JP2954142B2 - Semiconductor manufacturing apparatus and gas flow control method - Google Patents
Semiconductor manufacturing apparatus and gas flow control methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置と
その気体流量の制御方法に係わり、特に、真空排気可能
なチャンバを真空状態から大気圧力状態に戻すことを可
能にした半導体製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a method of controlling a gas flow rate thereof, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus capable of returning an evacuable chamber from a vacuum state to an atmospheric pressure state.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般的に真空容器内のパーティクルの巻
き上げを抑制する大気開放の動作は最初少流量を流し、
ある一定時間後に大流量を流す動作である。しかしこれ
では大気開放の時間が長くかかることと、パーティクル
の巻き上げを抑制するには不十分である。2. Description of the Related Art Generally, an operation of opening to the atmosphere for suppressing the winding of particles in a vacuum vessel is performed by first flowing a small flow rate,
This is an operation to flow a large flow rate after a certain time. However, this is not enough to take a long time to open to the atmosphere and to suppress the lifting of particles.
【０００３】特開平９−７７１４４号公報には、パーテ
ィクルを巻き上げずにしかも短時間で真空容器内を大気
開放する技術が記載されている。図５は特開平９−７７
１４４号公報に記載されている真空容器リーク用流量制
御装置のブロック図である。これによると大気開放信号
Ｓが制御器１３に入力され、制御器１３は比較器１４に
初期流量値、初期圧力値をプリセットする。比較器１４
はプリセット値に従い流量検出器１１に駆動信号を発し
て流量検出器１１を作動させる。リークガスの流入に従
い真空容器２内の圧力が昇圧される。真空容器２内の圧
力変化、即ち圧力値Ｐは圧力検出器２３によって検出さ
れ、比較器１４に入力される。比較器１４に於いてプリ
セット値と圧力値Ｐとが比較され、圧力値Ｐがプリセッ
ト値と一致すると一致信号を制御器１３に出力する。制
御器１３は切換スイッチ１５をｂ接点に切り換え、操作
器１６より次のステップのリーク流量設定値、目標圧力
値を読み込む。読込んだ流量設定値、目標圧力を比較器
１４に入力し、プリセット値を更新すると共に切換えス
イッチ１５をａ接点側に換える。前記真空容器２の圧力
が目標圧力値に達する度に、上記動作が繰返され大気開
放される。図６はその時に得られる圧力Ｐ−流量Ｑの関
係を示す特性図である。Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-77144 describes a technique in which the inside of a vacuum vessel is opened to the atmosphere in a short time without winding up particles. FIG.
FIG. 1 is a block diagram of a vacuum vessel leak flow control device described in Japanese Patent Publication No. 144-144. According to this, the open-to-atmosphere signal S is input to the controller 13, and the controller 13 presets an initial flow value and an initial pressure value in the comparator 14. Comparator 14
Sends a drive signal to the flow detector 11 according to the preset value to operate the flow detector 11. The pressure in the vacuum vessel 2 is increased according to the flow of the leak gas. The pressure change in the vacuum vessel 2, that is, the pressure value P is detected by the pressure detector 23 and input to the comparator 14. The comparator 14 compares the preset value with the pressure value P, and outputs a match signal to the controller 13 when the pressure value P matches the preset value. The controller 13 switches the changeover switch 15 to the contact b, and reads the leak flow set value and the target pressure value of the next step from the operating device 16. The read flow rate set value and the target pressure are input to the comparator 14, the preset value is updated, and the changeover switch 15 is changed to the contact a side. Each time the pressure of the vacuum vessel 2 reaches the target pressure value, the above operation is repeated and the air is released to the atmosphere. FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the pressure P and the flow rate Q obtained at that time.
【０００４】しかし、上記特開平９−７７１４４号公報
における技術には次の様な問題があった。第１の問題は
真空容器毎に圧力−流量テーブル条件が必要になる事で
ある。その理由は真空容器の容積が違う他の半導体製造
装置に使用する場合、パーティクルの巻き上がらない最
適な圧力−流量テーブルを設定しなくてはならない為で
ある。[0004] However, the technology in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-77144 has the following problems. The first problem is that pressure-flow rate table conditions are required for each vacuum vessel. The reason is that when used in another semiconductor manufacturing apparatus having a different volume of the vacuum vessel, an optimum pressure-flow rate table must be set so that the particles do not wind up.
