실(201)의 위쪽에는, 처리용의 가스가 내부를 통해 도입되는 복수의 관통 구멍이 배치되고 원판 형상을 가진 유전체제(예를 들면 석영제)의 샤워플레이트(205)가 배치되어 있다. 샤워플레이트(205)는, 감압되는 처리실(201) 내부에 배치됨과 함께 처리실(201)의 천장면을 구성하고 있다.
본 실시형태에 있어서, 진공 용기(211)의 원통형의 상부에 배치된 유전체창(204)의 위쪽에는, 유전체창(204)과 근사한 크기의 직경을 갖는 원통형의 공간과, 당해 공간의 상부에 접속된 도파관(206)이 배치되어 있다.
도파관(206)은, 주로 2개의 부분으로 이루어지고, 그 한쪽은 처리실(201) 위쪽의 원통형 공간에 접속되고 그 축이 연직 위쪽으로 연장되는 단면이 원 형상을 가진 원형 도파관 부분이고, 다른 쪽은 원형 도파관 부분의 상단부에 일단부가 접속되고 그 축의 방향이 수평 방향으로 연장되어 단면이 직사각형 또는 사각형 혹은 이들에 근사한 형상의 사각형 도파관 부분이다.
사각형 도파관 부분의 타단부에는, 마이크로파의 전계를 발신해서 형성하는 마그네트론 등의 전계 발생용 전원(207)이 배치되고, 이 전계 발생용 전원(207)에서 발진되어 형성된 전계는 도파관(206)을 전파해서 원형 도파관 부분의 하단부의 아래쪽에 접속된 공진용의 원통형의 공간에 도입되고, 내부에서 소정의 전계의 모드로 된 후, 유전체창(204)을 투과해서 처리실(201) 내에 공급된다.
또한, 진공 용기(211) 위쪽에는, 도파관(206)의 주위 및 진공 용기(211) 상부의 외주 측벽의 주위를 둘러싸고 상하 방향 복수 단으로 감겨서 배치되고, 마이크로파의 전계의 주파수에 맞춘 강도의 자계를 발생 가능한 솔레노이드 코일(208)이 배치되어 있다. 솔레노이드 코일(208)에 공급된 직류 전력에 의해 형성된 자계는, 처리실(201) 내에 도입된 마이크로파의 전계와 ECR을 발생시켜서, 처리실 내에 도입된 처리용의 가스의 입자를 여기하고, 이에 의해 처리실(201) 내에 플라스마가 형성된다.
처리실(201)의 내부 하부에는, 웨이퍼(W)가 그 상면에 놓이는 시료대(209)가 배치되어 있다. 시료대(209)는 원통형의 형상을 갖고, 그 원형의 상면은, 세라믹 등의 유전체를 포함하는 재료가 용사되어 형성된 피막인 유전체막에 의해 피복되어 있고, 그 유전체막의 상면에 처리 대상의 웨이퍼(W)가 놓인다.
시료대(209) 내부 또는 유전체막 내부에 배치된 도전체제의 전극에 공급된 직류 전력에 의해 형성된 정전기력에 의해서, 웨이퍼(W)가 유전체막에 흡착되어 유지된 상태에서, 웨이퍼(W) 이면과 유전체막 상면 사이의 극간에 He 등의 전열성을 가진 가스가 공급되고, 시료대(209)와 웨이퍼(W) 사이의 열전달이 촉진된다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)의 처리(예를 들면 플라스마 에칭 처리)가 실시된다.
또한, 본 실시형태의 진공 용기(211)의 내부에는, 복수의 부재가 배치되고 플라스마에 면해 있다. 예를 들면, 시료대(209)의 위쪽에는 시료대(209)의 상면을 링 형상으로 둘러싸도록 해서, 플랜지(210)가 배치되어 있다. 플랜지(210)는, 도전체제의 부재로 구성되고, 연직축으로부터 이간한 L자 형상 단면을 연직축 둘레로 회전시켰을 때와 같은 링 형상을 갖고, 시료대(209) 위쪽의 처리실(201)의 천장면을 구성하는 처리실(201)의 내벽면과 극간을 두고 이것을 덮어서 배치되어 있다. 또한, 플랜지(210)는, 표면이 산화알루미늄으로 피복된 모재가 접지 전극에 전기적으로 접속되어 있다.
플랜지(210)는, 링 형상의 내주연(內周緣) 부분을 포함하는 내주측의 부분이 처리실(201)의 내측에 면하도록, 진공 용기(211)의 일부로서 진공 용기(211)의 상부의 용기와 하부의 용기 사이에 끼워져서 배치되어 있다. 진공 용기(211)의 상부는, 원통형을 가진 부분에서 내부의 처리실(201)의 상부로서 내측에 플라스마가 형성되는 영역을 둘러싸고 있다. 또한, 진공 용기(211)의 하부는, 플랜지(210)를 사이에 끼우고 처리실(201)의 하부를 둘러싸는 용기이며, 시료대(209)의 주위를, 극간을 두고 둘러싸는 부재이다.
또, 시료대(209)는, 처리실(201)의 연직 방향에 있어서, 진공 용기(211)의 천면(天面)과 저면 사이의 중간의 높이 위치에서, 이들의 상하의 면과 극간을 두고 유지되어 있다. 즉, 시료대(209)의 상면과 천면 사이의 처리실(201)의 공간에서 플라스마가 형성되고, 시료대(209)의 외주 측벽과 진공 용기(211)의 하부의 처리실(201)의 내측 벽면 사이, 및 시료대(209)의 하면과 진공 용기(211)의 저면 사이의 공간은, 상기 플라스마나 처리실(201) 내에 공급된 가스 혹은 웨이퍼(W)의 처리 중에 발생한 생성물의 입자가, 진공 용기(211)의 저부이며 시료대(209)의 하면의 바로 아래쪽의 개소에 배치되고 원형을 가진 배기구(214)를 향해서 흐르고, 당해 배기구(214)로부터 배기부를 통해서 처리실(201)의 외부로 배출되는 유로로 되어 있다.
