JP2001185761A - 面実装用光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製造時におけるトランスファーモールド成型
の型締めによる裏面端子部へのメッキ配線のダメージが
なく、且つ、該裏面端子部への樹脂漏れ付着もない面実
装用光半導体装置を提供する。 【解決手段】 表面に１対の電極配線２ａ，２ｂが配置
されると共に１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれがス
ルーホール６ａ，６ｂを介して裏面配線に接続される絶
縁基板１と、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれに接
続されて絶縁基板１に搭載される光学素子３と、絶縁基
板１表面にて光学素子３及びスルーホール６ａ，６ｂを
覆う透光性樹脂４と、スルーホール２ａ，２ｂを塞ぐ閉
塞部８とを備えて面実装用光半導体装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、小型の面実装用光
半導体装置及びその製造方法に関するものであり、特
に、トランスファーモールド成型等により一度に多数個
生産される面実装用光半導体装置及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、トランスファーモールド成型
により一度に多数個生産される面実装用光半導体装置と
しては、例えば、図１３にその構成を示すと、ガラスエ
ポキシ等の基板３１上に、一対のパターン状電極配線
（メッキ配線）３２ａ，３２ｂが形成され、前記各メッ
キ配線３２ａ，３２ｂは基板３１の表面から側面を経て
裏面に達し、該面実装用光半導体装置の端子電極ともな
っている。基板３１の凹所３３に形成された一方のメッ
キ配線３２ａ上には、発光素子または受光素子である光
学素子３４が搭載され、この光学素子３４は、他方のメ
ッキ配線３２ｂに金配線３７にて接続されている。そし
て、光学素子３４の周囲には、透光性樹脂によりモール
ドされた透光性モールド体３５が形成され、この上部に
は、光学素子３４の集光性を高めるためのレンズ３５ａ
が形成されている。

【０００３】前記面実装用光半導体装置の製造方法を図
１４、図１５を参照して簡単に説明すると、まず、一度
に多数個生産するための多連構成である基板３１上に、
この光半導体装置を単品化したときの側面となるカッテ
ィング分離用孔部３６を複数形成する。次いで、金メッ
キ等による各一対のメッキ配線３２ａ，３２ｂを、基板
３１の表面から孔部３６を介して基板３１の裏面に達す
るように形成する。そして、基板３１の凹所３３に形成
された一方のメッキ配線３２ａ上に、光学素子３４を導
電性樹脂にてダイボンディングして搭載し、金配線３７
にてワイヤボンディングして他方のメッキ配線３２ｂと
接続する。その後図１５に示すように、エポキシ樹脂等
の透光性樹脂を用いてトランスファーモールド成型にて
透光性モールド体３５を形成する。同図に示すように、
基板３１は前後左右に多連構成となっているので、分割
ラインＬに沿ってダイシングすると、図１３に示すよう
な単独の面実装用光半導体装置が多数個できる。

【０００４】ところで、前記トランスファーモールド成
型する際には、図１６に示すように、基板３１は金型３
８の下型３８ｂの上にセットされ、上方から金型３８の
上型３８ａによって押さえ込まれ、そして、金型３８の
キャビティ３９内に透光性樹脂が注入されて透光性モー
ルド体３５が形成されるが、この型締めの際に、図１６
（ｂ）に示すように、金型３８の上型３８ａのキャビテ
ィ３９のエッジがメッキ配線３２ａ，３２ｂに当接し、
型締め時の圧力及び金型３８の温度等によって基板３１
の表面及びメッキ配線３２ａ，３２ｂに段差を生じさせ
る（図１６（ｂ）のＣ部参照）場合があり、これによ
り、メッキ配線３２ａ，３２ｂは断線等の大きなダメー
ジを受ける。

【０００５】そこで、このようなメッキ配線３２ａ，３
２ｂのダメージを軽減するために、本件特許出願人は、
特開平１１−２６６４７号公報に示されるように、次の
ような手段を提案している。

【０００６】すなわち、図７、図８、図９に示すよう
に、ガラスエポキシ等の基板１上に、一対のパターン状
電極配線（メッキ配線）２ａ，２ｂが形成され、前記各
メッキ配線２ａ，２ｂは基板１の表面から側面を経て裏
面に達し、該面実装用光半導体装置の端子電極ともな
る。基板１の凹所１ａに形成された一方のメッキ配線２
ａ上には、発光素子または受光素子である光学素子３が
搭載され、この光学素子３は、他方のメッキ配線２ｂに
金配線５にて接続される。そして、光学素子３の周囲に
は、透光性樹脂によりモールドされた透光性モールド体
４が形成され、この上部には、光学素子３の集光性を高
めるためのレンズ４ａが形成されている。