【０００５】第２の問題は真空容器２内に供給する気体
流量を制御するにあたり、真空容器２内の圧力値を圧力
検出器３によって検出し、ステップ毎の気体流量の切り
換えポイントとしている為、切り換えポイントが変化す
る可能性がある。その理由は圧力検出器３自体に於ける
圧力値検出の誤差、及び圧力値のズレが生じる為であ
る。The second problem is that when controlling the flow rate of the gas supplied into the vacuum vessel 2, the pressure value in the vacuum vessel 2 is detected by the pressure detector 3 and is used as a switching point of the gas flow rate for each step. Switching points can change. The reason is that an error in pressure value detection in the pressure detector 3 itself and a deviation of the pressure value occur.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、真空排気可能なチ
ャンバを真空状態から大気圧力状態に戻す際、パーティ
クルが巻き上がらずに、しかも、短時間に大気開放が出
来る半導体製造装置とその気体流量の制御方法を提供す
るものである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art. In particular, when the chamber capable of being evacuated is returned from a vacuum state to an atmospheric pressure state, particles do not roll up. Further, the present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus capable of opening to the atmosphere in a short time and a method of controlling the gas flow rate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わる半
導体製造装置の第１態様は、真空容器を備え、この真空
容器内の圧力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能
にした半導体製造装置において、前記真空容器内の圧力
がリーク時間の１．５乗乃至３．５乗に比例する関係を
保ちながら昇圧するように気体を供給する気体流量の制
御手段を設け、前記真空容器内の圧力を真空状態から大
気圧力に戻す際、真空容器内の圧力を検出する圧力検出
装置を用いることなしに、前記制御手段が、前記関係を
保ちながら真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴
とするものであり、又、第２態様は、前記制御手段は、
流量制御弁を含むことを特徴とするものであり、又、第
３態様は、リーク時間の３乗に比例する関係を保ちなが
ら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴とする
ものであり、又、第４態様は、リーク時間の２乗に比例
する関係を保ちながら、真空状態から大気圧まで昇圧さ
れることを特徴とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention basically employs the following technical configuration to achieve the above object. That is, a first aspect of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus provided with a vacuum vessel and capable of returning the pressure in the vacuum vessel from a vacuum state to the atmospheric pressure. Is provided with gas flow rate control means for supplying gas so as to increase the pressure while maintaining a relationship proportional to the 1.5th to 3.5th power of the leak time, and increases the pressure in the vacuum vessel from a vacuum state to a large value.
Pressure detection that detects the pressure inside the vacuum vessel when returning to atmospheric pressure
Without using the device, the control means
It is characterized in that the pressure is raised from a vacuum state to the atmospheric pressure while maintaining , and the second aspect is that the control means comprises:
The third aspect is characterized by including a flow control valve , and the third aspect is to maintain a relationship proportional to the cube of the leak time.
The pressure is increased from a vacuum state to the atmospheric pressure , and the fourth mode is proportional to the square of the leak time.
Pressure from vacuum to atmospheric pressure
It is characterized by being performed.
【０００８】又、本発明に係る半導体製造装置の気体流
量の制御方法の第１態様は、真空容器を備え、この真空
容器内の圧力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能
にした半導体製造装置の気体流量の制御方法において、
真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗
乃至３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよ
うに気体流量を制御することを特徴とするものであり、
又、第２態様は、 真空容器を備え、この真空容器内の圧
力を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導
体製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内
の圧力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、前
記真空容器内の圧力がリーク時間の３乗に比例する関係
を保ちながら昇圧されるように気体流量を制御すること
を特徴とするものであり、 又、第３態様は、 真空容器内
の圧力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、真
空容器を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から大
気圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置の気体流
量の制御方法において、 前記真空容器内の圧力がリーク
時間の２乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよう
に気体流量を制御することを特徴とするものである。 Also, the gas flow of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention
A first aspect of the method of controlling the amount is a method of controlling a gas flow rate of a semiconductor manufacturing apparatus which includes a vacuum vessel and enables the pressure in the vacuum vessel to return from a vacuum state to atmospheric pressure.
Using a pressure detector that detects the pressure inside the vacuum vessel
Without state, and it is not, characterized in that the pressure of the vacuum chamber to control the gas flow to be boosted while maintaining the relationship that is proportional to the 1.5th power to 3.5 square of leakage time,
Further, the second aspect is provided with a vacuum vessel, and the pressure in this vacuum vessel is
A semi-conductor that can return the force from vacuum to atmospheric pressure
In the method of controlling the gas flow rate of the body manufacturing apparatus, the inside of the vacuum vessel
Without using a pressure detector to detect the pressure of the
The relationship that the pressure in the vacuum vessel is proportional to the cube of the leak time
Control the gas flow rate so that the pressure is increased while maintaining the pressure
And characterized in, also a third aspect, the vacuum vessel
Without using a pressure detector to detect the pressure of
An empty container is provided, and the pressure in this vacuum container is increased from a vacuum state.
Gas flow in semiconductor manufacturing equipment that makes it possible to return to atmospheric pressure
In the method of controlling the amount , the pressure in the vacuum vessel is leaked.
So that it is boosted while maintaining a relationship proportional to the square of time
It is characterized by controlling the gas flow rate.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体製造装置は、
真空容器を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から
大気圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置におい
て、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至
３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるように
気体流量を制御するものであるから、チャンバを真空状
態から大気圧力状態に戻す際、パーティクルが巻き上が
らずに、しかも、短時間に大気開放が出来る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention
In a semiconductor manufacturing apparatus provided with a vacuum vessel and capable of returning the pressure in the vacuum vessel from a vacuum state to atmospheric pressure, the pressure in the vacuum vessel is proportional to the 1.5 to 3.5 power of the leak time. Since the gas flow rate is controlled so as to increase the pressure while maintaining the above relationship, when returning the chamber from the vacuum state to the atmospheric pressure state, the particles can be released to the atmosphere in a short time without winding up.
【００１０】[0010]
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体製造装置とそ
の気体流量の制御方法の具体例を図面を参照しながら詳
細に説明する。図１は、本発明の半導体製造装置の具体
例の構造を示す図、図２はリーク時間に対する圧力上昇
の状態を示す特性図であって、これらの図には、真空容
器１を備え、この真空容器内の圧力を真空状態から大気
圧力に戻すことを可能にした半導体製造装置において、
前記真空容器１内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至
３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるように
気体を供給する気体流量の制御手段８を設けた半導体製
造装置が示されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A specific example of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention and a method of controlling a gas flow rate according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a structure of a specific example of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a characteristic diagram showing a state of a pressure increase with respect to a leak time. In a semiconductor manufacturing apparatus that has made it possible to return the pressure in a vacuum container from a vacuum state to atmospheric pressure,
FIG. 1 shows a semiconductor manufacturing apparatus provided with a gas flow rate control means 8 for supplying gas so that the pressure in the vacuum vessel 1 is increased while maintaining a relationship proportional to the 1.5th to 3.5th power of the leak time. Have been.
【００１１】以下に、本発明を詳細に説明する。図１に
おいて、半導体基板を処理する真空容器１と真空容器１
内を真空状態にする為の排気ライン２、主排気弁３、及
び排気装置４を介し真空引きする構成となっている。次
に、真空容器１内を真空状態より大気圧へ戻す構成とし
て、真空容器１にはリークライン５が接続されている。
リークライン５には電気信号により開く流量制御弁６と
気体供給弁７が取り付けられている。また、電気信号に
より開く流量制御弁６には真空容器１へ供給する気体流
量を制御する為の流量制御装置８が接続されている。流
量制御装置８に真空容器１の容積、圧力、リークライン
５の管断面積及び大気開放時間を設定すると真空容器１
内の圧力上昇が時間の３乗に比例する様に気体流量が設
定される。この流量制御装置８内に設定された内容を流
量制御弁６へ電気信号として出力する構成となってい
る。Hereinafter, the present invention will be described in detail. In FIG. 1, a vacuum vessel 1 for processing a semiconductor substrate and a vacuum vessel 1
It is configured to evacuate via an exhaust line 2, a main exhaust valve 3, and an exhaust device 4 for making the inside a vacuum state. Next, a leak line 5 is connected to the vacuum vessel 1 so as to return the inside of the vacuum vessel 1 from the vacuum state to the atmospheric pressure.
