JPS5881975A - プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系 - Google Patents
プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系Info
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- JPS5881975A JPS5881975A JP17975181A JP17975181A JPS5881975A JP S5881975 A JPS5881975 A JP S5881975A JP 17975181 A JP17975181 A JP 17975181A JP 17975181 A JP17975181 A JP 17975181A JP S5881975 A JPS5881975 A JP S5881975A
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- JP
- Japan
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- gas
- valves
- exhaust
- plasma etching
- etching chamber
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマエツチング装置及びその類似装置のガ
スライン排気系に関する。
スライン排気系に関する。
マイクロ波プラズマエツチング装置のように、他のドラ
イエツチング装置よりも約１〜４桁以上も低いガス圧で
、しかもガス圧の設定条件が半導体プロセスにおける微
細加工精度に厳しく影響するエツチング装置においては
、ガス導入ラインの排気処理に十分な注意が必要である
。従来技術では、エツチング室を排気する過程でガス導
入ラインもあらかじめ排気するガスパージ方式がとられ
てきた。しかるにエツチング室に最も近いガスラインの
開閉バルブをしばらくでも閉じてお゛くと、開にしたと
たん排管内にたまったガスが急激にエツチング室側に流
れ、エツチング室の汚染や真空計の劣化を早め、ひいて
は正常なエツチングに支障をきたすという欠点があった
。
イエツチング装置よりも約１〜４桁以上も低いガス圧で
、しかもガス圧の設定条件が半導体プロセスにおける微
細加工精度に厳しく影響するエツチング装置においては
、ガス導入ラインの排気処理に十分な注意が必要である
。従来技術では、エツチング室を排気する過程でガス導
入ラインもあらかじめ排気するガスパージ方式がとられ
てきた。しかるにエツチング室に最も近いガスラインの
開閉バルブをしばらくでも閉じてお゛くと、開にしたと
たん排管内にたまったガスが急激にエツチング室側に流
れ、エツチング室の汚染や真空計の劣化を早め、ひいて
は正常なエツチングに支障をきたすという欠点があった
。
本発明の目的は、上述した従来技術の欠的を解消するた
めになされたもので、ガス導入ラインの排管内を常に清
浄な状態に保つための排気制御手段を設けることにより
、エツチング室へのガス導入をスムーズに行えるプラズ
マエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系
を提供しようとするものである。
めになされたもので、ガス導入ラインの排管内を常に清
浄な状態に保つための排気制御手段を設けることにより
、エツチング室へのガス導入をスムーズに行えるプラズ
マエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系
を提供しようとするものである。
上記の目的を達成するために、本発明においては、プラ
ズマエツチング装置のガス導入ラインにおいて、エツチ
ング室側の開閉バルブとガス源側の開閉バルブとの間の
排管部を排気する手段を設けるとともに、エツチング室
側に最も近い開閉バルブの開閉状態に応じて該排管部の
排気を制御する手段を設けることにより、ガスラインの
排管内の清浄化とエツチング室へのガス導入が常にスム
ーズに行えるようにしている。
ズマエツチング装置のガス導入ラインにおいて、エツチ
ング室側の開閉バルブとガス源側の開閉バルブとの間の
排管部を排気する手段を設けるとともに、エツチング室
側に最も近い開閉バルブの開閉状態に応じて該排管部の
排気を制御する手段を設けることにより、ガスラインの