본 실시형태의 배기부는, 배기의 흐름 방향에 대하여 상류 및 하류측의 각각에 배치된 복수의 진공 펌프와, 배기구(214) 및 이들 진공 펌프를 연결해서 상호 연통하는 복수의 배기관을 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 진공 용기(211) 저부에 부착된 배기관은, 내부의 배기의 흐름의 유로 단면적을 증감해서 배기의 양이나 속도를 조절하는 배기 조절용 밸브(도시하지 않음)를 통해서, 배기구(214)와 터보 분자 펌프(202)의 입구를 연결하고 있다.
또한, 터보 분자 펌프(202)의 출구는, 다른 배기관에 의해 러핑 펌프인 드라이 펌프(203)의 입구와 연결되고, 드라이 펌프(203)로부터 배기되는 가스 등은, 반도체 제조 장치(100)가 배치된 클린룸 등의 건물에 구비된 배기용의 경로를 통해 배출된다. 터보 분자 펌프(202)와 드라이 펌프(203)로 배기 펌프를 구성한다.
또한, 기판 처리 유닛(128-1)에 대하여 접속관(114)을 통해서, 제1 진공 반송 유닛(112)이 접속되어 있다. 제1 진공 반송 유닛(112)은, 내부의 진공 반송실(212) 내에, 제1 진공 반송 유닛(112) 및 진공 반송실(212)과 접속관(114) 사이를 연통하는 게이트를 개폐하는 게이트 밸브(109)를 구비한다. 제1 진공 반송 유닛(112)은, 진공 반송실(212)과 연통하는 도시하지 않은 배기구를 통해서 드라이 펌프(213)와 연결되어 있다. 드라이 펌프(213)의 동작에 의해, 진공 반송실(212)이 처리실(201) 내부보다 조금 높은 압력의 진공도까지 배기되어 감압된다.
처리실(201)이 웨이퍼(W)를 수납해서 처리를 실시하고 있는 동안은, 접속관(114) 내에 배치된 프로세스 밸브(116)는, 진공 용기(211)의 하부의 측벽에 배치된 처리실(201)과 접속관(114) 내부를 연통하는 게이트를 폐지해서 양자 사이를 기밀적으로 봉지하기 때문에, 상기 압력의 차가 유지된다.
한편, 웨이퍼(W)를 처리실(201) 내부와 진공 반송실(212) 사이에서 반송하는 경우에는, 프로세스 밸브(116)가 개방되어 양자가 연통한다. 도 2에 나타나는 바와 같이, 접속관(114)의 아래쪽에는, 프로세스 밸브(116)를 구동해서 연직 방향으로 이동시키는 구동부(116d)가 구비되어 있다. 구동부(116d)는, 프로세스 밸브(116)를 구동함에 의해 진공 용기(211)의 측벽에 형성된 게이트의 외주위의 개소에 맞닿게 해서, 처리실(201)에 연통하는 공간과, 접속관(114)의 내부의 통로 사이를 기밀적으로 봉지할 수 있다. 구동부(116d)와 접속관(114)을 포함시킨 하나의 유닛은 접속부로서, 기판 처리 유닛(128-1) 혹은 제1 진공 반송 유닛(112)에 접속되어 있다.
또한, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 용기의 아래쪽이며 접속관(114)에 근접한 개소에는, 게이트 밸브(109)를 구동해서 연직 방향으로 이동시키는 구동부(109d)가 구비되어 있다. 구동부(109d)는, 게이트 밸브(109)를 구동함에 의해 진공 용기의 내측 측벽의 게이트 주위의 개소에 맞닿게 해서, 게이트의 내외를 기밀적으로 봉지할 수 있다. 구동부(109d)도 제1 진공 반송 유닛(112)을 구성한다.
여기에서, 플랜지(210)는, 처리실(201) 내부를 보수나 점검하는 작업 시에, 솔레노이드 코일(208)과 처리실(201)의 상부와 함께 분해되고, 대기로 개방되어 폭로된다. 혹은, 표면의 피막이 변질되거나 열화(劣化)되어 있는 경우에는, 플랜지(210)가 분리되어 교환된다. 이와 같은 처리실(201)의 내부의 부재에 대한 작업의 종료 후에는, 처리실(201)의 상부가 하부에 플랜지(210)를 사이에 두고 부착되어 진공 용기(211)가 구성된다.
한편, 이와 같은 처리실(201) 내에 배치된 부재는, 표면을 청정하게 하도록 청소, 세정이 실시되지만, 처리실(201) 내부의 높은 진공도까지의 감압이나 웨이퍼(W)의 처리 중에 발생하는 열이나 생성물에 노출되므로, 당해 표면으로부터 분리된 입자나 부재의 파편이 웨이퍼(W)의 표면에 부착해서 이물을 발생시킬 우려가 있다.
본 실시형태에서는, 이와 같은 이물의 발생을 억제하기 위하여, 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)의 어느 하나에의 웨이퍼(W)의 반송 경로 상에 있어서, 부착시킨 입자의 수 및 부착시킨 개소의 정보를 이용해서, 이물의 발생을 예측한다. 이에 의해 이물의 발생이 예측된 경우에는, 당해 경로에 대응하는 기판 처리 유닛(128-1∼128-4)의 어느 하나에서 웨이퍼(W)의 처리를 중단하고, 당해 부착한 개소로부터 이물의 발생원으로 상정되는 개소를 포함하는 개소의 클리닝 등의 보수, 점검의 운전을 개시한다.