A flow control valve 6 and a gas supply valve 7 that are opened by an electric signal are attached to the leak line 5. In addition, a flow control device 8 for controlling the flow rate of gas supplied to the vacuum vessel 1 is connected to the flow control valve 6 which is opened by an electric signal. When the volume and pressure of the vacuum vessel 1, the cross-sectional area of the pipe of the leak line 5, and the open time to the atmosphere are set in the flow control device 8,
The gas flow rate is set so that the pressure rise inside is proportional to the cube of time. The content set in the flow control device 8 is output to the flow control valve 6 as an electric signal.
【００１２】次に、図１をもとに本発明の装置の動作に
ついて説明する。真空容器１内に被処理物を設置した
後、真空状態にする為に排気ライン２、主排気弁３を介
し排気装置４によって真空引きされ被処理物が処理され
る。被処理物が処理された後、真空容器１内を真空状態
より大気開放する為に、まず主排気弁３が閉じられる。
次に、気体供給弁７が開放され、開放信号が流量制御装
置８へ取り込まれる。流量制御装置８には予め真空容器
１の容積、圧力、リークライン５の管断面積及び大気開
放時間が設定されているから、真空容器１内の圧力上昇
がリーク時間の３乗に比例するように気体流量が設定さ
れる。流量制御装置８内に設定された気体流量は電気信
号として流量制御弁６に出力される。流量制御弁６は流
量制御装置８内に設定された動作をもとに全閉の状態よ
り徐々に開き始めて行き真空容器１内へはリーク時間の
２乗に比例した気体流量が供給されていく。これにより
真空容器１内の圧力は時間の３乗に比例して昇圧されて
行き最終的に大気開放される。Next, the operation of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. After the object is placed in the vacuum vessel 1, the object is processed by being evacuated by the exhaust device 4 through the exhaust line 2 and the main exhaust valve 3 in order to make a vacuum state. After the object to be processed is processed, the main exhaust valve 3 is first closed to release the inside of the vacuum vessel 1 from the vacuum state to the atmosphere.
Next, the gas supply valve 7 is opened, and an opening signal is taken into the flow control device 8. Since the volume and pressure of the vacuum vessel 1, the cross-sectional area of the pipe of the leak line 5, and the time for opening the atmosphere are set in the flow control device 8 in advance, the pressure rise in the vacuum vessel 1 is proportional to the cube of the leak time. Is set to the gas flow rate. The gas flow rate set in the flow control device 8 is output to the flow control valve 6 as an electric signal. The flow control valve 6 starts to open gradually from the fully closed state based on the operation set in the flow control device 8 and the gas flow proportional to the square of the leak time is supplied into the vacuum vessel 1. . Thereby, the pressure in the vacuum vessel 1 is increased in proportion to the cube of time and finally released to the atmosphere.
【００１３】図２は真空容器１の容積１７リットル、リ
ークライン５の管直径４ｍｍ、大気開放時間を１分間と
設定し、真空状態より大気圧力へ戻した時の圧力上昇カ
ーブと時間を表す。また、図３はその時の真空容器１内
へ供給される質量流量とリーク時間との関係を示すグラ
フである。上記例では圧力上昇カーブが時間の３乗に比
例する場合の気体供給法を使用したが、圧力上昇カーブ
が時間の１．５乗から３．５乗になるように設定するの
であれば上記と同様な効果が得られる。FIG. 2 shows a pressure rise curve and a time when the pressure is returned from the vacuum state to the atmospheric pressure when the capacity of the vacuum vessel 1 is set to 17 liters, the pipe diameter of the leak line 5 is set to 4 mm, and the open time to the atmosphere is set to 1 minute. FIG. 3 is a graph showing the relationship between the mass flow rate supplied into the vacuum vessel 1 and the leak time at that time. In the above example, the gas supply method in which the pressure rise curve is proportional to the third power of time is used. However, if the pressure rise curve is set to be 1.5 to 3.5 power of time, Similar effects can be obtained.
【００１４】なお、１．５乗以下では大気開放までの時
間が長時間になり、３．５乗以上ではパーティクルの巻
き上げが激しくなり、実用上１．５〜３．５乗の範囲が
最適であった。本発明が特開平９−７７１４４号公報の
技術より優れている点を図５及び図６を参照し説明す
る。When the power is 1.5 or less, the time required to open to the atmosphere is long, and when the power is 3.5 or more, the particles are wound up sharply, and the range of 1.5 to 3.5 is optimal for practical use. there were. The advantages of the present invention over the technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-77144 will be described with reference to FIGS.
【００１５】特開平９−７７１４４号公報では真空容器
ラインに設けられた流量検出器１１を制御する為の流量
制御部１２を具備し、真空容器２内へ流す質量流量をス
テップ状に変化させパーティクルの巻き上げを抑制し、
高スループットを実現している。ここで真空容器２内を
真空状態から大気圧力へ戻す場合、図６の如くステップ
状に質量流量を供給する方法であれば、真空容器毎にパ
ーティクルが巻き上がらない条件を設定する必要があ
る。In Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-77144, a flow rate control unit 12 for controlling a flow rate detector 11 provided in a vacuum vessel line is provided. Control the winding of
High throughput is achieved. Here, when returning the inside of the vacuum container 2 from the vacuum state to the atmospheric pressure, if a method of supplying a mass flow rate in a step-like manner as shown in FIG. 6, it is necessary to set a condition under which particles do not wind up for each vacuum container.
【００１６】これに対し、本発明では予め真空容器の容
積、リークラインの管断面積、及び大気開放時間を設定
することで、真空容器内の圧力上昇カーブがリーク時間
の３乗に比例する様に質量流量を供給する。従って真空
容器の容積に応じて質量流量が設定される。また、特開
平９−７７１４４号公報では気体流量を制御するに当り
真空容器２内の圧力値を圧力検出器２３によって検出
し、ステップ毎の気体流量の切り換えポイントとしてい
る。この為圧力検出器２３自体に於ける圧力値検出の誤
差、及び圧力値のズレによって切り換えポイントが変化
する恐れがある。On the other hand, in the present invention, the pressure rise curve in the vacuum vessel is proportional to the cube of the leak time by previously setting the volume of the vacuum vessel, the cross-sectional area of the leak line tube, and the open time to atmosphere. Supply the mass flow rate. Therefore, the mass flow rate is set according to the volume of the vacuum vessel. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 9-77144, the pressure value in the vacuum vessel 2 is detected by the pressure detector 23 when controlling the gas flow rate, and is used as a switching point of the gas flow rate for each step. For this reason, there is a possibility that the switching point may change due to an error in the detection of the pressure value in the pressure detector 23 itself and a deviation of the pressure value.
【００１７】これに対し本発明では圧力検出機構を使用
していない。その理由は予め真空容器の容積、圧力、リ
ークラインの管断面積、及び大気圧力へ戻す時間を設定
することで、圧力上昇がリーク時間の３乗に比例する様
に真空容器内へ供給する気体流量が決まってくるからで
ある。従って圧力検出機構を必ずしも必要としていな
い。On the other hand, the present invention does not use a pressure detecting mechanism. The reason is that by setting in advance the volume of the vacuum vessel, the pressure, the cross-sectional area of the pipe of the leak line, and the time for returning to atmospheric pressure, the gas supplied into the vacuum vessel so that the pressure rise is proportional to the cube of the leak time This is because the flow rate is determined. Therefore, a pressure detection mechanism is not necessarily required.
【００１８】次に、本発明の他の具体例について説明す
る。前述した気流制御法は半導体製造装置の真空容器、
特にロードロック室内を大気圧力へ開放する為の気流制
御法である。これとは別に半導体基板を加工する所にお
いて、真空容器内へ気体を流す場合に於いても、同様の
気流制御を応用する事が出来る。図４をもとにその応用
例を説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described. The airflow control method described above is applied to a vacuum vessel of a semiconductor manufacturing apparatus,
In particular, this is an airflow control method for opening the load lock chamber to atmospheric pressure. Apart from this, the same air flow control can be applied to the case where a gas is flowed into a vacuum vessel in a place where a semiconductor substrate is processed. An application example will be described with reference to FIG.
【００１９】従来の気体供給方法は、真空状態に保持さ
れた真空容器１へ半導体基板を加工する為の気体が気体
供給ライン５、気体供給弁６、及び流量制御弁７を介し
て供給される。気体の制御方法は流量設定装置９内に設
定された流量でデータに基づき制御信号が常に流量制御
弁７に出力されており、気体供給弁６が開放されると同
時に気体が真空容器１内へ供給される。In the conventional gas supply method, a gas for processing a semiconductor substrate is supplied to a vacuum vessel 1 held in a vacuum state via a gas supply line 5, a gas supply valve 6, and a flow control valve 7. . In the gas control method, a control signal is constantly output to the flow control valve 7 based on the data at the flow rate set in the flow rate setting device 9, and the gas flows into the vacuum vessel 1 at the same time when the gas supply valve 6 is opened. Supplied.
【００２０】この時の問題点は流量制御弁７には常に一
定の流量条件が流量設定装置９にて設定されており、気
体供給弁６が開放されると同時に多量の気体が真空容器
１内へ流れ込みパーティクルの巻き上げが発生する。こ
こで気流制御法を応用し真空容器１内へ気体を供給する
方法を説明する。まず気体供給弁６から開放信号が流量
制御装置８へ電気信号で出力される。流量制御装置８内
には圧力上昇が時間の３乗に比例する流量条件が設定さ
れ、この設定内容が流量設定装置９へ電気信号として出
力される。流量設定装置９は流量制御装置８の設定条件
をもとに流量制御弁７を全閉の状態により徐々に開き始
め、真空容器１内の圧力が時間の３乗に比例して昇圧さ
れる様に気体流量を供給していく。この結果半導体基板
を加工する時におけるパーティクルの巻き上げを抑制す
る。A problem at this time is that a constant flow condition is always set in the flow control valve 7 by the flow setting device 9, and at the same time when the gas supply valve 6 is opened, a large amount of gas flows into the vacuum vessel 1. And the particles are wound up. Here, a method of supplying gas into the vacuum vessel 1 by applying the airflow control method will be described. First, an opening signal is output from the gas supply valve 6 to the flow control device 8 as an electric signal. A flow condition in which the pressure rise is proportional to the cube of time is set in the flow control device 8, and the set contents are output to the flow setting device 9 as an electric signal. The flow setting device 9 starts to gradually open the flow control valve 7 in a fully closed state based on the setting conditions of the flow control device 8 so that the pressure in the vacuum vessel 1 is increased in proportion to the cube of time. To supply the gas flow rate. As a result, it is possible to prevent the particles from being wound when the semiconductor substrate is processed.
【００２１】このように、本発明は、ＣＶＤ装置、ドラ
イエッチング装置、スパッタ装置、エピタキシャル成長
装置、イオンビーム注入装置等に広く適用することがで
きる。As described above, the present invention can be widely applied to a CVD apparatus, a dry etching apparatus, a sputtering apparatus, an epitaxial growth apparatus, an ion beam implantation apparatus and the like.
【００２２】[0022]
【発明の効果】本発明に係る半導体製造装置は、上述の
ように構成したので、真空排気可能なチャンバを真空状
態から大気圧力状態に戻す際、パーティクルが巻き上が
らずに、しかも、短時間に大気開放が出来るという優れ
た効果を奏する。しかも構成が簡単であるから、実施も
容易である等優れた効果を有する。The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is constructed as described above. Therefore, when returning the evacuable chamber from the vacuum state to the atmospheric pressure state, the particles do not roll up and can be completed in a short time. It has an excellent effect that it can be released to the atmosphere. Moreover, since the configuration is simple, there are excellent effects such as easy implementation.
【図１】本発明に係る半導体製造装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明のリーク時間に対する圧力上昇の状態を
示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a state of pressure increase with respect to a leak time according to the present invention.
【図３】本発明のリーク時間に対する真空器内へ供給さ
れる質量流量を示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a mass flow rate supplied into a vacuum chamber with respect to a leak time according to the present invention.
【図４】本発明に係る半導体製造装置の他の具体例の構
成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of another specific example of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
【図５】従来技術の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional technique.
【図６】従来技術の特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram of a conventional technique.
