CN211376582U - 可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机 - Google Patents
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 title description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 title description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims abstract description 3
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 20
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
一种可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,包括:腔体、晶舟盒、抽真空设备、气密门组件及电浆发射源,腔体内形成一腔室,腔体具有朝上的进入口,晶舟盒内承载着多片晶圆,由进入口下沉进入腔室内,气密门组件安装于腔体上且位于进入口处,用以开闭且维持腔室的密封,电浆发射源与抽真空设备分别连通腔室,抽真空设备使腔室内产生真空并维持腔室所需的真空度,电浆发射源对腔室内的晶舟盒发射感应耦合电浆,以轰击去除晶舟盒及晶圆表面的污染物。
Description
技术领域
本实用新型为一种感应耦合电浆洁净机的技术领域,尤其指一种利用感应耦合电浆进行轰击的洁净机。
背景技术
如图1所示,为目前使用的等离子清洁机(plasma cleaner)的立体图,等离子清洗机1是利用电浆来达到常规清洗方法无法达到的效果。电浆是利用对气体施加足够的能量使之离化成为等离子状态,通过这些活性离子来处理产品表面,从而实现清洁的目的。如图2所示,为等离子清洁机的内部结构示意图。等离子清洗机1具有一腔体11,腔体11内有多层间隔载台12,两两面对面配置的的间隔载台12用以供8英寸(或12英寸)晶圆放置,常见的实施例一次仅供6片放置,每次只能单片进行取放作业,主要是利用电容耦合电浆(CCP,Capacitively Coupled Plasma)放电,由电极负极放电(正极输出),以清洁正、负极范围内的晶圆。
在上述等离子清洁机1中,腔体11内每次只能放入6片晶圆,作业效果低,且单片单层放置,除了取放效率差,另外在抽放也具有易刮伤晶圆的风险。另外此类等离子清洁机1是采用电容耦合电浆(CCP)放电方式,对腔体11内清洁区域范围受限。
实用新型内容
为解决上述的问题,本实用新型的主要目的是提供一种可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,主要采用现行的晶舟盒来承载晶圆,增加一次清洁晶圆的数目,另外采用感应耦合电浆(Inductively coupled plasma,ICP)的放电方式,对腔室内的清洁区域范围达到全覆盖,提升清洁效果及避免刮坏晶圆的风险。
为了实现上述目的,本实用新型一实施例提供的技术方案如下:
一实施例中,提供一种可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,包括:腔体、晶舟盒、电浆发射源、抽真空设备及气密门组件,腔体内形成一腔室,腔体具有朝上的进入口,晶舟盒内承载着多片晶圆,并能由进入口下沉进入腔室内,气密门组件安装于腔体上且位于进入口处,用以开闭且维持腔室的密封,电浆发射源与抽真空设备分别连通着腔室,抽真空设备使腔室内产生真空并维持腔室所需的真空度,电浆发射源对腔室内发射感应耦合电浆,以轰击去除晶舟盒及晶圆表面的污染物。
作为较佳优选实施方案之一,晶舟盒相对两侧各具有开口,开口对应着电浆发射源。
作为较佳优选实施方案之一,腔室相对的两边分别连通着电浆发射源与抽真空设备。
作为较佳优选实施方案之一,腔室内放置多个并排的晶舟盒,每个晶舟盒的其中一个开口皆对应着电浆发射源。
件为较佳优选实施方案之一,气密门组件包括两滑轨、两滑块、一门板及一驱动装置,两滑轨安装于腔体上于进入口两侧位置,两滑块可在相对应的滑轨上滑行且安装于门板两侧,驱动装置负责带动门板产生线性往复移动,借此利用移动门板在闭合时密封腔室。
与现有技术相比,本实用新型有益效果包括:
1.本实用新型采用晶舟盒一次能承载更多的晶圆进行清洁作业,让清洁效率提高。
2.由于是整个晶舟盒进出腔室,能避免单片抽取所产生的刮伤,减少产品损坏的风险。
3.本实用新型是采用感应耦合电浆放电,覆盖范围达腔室内全区域,因此晶舟盒与晶圆透过电浆轰击皆能去除表面污染物,除了晶圆获得良好清洁,后续晶舟盒也无须进行额外的清洁作业。
4.本实用新型腔体为下沉式设计,晶舟盒取放作业也采用下沉式操作放置于腔室内,符合人体工学的操作取放。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为传统的等离子清洁机的立体图;
图2为传统的等离子清洁机的内部结构示意图;
图3为本实用新型感应耦合电浆洁净机的立体示意图;
