JPH03244519A - 薄型電子機器の製造方法 - Google Patents

薄型電子機器の製造方法

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JPH03244519A
JPH03244519A JP2041749A JP4174990A JPH03244519A JP H03244519 A JPH03244519 A JP H03244519A JP 2041749 A JP2041749 A JP 2041749A JP 4174990 A JP4174990 A JP 4174990A JP H03244519 A JPH03244519 A JP H03244519A
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JP
Japan
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resin
module part
mold
module
base sheet
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Pending
Application number
JP2041749A
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English (en)
Inventor
Yukinori Aoki
青木 幸典
Masaki Adachi
正樹 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2041749A priority Critical patent/JPH03244519A/ja
Publication of JPH03244519A publication Critical patent/JPH03244519A/ja
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、ICカードなどの薄型電子機器の製造方法
に係り、特にその回路基板のモジュール部の樹脂封止方
法を改良した薄型電子機器の製造方法に関する。
(従来の技術) Icカードなどの薄型電子機器は、第6図に示すように
、矩形状回路基板(1)の一方の面に本体システムとコ
ンタクトさせるための端子(図示せず)が設けられ、他
方の面にIc(2)などの電子部品が取付けられたモジ
ュール部(3)を有し、その他方の面を厚さ約0.8m
m程度の樹脂層(4)で覆った構造に形成されている。
従来、このような薄型電子機器は、第7図(a)に示す
ように、回路基板(1)の他方の面に電子部品を取付け
、特にIC(2)などの表面実装電子部品については、
ワイヤボンディングにより、その電子部品の電極を金属
細線(6〉により回路基板(1)の所定のパターンに接
続して、あらかじめモジュール部(3〉を組立てておく
。つぎに、同(b)に示すように、上記電子部品の取付
けられた回路基板(1)の他方の面の周辺部全周にガラ
ス・エポキシ樹脂からなるダム(8)を形成し、さらに
その内側に上記回路基板(1)に取付けられた電子部品
を覆うようにポツティングによりエポキシ樹脂を注入し
て、そのエポキシ樹脂層(9〉によりモジュール部(3
〉を封止する。その後、同(C)に示すように、ダム(
8〉およびその内側の樹脂層(9)を研磨して、約0.
6mmの厚さの樹脂層(4)とし、さらに、同(d)に
示すように、打抜きにより所定形状、大きさの矩形状に
打抜くことにより製造されている。
しかし、この製造方法では、ダム(8)の形成、その後
のエポキシ樹脂の注入、研磨、打抜きと、使用材料や工
数が多く、製造コストが高くなる。
また、モジュール部(3〉をポツティングにより樹脂封
止するため、耐湿性が劣り、長期信頼性を保障できない
などの問題がある。
(発明が解決しようとする課題) 上記のように、従来、薄型電子機器は、あらかじめ回路
基板に電子部品を取付けてモジュール部を組立てておき
、その回路基板の周辺部全周にガラス・エポキシ樹脂か
らなるダムを形成し、そのダムの内側にポツティングに
よりエポキシ樹脂を注入して電子部品を封止したのち、
ダムおよびその内側のエポキシ樹脂層を研磨し、さらに
、所定大きさの矩形状に打抜くことにより製造されてい
る。そのため、この製造方法では、使用材料や工数が多
く、製造コストが高く、また、モジュール部をポツティ
ングにより樹脂封止するため、耐湿性が劣り、長期信頼
性を保障できないなどの問題がある。
この従来の薄型電子機器の問題点を解決するために、ト
ランスファ成形法によりモジュール部を樹脂封止する古
注が試みられている。このトランスファ成形法では、モ
ジュール部を成形金型のキャビティに装着したのち、そ
のキャビティに樹脂を注入して形成されるので、工数が