즉, 웨이퍼(W)에 처리실(201)의 표면으로부터 불필요한 물질이 부착해서 이물이 발생하면, 웨이퍼(W) 표면의 반도체 디바이스의 회로의 구조가 원하는 대로 형성되지 않을 우려가 있다. 이 때문에, 이물이 발생하면, 반도체 디바이스의 성능이 손상되고, 소위 불량이 발생해 버려서 반도체 디바이스의 수율이 저하해 버린다. 이와 같은 수율의 저하를 억제하도록 이물의 발생을 억제하는데 있어서, 반도체 제조 장치의 내부의 발생원의 개소를 특정하고, 당해 개소를 청소 혹은 부재를 교환해서 이물의 원인으로 되는 입자나 파편을 장치의 내부로부터 효율적으로 제거하는 것이 중요하게 된다.
한편, 발생원으로 상정되는 개소나 부재가 상대적으로 좁은 영역, 범위 내에 존재하고 있는, 소위 집중되어 있는 영역에서는, 청소하거나, 혹은 교환하는 개소를 단시간에 특정할 수 있는 것은, 장치가 반도체 디바이스를 처리해서 양산하는 운전의 시간 이외의 시간을 단축하는 것으로 이어지고, 반도체 제조 장치의 가동률을 향상하기 위하여 중요하다. 그래서 본 실시형태에서는, 이와 같은 이물의 발생원으로 상정되는 개소가 복수 있을 경우에, 발생원의 개소를 효율적으로 정밀하게 검출하는 작업을 보수 또는 점검 중에 실시한다. 당해 작업을 행하기 위해서 실시되는 이물의 측정 방법을, 도 3 내지 7을 이용해서 설명한다.
도 3을 참조해서, 본 실시형태의 반도체 제조 장치(100)가 이물을 채취하는 보수 또는 점검의 태양을 설명한다. 도 3은, 도 1에 나타내는 반도체 제조 장치에 대해서 실시되는 보수 또는 점검 시에 있어서의 이물을 채취하는 상태를 모식적으로 나타내는 횡단면도이다. 특히, 도 3에서는, 도 2에 나타내는 A-A선의 상하 방향의 높이 위치의 단면이 나타나 있다.
여기에서는, 기판 처리 유닛(128-1)에 대해서 실시된 이전의 보수 또는 점검의 작업의 종료 후에, 당해 처리 유닛의 처리실(201) 내에서 처리된 웨이퍼(W)의 매수가 소정의 값에 도달하거나, 혹은 처리실(201) 내에서 플라스마가 형성된 시간의 소정의 누적값에 도달했을 때를, 다음의 보수 또는 점검의 타이밍으로 한다.
보수 또는 점검의 타이밍이 도래한 것을, 반도체 제조 장치(100)와 전기적으로 통신 가능하게 접속된 제어 장치(도시하지 않음)가 검출했을 때는, 제어 장치는 반도체 제조 장치(100)에 기판 처리 유닛(128-1)의 동작을, 반도체 디바이스를 양산하기 위하여 웨이퍼(W)를 처리하는 제조의 동작으로부터 기판 처리 유닛(128-1)을 보수 또는 점검하는 동작으로 전환한다.
당해 보수 또는 점검하는 동작을, 이하, 메인터넌스 운전으로 호칭한다. 또, 기판 처리 유닛(128-1)의 메인터넌스 운전의 개시 전에 미리, 제어 장치로부터의 지령 신호에 따라서, 당해 처리 유닛에서 처리된 후에, 그 처리실(201)로부터 당해 웨이퍼(W)가 취출된 카세트대(104) 상의 원래의 FOUP까지의 반출(반각) 경로 상 중, 처리실(201)로부터 로크실(107)까지의 경로 상에 있는 웨이퍼(W)는 모두 로크실(107)까지 되돌려진다.
메인터넌스 운전이 개시되면, 반도체 제조 장치(100)의 제어 장치는, 카세트대(104) 상의 소정의 FOUP 내부로부터, 시험용의 웨이퍼(W)를 취출해서 로크실(107)에 반입한다. 또한, 시험용의 웨이퍼(W)는, 감압되고 게이트 밸브(108)가 개방된 로크실(107)로부터, 제어 장치로 제어된 진공 반송 로봇(113)에 의해, 그 암 선단부의 완드(113') 상에 놓여서 취출된다. 취출된 웨이퍼(W)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제1 진공 반송 유닛(112)의 측벽과 기판 처리 유닛(128-1)의 진공 용기(211)의 측벽에 접속되고, 이들 사이에서 진공 반송실(212)과 처리실(201) 사이를 연통하는 접속관(114)의 내부에 삽입된다.
그리고, 웨이퍼(W)의 진공 반송 로봇(113)의 암의 신장 또는 수축의 방향(도면 상 좌우 방향)의 축선(본 실시형태에서는, 진공 반송실(212) 중앙부의 진공 반송 로봇(113)의 상하 방향을 따른 회전축과 시료대(209) 사이를 통과하는 직선과 평행한 축선) 상에서, 당해 축 방향에 대한 웨이퍼(W)의 2개의 외주 단연(端緣), 즉, 처리실(201)의 시료대(209) 상면의 중심부에 가장 가까운 단연과 진공 반송실(212)의 진공 반송 로봇(113)의 상기 회전축에 가장 가까운 단연이 각각 처리실(201) 및 진공 반송실(212)의 각각의 내부에 위치하고, 도 3에 나타내는 평면으로부터 보았을 때 웨이퍼(W)의 투영면이, 진공 반송실(212), 접속관(144) 내부 및 처리실(201)의 각각의 내부에 겹쳐져 있는 위치에서, 소정의 시간 유지된다.
여기에서는, 복수의 이물의 발생원이 웨이퍼(W)의 직경보다 짧은 거리의 범위 내에 존재하는 영역에 있어서, 특정의 위치에 웨이퍼(W)를 일정 시간 배치하고, 그 위치에서의 낙하 이물을 웨이퍼에 부착시키는 이물 채취 공정이 실시된다. 이 공정에 있어서, 제어 장치로부터의 지령 신호에 따라서, 진공 반송 로봇(113)은, 게이트 밸브(109) 및 프로세스 밸브(116)가 접속관(114) 내부와 연통하는 게이트를 개방한 상태에서, 웨이퍼(W)를 놓은 완드(113')를 상기한 위치로 이동한다.