【０００７】以上は前述のものと同様であるが、この構
成では、さらに、基板１上の透光性モールド体４に覆わ
れた内側の位置に、基板１の表面から裏面に達する一対
のスルーホール６ａ，６ｂが設けられている。そして、
一方のメッキ配線２ａは、基板１の凹所１ａの内面から
表面のスルーホール６ａに達する内部配線と、スルーホ
ール６ａ内を表面から裏面に達する中間配線と、裏面か
らカッティング分離用孔部７を介して透光性モールド体
４の外部に位置する表面に至る外部配線とからなり、内
部配線は透光性モールド体４に覆われ、外部配線は透光
性モールド体４の外部に露出することにより、メッキ配
線２ａは透光性モールド体４の周縁部分（境界）を回避
して形成される。他方のメッキ配線２ｂも同様である。

【０００８】このように、メッキ配線２ａ，２ｂが一対
のスルーホール６ａ，６ｂを介して基板１の表面から裏
面に導かれるような配線（中間配線）により、メッキ配
線２ａ，２ｂは基板１上の透光性モールド体４の周縁部
分（境界）に接しなくともよいパターンにもできる（図
７のＡ部参照）ので、透光性モールド体４がトランスフ
ァーモールド成型される際に、該メッキ配線２ａ，２ｂ
は、モールド用金型のキャビティのエッジによる断線等
の大きなダメージを受けることがなくなる。また、図１
０、図１１、図１２に示すように、メッキ配線２ａ，２
ｂのパターンが基板１上の透光性モールド体４の周縁部
分（境界）を回避しないで接しており、該パターン部分
がダメージを受ける構造であっても、前記一対の内側ス
ルーホール６ａ，６ｂを介して基板１の表面から裏面に
導かれる中間配線があることにより、基板裏面で端子電
極を形成する前記外部配線との接続状況に何ら影響がな
い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、この種面実装用光半導体装置としては、トランス
ファーモールド成型により一度に多数個生産される（前
述の参照図では多連として４個しか描いていないが、４
個に限定されず。）ため、当製造のために用意されるガ
ラスエポキシ等の基板１は、トランスファーモールド用
金型の大きさで規定される許される限りの相当な大面積
基板である。そして、その表面に光学素子３搭載部とな
る凹所１ａが多数設けられるとともに、前述の中間配線
形成部となる一対の内側スルーホール６ａ，６ｂ及びカ
ッティング分離用スルーホール７も多数設けられる。

【００１０】このため、基板１は、その大面積であるが
故の部分的な厚さのバラツキとともに、反り、歪み等が
どうしても生じており、トランスファーモールド成型時
に、金型３８（図１６参照）の上下金型で完全に密着し
て押さえきることが困難で、僅かな隙間が生じることが
多い。特に、前記一対の内側スルーホール６ａ，６ｂの
ある場所は、基板の表面側が透光性樹脂注入用空間（キ
ャビティ３９）となっており、基板の裏面側でしか金型
に当接しない。

【００１１】従って、この部分で隙間が生じやすく、ト
ランスファーモールド成型時に注入された透光性樹脂
は、該スルーホール６ａ，６ｂを通じて基板裏面側の前
記隙間に漏れ出し、基板裏面の該部分にあるメッキ配線
２ａ，２ｂのパターン上に膜状に付着する。膜状に付着
した透光性樹脂は電気絶縁物であり、ハンダつけ時のフ
ラックスにもならないため、当方法で生産された面実装
用光半導体装置の裏面端子電極の大部分に不備が生じ
て、生産歩留まりが大変に悪いという結果になった。
そこで、本発明の目的は、上述した課題を解決し、一度
に多数個生産される面実装用光半導体装置を、裏面端子
電極の不備もなく、生産歩留まりが格段に良くなる構造
及びその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の面実装用光半導体装置は、表面に１対の電極
配線が配置されると共に該１対の電極配線のそれぞれが
スルーホールを介して裏面配線に接続される絶縁基板
と、前記１対の電極配線のそれぞれに接続されて前記絶
縁基板に搭載される光学素子と、前記絶縁基板表面にて
前記光学素子及び前記スルーホールを覆う透光性樹脂
と、前記スルーホールを塞ぐ閉塞部とを備えたことを特
徴とする。

【００１３】本発明によれば、スルーホールを塞ぐ閉塞
部を設けているので、トランスファーモールド成型等の
成型時に注入された透光性樹脂が、スルーホールを通じ
て基板裏面側に漏れ出さず、基板裏面の配線上に絶縁物
が付着することを防止することができる。

