CN115295460B - 晶圆承载腔体设备及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶圆承载腔体设备及其控制方法，涉及半导体技术领域。晶圆承载腔体设备包括晶圆承载腔体、腔体密封门、氮气接头和带网中心圈，晶圆承载腔体的侧壁上开设有进出口，进出口四周设置有水平防刮条和竖直防刮条，进出口的外围设置有密封圈；腔体密封门可滑动地安装在进出口上，腔体密封门滑动过程中与水平防刮条、竖直防刮条以及密封圈接触，且与晶圆承载腔体的壁面之间保持间隙，氮气接头安装在晶圆承载腔体的外壁上，用于向晶圆承载腔体的内部充入氮气，带网中心圈安装在氮气接头的内部，用于将充入的氮气分散，防止氮气吹起污染颗粒。该晶圆承载腔体设备能够有效避免污染颗粒，降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率。

Description

晶圆承载腔体设备及其控制方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆承载腔体设备及其控制方法。

背景技术

现在半导体行业中随着缺芯问题的突出，及各FAB厂产能的饱和，如何提高生产效率就成了各公司急需突破的瓶颈，各半导体设备厂商为了提高客户产品生产效率，逐步开始将装有一定数量晶圆的晶舟置放在真空环境中，从而缩短机械手取放片的距离，进而产生了以真空环境承载晶舟的晶圆承载腔，该腔体不仅缩短了机械手取放片距离，还大大缩短了取放片时建真空、破真空的时间，并为后续的工艺制程提供了洁净的真空环境，进而提高了FAB厂的生产效率。

但是，现在行业中已知的涉及晶圆承载的腔体中，晶圆表面不时地会出现污染颗粒，影响工艺产品良率。

发明内容

本发明的目的包括提供一种晶圆承载腔体设备及其控制方法，其能够避免晶圆表面出现污染颗粒，降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率。

本发明的实施例可以这样实现：

第一方面，本发明提供一种晶圆承载腔体设备，晶圆承载腔体设备包括：

晶圆承载腔体，内部开设有容置空腔，晶圆承载腔体的侧壁上开设有进出口，进出口的上下两侧均设置有水平防刮条，进出口的左右两侧均设置有竖直防刮条，进出口的外围设置有密封圈；

腔体密封门，可滑动地安装在进出口上，腔体密封门滑动过程中与水平防刮条、竖直防刮条以及密封圈接触，且与晶圆承载腔体的壁面之间保持间隙；

氮气接头，安装在晶圆承载腔体的外壁上，氮气接头用于向晶圆承载腔体的内部充入氮气；

带网中心圈，安装在氮气接头的内部，带网中心圈用于将充入的氮气分散，防止氮气吹起污染颗粒。

发明人在生产中意外发现，现有的晶圆承载的腔体中，晶圆表面不时地会出现污染颗粒，影响了工艺产品的良率；通过对污染颗粒进行检测，发现其为金属污染颗粒，材质与腔体的密封门和壁面的材质相切合；之后进一步发现，在某些情况下，现有晶圆承载腔体的密封门在滑动的过程中会与腔体壁面发生摩擦，从而产生金属污染颗粒，当腔体在建真空、破真空时，金属污染颗粒会被吹起并附着在晶圆表面，从而造成污染。

本发明实施例提供的晶圆承载腔体设备，通过在晶圆承载腔体的进出口的四侧设置密封圈，使腔体密封门与密封条接触起到密封的效果，同时，在进出口的四侧设置防刮条，使腔体密封门与防刮条接触，从而使腔体密封门在滑动过程中与晶圆承载腔体的壁面之间保持间隙，避免腔体密封门在滑动的过程中与晶圆承载腔体的壁面摩擦而产生金属污染颗粒；在腔体建真空、破真空时，通过在氮气接头的内部安装带网中心圈，可将充入的氮气分散，防止氮气吹起污染颗粒；降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率。

在可选的实施方式中，密封圈的直径的取值范围为5mm~5.5mm。

这样，通过多次拆装抽真空试验，最终密封圈的直径选择上述值，使腔体密封门与晶圆承载腔体密封良好，晶圆承载腔体的真空度能够小于或等于100毫托，氦漏率能够小于或等于3.5×