图4为本实用新型感应耦合电浆洁净机内部主要结构的立体示意图;
图5为本实用新型感应耦合电浆洁净机的运作示意图,此气密门组件呈开启状态;
图6为本实用新型感应耦合电浆洁净机的运作示意图,此晶舟盒已置入于腔室内;
图7为本实用新型感应耦合电浆洁净机的运作示意图,气密门组件已关闭,电浆发射源及抽真空设备已运作;
图8为本实用新型另一种实施例俯视的结构示意图。
附图标号说明:1:等离子清洗机;11:腔体;12:间隔载台;2:机台;21: 机壳;22:上盖;3:腔体;31:腔室;32:进入口;4:电浆发射源;5:抽真空设备; 6:气密门组件;61:滑轨;62:滑块;63:门板;64:驱动装置;7:晶舟盒;71:开口;8:晶圆。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施方式对本实用新型进行详细描述。但该等实施方式并不限制本实用新型,本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
需要说明的是,当元件被称为「安装于」另一个元件,意指它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是「连接」另一个元件,意指它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。在所示出的实施例中,方向表示上、下、左、右、前和后等是相对的,用于解释本案中不同部件的结构和运动是相对的。当部件处于图中所示的位置时,这些表示是恰当的。但是,如果元件位置的说明发生变化,那么认为这些表示也将相应地发生变化。
除非另有定义,本文所使用的所有技术和科学术语与属于本实用新型技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体实施例的目的,不是旨在限制本实用新型。本文所使用的术语「和/或」包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图3及图4所示,为本实用新型一实施例的立体示意图及内部结构示意图。本实施例可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机是于机台2内部设有腔体3、电浆发射源4、抽真空设备5及气密门组件6,并可使用一晶舟盒7承载着多个晶圆进入清洁作业。
机台2包括机壳21(图中以假想线表示),且具有相关电控设备,用以承载腔体3、电浆发射源4、抽真空设备5及气密门组件6,使得各构件得以顺利运作。其中腔体3是采用下沉式方式安装于机台2处,机台2顶部设有可开启的上盖22,方便晶舟盒7由上而下置入。
晶舟盒7为半导体制程中用以承载晶圆8所使用的载具,两侧皆设有开口71,但仅有其中一个开口71可供晶圆8置入,图中仅画3片晶圆8示意,事实上的承载数目依各盒体设计为准。
腔体3内形成一腔室31,可为不锈钢腔体或石英腔体。腔体3具有一朝上的进入口32,此进入口32供晶舟盒7进入腔室31内。
电浆发射源4安装于腔体3一侧,且与内部腔室31相连通。电浆发射源6为感应耦合电浆(Inductively coupled plasma)放电方式,透过法拉第线圈产生磁场激发气体生成等离子态,以磁场激发等离子定向穿梭在同一方向做定向清洁反应处理。电浆发射源6的发射端面对晶舟盒7的其中一开口71。
抽真空设备5安装于腔体3另一侧,且与腔室31相连通。抽真空设备5 可为真空泵浦,可使腔室31内产生真空并维持腔室31所需的真空度,或如图4所示,经由管路连接外部的真空泵浦,或是真空泵浦隐藏机台2下半部,再透过管路与腔室31连通,连通位置是相对于电浆发射源4的另一端位置。
气密门组件6安装于进入口32处负责开闭且维持腔室31的密封。气密门组件6可由多种不同结构所构成,本实用新型仅就其中一种作说明。如图 4所示,气密门组件6包括两滑轨61、两滑块62、一门板63及一驱动装置 64。两滑轨61安装于腔体3上于进入口32两侧位置,两滑块62可在相对应的滑轨61上滑行且安装固定于门板63两侧,驱动装置64是负责带动门板 63产生线性往复移动,在本实施例中驱动装置64可为气压缸组、油压缸组或电动伸缩柱机构等。由驱动装置64移动门板63,以开启或密封腔室31。
接着就本实用新型实际的运作方式作一说明,后续图面仅以简单的结构图表示,并未画出所有的组成元件。如图5所示,气密门组件6的门板63 被移动至腔体3上的一侧,使腔室31开启。如图6所示,晶舟盒7由进入口 32下沉进入腔室31内,其中晶舟盒7的开口71须面对电浆发射源4。如图 7所示,气密门组件6的门板63关闭,抽真空设备5运作抽真空,使腔室31 内达到所需的真空度。启动电浆发射源4,透过感应耦合电浆放电轰击除去晶舟盒7及其内部多层晶圆8表面的污染物。
接着就图8所示,为本实用新型另一实施例图俯视的结构示意图。在本实施例中腔体3内可放置多个并排的晶舟盒7,每个晶舟盒7的其中一个开口71皆对应着电浆发射源4,借此启动电浆发射源4,透过感应耦合电浆放电同时轰击腔体3内三个并排的晶舟盒7及其承放的晶圆8,去除表面的污染物,提高电浆清洁的效率。