【００１４】さらに、本発明は、上記の面実装用光半導
体装置において、前記閉塞部が、前記スルーホールの内
部に配置されたことを特徴とする。

【００１５】本発明によれば、閉塞部がスルーホールの
内部に配置されるので、樹脂漏れを確実に防止できる。

【００１６】また、本発明は、上記の面実装用光半導体
装置において、前記閉塞部が、前記スルーホールの前記
絶縁基板の表面側又は裏面側に配置されたことを特徴と
する。

【００１７】本発明によれば、閉塞部がスルーホールの
絶縁基板の表面側又は裏面側に配置されるので、閉塞部
の形成が容易に行える。

【００１８】また、本発明の面実装用光半導体装置の製
造方法は、表面に１対の電極配線が配置されると共に該
１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して裏面
配線に接続される絶縁基板上に、光学素子を前記１対の
電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記光学素子を
透光性樹脂により覆う面実装用光半導体装置の製造方法
において、前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁
基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホールを透光
性樹脂により覆うことを特徴とする。

【００１９】本発明によれば、スルーホールを閉塞して
から、絶縁基板表面にて光学素子及びスルーホールを透
光性樹脂により覆うので、トランスファーモールド成型
等で光学素子を透光性樹脂により覆うときに、透光性樹
脂がスルーホールを通じて基板裏面側に漏れ出さず、基
板裏面の配線上に絶縁物が付着することを防止すること
ができる。

【００２０】また、本発明の面実装用光半導体装置の製
造方法は、表面に複数対の電極配線が配置されると共に
該複数対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して
裏面配線に接続される絶縁基板上に、複数の光学素子を
前記複数対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前
記複数の光学素子のそれぞれを透光性樹脂により覆い、
前記絶縁基板を切断して単品に分離する面実装用光半導
体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞し
てから、前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記ス
ルーホールを透光性樹脂により覆うことを特徴とする。

【００２１】本発明によれば、量産性に優れた製造方法
においても、スルーホールを閉塞してから、絶縁基板表
面にて光学素子及びスルーホールを透光性樹脂により覆
うので、トランスファーモールド成型等で光学素子を透
光性樹脂により覆うときに、透光性樹脂がスルーホール
を通じて基板裏面側に漏れ出さず、基板裏面の配線上に
絶縁物が付着することを防止することができる。

【００２２】さらに、本発明は、上記の面実装用光半導
体装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞す
るのに、スルーホール内部をメッキすることにより閉塞
することを特徴とする。

【００２３】本発明によれば、スルーホール内部をメッ
キすることにより、スルーホールを閉塞するので、樹脂
漏れを確実に防止できる。

【００２４】また、本発明は、上記の面実装用光半導体
装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞する
のに、スルーホール内部への樹脂注入により閉塞するこ
とを特徴とする。

【００２５】本発明によれば、スルーホール内部への樹
脂注入により行うことにより、スルーホールを閉塞する
ので、樹脂漏れを確実に防止できる。

【００２６】また、本発明は、上記の面実装用光半導体
装置の製造方法において、前記スルーホールを閉塞する
のに、前記絶縁基板表面又は裏面にてスルーホールを閉
塞する閉塞部の形成により閉塞することを特徴とする。

【００２７】本発明によれば、絶縁基板表面又は裏面に
てスルーホールを閉塞する閉塞部の形成により、スルー
ホールを閉塞するので、容易にスルーホールの閉塞を行
える。

【００２８】さらに、本発明は、上記の面実装用光半導
体装置の製造方法において、前記閉塞部を印刷法により
形成することを特徴とする。

【００２９】本発明によれば、レジスト等の絶縁性材料
やその他の導電性材料などの樹脂成分を含む材料を、ス
クリーン印刷等の印刷法により形成するので、容易に閉
塞部を形成することができる。

【００３０】また、本発明は、上記の面実装用光半導体
装置において、前記閉塞部をシート状材料の貼付により
形成することを特徴とする。

【００３１】本発明によれば、シート状材料を貼付する
ことにより閉塞部を形成するので、例えば耐熱テープな
ど、片面に粘着層を有するシート状材料を、スルーホー
ルがある部分に貼付するだけで、容易に閉塞部を形成す
ることができる。なお、絶縁基板の裏面にシート状材料
を貼付する場合には、その裏面全面に耐熱テープなどを
貼付しても良く、そうすれば、各スルーホールに貼付し
なくてよいので、貼付工程が簡略化される。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。

【００３３】図１は、本発明による、一度に多数個生産
される小型の面実装用光半導体装置の第１または第２実
施形態の概要図であり、図２及び図３は、その製造方法
を示す概略図である。