본 실시형태에서는, 이물의 발생원이 상정되는 부재는, 접속관(114)의 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(303)의 3부재와, 플랜지(210)이고, 전자의 3부재의 합계 거리는 웨이퍼(W)의 직경보다 짧기 때문에, 웨이퍼(W)를 진공 반송실(212), 접속관(114) 내부, 처리실(201)에 걸쳐있는 위치에 배치하는 것이 가능해진다. 이와 같은 위치에 웨이퍼(W)를 배치해서 이물을 채취함에 의해, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302) 및 접속 플랜지(303)의 어느 하나로부터, 혹은 어느 개소로부터 입자나 파편이 이탈해서 부유하여 웨이퍼(W)의 표면에 부착하여 이물이 발생했는지를 검출하는, 이물 검출의 가속 시험이 가능해진다.
이너 커버(302)는, 종단면의 모서리부가 둥근 모양을 한 대략 직사각형 형상을 가진 접속관(114) 내부의 관로의 내측의 표면을 덮고, 이것에 접해서 부착된 관으로서, 그 내측의 공간이 웨이퍼(W)가 반송되는 게이트 간의 통로로 된다. 이너 커버(302)는, 알루미늄 또는 그 합금에 의한 부재로 구성된 통 형상의 부재이고, 그 내측 표면에는, 웨이퍼(W)의 처리에 이용되는 반응성의 가스나 이로부터 형성된 반응성이 높은 입자와의 반응성이 낮은 산화알루미늄이나 산화이트륨 등의 세라믹의 입자에 의한 피막이, 용사 등에 의해 형성되어 있다.
접속관(114)의 내부의 이너 커버(302)의 진공 반송실(212) 및 처리실(201) 각각의 측의 단부에는, 접속 플랜지(301, 303)가 배치되어 있다. 이들 각각은 상기 게이트 간의 통로의 내주 벽면을 구성하는 링 형상의 형상을 갖고, 접속관(114)의 내측에서 내주 벽면에 접함과 함께, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 반송 용기 및 기판 처리 유닛(128-1)의 진공 용기(211)에 접하고, 웨이퍼(W)의 반송 방향의 축을 따라 동축 형상으로 순서대로 접속한 통 형상의 용기를 구성하고 있다.
또, 본 실시형태의 접속 플랜지(301, 303)는, 접속관(114)을 구성하는 금속제의 진공 용기의 일부에서 이것과 일체로 성형된 부분으로서, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 반송 용기의 게이트 주위의 측벽에 맞닿는 접속관(114)의 단부를 구성하고 있다. 이들 접속 플랜지(301, 303)의 접속관(114)의 상기 게이트 간의 통로의 내주 벽면을 구성하는 내측면도, 반응성을 낮게 할 수 있는 부재가 배치되어 있다. 예를 들면, 접속 플랜지(301, 303)가, 내측 표면을 덮는 세라믹의 피막을 갖고 있거나, 접속 플랜지(301, 303)가 세라믹 재료를 소성해서 형성되어 있어도 된다.
상기한 위치에 유지된 웨이퍼(W)에는, 이들 3부재 혹은 이들 중의 인접하는 2개의 부재끼리가 경계를 접하는 면으로부터 이탈한 입자나 파편이 비유(飛遊)해서 부착할 가능성이 있다. 그 부착량은, 부재의 표면에 부착되어 있는 이물원으로 되는 물질의 양과 상관성이 높다고 추정된다. 그래서, 당해 웨이퍼(W)의 부착물의 양과 성분을 검사함으로써, 상기 3개의 부재의 보수 혹은 점검의 작업의 요부(要否)를 판정할 수 있다.
도 4에, 상기 이물 측정 중의 웨이퍼(W) 및 그 주위의 처리실(201) 및 진공 반송실(212) 내부의 가스의 흐름의 일례를 나타낸다. 도 4는, 도 1에 나타내는 실시형태에 따른 반도체 제조 장치가 실시하는 이물 측정에 있어서의 웨이퍼의 주위의 가스의 흐름을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 4에서는, 진공 반송실(212), 접속관(114), 처리실(201) 내부에 있어서의 가스의 흐름이 화살표로 모식적으로 나타나 있다.
본 실시형태에 있어서, 진공 반송실(212)의 내부는 드라이 펌프(213)에 의해 배기되고, 처리실(201)의 내부는 터보 분자 펌프(202) 및 드라이 펌프(203)에 의해 배기되어 있다. 또한, 진공 반송실(212) 내부에는 불활성 가스(예를 들면, 질소(N2) 가스)가 공급되고, 처리실(201) 내에는 샤워플레이트(205)로부터 불활성 가스(예를 들면, 아르곤(Ar) 가스)가 공급되어 있다.
처리실(201) 내를 배기하는 양 또는 속도는 진공 반송실(212) 내를 배기하는 양 또는 속도보다 크기 때문에, 처리실(201)의 내압이 진공 반송실(212)의 내압보다 높아지고, 진공 반송실(212)로부터 처리실(201)을 향하는 가스의 흐름이 접속관(114)의 게이트관 통로 내에 발생하고 있다. 여기에서, 접속관(114) 내의 가스 흐름은 중간류이면 바람직하다. 일반적으로 중간류란, 크누센 수를 Kn으로 했을 때, 0.01<Kn<0.5를 만족시키는 가스 흐름을 말한다.
완드(113') 상에 유지된 웨이퍼(W)는, 접속관(114)의 내부의 게이트 간의 통로의 천장면을 구성하는 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(303)의 내측 벽면의 아래쪽에 있어서, 거리 L만큼 이간해서 배치되어 있다.