少なく、製造コストを低くすることができ、かつ耐湿性
を高めて長期信頼性を向上させることができる。
しかし、反面、トランスファ成形法では、キャビティへ
の樹脂の注入圧力やその注入された樹脂の硬化収縮など
により、薄型電子機器に反りが発生する。また、その反
りのために電子部品が回路基板から剥離するなどの問題
が発生する。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であり、トランスファ成形法により製造しても、薄型電
子機器に反りを発生させず、かつ電子部品を回路基板か
ら剥離させない薄型電子機器の製造方法を得ることを目
的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 薄型電子機器の製造方法において、樹脂封止する回路基
板のモジュール部のまわりに対称的に複数個の開孔を形
成し、この回路基板のモジュール部を、上記開孔に係合
してモジュール部に張力を与える突起が形成された第1
の金型とこの第1の金型の突起に嵌合する凹部が形成さ
れた第2の金型とにより構成されるキャビティに装着し
、この第1、第2の金型を型閉じして上記突起によりモ
ジュール部に張力を与えたのち、上記キャビティに樹脂
を注入してモジュール部を樹脂封止するようにした。
(作 用) 上記のように、回路基板のモジュール部のまわりに対称
的に複数個の開孔を形成し、この開孔に第1の金型に形
成された突起を係合してモジュール部に張力を与えたの
ち、キャビティに樹脂を注入してモジュール部を樹脂封
止すると、キャビティへの樹脂の注入圧力やその注入樹
脂の硬化収縮のために生ずる応力の影響を軽減して、薄
型電子機器の反りおよびその反りのために発生する電子
部品の回路基板からの剥離を防止することができる。
(実施例) 以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
第1図にその一実施例である薄型電子機器の製造に用い
られる回路基板を、また、第2図にその回路基板のモジ
ュール部を樹脂封止するためのトランスファ或彫金型を
示す。
第1図に示すように、回路基板(1)については、矩形
状をなす回路パターン形成部分(lO)の各辺に対向し
てその外側に、回路パターン形成部分くlO〉を取囲む
ように対称的に複数個の開孔(11)を形成しておく。
そして、この回路パターン形成部分くIO)の所定部分
にIC(2)などの電子部品を取付け、特にIC(2)
などの表面実装電子部品については、ワイヤボンディン
グにより電子部品の電極を金属細線(6)により所定の
回路パターンに接続して、モジュール部(3〉を組立て
る。つぎに、このモジュール部(3)の組立てられた回
路基板(1〉を第2図に示したトランスファ成形金型に
装着して、そのモジュール部(3)を樹脂封止する。
上記トランスファ成形金型は、同(a)および(b)に
示す上型(13) (第1の金型)と、同(c)に示す
下型(14) (第2の金型)とからなる。
その上型(13)には、下型(14)との型合せ面に上
記モジュール部(3)を樹脂封止するためのキャビティ
を構成する凹孔(15)が形成され、かつこの凹孔〈1
5〉のまわりに上記回路基板(1)に形成された開孔(
11)に係合する複数個の突起(16)が対称的に形成
されている。その凹孔(15)の深さは、モジュール部
(3)を封止する樹脂層の厚さに相当する深さに形成さ
れている。また、各突起(16)は、外側がテーバ面を
なす台形状に形成され、相対向する突起(16〉の先端
部の外側面間の間隔Diが、第1図に示した回路基板(
1)の対応する開孔(11)の外側間の間隔d以下(D
i≦d)に、かつ基端部の外側面間の間隔D2がdより
大きく (Di >d)なるように形成されている。
一方、下型(i4)の型合せ面には、上記上型の各突起
(16)に嵌合する凹部(17)が形成されている。
上記モジュール部(3)の樹脂封止は、第3図(a)に
示すように、ます型開きされているトランスファ成形金
型の下型14)上の定位置に上記モジュール部(3)の
組立てられた回路基板(1)を位置決め載置したのち、
同(b)に示すように、その下型14)と上型(13)
とを型閉じする。このとき、上型(13〉の各突起(1
6)は、上記下型14)上に位置決めされた回路基板(
1)の開孔(11)に係合し、その外側のテーバ面を開
孔(11)の外側に圧接して、その内側のモジュール部
(3)を放射方向に引張る張力を与えながら貫通し、下
型(14)の各凹部(t7)に嵌合する。
つぎに、上記上型(13)と下型14)とにより構成さ
れるキャビティ(19)に、たとえばエポキシ樹脂を注
入し、樹脂硬化後、型開きして、同(C)に示すように
、モジュール部(3〉を樹脂封止した成形品(20)を
得る。その後、同(d)に示すように、プレス加工によ
りその成形品(20)を所定の形状、大きさに打抜く。