排管内の清浄化とエツチング室へのガス導入が常にスム
ーズに行えるようにしている。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳述する。
第１図は本発明の一実施例をマイクロ波プラズマエツチ
ング装置に適用した場合について示した構成概略図であ
る。同図において、真空外部におかれたマイクロ波導波
管１より送られたマイクロ波は励磁コイル２及び試料台
３の下方の永久磁石４によって形成される磁場内におか
れた放電管５の内部のエツチングガスに吸収され、マイ
クロ波放電が発生する。この放電室６とエツチング室７
は油拡散ポンプ等の真空排気ポンプ８により１Ｏ−６Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度の高真空に排気された後、エツチング
ガスが所定のガス圧力（１０’−’〜１０−’ Ｔｏ−
ｒ ）にまで導入される。この際エツチングガスは被エ
ツｊング材（試料）９により異なるが、ｓｉｗＰｏｚｙ
−８１をエツチングする場合にはＣＦ ４やＳＦ６．ｏ
２等の複数種のガスが用いられ、ガス導入ライン１０を
通じて、所定の分圧となるよう例においてはこのガス導
入ライン１０にエツチング室側とガス導入口側を真空的
に遮断する開閉・くシブ１１，１２．ガス流量調節装置
１３，１４゜元栓側バルブ１５．ｊ、６を通じて、それ
ぞれガス■（例えばＱ２ ）１７．ガス■（例えば８Ｆ
ａ）１８等が接続されており、ガス流量調節装置１３゜
１４の両側の排管部に残留しているエツチングガスと内
部放出ガスを随時排気できるよう分岐管１９．２０．バ
イパスバルブ２１，２２．排気ノ；ルプ２３，２４及び
ガスバージ用排気ポンプ（例えば油回転ポンプ）２５が
設けられている。通常は、エツチングガスをエツチング
室に導入する前に開閉バルブ１１．１２を閉じて各ガス
ライン排管部のガスバージを行えば、エツチングにとっ
て １好ましくない混合ガスを除去できるが、エツチ
ング中は、前記ガスバージ用排気ポンプ２５からの逆流
（バックストリーム）を避けなければならないこと、い
ったんガスパージを行っても、開閉・くルブ１１，１２
のいずれか一つでも閉じておくと、 ・エツチング室側
とガス源側とで大きな圧力差が生じ、エツチング制御な
どで、それまで閉じていた開閉バルブを開ける必要が生
じたとき、開けたとたんに、急激にエツチング室の真空
度が変化し、エツチング中の試料９に重大な悪影響を与
えたり、真空計（例えば電離真空計）２６を焼損したり
、劣化させたりする弊害が生ずる。従って本実施例では
、ガスラインにおいて、エツチング室側に最も近い開閉
バルブ１１．１２と、その他のバルブの開閉状態を制御
するための制御装置２７が設けられている。該制御装置
は開閉バルブ１１．１２が開のときは、バイパスバルブ
２１．２２及び排気バルブ２３．２４が閉じ、開閉バル
ブ１１゜１２が閉状態にあるときは、排気バルブ２３゜
２４が開いて、ガス排管内の必要部分を前記ガスバージ
用排気ポンプ２５で排気するよう動作する。
ング装置に適用した場合について示した構成概略図であ
る。同図において、真空外部におかれたマイクロ波導波
管１より送られたマイクロ波は励磁コイル２及び試料台
３の下方の永久磁石４によって形成される磁場内におか
れた放電管５の内部のエツチングガスに吸収され、マイ
クロ波放電が発生する。この放電室６とエツチング室７
は油拡散ポンプ等の真空排気ポンプ８により１Ｏ−６Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度の高真空に排気された後、エツチング
ガスが所定のガス圧力（１０’−’〜１０−’ Ｔｏ−
ｒ ）にまで導入される。この際エツチングガスは被エ
ツｊング材（試料）９により異なるが、ｓｉｗＰｏｚｙ
−８１をエツチングする場合にはＣＦ ４やＳＦ６．ｏ
２等の複数種のガスが用いられ、ガス導入ライン１０を
通じて、所定の分圧となるよう例においてはこのガス導
入ライン１０にエツチング室側とガス導入口側を真空的
に遮断する開閉・くシブ１１，１２．ガス流量調節装置
１３，１４゜元栓側バルブ１５．ｊ、６を通じて、それ
ぞれガス■（例えばＱ２ ）１７．ガス■（例えば８Ｆ
ａ）１８等が接続されており、ガス流量調節装置１３゜
１４の両側の排管部に残留しているエツチングガスと内
部放出ガスを随時排気できるよう分岐管１９．２０．バ
イパスバルブ２１，２２．排気ノ；ルプ２３，２４及び
ガスバージ用排気ポンプ（例えば油回転ポンプ）２５が
