JP2954142B2 - 半導体製造装置とその気体流量の制御方法 - Google Patents
半導体製造装置とその気体流量の制御方法Info
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- JP2954142B2 JP2954142B2 JP4929598A JP4929598A JP2954142B2 JP 2954142 B2 JP2954142 B2 JP 2954142B2 JP 4929598 A JP4929598 A JP 4929598A JP 4929598 A JP4929598 A JP 4929598A JP 2954142 B2 JP2954142 B2 JP 2954142B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置と
その気体流量の制御方法に係わり、特に、真空排気可能
なチャンバを真空状態から大気圧力状態に戻すことを可
能にした半導体製造装置に関する。
その気体流量の制御方法に係わり、特に、真空排気可能
なチャンバを真空状態から大気圧力状態に戻すことを可
能にした半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に真空容器内のパーティクルの巻
き上げを抑制する大気開放の動作は最初少流量を流し、
ある一定時間後に大流量を流す動作である。しかしこれ
では大気開放の時間が長くかかることと、パーティクル
の巻き上げを抑制するには不十分である。
き上げを抑制する大気開放の動作は最初少流量を流し、
ある一定時間後に大流量を流す動作である。しかしこれ
では大気開放の時間が長くかかることと、パーティクル
の巻き上げを抑制するには不十分である。
【０００３】特開平９−７７１４４号公報には、パーテ
ィクルを巻き上げずにしかも短時間で真空容器内を大気
開放する技術が記載されている。図５は特開平９−７７
１４４号公報に記載されている真空容器リーク用流量制
御装置のブロック図である。これによると大気開放信号
Ｓが制御器１３に入力され、制御器１３は比較器１４に
初期流量値、初期圧力値をプリセットする。比較器１４
はプリセット値に従い流量検出器１１に駆動信号を発し
て流量検出器１１を作動させる。リークガスの流入に従
い真空容器２内の圧力が昇圧される。真空容器２内の圧
力変化、即ち圧力値Ｐは圧力検出器２３によって検出さ
れ、比較器１４に入力される。比較器１４に於いてプリ
セット値と圧力値Ｐとが比較され、圧力値Ｐがプリセッ
ト値と一致すると一致信号を制御器１３に出力する。制
御器１３は切換スイッチ１５をｂ接点に切り換え、操作
器１６より次のステップのリーク流量設定値、目標圧力
値を読み込む。読込んだ流量設定値、目標圧力を比較器
１４に入力し、プリセット値を更新すると共に切換えス
イッチ１５をａ接点側に換える。前記真空容器２の圧力
が目標圧力値に達する度に、上記動作が繰返され大気開
放される。図６はその時に得られる圧力Ｐ−流量Ｑの関
係を示す特性図である。
ィクルを巻き上げずにしかも短時間で真空容器内を大気
開放する技術が記載されている。図５は特開平９−７７
１４４号公報に記載されている真空容器リーク用流量制
御装置のブロック図である。これによると大気開放信号
Ｓが制御器１３に入力され、制御器１３は比較器１４に
初期流量値、初期圧力値をプリセットする。比較器１４
はプリセット値に従い流量検出器１１に駆動信号を発し
て流量検出器１１を作動させる。リークガスの流入に従
い真空容器２内の圧力が昇圧される。真空容器２内の圧
力変化、即ち圧力値Ｐは圧力検出器２３によって検出さ
れ、比較器１４に入力される。比較器１４に於いてプリ
セット値と圧力値Ｐとが比較され、圧力値Ｐがプリセッ
ト値と一致すると一致信号を制御器１３に出力する。制
御器１３は切換スイッチ１５をｂ接点に切り換え、操作
器１６より次のステップのリーク流量設定値、目標圧力
値を読み込む。読込んだ流量設定値、目標圧力を比較器
１４に入力し、プリセット値を更新すると共に切換えス
イッチ１５をａ接点側に換える。前記真空容器２の圧力
が目標圧力値に達する度に、上記動作が繰返され大気開
放される。図６はその時に得られる圧力Ｐ−流量Ｑの関
係を示す特性図である。
【０００４】しかし、上記特開平９−７７１４４号公報
における技術には次の様な問題があった。第１の問題は
真空容器毎に圧力−流量テーブル条件が必要になる事で
ある。その理由は真空容器の容積が違う他の半導体製造
装置に使用する場合、パーティクルの巻き上がらない最
適な圧力−流量テーブルを設定しなくてはならない為で
ある。
における技術には次の様な問題があった。第１の問題は
真空容器毎に圧力−流量テーブル条件が必要になる事で
ある。その理由は真空容器の容積が違う他の半導体製造
装置に使用する場合、パーティクルの巻き上がらない最
適な圧力−流量テーブルを設定しなくてはならない為で
ある。
【０００５】第２の問題は真空容器２内に供給する気体
流量を制御するにあたり、真空容器２内の圧力値を圧力
検出器３によって検出し、ステップ毎の気体流量の切り
換えポイントとしている為、切り換えポイントが変化す
る可能性がある。その理由は圧力検出器３自体に於ける
圧力値検出の誤差、及び圧力値のズレが生じる為であ
る。
流量を制御するにあたり、真空容器２内の圧力値を圧力
検出器３によって検出し、ステップ毎の気体流量の切り
換えポイントとしている為、切り換えポイントが変化す
る可能性がある。その理由は圧力検出器３自体に於ける
圧力値検出の誤差、及び圧力値のズレが生じる為であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、真空排気可能なチ