Pa.m³/s。

在可选的实施方式中，水平防刮条和竖直防刮条高于晶圆承载腔体的密封面0.2±0.05mm。

在可选的实施方式中，水平防刮条和竖直防刮条的凸出高度与密封圈的直径的比值范围为2：55~2：50。

这样，防刮条的高度适中，不仅不会降低腔体密封门与晶圆承载腔体的密封效果，还能够保证腔体密封门在滑动的过程中不会与晶圆承载腔体摩擦。

在可选的实施方式中，水平防刮条的长度与进出口的宽度之比为0.75~1，竖直防刮条与进出口的长度之比为0.75~1。

这样，防刮条的长度适中，不仅成本较低，而且防刮条对腔体密封门的支撑效果稳定。

在可选的实施方式中，水平防刮条和竖直防刮条位于密封圈的外围。

这样，密封圈的长度较小，起到的密封效果更稳定。

在可选的实施方式中，晶圆承载腔体设备还包括：

滑片传感器，安装在晶圆承载腔体的顶部，在未发生滑片的情况下，滑片传感器发出的光束照射到晶圆承载腔体的底壁、并反射回滑片传感器，在发生滑片的情况下，滑片传感器发出的光束照射到滑出的晶圆、并反射回滑片传感器。

这样，在滑片传感器检测到发生滑片的情况下，控制器可及时控制晶圆承载腔体设备停止工作，避免晶圆或设备损坏。

在可选的实施方式中，晶圆承载腔体设备还包括：

传感器支架，为折弯结构，传感器支架包括相互连接的第一弯折部和第二弯折部，第一弯折部上开设有多个腰型孔，腰型孔通过螺钉连接到晶圆承载腔体，传感器支架可沿腰型孔的长度方向在晶圆承载腔体上滑动，第二弯折部上开设有条形孔，滑片传感器通过螺钉连接到条形孔上，滑片传感器可沿条形孔的长度方向在传感器支架上滑动。

这样，滑片传感器通过传感器支架安装在晶圆承载腔体上，可以将滑片传感器沿腰型孔的长度方向以及沿条形孔的长度方向调整位置，保证滑片传感器精确检测到晶圆发生滑片的情况。

在可选的实施方式中，腰型孔的长度方向与条形孔的长度方向相互垂直。

这样，滑片传感器可调整的空间范围更大。

第二方面，本发明提供一种晶圆承载腔体设备的控制方法，控制方法应用于前述实施方式的晶圆承载腔体设备，控制方法包括：

在装载晶圆的晶舟置于晶圆承载腔体内的托盘上之后，控制腔体密封门关闭进出口；

对晶圆承载腔体进行抽真空，并检漏；

在机械手夹取晶圆完成全部工艺之后，向晶圆承载腔体内充入氮气清扫；

控制晶圆承载腔体破真空，再打开腔体密封门。

本发明实施例提供的晶圆承载腔体设备的控制方法的有益效果包括：

利用晶舟装载多个晶圆放置在晶圆承载腔体内，一次破真空、建真空处理即可完成对晶舟上所有的晶圆进行加工，避免单个晶圆就要进行一次破真空、建真空处理，减少腔体密封门开闭的次数，避免产生金属污染颗粒几率的同时，也可防止污染颗粒被吹起并附着在晶圆表面上，降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率，同时，提高了晶圆制程效率。

在可选的实施方式中，对晶圆承载腔体进行抽真空，并检漏的步骤包括：

对晶圆承载腔体进行抽真空，直到真空度小于或等于100mtorr。

在可选的实施方式中，对晶圆承载腔体进行抽真空，并检漏的步骤包括：

对晶圆承载腔体进行检漏，直到氦漏率小于或等于3.5×

Pa•m³/s。

在可选的实施方式中，控制晶圆承载腔体破真空的步骤包括：

控制晶圆承载腔体的真空度达到760托。

这样，晶圆承载腔体的真空度与外界环境相近，再打开腔体密封门，晶圆承载腔体内的晶圆受到的波动较小，不易造成晶圆损坏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明第一实施例提供的晶圆承载腔体设备的第一视角的结构示意图；