综合以上所述,本实用新型可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,主要是采用晶舟盒7来承载晶圆,能增加一次清洁晶圆的数目,另外采用感应耦合电浆(Inductively coupled plasma,ICP)的放电方式,能对腔室31内清洁区域范围达到全覆盖,提升清洁效果及避免传统的抽取式可能发生刮坏晶圆的风险。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施例加以描述,但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (5)
1.一种可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,其特征在于,包括:腔体、晶舟盒、抽真空设备、气密门组件及电浆发射源,所述腔体内形成一腔室,所述腔体具有朝上的进入口,所述晶舟盒内承载着多片晶圆,所述晶舟盒是由所述进入口下沉进入所述腔室内,所述气密门组件安装于所述腔体上且位于所述进入口处,用以开闭且维持所述腔室的密封,所述电浆发射源与所述抽真空设备分别连通所述腔室,所述抽真空设备使所述腔室产生真空并维持所述腔室所需的真空度,所述电浆发射源对所述腔室内发射感应耦合式电浆,以轰击去除所述晶舟盒及所述晶圆表面的污染物。
2.根据权利要求1所述的可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,其特征在于,所述晶舟盒相对两侧各具有开口,其中一个所述开口对应着所述电浆发射源。
3.根据权利要求1所述的可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,其特征在于,所述腔室相对的两边分别连通着所述电浆发射源与所述抽真空设备。
4.根据权利要求2所述的可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,其特征在于,所述腔室内放置多个并排的所述晶舟盒,每个所述晶舟盒的其中一个所述开口皆对应着所述电浆发射源。
5.根据权利要求1所述的可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机,其特征在于,所述气密门组件包括两滑轨、两滑块、门板及驱动装置,所述两滑轨安装于所述腔体上于所述进入口两侧位置,两所述滑块可在相对应的所述滑轨上滑行且安装于所述门板两侧,所述驱动装置带动所述门板产生线性往复移动,由移动所述门板开启或密封所述腔室。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020579909.8U CN211376582U (zh) | 2020-04-17 | 2020-04-17 | 可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机 |
TW109204723U TWM599212U (zh) | 2020-04-17 | 2020-04-21 | 具可容置晶舟盒之下沉式感應耦合電漿潔淨機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020579909.8U CN211376582U (zh) | 2020-04-17 | 2020-04-17 | 可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211376582U true CN211376582U (zh) | 2020-08-28 |
Family
ID=72152215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020579909.8U Active CN211376582U (zh) | 2020-04-17 | 2020-04-17 | 可容置晶舟盒的下沉式感应耦合电浆洁净机 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN211376582U (zh) |
TW (1) | TWM599212U (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115295460B (zh) * | 2022-09-27 | 2023-02-03 | 无锡邑文电子科技有限公司 | 晶圆承载腔体设备及其控制方法 |
-
2020
- 2020-04-17 CN CN202020579909.8U patent/CN211376582U/zh active Active
- 2020-04-21 TW TW109204723U patent/TWM599212U/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWM599212U (zh) | 2020-08-01 |
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---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |