JP2826479B2 - Gas supply device and operation method thereof - Google Patents

Gas supply device and operation method thereof

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JP2826479B2 JP7075132A JP7513295A JP2826479B2 JP 2826479 B2 JP2826479 B2 JP 2826479B2 JP 7075132 A JP7075132 A JP 7075132A JP 7513295 A JP7513295 A JP 7513295A JP 2826479 B2 JP2826479 B2 JP 2826479B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板などに表面
処理する処理室に腐食性ガスおよび低蒸気圧のガスを供
給するガス供給装置及びその操作方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas supply apparatus for supplying a corrosive gas and a gas having a low vapor pressure to a processing chamber for surface-treating a semiconductor substrate or the like, and a method of operating the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、半導体基板にエピタキシヤル膜や
CVD膜など形成するのに処理室に半導体基板を収納
し、処理室を真空排気した後、ガスを導入し半導体基板
に成膜を施していた。この真空処理室にガスを供給する
ガス供給装置は、ガスの流量を常に一定にし処理室のガ
ス圧を安定に維持する必要があった。
2. Description of the Related Art Usually, a semiconductor substrate is housed in a processing chamber for forming an epitaxial film or a CVD film on a semiconductor substrate, and after evacuating the processing chamber, a gas is introduced to form a film on the semiconductor substrate. Was. The gas supply device for supplying the gas to the vacuum processing chamber needs to keep the gas flow rate constant and to stably maintain the gas pressure in the processing chamber.

【0003】図3は従来のガス供給装置の一例を示す配
管系統図である。従来、この種のガス供給装置は、例え
ば、図3に示すように、第1の開閉弁6を介して真空ポ
ンプ7で真空排気される処理室8にガスの供給および遮
断を制御する第2の開閉弁5と、この第2の開閉弁5の
後段に配管9を介して接続されるとともに供給されるガ
スの流量を制御するマスフローコントローラ4と、マス
フローコントローラ4にガスの供給および遮断する第3
の開閉弁3とを備えていた。
FIG. 3 is a piping diagram showing an example of a conventional gas supply device. Conventionally, as shown in FIG. 3, for example, a gas supply device of this type controls a supply and cutoff of a gas to and from a processing chamber 8 evacuated by a vacuum pump 7 via a first on-off valve 6. Opening / closing valve 5, a mass flow controller 4 connected to the subsequent stage of the second opening / closing valve 5 via a pipe 9 and controlling the flow rate of supplied gas, 3
On-off valve 3.

【0004】図4は図3のガス供給装置の動作を説明す
るためのタイムチャートである。このガス供給装置によ
る処理室8へのガス供給動作は、図4に示すように、図
3の第2の開閉弁5および第3の開閉弁3を開きマスフ
ローコントローラ4を作動させ処理室8に一定流量のガ
スを供給する。次に、処理室8での半導体基板への処理
が完了すると、第3の開閉弁3を閉じガスの供給を停止
する。
FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the gas supply device of FIG. As shown in FIG. 4, the gas supply device supplies gas to the processing chamber 8 by opening the second on-off valve 5 and the third on-off valve 3 of FIG. Supply a constant flow of gas. Next, when the processing of the semiconductor substrate in the processing chamber 8 is completed, the third on-off valve 3 is closed to stop the gas supply.

【0005】しかる後、第2の開閉弁5と処理室8を介
して真空ポンプ7によりマスフローコントローラ4内を
一定時間真空排気する。そして、残留するガスが排気さ
れたら第2の開閉弁5を閉じ処理装置の動作を完了して
いた。
After that, the inside of the mass flow controller 4 is evacuated for a certain time by the vacuum pump 7 through the second on-off valve 5 and the processing chamber 8. When the residual gas has been exhausted, the second on-off valve 5 is closed to complete the operation of the processing apparatus.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のガス供
給装置では、ガス遮断時のバルブ動作に遅延時間を設け
マスフローコントローラ内を真空排気を行なっているも
のの、第1の開閉弁、処理室および第2の開閉弁を経由
して排気するので、排気経路が長くしかも排気抵抗が大
きい機構部品が存在するのでマスフローコントローラ内
の排気が不十分となり内部にガスが残る。この残留ガス
が腐食性のガスの場合、長時間ガスの供給停止している
間に、マスフローコントローラ内の層流素子やノズル、
ダイヤフラムなどの精密機構部品が残留ガスにより腐食
し、動作しないまでも精密に流量制御ができなくなると
いう問題があった。
In the above-described conventional gas supply apparatus, although a delay time is provided in the valve operation when the gas is shut off and the inside of the mass flow controller is evacuated, the first on-off valve, the processing chamber and the Since the gas is exhausted through the second on-off valve, there are mechanical parts having a long exhaust path and a large exhaust resistance, so that the exhaust in the mass flow controller is insufficient and gas remains inside. If the residual gas is a corrosive gas, the laminar flow element or nozzle in the mass flow controller, the nozzle,
There has been a problem that precision mechanism parts such as a diaphragm are corroded by residual gas, and it becomes impossible to precisely control the flow rate even if the parts do not operate.

【0007】また、残留ガスが低蒸気圧ガスである場
合、マスフローコントローラ内で残留ガスが再液化し精
密機構部品に液滴として付着し動作不良を起すという問
題があった。さらに、マスフローコントローラの排気動
作が処理室を排気とシリーズになっているので、一サイ
クルの時間がかるという欠点もあった。
Further, when the residual gas is a gas having a low vapor pressure, there is a problem that the residual gas is reliquefied in the mass flow controller and adheres as droplets to precision mechanism parts, causing malfunction. Further, since the exhaust operation of the mass flow controller is performed in series with the exhaust of the processing chamber, there is a disadvantage that one cycle time is required.

【0008】従って、本発明の目的は、ガスの供給の停
止したときにマスフロコントローラ内に残るガスを完全
に取り去りマスフローコントローラを常に安定して動作
させるとともに処理サイクル時間をより短縮できるガス
供給装置を提供することである。
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a gas supply apparatus capable of completely removing gas remaining in a mass flow controller when gas supply is stopped, constantly operating the mass flow controller stably, and further reducing the processing cycle time. It is to provide.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、第1の
開閉弁を介して真空ポンプで真空排気される処理室にガ
スの供給および遮断を制御する第2の開閉弁と、この第
2の開閉弁の後段に配管を介して接続されるとともに供
給される前記ガスの流量を制御するマスフローコントロ
ーラに前記ガスの供給および遮断する第3の開閉弁とを
備えるガス供給装置において、前記ガスの供給遮断時に
前記マスフローコントローラ内に残留ガスを前記真空ポ
ンプで排気するために前記配管と前記真空ポンプとを連
結するバイパス配管と、このバイパス配管の途中に設け
られる第4の開閉弁と、前記マスフローコントローラに
乾燥窒素を第5の開閉弁を介して供給する窒素供給装置
とを備えるガス供給装置にある。本発明の他の特徴は、
第1の開閉弁を介して真空ポンプで真空排気される処理
室にガスの供給および遮断を制御する第2の開閉弁と、
この第2の開閉弁の後段に配管を介して接続されるとと
もに供給される前記ガスの流量を制御するマスフローコ
ントローラに前記ガスの供給および遮断する第3の開閉
弁と、前記ガスの供給遮断時に前記マスフローコントロ
ーラ内に残留ガスを前記真空ポンプで排気するために前
記配管と前記真空ポンプとを連結するバイパス配管と、
このバイパス配管の途中に設けられる第4の開閉弁とを
有するガス供給装置の操作方法において、処理終了後に
前記第2の開閉弁と前記第3の開閉弁を閉じ前記第4の
開閉弁を開き前記マスフローコントローラ内を前記真空
ポンプで排気するガス供給装置の操作方法にある。
SUMMARY OF THE INVENTION A feature of the present invention is that a second opening / closing valve for controlling the supply and shutoff of gas to a processing chamber evacuated by a vacuum pump via a first opening / closing valve, A gas supply device comprising: a mass flow controller connected to a stage subsequent to the on-off valve of No. 2 via a pipe and controlling a flow rate of the supplied gas; and a third on-off valve for supplying and shutting off the gas. A bypass pipe connecting the pipe and the vacuum pump to exhaust the residual gas into the mass flow controller by the vacuum pump when the supply of the gas is shut off, a fourth on-off valve provided in the middle of the bypass pipe , For mass flow controllers
Nitrogen supply device for supplying dry nitrogen through a fifth on-off valve
And a gas supply device comprising: Another feature of the invention is that
Processing evacuated by a vacuum pump via a first on-off valve
A second on-off valve for controlling gas supply and shutoff to the chamber;
If it is connected via a pipe to the second stage of the second on-off valve,
Mass flow controller for controlling the flow rate of the gas supplied to the
Third opening / closing for supplying and shutting off the gas to the controller
A valve and the mass flow controller when supply of the gas is shut off.
Before exhausting residual gas into the vacuum pump with the vacuum pump.
A bypass pipe connecting the pipe and the vacuum pump,
A fourth on-off valve provided in the middle of this bypass pipe
In the method of operating a gas supply device having
The second on-off valve and the third on-off valve are closed and the fourth on-off valve is closed.
Open the on-off valve and vacuum the inside of the mass flow controller.
An operation method of a gas supply device that exhausts gas by a pump.

【0010】[0010]

【0011】[0011]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0012】図1(a)および(b)は本発明のガス供
給装置の一実施例を示す配管系統図およびタイムチャー
トである。このガス供給装置は、図1(a)に示すよう
に、ガスの供給遮断時にマスフローコントローラ4内に
残留ガスを真空ポンプ7で排気するために配管9と真空
ポンプ7とを連結するバイパス配管2と、このバイパス
配管2の途中に設けられる第4の開閉弁1とを備えてい
る。それ以外は従来例と同じである。
FIGS. 1 (a) and 1 (b) are a piping system diagram and a time chart showing an embodiment of a gas supply device of the present invention. As shown in FIG. 1A, the gas supply device includes a bypass pipe 2 connecting the pipe 9 and the vacuum pump 7 to exhaust the residual gas into the mass flow controller 4 by the vacuum pump 7 when the supply of the gas is cut off. And a fourth on-off valve 1 provided in the middle of the bypass pipe 2. Otherwise, it is the same as the conventional example.

【0013】次に、このガス供給装置の動作を説明す
る。まず、図1(b)に示すように、処理室8で半導体
基板の処理を行うときは、閉じていた第2の開閉弁5と
第3の開閉弁3が開き、第4の開閉弁1が閉じ処理室8
にガスが供給される。次に、半導体基板の処理が完了す
ると、第2の開閉弁5と第3の開閉弁3が閉じ、第4の
開閉弁1が開き、マスフローコントローラ4内に残留す
るガスはバイパス配管2を通して真空ポンプ7で排気さ
れる。そして、図面では示していないが、バイパス配管
2に取り付けられた真空計で圧力を検知し到達圧力を示
したら、第4の開閉弁1を閉じる。
Next, the operation of the gas supply device will be described. First, as shown in FIG. 1B, when processing a semiconductor substrate in the processing chamber 8, the closed second on-off valve 5 and third on-off valve 3 are opened, and the fourth on-off valve 1 is closed. Closed and processing chamber 8
Is supplied with gas. Next, when the processing of the semiconductor substrate is completed, the second on-off valve 5 and the third on-off valve 3 close, the fourth on-off valve 1 opens, and the gas remaining in the mass flow controller 4 is evacuated through the bypass pipe 2. The gas is exhausted by the pump 7. Then, although not shown in the drawing, when the pressure is detected by a vacuum gauge attached to the bypass pipe 2 and the ultimate pressure is indicated, the fourth on-off valve 1 is closed.

【0014】このように、コンダクタンスの大きなバイ
パス配管2を介して真空排気することによって、マスフ
ローコントローラ4に残留するガスは従来の1/3以下
の時間で取り除くことができた。また、装置が停止して
いる間に排気動作を行なえるので、一サイクルの時間も
短縮することができた。
As described above, by evacuating the gas through the bypass pipe 2 having a large conductance, the gas remaining in the mass flow controller 4 can be removed in less than 1/3 of the conventional time. Further, since the exhaust operation can be performed while the apparatus is stopped, the time for one cycle can be reduced.

【0015】なお、この実施例では、マスフローコント
ローラ4を真空排気する真空ポンプ7を処理室8を真空
排気する真空ポンプ7と共用にせているが、勿論、専用
に真空ポンプを設けても良い。
In this embodiment, the vacuum pump 7 for evacuating the mass flow controller 4 is used in common with the vacuum pump 7 for evacuating the processing chamber 8. However, a dedicated vacuum pump may be provided.

【0016】図2は本発明のガス供給装置の他の実施例
を示す配管系統図である。このガス供給装置は、図2に
示すように、マスフローコントローラ4に乾燥窒素を供
給する窒素ボンベ11と、乾燥窒素の供給および遮断を
行なう第5の開閉弁を設けたことである。それ以外は前
述の実施例と同じである。
FIG. 2 is a piping diagram showing another embodiment of the gas supply device of the present invention. As shown in FIG. 2, this gas supply device is provided with a nitrogen cylinder 11 for supplying dry nitrogen to the mass flow controller 4, and a fifth on-off valve for supplying and shutting off dry nitrogen. Other than that, it is the same as the above-mentioned embodiment.

【0017】このガス供給装置の動作は、マスフローコ
ントローラ4に残留するガスを排気する際に、第5の開
閉弁10を開き、乾燥窒素をマスフローコントローラに
供給しながら真空ポンプ7で排気し、残留するガスを完
全に窒素で置換することである。特に真空ポンプ7の真
空到達圧力が小さい場合は効果がある。
The operation of this gas supply device is as follows. When exhausting the gas remaining in the mass flow controller 4, the fifth opening / closing valve 10 is opened and the vacuum pump 7 exhausts the gas while supplying dry nitrogen to the mass flow controller. Gas to be completely replaced with nitrogen. This is particularly effective when the vacuum ultimate pressure of the vacuum pump 7 is small.

【0018】[0018]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、マスフロ
ーコントローラに残留するガスを排気するために大きな
コンダクタンスをもつバイパス配管を直接マスフローコ
ントローラに配設し、必要に応じて乾燥窒素を送り込み
ながら真空ポンプでマスフローコントローラをバイパス
配管を通して排気することによって完全に残留ガスを取
り去ることができ、ガスの残留によるマスフローコント
ローラの精密機構部品の錆や動作不良を起す液滴の付着
が無くなり常に安定してマスフローコントローラを動作
することができるという効果がある。
As described above, according to the present invention, a bypass pipe having a large conductance is directly disposed in a mass flow controller in order to exhaust gas remaining in the mass flow controller, and a vacuum is applied while feeding dry nitrogen as necessary. Exhaust gas can be completely removed by exhausting the mass flow controller through a bypass pipe with a pump. There is an effect that the controller can operate.

【0019】また、このマスフローコントローラの残留
ガスの排気動作は、処理室で処理停止の間で並行して行
なえるので、一処理サイクル時間を短縮できるという効
果もある。
Further, since the exhaust operation of the residual gas by the mass flow controller can be performed in parallel in the processing chamber while the processing is stopped, there is also an effect that one processing cycle time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のガス供給装置の一実施例を示す配管系
統図およびタイムチャートである。
FIG. 1 is a piping diagram and a time chart showing an embodiment of a gas supply device of the present invention.

【図2】本発明のガス供給装置の他の実施例を示す配管
系統図である。
FIG. 2 is a piping diagram showing another embodiment of the gas supply device of the present invention.

【図3】従来のガス供給装置の一例を示す配管系統図で
ある。
FIG. 3 is a piping diagram showing an example of a conventional gas supply device.