１ 真空容器 ２ 排気ライン ３ 主排気弁 ４ 排気装置 ５ リークライン ６ 流量制御弁 ７ 気体供給弁 ８ 流量制御装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum container 2 Exhaust line 3 Main exhaust valve 4 Exhaust device 5 Leak line 6 Flow control valve 7 Gas supply valve 8 Flow control device
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/265 H01L 21/31 H01L 21/3065 C23C 16/44 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 identification code FI H01L 21/3065 H01L 21/302 B (58) Investigated field (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/205 H01L 21/265 H01L 21 / 31 H01L 21/3065 C23C 16/44
Claims (7)
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置において、 前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗乃至３．
５乗に比例する関係を保ちながら昇圧するように気体を
供給する気体流量の制御手段を設け、前記真空容器内の
圧力を真空状態から大気圧力に戻す際、真空容器内の圧
力を検出する圧力検出装置を用いることなしに、前記制
御手段が、前記関係を保ちながら真空状態から大気圧ま
で昇圧することを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus comprising a vacuum vessel, wherein the pressure in the vacuum vessel can be returned from a vacuum state to atmospheric pressure, wherein the pressure in the vacuum vessel is 1.5 to 3 times the leak time. .
While maintaining the relationship that is proportional to the fifth power provided gas flow control means for supplying a gas to boost, in the vacuum container
When returning pressure from vacuum to atmospheric pressure, the pressure in the vacuum
Without using a pressure detector to detect the force,
The control means keeps the above relationship from vacuum to atmospheric pressure.
A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that the pressure is increased by:
を特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。2. The control means includes a flow control valve.
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein:
ながら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体製造装置。3. A relationship proportional to the third power of the leak time is maintained.
While raising the pressure from vacuum to atmospheric pressure,
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 .
ながら、真空状態から大気圧まで昇圧することを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体製造装置。4. A relationship proportional to the square of the leak time is maintained.
While raising the pressure from vacuum to atmospheric pressure,
The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 .
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の１．５乗
乃至３．５乗に比例する関係を保ちながら昇圧されるよ
うに気体流量を制御することを特徴とする半導体製造装
置の気体流量の制御方法。 5. A vacuum vessel, comprising :
Semiconductor that can return air from vacuum to atmospheric pressure
In the method of controlling the gas flow rate of the manufacturing apparatus, a pressure detecting device for detecting the pressure in the vacuum vessel is used.
None, the pressure in the vacuum vessel was 1.5 times the leak time.
It is boosted while maintaining the relationship proportional to the power of 3.5
Semiconductor manufacturing equipment characterized by controlling the gas flow rate
How to control the gas flow rate of the device.
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置の気体流量の制御方法において、 真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、前記真空容器内の圧力がリーク時間の３乗に比
例する関係を保ちながら昇圧されるように気体流量を制
御することを特徴とする半導体製造装置の気体流量の制
御方法。 6. A vacuum vessel having a pressure inside the vacuum vessel
Semiconductor that can return air from vacuum to atmospheric pressure
In the method of controlling the gas flow rate of the manufacturing apparatus, a pressure detecting device for detecting the pressure in the vacuum vessel is used.
Without the pressure inside the vacuum vessel,
Control the gas flow rate so that the pressure is increased while maintaining the relationship
Controlling the gas flow rate of semiconductor manufacturing equipment characterized by controlling
Your way.
を真空状態から大気圧力に戻すことを可能にした半導体
製造装置の気体流量の制御方法において、真空容器内の圧力を検出する圧力検出装置を用いること
なしに、 前記真空容器内の圧力がリーク時間の２乗に比
例する関係を保ちながら昇圧されるように気体流量を制
御することを特徴とする半導体製造装置の気体流量の制
御方法。7. A method for controlling a gas flow rate in a semiconductor manufacturing apparatus, comprising a vacuum vessel, wherein the pressure in the vacuum vessel can be returned from a vacuum state to an atmospheric pressure. Using the device
None, control <br/> control of gas flow of the semiconductor manufacturing apparatus, wherein a pressure of said vacuum chamber to control the gas flow to be boosted while maintaining the relationship that is proportional to the square of the leak time Method.
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|---|---|---|---|
| JP4929598A JP2954142B2 (en) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Semiconductor manufacturing apparatus and gas flow control method |
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| JPH11251251A JPH11251251A (en) | 1999-09-17 |
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- 1998-03-02 JP JP4929598A patent/JP2954142B2/en not_active Expired - Fee Related
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