본 실시형태에서는, 진공 반송실(212) 내의 압력은, 웨이퍼(W)와 접속관(114) 내의 사이를 통과해서 처리실(201)을 향하는 질소 가스의 흐름이, 중간류의 영역에서 소정의 확산이 행해지도록, 질소 가스의 공급의 양 또는 속도 혹은 접속된 드라이 펌프(213)에 의한 배기의 양 또는 속도가 조절된다.
진공 반송실(212) 내의 질소 가스는, 제1 진공 반송 유닛(112)의 진공 용기 저면에 접속된 드라이 펌프(213)의 동작에 의해 흡인되어, 진공 반송실(212) 내부의 진공 반송 로봇(113)의 암의 위쪽의 공간으로부터 하향으로 흐르고, 접속관(114) 내부의 통로와 연통한 게이트의 개구의 주위의 공간을 통과한다. 이때, 일부의 질소 가스는 접속관(114)의 게이트 간의 통로 내에 유입하고, 다른 일부는, 웨이퍼(W), 진공 반송 로봇(113)의 완드(113')의 주위를 하향으로 흘러서 암 아래쪽의 공간에 유입된 후, 드라이 펌프(213)에 의해 진공 반송실(212) 외부로 배출된다.
한편, 샤워플레이트(205)의 가스 도입구로부터 처리실(201) 내부에 공급된 아르곤 가스는, 시료대(209)의 주위의 공간이며 처리실(201)의 내측 측벽과 시료대(209)의 외주 측벽 사이의 공간을 통과하여, 시료대(209) 아래쪽의 공간에 유입한다.
진공 반송실(212) 내로부터 접속관(114)의 게이트 간의 통로에 유입한 일부의 질소 가스는, 처리실(201)에 면한 게이트의 개구를 통해 처리실(201) 내에 유입하고, 아르곤 가스와 함께 웨이퍼(W), 진공 반송 로봇(113)의 완드(113') 및 시료대(209)의 주위를 아래쪽을 향해서 흘러서 시료대(209) 아래쪽의 처리실(201)의 하부에 유입한다. 시료대(209) 아래쪽의 처리실(201)에 유입한 가스는, 터보 분자 펌프(202) 및 드라이 펌프(203)의 동작에 의해, 배기구(214)를 통해 처리실(201) 외부로 배출된다.
본 실시형태의 진공 반송실(212) 내의 질소 가스는, 중간류로서 진공 반송실(212)로부터 접속관(114) 내부의 게이트 간의 통로에 유입하고, 중간류의 상태에서 통로의 내부를 통과함에 의해, 내부에서의 분자 간 충돌이 지배적으로 되고, 벽과의 충돌이 지배적인 분자류에 비해서, 확산성이 저하한다. 이 때문에, 3부재의 내측 표면으로부터 탈리한 이물원으로 되는 입자나 파편은, 질소의 분자와 충돌하면서 확산하기 때문에, 그 확산성이 웨이퍼 직경의 300㎜에 비해서 충분히 작은 것으로 된다고 상정된다.
이에 의해, 3부재의 내측 표면으로부터 탈리한 이물로서의 입자나 파편은, 웨이퍼(W) 표면의 크기를 초과해서 확산하는 것이 억제되고, 위쪽으로부터 아래쪽으로 강하하면서 웨이퍼(W)의 상대적으로 작은 영역 내에 강착(降着)한다. 보다 바람직하게는, 입자나 파편은 수직 낙하에 가까운 상태에서 모여서 부착한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 부착한 이물을 맵핑했을 때에, 이물 발생원과의 대응 관계를 용이하게 도출할 수 있다.
또한, 가령 웨이퍼(W) 표면과 게이트 간의 통로의 천장면의 높이를 충분히 넓게 하면, 3부재의 내측 표면으로부터 탈리한 입자나 파편은 낙하해서 웨이퍼(W)에 부착하기 전까지의 사이에, 웨이퍼(W)의 상면에 부착하지 않고, 기판 처리 유닛(128-1)의 처리실(201) 내로 흘러가 버리는 경우도 있을 수 있다. 그래서, 웨이퍼(W)와 천장면의 거리 L은, 이물 채취에서 충분한 개수의 입자나 파편이 얻어지도록 설정되는 것이 바람직하다.
이와 같은 웨이퍼(W) 위쪽으로부터의 입자 등의 낙하의 상태를 도 5에 나타낸다. 도 5는, 도 4에 나타내는 이물 측정 중에 부착하는 입자 등의 상태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 도 5에서는, 도 4에 나타내는 위치에서 웨이퍼(W)가 유지되어 있는 상태에서, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(303)의 각각의 내주 벽면에 미세 크랙 등이 발생하고, 그로부터 이탈해서 발생하는 입자 등(파티클)의 이동을 추정한 일례(모델)가 나타나 있다.
도 5에 있어서, 부호 501은, 처리실(201)측의 접속 플랜지(301)의 표면으로부터 탈리해서 발생한 복수의 파티클로 구성된 파티클의 집합을 나타낸다. 이 파티클 그룹(501)은, 웨이퍼(W) 표면의 중심으로부터 기판 처리 유닛(128-1)에 가까운 영역에 부착한다. 부호 502는, 이너 커버(302)의 표면으로부터 발생한 복수 파티클의 집합을 나타낸다. 이 파티클 그룹(502)은, 웨이퍼(W) 표면의 중앙부에 부착한다. 부호 503은, 진공 반송실(212)측의 접속 플랜지(303)로부터 발생한 복수의 파티클로 구성된 파티클의 집합을 나타낸다. 이 파티클 그룹(503)은, 웨이퍼(W)의 표면의 중심으로부터 진공 반송실(212)에 가까운 영역에 부착한다.