【図4】図3のガス供給装置の動作を説明するためのタ
イムチャートである。
FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of the gas supply device of FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第4の開閉弁 2 バイパス配管 3 第3の開閉弁 4 マスフローコントローラ 5 第2の開閉弁 6 第1の開閉弁 7 真空ポンプ 8 処理室 9 配管 10 第5の開閉弁 11 窒素ボンベ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 4th on-off valve 2 bypass pipe 3 3rd on-off valve 4 mass flow controller 5 2nd on-off valve 6 1st on-off valve 7 vacuum pump 8 processing room 9 piping 10 5th on-off valve 11 nitrogen cylinder

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1の開閉弁を介して真空ポンプで真空
排気される処理室にガスの供給および遮断を制御する第
2の開閉弁と、この第2の開閉弁の後段に配管を介して
接続されるとともに供給される前記ガスの流量を制御す
るマスフローコントローラに前記ガスの供給および遮断
する第3の開閉弁とを備えるガス供給装置において、前
記ガスの供給遮断時に前記マスフローコントローラ内に
残留ガスを前記真空ポンプで排気するために前記配管と
前記真空ポンプとを連結するバイパス配管と、このバイ
パス配管の途中に設けられる第4の開閉弁と、前記マス
フローコントローラに乾燥窒素を第5の開閉弁を介して
供給する窒素供給装置とを備えることを特徴とするガス
供給装置。
1. A second opening / closing valve for controlling supply and shutoff of a gas to a processing chamber evacuated by a vacuum pump via a first opening / closing valve, and a pipe disposed downstream of the second opening / closing valve. And a third on-off valve for supplying and shutting off the gas to a mass flow controller for controlling a flow rate of the gas supplied and connected to the gas supply device, the gas remaining in the mass flow controller when the gas supply is shut off. a bypass pipe for connecting the vacuum pump and the pipe for evacuating the gas in the vacuum pump, and a fourth on-off valve provided in the middle of the bypass pipe, the mass
Dry nitrogen into the flow controller through the fifth on-off valve
And a nitrogen supply device for supplying the gas.
【請求項2】 第1の開閉弁を介して真空ポンプで真空
排気される処理室にガスの供給および遮断を制御する第
2の開閉弁と、この第2の開閉弁の後段に配管を介して
接続されるとともに供給される前記ガスの流量を制御す
るマスフローコントローラに前記ガスの供給および遮断
する第3の開閉弁と、前記ガスの供給遮断時に前記マス
フローコントローラ内に残留ガスを前記真空ポンプで排
気するために前記配管と前記真空ポンプとを連結するバ
イパス配管と、このバイパス配管の途中に設けられる第
4の開閉弁とを有するガス供給装置の操作方法におい
て、処理終了後に前記第2の開閉弁と前記第3の開閉弁
を閉じ前記第4の開閉弁を開き前記マスフローコントロ
ーラ内を前記真空ポンプで排気することを特徴とするガ
ス供給装置の操作方法。
2. A vacuum pump using a vacuum pump through a first on-off valve.
The second to control the supply and shutoff of gas to the exhausted processing chamber
And a second on-off valve and a pipe downstream of the second on-off valve via a pipe.
Control the flow rate of the gas connected and supplied
Supply and shutoff of the gas to the mass flow controller
A third on-off valve for shutting off the supply of the gas;
The residual gas is exhausted into the flow controller by the vacuum pump.
To connect the pipe and the vacuum pump to
Ipass pipe and a third pipe provided in the middle of this bypass pipe
In the operation method of the gas supply device having the on-off valve
And after the processing, the second on-off valve and the third on-off valve
Is closed and the fourth on-off valve is opened, and the mass flow control is opened.
The vacuum pump is evacuated by the vacuum pump.
Operating method of the water supply device.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120222813A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Vacuum chambers with shared pump
JP6516666B2 (en) * 2015-04-08 2019-05-22 東京エレクトロン株式会社 Gas supply control method
JP6715798B2 (en) * 2017-04-25 2020-07-01 三菱電機株式会社 Gas analyzer
CN116200624A (en) * 2023-02-21 2023-06-02 辽宁科技学院 Degassing device for hypereutectic aluminum-silicon alloy production

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0323624A (en) * 1989-06-21 1991-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for vapor growth
JPH0547665A (en) * 1991-08-12 1993-02-26 Fujitsu Ltd Vapor growth method
JPH05206033A (en) * 1992-01-28 1993-08-13 Kokusai Electric Co Ltd Cvd film deposition method and apparatus

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