ャンバを真空状態から大気圧力状態に戻す際、パーティ
クルが巻き上がらずに、しかも、短時間に大気開放が出
来る半導体製造装置とその気体流量の制御方法を提供す
るものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、真空排気可能なチ
ャンバを真空状態から大気圧力状態に戻す際、パーティ
クルが巻き上がらずに、しかも、短時間に大気開放が出
来る半導体製造装置とその気体流量の制御方法を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体製造装置の第１態様は、真空容器を備え、この真空
容器内の圧力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能
にした半導体製造装置において、前記真空容器内の圧力
がリーク時間の１．５乗乃至３．５乗に比例する関係を
保ちながら昇圧するように気体を供給する気体流量の制
御手段を設け、前記真空容器内の圧力を真空状態から大
気圧力に戻す際、真空容器内の圧力を検出する圧力検出
装置を用いることなしに、前記制御手段が、前記関係を
保ちながら真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴
とするものであり、又、第２態様は、前記制御手段は、
流量制御弁を含むことを特徴とするものであり、又、第
３態様は、リーク時間の３乗に比例する関係を保ちなが
ら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴とする
ものであり、又、第４態様は、リーク時間の２乗に比例
する関係を保ちながら、真空状態から大気圧まで昇圧さ
れることを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体製造装置の第１態様は、真空容器を備え、この真空
容器内の圧力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能
にした半導体製造装置において、前記真空容器内の圧力
がリーク時間の１．５乗乃至３．５乗に比例する関係を
保ちながら昇圧するように気体を供給する気体流量の制
御手段を設け、前記真空容器内の圧力を真空状態から大
気圧力に戻す際、真空容器内の圧力を検出する圧力検出
装置を用いることなしに、前記制御手段が、前記関係を
保ちながら真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴
とするものであり、又、第２態様は、前記制御手段は、
流量制御弁を含むことを特徴とするものであり、又、第
３態様は、リーク時間の３乗に比例する関係を保ちなが
ら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴とする
ものであり、又、第４態様は、リーク時間の２乗に比例
する関係を保ちながら、真空状態から大気圧まで昇圧さ
れることを特徴とするものである。
【０００８】又、本発明に係る半導体製造装置の気体流
量の制御方法の第１態様は、真空容器を備え、この真空
容器内の圧力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能
にした半導体製造装置の気体流量の制御方法において、
真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗
乃至３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよ
うに気体流量を制御することを特徴とするものであり、
又、第２態様は、 真空容器を備え、この真空容器内の圧
力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導
体製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内
の圧力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、前
記真空容器内の圧力がリーク時間の３乗に比例する関係
を保ちながら昇圧されるように気体流量を制御すること
を特徴とするものであり、 又、第３態様は、 真空容器内
の圧力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、真
空容器を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から大
気圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置の気体流
量の制御方法において、 前記真空容器内の圧力がリーク
時間の２乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよう
に気体流量を制御することを特徴とするものである。
量の制御方法の第１態様は、真空容器を備え、この真空
容器内の圧力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能
にした半導体製造装置の気体流量の制御方法において、
真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗
乃至３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよ
うに気体流量を制御することを特徴とするものであり、
又、第２態様は、 真空容器を備え、この真空容器内の圧
力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導
体製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内
の圧力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、前
記真空容器内の圧力がリーク時間の３乗に比例する関係
を保ちながら昇圧されるように気体流量を制御すること
を特徴とするものであり、 又、第３態様は、 真空容器内
の圧力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、真
空容器を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から大
気圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置の気体流
量の制御方法において、 前記真空容器内の圧力がリーク
時間の２乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよう
に気体流量を制御することを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体製造装置は、
真空容器を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から
大気圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置におい
て、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至
３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるように
気体流量を制御するものであるから、チャンバを真空状
態から大気圧力状態に戻す際、パーティクルが巻き上が
らずに、しかも、短時間に大気開放が出来る。
真空容器を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から
大気圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置におい
て、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至
３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるように
気体流量を制御するものであるから、チャンバを真空状
態から大気圧力状態に戻す際、パーティクルが巻き上が
らずに、しかも、短時間に大気開放が出来る。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体製造装置とそ
の気体流量の制御方法の具体例を図面を参照しながら詳
細に説明する。図１は、本発明の半導体製造装置の具体
例の構造を示す図、図２はリーク時間に対する圧力上昇
の状態を示す特性図であって、これらの図には、真空容
器１を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から大気
圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置において、
前記真空容器１内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至
３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるように
気体を供給する気体流量の制御手段８を設けた半導体製
造装置が示されている。
の気体流量の制御方法の具体例を図面を参照しながら詳
細に説明する。図１は、本発明の半導体製造装置の具体
例の構造を示す図、図２はリーク時間に対する圧力上昇
の状態を示す特性図であって、これらの図には、真空容
器１を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から大気
圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置において、
前記真空容器１内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至
３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるように
気体を供給する気体流量の制御手段８を設けた半導体製
造装置が示されている。
【００１１】以下に、本発明を詳細に説明する。図１に
おいて、半導体基板を処理する真空容器１と真空容器１
内を真空状態にする為の排気ライン２、主排気弁３、及
び排気装置４を介し真空引きする構成となっている。次
に、真空容器１内を真空状態より大気圧へ戻す構成とし
て、真空容器１にはリークライン５が接続されている。
リークライン５には電気信号により開く流量制御弁６と
気体供給弁７が取り付けられている。また、電気信号に
より開く流量制御弁６には真空容器１へ供給する気体流
量を制御する為の流量制御装置８が接続されている。流
量制御装置８に真空容器１の容積、圧力、リークライン
５の管断面積及び大気開放時間を設定すると真空容器１
内の圧力上昇が時間の３乗に比例する様に気体流量が設
定される。この流量制御装置８内に設定された内容を流
量制御弁６へ電気信号として出力する構成となってい
る。
おいて、半導体基板を処理する真空容器１と真空容器１