图2为本发明第一实施例提供的晶圆承载腔体设备的第二视角的结构示意图；

图3为图2中局部A的放大图；

图4为支架与滑片传感器的装配示意图；

图5为本发明第二实施例提供的晶圆承载腔体设备的控制方法的流程图。

图标：100-晶圆承载腔体设备；110-晶圆承载腔体；111-容置空腔；112-进出口；120-腔体密封门；130-水平防刮条；140-竖直防刮条；150-密封圈；160-传感器支架；161-第一弯折部；162-第二弯折部；163-腰型孔；164-条形孔；170-滑片传感器；180-状态警示灯；190-氮气接头；191-带网中心圈；200-规管；210-真空开关；220-托盘。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

第一实施例

请参考图1至图4，本实施例提供了一种晶圆承载腔体设备100，晶圆承载腔体设备100包括晶圆承载腔体110、腔体密封门120、水平防刮条130（请查阅图2和图3）、竖直防刮条140（请查阅图2和图3）、密封圈150（请查阅图2和图3）、传感器支架160（请查阅图4）、滑片传感器170、状态警示灯180、氮气接头190、带网中心圈191、规管200、真空开关210、升降机构、晶舟和托盘220。

具体的，晶圆承载腔体110内部开设有容置空腔111，晶圆承载腔体110的侧壁上开设有进出口112，进出口112的上下两侧均设置有水平防刮条130，进出口112的左右两侧均设置有竖直防刮条140（请查阅图3），进出口112的外围设置有密封圈150（请查阅图3），氮气接头190安装在晶圆承载腔体110的外壁上，内部安装有带网中心圈191（请查阅图1）。

这样，通过在晶圆承载腔体110的进出口112的四侧设置密封圈150，使腔体密封门120与密封条接触起到密封的效果，同时，在进出口112的四侧设置防刮条，使腔体密封门120与防刮条接触，从而使腔体密封门120在滑动过程中与晶圆承载腔体110的壁面之间保持间隙，避免腔体密封门120在滑动的过程中与晶圆承载腔体110的壁面摩擦而产生金属污染颗粒；进一步的，当需要向晶圆承载腔体110的内部充入氮气时，带网中心圈191可将充入的氮气分散，防止氮气吹起污染颗粒；由此降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率，而且，防刮条可以保证腔体密封门120保持竖直状态。

优选地，水平防刮条130和竖直防刮条140位于密封圈150的外围。这样，密封圈150的长度较小，起到的密封效果更稳定。

密封圈150的直径的取值范围为5mm~5.5mm，优选为5.3mm。这样，通过多次拆装抽真空试验，最终密封圈150的直径选择上述值，使腔体密封门120与晶圆承载腔体110密封良好，晶圆承载腔体110的真空度能够小于或等于100毫托，氦漏率能够小于或等于3.5×

Pa•m³/s。

水平防刮条130和竖直防刮条140的材质为PTFE，密封圈150的材质为FKM。水平防刮条130和竖直防刮条140高于晶圆承载腔体110的密封面0.2±0.05mm。水平防刮条130和竖直防刮条140的凸出高度与密封圈150的直径的比值范围为2：55~2：50，优选为2:53。这样，防刮条的高度适中，不仅不会降低腔体密封门120与晶圆承载腔体110的密封效果，还能够保证腔体密封门120在滑动的过程中不会与晶圆承载腔体110摩擦。

水平防刮条130的长度与进出口112的宽度之比为0.75~1，竖直防刮条140与进出口112的长度之比为0.75~1。这样，防刮条的长度适中，不仅成本较低，而且防刮条对腔体密封门120的支撑效果稳定。

升降机构用螺钉固定于晶圆承载腔体110的底部上，托盘220用螺钉固定在升降机构上、且位于晶圆承载腔体110的内部，装满晶圆的晶舟置于托盘220上。升降机构用于承载托盘220，并托举托盘220上下运动，且使容置空腔111保持真空状态。托盘220用于承载晶舟上下运动，并配合机械手取放晶圆。