ところで、上記のように薄形電子機器を製造すると、モ
ジュール部(3〉は放射方向に張力を受けた状態で樹脂
封止されるので、樹脂封止前の回路基板(1)の反りが
矯正され、かつ樹脂の注入圧力や注入された樹脂の硬化
収縮に基づく薄形電子機器の反りをなくすことができ、
かつその反りのために発生する電子部品の回路基板(1
)からの剥離を防止することができる。したがって、上
記トランスファ成形金型を使用して樹脂封止すると、低
い製造コストで品質良好な薄形電子機器を製造すること
ができる。
なお、上記実施例では、上型の突起を台形状に形成した
か、この突起は、要するに型閉じするとき、回路基板に
形成されているモジュール部に張力を与える形状であれ
ばよく、したがって、第4図(a)に示すように、断面
円形状の突起(16〉、あるいは同(b)に示すように
楔状の(16)など他の形状の突起でもよい。
また、上記実施例では、回路基板の凹孔を矩形状回路パ
ターン形成部分の各辺に対向して形成したが、第5図に
示すように、矩形状回路パターン形成部分(10〉に対
して、その各コーナ部に対向して形成してもよい。
さらに、上記実施例では、回路基板の凹孔を矩形状回路
パターン形成部分の各辺に1個づつ形成したが、これを
分割して2個以上づつ形成してもよい。特にこのように
分割して設けると、モジュール部全体に張力を均一に加
えることができ、より良好な結果が得られる。
[発明の効果] 薄形電子機器の回路基板のモジュール部のまわりに対称
的に複数個の開孔を形成し、この開孔に第1の金型に形
成されている突起を係合してモジュール部に張力を与え
たのち、キャビティに樹脂を注入してモジュール部を樹
脂封止すると、回路基板の反りを矯正でき、かつキャビ
ティへの樹脂の注入圧力やその注入樹脂の硬化収縮のた
めに生ずる応力の影響を軽減して、薄型電子機器の反り
およびその反りのために発生する電子部品の回路基板か
らの剥離を防止することができ、トラスファ成形により
低い製造コストで品質良好な薄形電子機器を製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第5図はこの発明の詳細な説明図で、第1
図(a)および(b)はそれぞれその一実施例である薄
形電子機器の回路基板の構造を示す平面図およびそのB
−B断面図、第2図(a)ないしくC)はそれぞれその
回路基板のモジュール部を樹脂封止する上型の平面図、
そのB−B断面図および下型の断面図、第3図(a)な
いしくd)はそれぞれ薄形電子機器の製造方法を説明す
るための図、第4図(a)および(b)はそれぞれ異な
る上型の突起形状を示す図、第5図は異なる回路基板の
構造を示す平面図、第6図(a)ないしくC)はそれぞ
れ従来の薄形電子機器の構造を示す平面図、そのB−B
断面図およびC−C断面図、第7図(a)ないしくd)
はそれぞれ従来の薄形電子機器の製造方法を説明するた
めの図である。 1・・・回路基板    2・・・IC3・・・モジュ
ール部 10・・・回路パターン形成部分 11・・・開孔      18・・・上型14・・・
下型      15・・・凹部16・・・突起   
   17・・・凹部19・・・キャビティ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回路基板のモジュール部のまわりに対称的に複数個の開
    孔を形成し、上記回路基板のモジュール部を、上記開孔
    に係合して上記モジュール部に張力を与える突起が形成
    された第1の金型とこの第1の金型の突起に嵌合する凹
    部が形成された第2の金型とにより構成されるキャビテ
    ィに装着し、上記第1、第2の金型を型閉じして上記突
    起により上記モジュール部に張力を与えたのち、上記キ
    ャビティに樹脂を注入して上記モジュール部を樹脂封止
    することを特徴とする薄型電子機器の製造方法。
JP2041749A 1990-02-22 1990-02-22 薄型電子機器の製造方法 Pending JPH03244519A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001084347A (ja) * 1999-09-16 2001-03-30 Toshiba Corp カード型記憶装置及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5881975A (ja) * 1981-11-11 1983-05-17 Hitachi Ltd プラズマエツチング装置及びその類似装置のガスライン排気系
JPS60195092A (ja) * 1984-03-15 1985-10-03 Tdk Corp カ−ボン系薄膜の製造方法および装置

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