内を真空状態にする為の排気ライン２、主排気弁３、及
び排気装置４を介し真空引きする構成となっている。次
に、真空容器１内を真空状態より大気圧へ戻す構成とし
て、真空容器１にはリークライン５が接続されている。
リークライン５には電気信号により開く流量制御弁６と
気体供給弁７が取り付けられている。また、電気信号に
より開く流量制御弁６には真空容器１へ供給する気体流
量を制御する為の流量制御装置８が接続されている。流
量制御装置８に真空容器１の容積、圧力、リークライン
５の管断面積及び大気開放時間を設定すると真空容器１
内の圧力上昇が時間の３乗に比例する様に気体流量が設
定される。この流量制御装置８内に設定された内容を流
量制御弁６へ電気信号として出力する構成となってい
る。
【００１２】次に、図１をもとに本発明の装置の動作に
ついて説明する。真空容器１内に被処理物を設置した
後、真空状態にする為に排気ライン２、主排気弁３を介
し排気装置４によって真空引きされ被処理物が処理され
る。被処理物が処理された後、真空容器１内を真空状態
より大気開放する為に、まず主排気弁３が閉じられる。
次に、気体供給弁７が開放され、開放信号が流量制御装
置８へ取り込まれる。流量制御装置８には予め真空容器
１の容積、圧力、リークライン５の管断面積及び大気開
放時間が設定されているから、真空容器１内の圧力上昇
がリーク時間の３乗に比例するように気体流量が設定さ
れる。流量制御装置８内に設定された気体流量は電気信
号として流量制御弁６に出力される。流量制御弁６は流
量制御装置８内に設定された動作をもとに全閉の状態よ
り徐々に開き始めて行き真空容器１内へはリーク時間の
２乗に比例した気体流量が供給されていく。これにより
真空容器１内の圧力は時間の３乗に比例して昇圧されて
行き最終的に大気開放される。
ついて説明する。真空容器１内に被処理物を設置した
後、真空状態にする為に排気ライン２、主排気弁３を介
し排気装置４によって真空引きされ被処理物が処理され
る。被処理物が処理された後、真空容器１内を真空状態
より大気開放する為に、まず主排気弁３が閉じられる。
次に、気体供給弁７が開放され、開放信号が流量制御装
置８へ取り込まれる。流量制御装置８には予め真空容器
１の容積、圧力、リークライン５の管断面積及び大気開
放時間が設定されているから、真空容器１内の圧力上昇
がリーク時間の３乗に比例するように気体流量が設定さ
れる。流量制御装置８内に設定された気体流量は電気信
号として流量制御弁６に出力される。流量制御弁６は流
量制御装置８内に設定された動作をもとに全閉の状態よ
り徐々に開き始めて行き真空容器１内へはリーク時間の
２乗に比例した気体流量が供給されていく。これにより
真空容器１内の圧力は時間の３乗に比例して昇圧されて
行き最終的に大気開放される。
【００１３】図２は真空容器１の容積１７リットル、リ
ークライン５の管直径４ｍｍ、大気開放時間を１分間と
設定し、真空状態より大気圧力へ戻した時の圧力上昇カ
ーブと時間を表す。また、図３はその時の真空容器１内
へ供給される質量流量とリーク時間との関係を示すグラ
フである。上記例では圧力上昇カーブが時間の３乗に比
例する場合の気体供給法を使用したが、圧力上昇カーブ
が時間の１．５乗から３．５乗になるように設定するの
であれば上記と同様な効果が得られる。
ークライン５の管直径４ｍｍ、大気開放時間を１分間と
設定し、真空状態より大気圧力へ戻した時の圧力上昇カ
ーブと時間を表す。また、図３はその時の真空容器１内
へ供給される質量流量とリーク時間との関係を示すグラ
フである。上記例では圧力上昇カーブが時間の３乗に比
例する場合の気体供給法を使用したが、圧力上昇カーブ
が時間の１．５乗から３．５乗になるように設定するの
であれば上記と同様な効果が得られる。
【００１４】なお、１．５乗以下では大気開放までの時
間が長時間になり、３．５乗以上ではパーティクルの巻
き上げが激しくなり、実用上１．５〜３．５乗の範囲が
最適であった。本発明が特開平９−７７１４４号公報の
技術より優れている点を図５及び図６を参照し説明す
る。
間が長時間になり、３．５乗以上ではパーティクルの巻
き上げが激しくなり、実用上１．５〜３．５乗の範囲が
最適であった。本発明が特開平９−７７１４４号公報の
技術より優れている点を図５及び図６を参照し説明す
る。
【００１５】特開平９−７７１４４号公報では真空容器
ラインに設けられた流量検出器１１を制御する為の流量
制御部１２を具備し、真空容器２内へ流す質量流量をス
テップ状に変化させパーティクルの巻き上げを抑制し、
高スループットを実現している。ここで真空容器２内を
真空状態から大気圧力へ戻す場合、図６の如くステップ
状に質量流量を供給する方法であれば、真空容器毎にパ
ーティクルが巻き上がらない条件を設定する必要があ
る。
ラインに設けられた流量検出器１１を制御する為の流量
制御部１２を具備し、真空容器２内へ流す質量流量をス
テップ状に変化させパーティクルの巻き上げを抑制し、
高スループットを実現している。ここで真空容器２内を
真空状態から大気圧力へ戻す場合、図６の如くステップ
状に質量流量を供給する方法であれば、真空容器毎にパ
ーティクルが巻き上がらない条件を設定する必要があ
る。
【００１６】これに対し、本発明では予め真空容器の容
積、リークラインの管断面積、及び大気開放時間を設定
することで、真空容器内の圧力上昇カーブがリーク時間
の３乗に比例する様に質量流量を供給する。従って真空
容器の容積に応じて質量流量が設定される。また、特開
平９−７７１４４号公報では気体流量を制御するに当り
真空容器２内の圧力値を圧力検出器２３によって検出
し、ステップ毎の気体流量の切り換えポイントとしてい