또, 접속관(114)의 게이트 간 통로에서는 진공 반송실(212)로부터 처리실(201)을 향해서 가스의 입자의 흐름이 발생하고 있다. 이 때문에, 파티클 그룹(501, 502, 503)은 각각, 이탈한 후에 강하하면서 처리실(201)의 측으로 이동한다. 이 때문에, 각각의 집합의 파티클이 부착하는 위치도, 위쪽으로부터 보았을 때 탈리한 위치로부터 전체적으로 처리실(201)에 가까운 방향으로 이동한 개소로 되므로, 원형 또는 이것에 근사한 형상의 시험용의 웨이퍼(W)의 경우는, 이것을 유지하는 개소는, 처리실(201)의 게이트의 개구로부터 처리실(201) 내부로 돌출한 웨이퍼(W)의 표면의 면적이 진공 반송실(212)의 게이트의 개구로부터 돌출한 면적보다 커지는 위치인 것이 바람직하다. 또, 시험용의 웨이퍼(W)의 형상은 원형으로 한정되지 않으며, 예를 들면 직사각형이어도 된다.
도 6을 이용해서, 본 실시형태의 반도체 제조 장치(100)가 실시하는 웨이퍼(W) 상의 이물의 측정 방법에 대하여 설명한다. 도 6은, 도 1에 나타내는 실시형태에 따른 진공 처리 장치의 메인터넌스 운전 중에 행하는 이물 채취 및 이물 측정의 수순의 흐름을 나타내는 플로차트이다. 스텝 S601∼S607이 이물 채취 공정을 구성하고, 스텝 S608 이후가 이물 측정 공정을 구성한다.
도 4, 5에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 유닛(128-1)의 메인터넌스 운전 중의 웨이퍼(W)의 파티클(이물)의 측정 공정에 대하여 설명한다. 또한, 이하의 동작은, 상기한 도시하지 않은 제어 장치로부터의 지령 신호에 따라서 행해진다.
도 6에 있어서, 우선, 메인터넌스 운전 중에, 제어 장치는, 스텝 S601에 있어서, 기판 처리 유닛(128-1)의 터보 분자 펌프(202)를 포함하는 배기부를 동작시켜서, 처리실(201) 내부를 배기해서, 압력을 소정의 진공도, 특히 본 예에서는 고진공 상태(예를 들면, 9E-4Pa 정도)까지 감압한다. 마찬가지로, 스텝 S602에 있어서, 제어 장치는 드라이 펌프(203)를 구동해서, 진공 반송실(212) 내부를 배기해서 소정의 진공도, 여기에서는, 저진공으로부터 중진공의 범위 내의 값(예를 들면, 1E-1Pa 정도)까지 감압시킨다. 또, 스텝 S601, S602는 병행해서 행해져도 된다.
다음으로, 스텝 S603에 있어서, 제어 장치는 진공 반송실(212) 내부를 배기하면서, 내부에 질소 가스를 도입하고, 그 압력이 소정의 범위 내의 값으로 되도록 조절한다. 특히 여기에서는, 이물 채취 중에 게이트 간의 통로 내의 가스나 파티클의 흐름이 중간류로 되어서 확산하는 압력으로 설정한다. 또, 도입되는 질소 가스는, 이물 채취 동안은 멈추지 않고 계속 흘려보내진다.
또한, 스텝 S604에 있어서, 제어 장치는 반송 로봇을 구동해서, 시험용의 웨이퍼(W)를 FOUP 내부로부터 취출하고, 대기측 블록(101)으로부터 진공측 블록(102)까지 반송한다. 구체적으로는, 시험용의 웨이퍼(W)가 로크실(107)에 반입된 후, 로크실(107) 내가 배기되어 진공 반송실(212) 내부와 동등한 압력까지 감압된 상태로 된다. 또, 시험용의 웨이퍼(W)는, 미사용의 Si제의 기판을 이용한 웨이퍼(W)이다.
다음으로, 스텝 S605에 있어서, 제어 장치는 접속관(114) 내의 게이트 간 통로와 처리실(201) 사이의 프로세스 밸브(116)를 개방한다. 이물 채취의 개시 전에 게이트 밸브(109)가 개방되어 있어도 되고, 스텝 S605 대신에, 이 이전에 스텝 S602 이후의 스텝에 있어서 프로세스 밸브(116)가 개방되어 있어도 된다.
다음으로, 스텝 S606에 있어서, 제어 장치는 반송 로봇을 구동해서, 시험용의 웨이퍼(W)를 로크실(107)로부터 반출하고, 진공 반송실(212)을 통과시키고, 도 3에 나타내는 바와 같이 진공 반송실(212), 접속관(114) 내부의 게이트 간의 통로, 처리실(201)의 각각에 걸쳐있는 위치(이물 채취 위치)로 반송하고, 당해 위치에 유지한다.
도 3의 예에서는, 순차 이어진 접속 플랜지(301), 이너 커버(302) 및 접속 플랜지(303)의 각각의 내주 벽면이 구성하는 통 형상의 통로의 천장면의 아래쪽에서, 시험용의 웨이퍼(W)는, 각 부재로부터 소정의 거리로 떨어져서 유지된다.
이 상태를 유지하면서, 스텝 S607에 있어서, 소정의 기간만큼 시험용의 웨이퍼(W)를 유지한다. 또, 이때 진공 반송실(212)에는, 질소 가스가 계속 도입되고 있음과 함께, 드라이 펌프(213) 및 터보 분자 펌프(202)의 동작에 의한 진공 반송실(212), 처리실(201) 각각의 실내의 배기는 계속되고 있다.
그 후, 스텝 S608에 있어서, 시험용의 웨이퍼(W) 표면에 부착한 파티클의 검출을 실시한다. 구체적으로는, 우선, 제어 장치가 반송 로봇을 구동해서, 시험용의 웨이퍼(W)를 이물 채취 위치로부터 반출해서 원래의 FOUP로 반송한다. 당해 FOUP로부터, 원격한 개소에 배치된 이물 측정기까지, 외부로부터 차폐된 상태에서 시험용의 웨이퍼(W)를 반송하고, 당해 이물 측정기에 의해 파티클의 해석을 실시한다.