请查阅图1和图4，滑片传感器170安装在晶圆承载腔体110的顶部，在未发生滑片的情况下，滑片传感器170发出的光束照射到晶圆承载腔体110的底壁、并反射回滑片传感器170，在发生滑片的情况下，滑片传感器170发出的光束照射到滑出的晶圆、并反射回滑片传感器170。滑片传感器170满足4寸、6寸和8寸晶圆检测要求。这样，在滑片传感器170检测到发生滑片的情况下，控制器可及时控制晶圆承载腔体设备100停止工作，避免晶圆或设备损坏。

传感器支架160为折弯结构，传感器支架160包括相互连接的第一弯折部161和第二弯折部162，第一弯折部161上开设有多个腰型孔163，腰型孔163通过螺钉连接到晶圆承载腔体110，传感器支架160可沿腰型孔163的长度方向在晶圆承载腔体110上滑动，第二弯折部162上开设有条形孔164，滑片传感器170通过螺钉连接到条形孔164上，滑片传感器170可沿条形孔164的长度方向在传感器支架160上滑动。这样，滑片传感器170通过传感器支架160安装在晶圆承载腔体110上，可以将滑片传感器170沿腰型孔163的长度方向以及沿条形孔164的长度方向调整位置，保证滑片传感器170精确检测到晶圆发生滑片的情况。而且，腰型孔163的长度方向与条形孔164的长度方向相互垂直。这样，滑片传感器170可调整的空间范围更大。

状态警示灯180安装在晶圆承载腔体110的顶部，状态警示灯180用于指示晶圆承载腔体设备100的实时工作状态。除氮气接头190外，规管200和真空开关210也均安装在晶圆承载腔体110的外壁上。真空开关210用于判断容置空腔111的真空环境状态，当容置空腔111的真空环境状态达到大气状态时给上位机传递信号。氮气接头190用于向晶圆承载腔体110的内部充入氮气。当对晶圆完成所有工艺制程后，控制升降机构降至最低位置，使得完成制程工艺的晶圆与氮气入口的距离最大，此时，上位机控制氮气接头190向晶圆承载腔体110的内部充入氮气，最开始氮气的流量控制在1m³/min，随后逐渐增大，当真空开关210检测到晶圆承载腔体110内的真空度达到760托时，上位机控制腔体密封门120打开，以便取出晶舟。规管200用于给上位机实时提供晶圆承载腔体110的真空度数据。

本发明实施例提供的晶圆承载腔体设备100的工作过程：

1）将装满晶圆的晶舟置于托盘220上，关闭腔体密封门120，开始对晶圆承载腔体110抽真空，当上位机显示真空度小于或等于100mtorr时，开始对腔体密封门120检漏，当氦漏率小于或等于3.5×

Pa•m³/s时满足晶圆传输要求；

2）升降机构通过上下运动配合机械手从晶舟取放晶圆做工艺，同时将做完工艺的晶圆放入晶舟；

3）当整个晶舟中的晶圆全部做完工艺后，通过氮气接头190缓慢充入氮气，此时要注意调节氮气的充入速度与流量，过快会将从工艺腔带入的污染颗粒吹起造成污染，过慢会影响制程效率，而这些充气参数是客户根据工艺制程自己制定，本实施例中，氮气的充入流量可以是50sccm，充气速度可以是3立方米/min；

4）当真空开关210判断晶圆承载腔体110内的真空度达到760托时，给上位机一个信号，上位机控制腔体密封门120打开，取出晶舟。

本发明实施例提供的晶圆承载腔体设备100的有益效果包括：

1.通过在晶圆承载腔体110的进出口112的四侧设置密封圈150，使腔体密封门120与密封条接触起到密封的效果，同时，在进出口112的四侧设置防刮条，使腔体密封门120与防刮条接触，从而使腔体密封门120在滑动过程中与晶圆承载腔体110的壁面之间保持间隙，避免腔体密封门120在滑动的过程中与晶圆承载腔体110的壁面摩擦而产生金属污染颗粒；另外，通过在氮气接头190的内部安装带网中心圈191，可将充入的氮气分散，防止氮气吹起污染颗粒；由此降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率；