る。この為圧力検出器２３自体に於ける圧力値検出の誤
差、及び圧力値のズレによって切り換えポイントが変化
する恐れがある。
積、リークラインの管断面積、及び大気開放時間を設定
することで、真空容器内の圧力上昇カーブがリーク時間
の３乗に比例する様に質量流量を供給する。従って真空
容器の容積に応じて質量流量が設定される。また、特開
平９−７７１４４号公報では気体流量を制御するに当り
真空容器２内の圧力値を圧力検出器２３によって検出
し、ステップ毎の気体流量の切り換えポイントとしてい
る。この為圧力検出器２３自体に於ける圧力値検出の誤
差、及び圧力値のズレによって切り換えポイントが変化
する恐れがある。
【００１７】これに対し本発明では圧力検出機構を使用
していない。その理由は予め真空容器の容積、圧力、リ
ークラインの管断面積、及び大気圧力へ戻す時間を設定
することで、圧力上昇がリーク時間の３乗に比例する様
に真空容器内へ供給する気体流量が決まってくるからで
ある。従って圧力検出機構を必ずしも必要としていな
い。
していない。その理由は予め真空容器の容積、圧力、リ
ークラインの管断面積、及び大気圧力へ戻す時間を設定
することで、圧力上昇がリーク時間の３乗に比例する様
に真空容器内へ供給する気体流量が決まってくるからで
ある。従って圧力検出機構を必ずしも必要としていな
い。
【００１８】次に、本発明の他の具体例について説明す
る。前述した気流制御法は半導体製造装置の真空容器、
特にロードロック室内を大気圧力へ開放する為の気流制
御法である。これとは別に半導体基板を加工する所にお
いて、真空容器内へ気体を流す場合に於いても、同様の
気流制御を応用する事が出来る。図４をもとにその応用
例を説明する。
る。前述した気流制御法は半導体製造装置の真空容器、
特にロードロック室内を大気圧力へ開放する為の気流制
御法である。これとは別に半導体基板を加工する所にお
いて、真空容器内へ気体を流す場合に於いても、同様の
気流制御を応用する事が出来る。図４をもとにその応用
例を説明する。
【００１９】従来の気体供給方法は、真空状態に保持さ
れた真空容器１へ半導体基板を加工する為の気体が気体
供給ライン５、気体供給弁６、及び流量制御弁７を介し
て供給される。気体の制御方法は流量設定装置９内に設
定された流量でデータに基づき制御信号が常に流量制御
弁７に出力されており、気体供給弁６が開放されると同
時に気体が真空容器１内へ供給される。
れた真空容器１へ半導体基板を加工する為の気体が気体
供給ライン５、気体供給弁６、及び流量制御弁７を介し
て供給される。気体の制御方法は流量設定装置９内に設
定された流量でデータに基づき制御信号が常に流量制御
弁７に出力されており、気体供給弁６が開放されると同
時に気体が真空容器１内へ供給される。
【００２０】この時の問題点は流量制御弁７には常に一
定の流量条件が流量設定装置９にて設定されており、気
体供給弁６が開放されると同時に多量の気体が真空容器
１内へ流れ込みパーティクルの巻き上げが発生する。こ
こで気流制御法を応用し真空容器１内へ気体を供給する
方法を説明する。まず気体供給弁６から開放信号が流量
制御装置８へ電気信号で出力される。流量制御装置８内
には圧力上昇が時間の３乗に比例する流量条件が設定さ
れ、この設定内容が流量設定装置９へ電気信号として出
力される。流量設定装置９は流量制御装置８の設定条件
をもとに流量制御弁７を全閉の状態により徐々に開き始
め、真空容器１内の圧力が時間の３乗に比例して昇圧さ
れる様に気体流量を供給していく。この結果半導体基板
を加工する時におけるパーティクルの巻き上げを抑制す
る。
定の流量条件が流量設定装置９にて設定されており、気
体供給弁６が開放されると同時に多量の気体が真空容器
１内へ流れ込みパーティクルの巻き上げが発生する。こ
こで気流制御法を応用し真空容器１内へ気体を供給する
方法を説明する。まず気体供給弁６から開放信号が流量
制御装置８へ電気信号で出力される。流量制御装置８内
には圧力上昇が時間の３乗に比例する流量条件が設定さ
れ、この設定内容が流量設定装置９へ電気信号として出
力される。流量設定装置９は流量制御装置８の設定条件
をもとに流量制御弁７を全閉の状態により徐々に開き始
め、真空容器１内の圧力が時間の３乗に比例して昇圧さ
れる様に気体流量を供給していく。この結果半導体基板
を加工する時におけるパーティクルの巻き上げを抑制す
る。
【００２１】このように、本発明は、ＣＶＤ装置、ドラ
イエッチング装置、スパッタ装置、エピタキシャル成長
装置、イオンビーム注入装置等に広く適用することがで
きる。
イエッチング装置、スパッタ装置、エピタキシャル成長
装置、イオンビーム注入装置等に広く適用することがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】本発明に係る半導体製造装置は、上述の
ように構成したので、真空排気可能なチャンバを真空状
態から大気圧力状態に戻す際、パーティクルが巻き上が
らずに、しかも、短時間に大気開放が出来るという優れ
た効果を奏する。しかも構成が簡単であるから、実施も
容易である等優れた効果を有する。
ように構成したので、真空排気可能なチャンバを真空状
態から大気圧力状態に戻す際、パーティクルが巻き上が
らずに、しかも、短時間に大気開放が出来るという優れ
た効果を奏する。しかも構成が簡単であるから、実施も
容易である等優れた効果を有する。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の構成図である。
【図２】本発明のリーク時間に対する圧力上昇の状態を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図３】本発明のリーク時間に対する真空器内へ供給さ