이물 측정기에 있어서, 예를 들면, 파티클을 구성하는 물질의 성분과 그 비율(조성)이 검출되고, 특정한 물질의 성분 혹은 그 비율로부터 파티클의 종류와 그 개수가 검출되고, 서로 다른 파티클의 종류와 그 개수가 웨이퍼(W) 상의 위치와 대응짓기된 데이터가 작성된다. 제어 장치는, 이러한 데이터에 의거해서 이물 맵을 작성하고, 이것을 이물 측정기로부터, 통신 가능하게 접속된 하드디스크 등의 기억 장치 내에 전송하고, 기억해서 저장한다.
이와 같은 이물 측정기의 예를, 도 7을 이용해서 설명한다. 도 7은, 도 6에 나타내는 실시형태의 이물 측정에 있어서 이용되는, 웨이퍼(W)의 표면의 이물을 측정하는 이물 측정기의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 7에 나타내는 웨이퍼(W) 표면의 이물을 검출하는 이물 검출기(700)에서는, 도 6의 스텝 S608에 있어서 소정 기간에 파티클을 부착시킨 후에 FOUP로 되돌려진 시험용의 웨이퍼(W)는, 추가로 이물 검출기(700)까지 반송되고, 도 7의 로더(701) 상에 재치된다.
그 후, 시험용의 웨이퍼(W)가 로더(701)로부터 핸들링 암(702)에 의해 취출되어 프리얼라이너(703)로 반송된다. 프리얼라이너(703)의 회전 테이블(704)에서, 시험용의 웨이퍼(W)의 노치(얼라이먼트 마커)가 검출되어 얼라이먼트의 조절이 행해진 후, 측정 위치(705)에 웨이퍼(W)가 이송되어 파티클의 검출이 행해진다.
즉, 시험용의 웨이퍼(W)에 있어서 파티클이 부착한 위치, 파티클의 종류와 개수(여기에서는, 이물 검출기(700)의 내부의 계수기에 의해 계수된 파티클종류마다의 개수)가 데이터로서 산출된다. 예를 들면, 도 3에 나타내는 웨이퍼(W)에 대해서, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(302) 각각의 위쪽으로부터 보았을 때 웨이퍼(W) 상면에 투영된 영역의 각각을, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(302) 각각으로부터 탈리한 파티클의 부착 영역으로서 상정하고, 이들 부착의 상정 영역을 좌표 데이터 상에서의 웨이퍼(W) 상의 영역으로서 구획한다.
이들 영역의 좌표 데이터는, 도시하지 않은 입력 장치로부터 이물 검출기(700)에 정보로서 입력되고, 상기 기록된 이물 맵의 데이터의 각 파티클의 좌표로부터, 웨이퍼(W) 상에서 구획된 각 상정 영역의 범위 내에 부착한 파티클의 개수가 이물 검출기(700)에 의해 산출되고, 이물 검출기(700)의 도시하지 않은 표시 장치 상에 표시된다. 혹은, 통신 수단을 통해서 당해 산출된 영역마다의 파티클 개수가 데이터로서, 반도체 제조 장치(100)에 전송되어도 된다.
도 6의 스텝 S608에서 이물의 검출을 끝낸 후, 다음의 스텝 S609에 있어서, 제어 장치는, 웨이퍼(W)의 상정 영역에 부착한 각 파티클의 종류와 개수로부터, 이물의 맵을 해석한다. 또한, 제어 장치는, 각 영역에 대하여 파티클의 종류와 종류마다의 개수를 검출하고, 이에 의거해서, 스텝 S610에 있어서, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(303) 각각으로부터의 파티클의 개수를, 미리 정해진 허용 범위의 상한값과 비교한다. 이 비교에 의해, 이물원으로서의 파티클의 발생의 유무와 그 개소가 특정된다.
상기 비교의 결과, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(303) 중 어느 하나로부터 발생한 파티클의 개수가 상한값을 초과했기 때문에, 이물이 허용 범위 외라고 판정된 경우에는, 부재의 교환 혹은 세정(보수 작업)이 필요한 것이, 반도체 제조 장치(100)의 도시하지 않은 표시기 상에 통지된다. 한편, 이물이 허용 범위 내라고 판정된 경우에는, 보수 작업은 필요하지 않은 것이 표시기 상에 통지된다.
이 판정 및 통지는, 제어 장치를 통하지 않고 이물 검출기(700)가 직접 실행해도 된다. 이 경우, 메인터넌스 운전은, 당해 파티클의 해석의 공정의 종료 후에는, 부재의 교환 또는 세정을 위한 보수 작업의 모드로 이행되고, 접속관(114) 혹은 제1 진공 반송 유닛(112)은 내부가 대기압과 동등한 압력까지 승압된다. 그 후에, 적어도 상부의 덮개 부재가 제거되고, 소위 대기 개방되어, 3부재가 접속관(114) 혹은 제1 진공 반송 유닛(112)으로부터 제거되고, 세정되는 작업이 행해진다.
이에 대하여, 접속 플랜지(301), 이너 커버(302), 접속 플랜지(303) 중 어느 하나로부터 발생한 파티클의 개수가 상한값 미만이고, 이물이 허용 범위 내라고 판정된 경우에는, 제어 장치는, 다음으로 실시되는 반도체 디바이스를 제조하는 양산의 운전을 계속해서 행하는 것이 가능하다고 판정하고, 반도체 제조 장치(100)의 운전은 당해 양산의 운전을 위한 준비의 운전으로 이행한다. 이와 같은 판정의 결과도, 반도체 제조 장치(100)의 도시하지 않은 표시기 상에 통지된다. 이상으로, 메인터넌스 운전이 완료된다.