設けられている。通常は、エツチングガスをエツチング
室に導入する前に開閉バルブ１１．１２を閉じて各ガス
ライン排管部のガスバージを行えば、エツチングにとっ
て １好ましくない混合ガスを除去できるが、エツチ
ング中は、前記ガスバージ用排気ポンプ２５からの逆流
（バックストリーム）を避けなければならないこと、い
ったんガスパージを行っても、開閉・くルブ１１，１２
のいずれか一つでも閉じておくと、 ・エツチング室側
とガス源側とで大きな圧力差が生じ、エツチング制御な
どで、それまで閉じていた開閉バルブを開ける必要が生
じたとき、開けたとたんに、急激にエツチング室の真空
度が変化し、エツチング中の試料９に重大な悪影響を与
えたり、真空計（例えば電離真空計）２６を焼損したり
、劣化させたりする弊害が生ずる。従って本実施例では
、ガスラインにおいて、エツチング室側に最も近い開閉
バルブ１１．１２と、その他のバルブの開閉状態を制御
するための制御装置２７が設けられている。該制御装置
は開閉バルブ１１．１２が開のときは、バイパスバルブ
２１．２２及び排気バルブ２３．２４が閉じ、開閉バル
ブ１１゜１２が閉状態にあるときは、排気バルブ２３゜
２４が開いて、ガス排管内の必要部分を前記ガスバージ
用排気ポンプ２５で排気するよう動作する。
また、本発明の実施例によれば複数種のガスを流してい
て１種類のガスあるいは複数種のガスを早急に遮断した
い場合、開閉バルブ１１．１２を閉じれば、ガス流量調
節装置１３．１４を閉じるより早く遮断することができ
るという効果も得られる。
て１種類のガスあるいは複数種のガスを早急に遮断した
い場合、開閉バルブ１１．１２を閉じれば、ガス流量調
節装置１３．１４を閉じるより早く遮断することができ
るという効果も得られる。
第２図は本発明の他の一実施例について示した構成概略
図であり、第１図と同一部材を意味するものは同一符番
でもって示すものとする。本実施例では、ガス流量調節
装置１３．１４は、開閉・くルブ１１，１２よりもエツ
チング室側に近いところに設けてあり、開閉バルブ１１
．１２を開けた際の急激な圧力変化がやや緩和されるよ
う考慮されている。しかるに、ガス流量調節装置１３゜
１４と、開閉バルブ１１．１２間の残留ガスはエツチン
グ室の到達真空度に悪影響を与えることがあるので、ガ
ス流量調節装置１３．１４を最小流量に絞った後、分岐
管１９’、２０’に設けたバイパスバルブ２１’ 、＝
２２’を開けることによりエツチング室側の真空を悪
くすることなく、ガス導く−ジ用排気ポンプ２５で残留
ガスの排除を行うことができるようになっている。また
、開閉バルブ１１゜１２と元栓側バルブ１５．１６間の
ガス７％−ジは排気バルブ２３．２４を介して行えるよ
うになつており、これらの制御は制御装置２７を使って
行われる。
図であり、第１図と同一部材を意味するものは同一符番
でもって示すものとする。本実施例では、ガス流量調節
装置１３．１４は、開閉・くルブ１１，１２よりもエツ
チング室側に近いところに設けてあり、開閉バルブ１１
．１２を開けた際の急激な圧力変化がやや緩和されるよ
う考慮されている。しかるに、ガス流量調節装置１３゜
１４と、開閉バルブ１１．１２間の残留ガスはエツチン
グ室の到達真空度に悪影響を与えることがあるので、ガ
ス流量調節装置１３．１４を最小流量に絞った後、分岐
管１９’、２０’に設けたバイパスバルブ２１’ 、＝
２２’を開けることによりエツチング室側の真空を悪
くすることなく、ガス導く−ジ用排気ポンプ２５で残留
ガスの排除を行うことができるようになっている。また
、開閉バルブ１１゜１２と元栓側バルブ１５．１６間の
ガス７％−ジは排気バルブ２３．２４を介して行えるよ
うになつており、これらの制御は制御装置２７を使って
行われる。
第１図、第２図の実施例において、制御装置２７は、手
動操作で行える回路で構成されていてもよいが、ガス種
が２種以上にわたる場合、ガスラインの数もふえ、各バ
ルブや、ガス流量調節装置の数も多くなるので、上記制
御装置はマイクロコンピュータ等の自動制御手段と接続
するようにすれば操作性の向上の計ることができる。
動操作で行える回路で構成されていてもよいが、ガス種
が２種以上にわたる場合、ガスラインの数もふえ、各バ
ルブや、ガス流量調節装置の数も多くなるので、上記制
御装置はマイクロコンピュータ等の自動制御手段と接続
するようにすれば操作性の向上の計ることができる。
以上述べたごとく、本発明によれば、ガスラインの排管
内の清浄化とエツチング室へのガス導入が常にスムーズ