2.密封圈150的直径的取值范围为5mm~5.5mm，水平防刮条130和竖直防刮条140高于晶圆承载腔体110的密封面0.2±0.05mm，水平防刮条130和竖直防刮条140的凸出高度与密封圈150的直径的比值范围为2：55~2：50，使腔体密封门120与晶圆承载腔体110密封良好，还能够保证腔体密封门120在滑动的过程中不会与晶圆承载腔体110摩擦；

3.设置有滑片传感器170，在滑片传感器170检测到发生滑片的情况下，控制器可及时控制晶圆承载腔体设备100停止工作，避免晶圆或设备损坏；

4.利用晶舟装载多个晶圆放置在晶圆承载腔体110内，一次破真空、建真空处理即可完成对晶舟上所有的晶圆进行加工，避免单个晶圆就要进行一次破真空、建真空处理，减少腔体密封门120开闭的次数，避免产生金属污染颗粒的几率，降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率，同时，提高了晶圆制程效率。

第二实施例

请参考图5，本实施例提供了一种晶圆承载腔体设备的控制方法，控制方法应用于前述实施方式的晶圆承载腔体设备100，控制方法包括：

S1：在装载晶圆的晶舟置于晶圆承载腔体110内的托盘220上之后，控制腔体密封门120关闭进出口112。

其中，利用晶舟装载多个晶圆放置在晶圆承载腔体110内，一次破真空、建真空处理即可完成对晶舟上所有的晶圆进行加工，避免单个晶圆就要进行一次破真空、建真空处理，减少腔体密封门120开闭的次数。

S2：对晶圆承载腔体110进行抽真空，并检漏。

其中，对晶圆承载腔体110进行抽真空，直到真空度小于或等于100mtorr。对晶圆承载腔体110进行检漏，直到氦漏率小于或等于3.5×

Pa•m³/s。

S3：在机械手夹取晶圆完成全部工艺之后，向晶圆承载腔体110内充入氮气清扫。

当对晶圆完成所有工艺制程后，控制升降机构降至最低位置，使得完成制程工艺的晶圆与氮气入口的距离最大，此时，上位机控制氮气接头190向晶圆承载腔体110的内部充入氮气，最开始氮气的流量控制在1m³/min，随后逐渐增大，其中，氮气的充入速度与流量是客户根据工艺制程自己制定，本实施例中，氮气的充入流量可以是50sccm，充气速度可以是3立方米/min。

氮气接头190的内部安装有带网中心圈191，带网中心圈191的作用在于将充入的氮气分散，防止氮气的流量过大吹起污染颗粒、造成晶圆损坏。

S4：控制晶圆承载腔体110破真空，再打开腔体密封门120。

其中，当真空开关210检测到晶圆承载腔体110内的真空度达到760托时，上位机控制腔体密封门120打开，以便取出晶舟。这样，晶圆承载腔体110的真空度与外界环境相近，再打开腔体密封门120，晶圆承载腔体110内的晶圆受到的波动较小，不易造成晶圆损坏。

本发明实施例提供的晶圆承载腔体设备的控制方法的有益效果包括：

利用晶舟装载多个晶圆放置在晶圆承载腔体110内，一次破真空、建真空处理即可完成对晶舟上所有的晶圆进行加工，避免单个晶圆就要进行一次破真空、建真空处理，减少腔体密封门120开闭的次数，避免产生金属污染颗粒的几率的同时，也可防止污染颗粒被吹起并附着在晶圆表面上，降低晶圆被污染地风险，提高客户产品良率，同时，提高了晶圆制程效率。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种晶圆承载腔体设备，其特征在于，所述晶圆承载腔体设备包括：