상기한 메인터넌스 운전은, 소정의 웨이퍼(W)를 처리한 매수나 플라스마를 형성한 시간의 누적의 값이 소정의 값에 달했다고, 제어 장치가 판단했을 때에 실시된다. 이것으로 한정하지 않으며, 반도체 제조 장치(100)가 조립되었을 때, 예를 들면, 제조된 공장에 있어서 조립된 경우나, 클린룸 등의 양산의 공정을 행하기 위해서 설치되는 개소에 있어서 최초로 도입되어 조립된 경우, 혹은 적어도 하나의 기판 처리 유닛(128)이나 제1 진공 반송 유닛(112)이나 제2 진공 반송 유닛(122) 등의 반도체 제조 장치(100)를 구성하는 유닛의 일부가 교체되거나, 새롭게 추가된 경우에 있어서, 상기 메인터넌스 운전의 경우와 마찬가지의 이물 측정이 실시되어도 된다.
본 실시형태에 따르면, 임의의 기판 처리 유닛(128)과 진공 반송실(212)이 접속관(114)에 의해서 접속되어 있는 경우 등과 같이, 복수의 부재의 끼리가 접속된 개소가 웨이퍼(W)의 직경보다 짧은 거리에 위치하고 있는 영역에 있어서, 웨이퍼(W)의 상면이 각 부재의 접속된 개소에 걸쳐있는 위치에, 웨이퍼(W)를 반송해서 파티클의 측정을 실시할 수 있다. 웨이퍼(W)에 있어서의 파티클이 부착한 영역과 개수를 포함하는 측정 결과를 해석함에 의해, 어느 부재 혹은 어디의 접속 개소로부터의 파티클 등의 부착의 양이 허용 범위 외인지를 판정할 수 있다. 그 판정 결과에 따라서, 허용 범위 내이면 조립이 양호하다고 판단할 수 있거나, 혹은 제품의 출하가 가능하다고 판정할 수 있으므로, 반도체 제조 장치(100)의 제품 검사로서 실시할 수 있다.
이상 설명한 실시형태에 의해, 반도체 제조 장치(100) 내부의 부재의 청소나 부재의 교환 등의 보수의 작업의 요부를, 정밀하게 판정할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)에 이물의 발생과 이에 의한 처리에의 악영향이 저감되어, 반도체 제조 장치(100)의 처리의 수율이 향상한다. 또한, 보수의 작업에 요하는 시간이 단축되고, 반도체 제조 장치(100)가 웨이퍼(W)를 처리해서 반도체 디바이스를 양산하는 운전 이외의 시간, 소위 다운타임이 단축되어, 장치의 가동 효율이 향상한다.
100 : 반도체 제조 장치(진공 처리 장치)
101 : 대기측 블록 102 : 진공측 블록
103 : 대기 반송 용기 104 : 카세트대
105 : 대기 반송 로봇
106, 108, 109, 110, 111, 119, 120, 121 : 게이트 밸브
107 : 로크실 116, 117, 126, 127 : 프로세스 밸브
112 : 제1 진공 반송 유닛 113 : 진공 반송 로봇
114, 115, 124, 125 : 접속관 118 : 버퍼실
122 : 제2 진공 반송 유닛 123 : 진공 반송 로봇
128, 128-1, 128-2, 128-3, 128-4 : 기판 처리 유닛
201 : 처리실 202 : 터보 분자 펌프
203 : 드라이 펌프 204 : 유전체창
205 : 샤워플레이트 206 : 도파관
207 : 전계 발생용 전원 208 : 솔레노이드 코일
209 : 시료대 210 : 플랜지
211 : 진공 용기 212 : 드라이 펌프
301 : 접속 플랜지 302 : 이너 커버
303 : 접속 플랜지

Claims (5)

  1. 웨이퍼가 처리되는 처리실을 내부에 갖는 진공 용기, 및 상기 처리실 내를 배기하는 배기 펌프를 갖는 처리 유닛과, 상기 웨이퍼가 반송되는 반송실을 갖는 진공 반송 유닛과, 상기 웨이퍼를 상기 처리실과 상기 반송실 사이에서 반송 가능한 통로를 갖는 접속관을 구비한 진공 처리 장치의 이물 측정 방법으로서,
    상기 처리실의 내압보다도 상기 반송실의 내압을 높게 함에 의해서, 상기 반송실로부터 상기 처리실을 향해서 상기 통로 내에 기체의 흐름을 발생시키고, 웨이퍼를 상기 반송실과 상기 통로와 상기 처리실에 걸쳐있는 위치로 반송해서, 소정 시간 유지하는 이물 채취 공정과,
    상기 웨이퍼의 표면에 부착한 이물을 측정하는 이물 측정 공정을 갖는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이물 채취 공정에 있어서, 상기 반송실 내부에 가스를 공급하고,
    상기 웨이퍼가 상기 반송실과 상기 통로와 상기 처리실에 걸쳐있는 위치에 있어서, 상기 반송실 내부에 공급된 상기 가스의 흐름이 중간류(中間流)로 되도록, 당해 반송실 내부에의 상기 가스의 공급 또는 배기를 조절하는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 반송실과 상기 처리실 사이에 있어서의 상기 통로 내에 배치된 복수의 부재를 연직 방향으로 투영했을 때에, 상기 투영된 복수의 부재는, 상기 반송실과 상기 통로와 상기 처리실에 걸쳐있는 상기 웨이퍼의 상면의 적어도 일부와 겹치는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이물 채취 공정에 있어서, 상기 복수의 부재의 각각으로부터 낙하한 이물을, 상기 웨이퍼에 부착시킴에 의해서 채취하고,
    상기 이물 측정 공정에 있어서, 채취된 상기 이물의 개수를 검출하고, 검출된 상기 이물의 개수에 의거해서 당해 복수의 부재에 대한 보수(保守)의 작업의 요부(要否)를 판정하는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이물 채취 공정과 상기 이물 측정 공정을, 상기 처리 유닛에서 웨이퍼를 처리한 매수 혹은 시간의 누적값이 소정의 값을 초과한 경우에 실행하는 진공 처리 장치의 이물 측정 방법.
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