れる質量流量を示す特性図である。
れる質量流量を示す特性図である。
【図４】本発明に係る半導体製造装置の他の具体例の構
成図である。
成図である。
【図５】従来技術の構成図である。
【図６】従来技術の特性図である。
１ 真空容器 ２ 排気ライン ３ 主排気弁 ４ 排気装置 ５ リークライン ６ 流量制御弁 ７ 気体供給弁 ８ 流量制御装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/265 H01L 21/31 H01L 21/3065 C23C 16/44
Claims (7)
- 【請求項１】 真空容器を備え、この真空容器内の圧力
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置において、 前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至３．
５乗に比例する関係を保ちながら昇圧するように気体を
供給する気体流量の制御手段を設け、前記真空容器内の
圧力を真空状態から大気圧力に戻す際、真空容器内の圧
力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、前記制
御手段が、前記関係を保ちながら真空状態から大気圧ま
で昇圧することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記制御手段は、流量制御弁を含むこと
を特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 リーク時間の３乗に比例する関係を保ち
ながら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 リーク時間の２乗に比例する関係を保ち
ながら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 真空容器を備え、この真空容器内の圧力
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗
乃至３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよ
うに気体流量を制御することを特徴とする半導体製造装
置の気体流量の制御方法。 - 【請求項６】 真空容器を備え、この真空容器内の圧力
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の３乗に比
例する関係を保ちながら昇圧されるように気体流量を制
御することを特徴とする半導体製造装置の気体流量の制
御方法。 - 【請求項７】 真空容器を備え、この真空容器内の圧力
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置の気体流量の制御方法において、真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、 前記真空容器内の圧力がリーク時間の２乗に比
例する関係を保ちながら昇圧されるように気体流量を制
御することを特徴とする半導体製造装置の気体流量の制
御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4929598A JP2954142B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 半導体製造装置とその気体流量の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4929598A JP2954142B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 半導体製造装置とその気体流量の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251251A JPH11251251A (ja) | 1999-09-17 |
| JP2954142B2 true JP2954142B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=12826941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4929598A Expired - Fee Related JP2954142B2 (ja) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | 半導体製造装置とその気体流量の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2954142B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6652886B2 (ja) * | 2015-08-26 | 2020-02-26 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
-
1998
- 1998-03-02 JP JP4929598A patent/JP2954142B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11251251A (ja) | 1999-09-17 |
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