晶圆承载腔体（110），内部开设有容置空腔（111），所述晶圆承载腔体（110）的侧壁上开设有进出口（112），所述进出口（112）的上下两侧均设置有水平防刮条（130），所述进出口（112）的左右两侧均设置有竖直防刮条（140），所述进出口（112）的外围设置有密封圈（150），所述水平防刮条（130）和所述竖直防刮条（140）位于所述密封圈（150）的外围，所述水平防刮条（130）和所述竖直防刮条（140）高于所述晶圆承载腔体（110）的密封面0.2±0.05mm，所述水平防刮条（130）和所述竖直防刮条（140）的凸出高度与所述密封圈（150）的直径的比值范围为2：55~2：50，所述水平防刮条（130）和所述竖直防刮条（140）的材质为PTFE，所述密封圈（150）的材质为FKM；

腔体密封门（120），可滑动地安装在所述进出口（112）上，所述腔体密封门（120）滑动过程中与所述水平防刮条（130）、所述竖直防刮条（140）以及所述密封圈（150）接触，且与所述晶圆承载腔体（110）的壁面之间保持间隙；

氮气接头（190），安装在所述晶圆承载腔体（110）的外壁上，所述氮气接头（190）用于向所述晶圆承载腔体（110）的内部充入氮气；

带网中心圈（191），安装在所述氮气接头（190）的内部，所述带网中心圈（191）用于将充入的氮气分散，防止氮气吹起污染颗粒。

2.根据权利要求1所述的晶圆承载腔体设备，其特征在于，所述密封圈（150）的直径的取值范围为5mm~5.5mm。

3.根据权利要求1所述的晶圆承载腔体设备，其特征在于，所述水平防刮条（130）的长度与所述进出口（112）的宽度之比为0.75~1，所述竖直防刮条（140）与所述进出口（112）的长度之比为0.75~1。

4.根据权利要求1所述的晶圆承载腔体设备，其特征在于，所述晶圆承载腔体设备还包括：

滑片传感器（170），安装在所述晶圆承载腔体（110）的顶部，在未发生滑片的情况下，所述滑片传感器（170）发出的光束照射到所述晶圆承载腔体（110）的底壁、并反射回所述滑片传感器（170），在发生滑片的情况下，所述滑片传感器（170）发出的光束照射到滑出的晶圆、并反射回所述滑片传感器（170）。

5.根据权利要求4所述的晶圆承载腔体设备，其特征在于，所述晶圆承载腔体设备还包括：

传感器支架（160），为折弯结构，所述传感器支架（160）包括相互连接的第一弯折部（161）和第二弯折部（162），所述第一弯折部（161）上开设有多个腰型孔（163），所述腰型孔（163）通过螺钉连接到所述晶圆承载腔体（110），所述传感器支架（160）可沿所述腰型孔（163）的长度方向在所述晶圆承载腔体（110）上滑动，所述第二弯折部（162）上开设有条形孔（164），所述滑片传感器（170）通过螺钉连接到所述条形孔（164）上，所述滑片传感器（170）可沿所述条形孔（164）的长度方向在传感器支架（160）上滑动。

6.根据权利要求5所述的晶圆承载腔体设备，其特征在于，所述腰型孔（163）的长度方向与所述条形孔（164）的长度方向相互垂直。

7.一种晶圆承载腔体设备的控制方法，其特征在于，所述控制方法应用于权利要求1所述的晶圆承载腔体设备，所述控制方法包括：

在装载晶圆的晶舟置于所述晶圆承载腔体（110）内的托盘（220）上之后，控制所述腔体密封门（120）关闭所述进出口（112）；

对所述晶圆承载腔体（110）进行抽真空，并检漏；

在机械手夹取所述晶圆完成全部工艺之后，向所述晶圆承载腔体（110）内充入氮气清扫；

控制所述晶圆承载腔体（110）破真空，再打开所述腔体密封门（120）。

8.根据权利要求7所述的晶圆承载腔体设备的控制方法，其特征在于，所述对所述晶圆承载腔体（110）进行抽真空，并检漏的步骤包括：

对所述晶圆承载腔体（110）进行抽真空，直到真空度小于或等于100mtorr；

对所述晶圆承载腔体（110）进行检漏，直到氦漏率小于或等于3.5×

Pa•m³/s。

9.根据权利要求7所述的晶圆承载腔体设备的控制方法，其特征在于，所述控制所述晶圆承载腔体（110）破真空的步骤包括：

控制所述晶圆承载腔体（110）的真空度达到760托。

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