JPH01209724A - 半導体処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は処理技術、特にドライプロセス゛技術に有効
な半導体処理装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来のドライプロセスを利用したプラズマエツ
チング装置の縦断面図である。（１）は処理室で気密が
保たれる様に構成されており、その底面に設けた排気路
（２１より真空ポンプ（図示省略）を接続して処理室（
１）内を真空引きする。処理室（１）内には上部電極（
３）及び下部電極（４）が配設されていて、上部！！ｆ
ｆ極（３）には高周波電源（５）が接続されている。（
６）はガス流量制御部でガスボンベ（図示省略）より流
れてくるエツチングガス流量を制御し、ガス導入＃　（
７）から処理室（１）へ流し込む。下部電極（４）はア
ースされており、又被処理物のウェハ（８）を載置して
保持し得る様に構成されている。（９）は処理室（１）
よりゲートバルブＱＯを介して設けたローディングバッ
ファ室で、ウェハ（８）を収納するカセットαＤが収容
されている。ローディングバッファ室（９）は処理室（
１）と同様に気密が保たれるように構成され、排気路υ
より真空引きを行い、また、大気パージを行うため°に
Ｎ２導入路（至）が設けられている。

次に動作について説明する。ローディングバッファ室（
９）にウェハ（８）が収納されたカセットαηが収容さ
れ、排気が完了するとゲートバルブ００が８きウェハ（
８）が予め真空排気された処理室（１）へ送り出される
。次に、下部電極（４）、にウェハ（８）が載置され、
エツチングガスが導入されるとともに、上部電極（３）
及び下部電極（４）間に高周波雷圧が印加されるとプラ
ズマが形成され、このプラズマによる気体電気化学反応
より、ウェハ（８）にエツチング処理が施される。

上記処理中の反応ガス、反応生成ガス、また、処理後の
残ガスは排気路（２）より常時排気されているが、若干
のガスは排気されず一部はデポ物α４となり処理室内を
浮遊する。処理量の増加とともにデポ物α４の浮遊量も
増加し、処理室（１）のクリーン度は低下する。また、
ローディングバッファ室（９）内も上記デポ物α→のま
わり込みがあり、Ｎ２パージ時にデポ物Ｑ４が巻き上が
りクリーン度が低下する。

これらのデポ物α４は、ウェハ（８）上に付着し処理に
悪影響を与えるため、対処法として処理室（１）、ロー
ディングバッファ室（９）の清掃を行っている。この清
掃の時期は、処理数で定期的に行うか、又はゴミ測定用
の専用ウェハで装置内を搬送させて専用ウェハ上の付着
ゴミ数を異物検査装置で測定し判断していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のように従来例では清掃時期を定期的に行うか、専
用ウェハ搬送による異物検査法を行っているため、前者
の場合はダスト基準を超えての処理を行−う恐れがあり
、また、後者の場合は通常スペックと違う処理を行うた
め、製品製造に当って大きなダウンタイムを生じやすい
。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ダスト基準を超えての処理をなくし、かつ通
常処理時にダスト素を測定できる半導体処理装置を提供
するものである。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体処理装置は、処理室及びローディ
ングバッファ室に浮遊するデポ物のダストを検出測定す
るダストモニタを取り付（）、常時ダスト数のモニタリ
ングを行い、予め設定したダスト上限値とを比較判断し
、処理を停止し得る制御を行うようにしたものである。

〔作用〕

この発明においては１通常処理時に処理室及びローディ
ングバッファ室内のダスト量がわかり、清掃時期が判断
できる。

〔実施例〕

以下、この発明に係る半導体処理装置の一実施例を図に
ついて説明する。第１図はこの実施例を適用したプラズ
マエツチング装置の縦断面図及び制御回路のブロック回
路図である。図において（１）〜ａ４は第２図の従来例
で説明したものと同等であるので説明の重複を避ける。

（至）は処理室（ｌ）、ローディングバッファ室（９）
のそれぞれ１面に取す付けられたダスト検出部、αＧは
ダスト検出部（至）に対向する処理室（１）、及びロー
ディングバッフｙ室（９）の１面に取り付けられたミラ
ー、αηは信号処理表示部である。ダスト検出部（至）
にはレーザー発光部と受光部が備えてあり、レーザー発
光部からのレーザービームがミラー（至）で反射し、ダ
ストにより散乱した光を受光部で検出し、信号処理表示
部（ｌりでダスト数を表示する。（至）は予め設定され
たダスト基準の上限値と信号処理表示部ａηにて測定さ
れたダスト数とを比較する比較手段、ＱＱは上記比較手
段（至）からの比較結果により高周波電源（５）及びガ
ス流量制御部（６１に信号を出す制御手段である。

次に動作について説明する。処理室（１）、ローディン
グバッファ室（９）内のダスト数はダスト検出部（至）
、信号処理表示部Ｑηで常時モニタリングさｊ、次にこ
の測定されたダスト数は比較手段（至）で予め設定され
たダスト基準の上限値と比較される。更にこの比較結果
がダスト基準の上限値を越えていた場合、制御手段α呻
より高周波電源（５）、ガス流１制御部（６）へ停止信
号若しくはアラーム信号を送る。

なお、上記実施例ではプラズマエツチング装置について
説明したが、ＣＶＤ、スパッタ及びイオン注入装置尋に
おいても上記実施例と同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、処理室及びローディ
ングバッファ室にダスト検出部を取り付は常時ダストの
モニタリングを行い、かつダスト基準の上限値との比較
判断を行い処理停止等の制御を行うようにしたので、ダ
スト基中を越えての処理を行うことがなく、また、清掃
時期を容易に判断でき、製品の歩留向上、製造のダウン
タイムの低減等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る半導体処理装置の一実施例によ
るプラズマエツチング装置の構成を示す縦断面図及び制
御回路のブロック回路図、第２図は従来例による同上袋
晋の構成を示す縦断面図である。 図において（１］は処理室、（２）は排気路、（３）は
上部可振、（４）は下部電極、（５）は高周波１ｊ＠ｊ
、（ａ）はガス流量制御、（７）はガス導入路、（８）
はウェハ、（９）はローディングバッファ室、αＯはゲ
ートバルブ、卸はカセット、（６）は排気路、（至）は
Ｎ２導入路、α４はデポ物、（至）はダスト検出器、α
Ｇはミラー、αηは信号処理表示部、（至）は比較手段
、ＯＩは制御手段である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハを収納しこれに処理を施す処理室と、上
   記処理室に開閉機構を介して具設されたウェハのローデ
   ィングバッファ室を有した半導体処理装置において、上
   記処理室及びローディングバッファ室に浮遊するダスト
   数を検出測定するダストモニタを上記各室に備え、上記
   ダストモニタからのダスト数と、予め設定されたダスト
   の上限数とを比較するダスト数比較手段とを備えたこと
   を特徴とする半導体処理装置。