に行えるようになり、実用に供して、その効果大である
。
内の清浄化とエツチング室へのガス導入が常にスムーズ
に行えるようになり、実用に供して、その効果大である
。
尚、本発明の内容は、マイクロ波プラズマエツチング装
置のみに限らず、種々のエツチング装置。
置のみに限らず、種々のエツチング装置。
スパッタリング装置、イオンビーム装置や、質量分析装
置などの、ある種のガスを導入して真空容器内の急激な
ガス圧力変化やガスの吸着性が問題となるような各種類
似装置にも適用して同様の効果を奏しうる。
置などの、ある種のガスを導入して真空容器内の急激な
ガス圧力変化やガスの吸着性が問題となるような各種類
似装置にも適用して同様の効果を奏しうる。
第１図は、本発明の一実施例をマイクロ波プラズマエツ
チング装置に適用した場合の構成概略図、第２図は、同
じく、マイクロ波プラズマエツチング装置に適用した場
合の他の一実施例を示す構成概略図である。 １・・・マイクロ波導波管、５・・・放電管、６・・・
放雷室、７・・・エツチング室、９・・・被エツチング
材（試料）、１０・・・ガス導入ライン、１１．１２・
・・開閉バルブ、１７・・・ガス■、１８・・・ガス■
、１９，２０．１９’。
チング装置に適用した場合の構成概略図、第２図は、同
じく、マイクロ波プラズマエツチング装置に適用した場
合の他の一実施例を示す構成概略図である。 １・・・マイクロ波導波管、５・・・放電管、６・・・
放雷室、７・・・エツチング室、９・・・被エツチング
材（試料）、１０・・・ガス導入ライン、１１．１２・
・・開閉バルブ、１７・・・ガス■、１８・・・ガス■
、１９，２０．１９’。
Claims (1)
- １、 エツチング室側の開閉バルブと、ガス源側の開閉
バルブとの間の排管部を排気する手段を設けるとともに
、エツチング室側の開閉バルブの開閉状態に応じて上記
排管部の排気を制御する手段を設けたことを特徴とする
プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン
排気系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17975181A JPS5881975A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17975181A JPS5881975A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881975A true JPS5881975A (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=16071232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17975181A Pending JPS5881975A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881975A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03244519A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-31 | Toshiba Corp | 薄型電子機器の製造方法 |
| JPH04104793U (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-09 | 株式会社キヤツトアイ | 二輪車用部品 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP17975181A patent/JPS5881975A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03244519A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-31 | Toshiba Corp | 薄型電子機器の製造方法 |
| JPH04104793U (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-09 | 株式会社キヤツトアイ | 二輪車用部品 |
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