【００３４】図１に示すように、本実施形態の面実装用
光半導体装置は、表面に１対の電極配線２ａ，２ｂが配
置されると共に、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれ
がスルーホール６ａ，６ｂを介して裏面配線に接続され
る絶縁基板１と、１対の電極配線２ａ，２ｂのそれぞれ
に接続されて絶縁基板１に搭載される光学素子３と、絶
縁基板１表面にて光学素子３及びスルーホール６ａ，６
ｂを覆う透光性樹脂である透光性モールド体４と、スル
ーホール６ａ，６ｂを塞ぐ閉塞部８とを備えた構成のも
のである。そして、本実施形態の閉塞部８は、スルーホ
ール６ａ，６ｂの内部に配置されたものである。

【００３５】続いて、図２及び図３を参照して、本発明
による小型面実装用光半導体装置の第１または第２実施
形態の製造方法を説明する。本実施形態においては、基
板１としてガラスエポキシ基板を用いるものとするが、
該基板１は、液晶ポリマー等の耐熱性樹脂材料を射出成
型することによって形成された基板であってもかまわな
い。

【００３６】まず、小型面実装用光半導体装置を一度に
多数個生産するための多連構成であるガラスエポキシ基
板１を掘削加工及び打抜加工することによって、光学素
子３搭載用の凹所１ａと、この光半導体装置を単品化し
たときの側面となるカッティング分離用孔部７と、後に
透光性樹脂である透光性モールド体４がトランスファー
モールド成型される時に、その内側となる部分に、各一
対のスルーホール６ａ，６ｂを形成する。なお、液晶ポ
リマー等の耐熱性樹脂材料を射出成型することによって
形成された基板を用いる場合には、前記の凹所１ａと、
孔部７と、一対のスルーホール６ａ，６ｂは、該基板を
射出成型する際に、同時に形成することもできる。

【００３７】次に、金メッキ等により、各一対の電極配
線であるメッキ配線２ａ，２ｂ（総称して２）を、基板
１の表面から孔部７及び一対のスルーホール６ａ，６ｂ
を介して基板１の裏面に達するように形成する。

【００３８】次に、本発明の第１実施形態となるが、前
記一対のスルーホール６ａ，６ｂ以外の他の部分をマス
クし、該スルーホール６ａ，６ｂを再メッキしてその内
部に閉塞部８を形成することによって、スルーホール６
ａ，６ｂを閉塞する。または、本発明の第２実施形態と
なるが、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂに樹脂注入
してその内部に閉塞部８を形成することによって、スル
ーホール６ａ，６ｂを閉塞する。

【００３９】なお、ここで、樹脂注入により閉塞部８を
形成する場合、その樹脂材料は、絶縁性でも導電性でも
良い。また、絶縁性樹脂材料用いるときには、透光性樹
脂である透光性モールド体４と同一もののでも異なるも
のでも良い。また、同一の材料を用いても、例えば、粘
度の高い状態で基板１の表面側から裏面への回り込みを
防ぐように注入して、一旦硬化させれば、後述の透光性
樹脂のトランスファーモールド成型時に閉塞部８の樹脂
が溶けて基板１裏面に漏れ出すこともなく、基板１の裏
面に絶縁膜が形成されるようなことはない。

【００４０】そして、前記一対のスルーホール６ａ，６
ｂの閉塞後、基板１の凹所１ａに形成された一方のメッ
キ配線２ａ上に、光学素子３を導電性樹脂にてダイボン
ディングして搭載し、金配線５にてワイヤボンディング
して他方のメッキ配線２ｂと接続する。その後図３に示
すように、エポキシ樹脂等の透光性樹脂を用いてトラン
スファーモールド成型にて、光学素子３及びスルーホー
ル６ａ，６ｂを透光性樹脂で覆って透光性モールド体４
を形成する。該トランスファーモールド成型時において
は、前記一対のスルーホール６ａ，６ｂが既に閉塞部８
により閉塞されているので、金型３８のキャビティ３９
（図１６参照）に注入された透光性樹脂が該スルーホー
ル６ａ，６ｂを通じて基板１の裏側に漏れ出すことがな
く、基板１裏面の該部分にあるメッキ配線２ａ，２ｂの
パターン上に付着しないので、メッキ配線２ａ，２ｂは
基板１裏面において良好な裏面端子電極となる。そし
て、図３に示すように、基板１は前後左右に多連構成と
なっているので、分割ラインＬに沿ってダイシングして
単品に分離すると、図１に示すような単独の面実装用光
半導体装置が多数個できる。

【００４１】このようにして生産される本発明における
製造方法によれば、前記トランスファーモールド成型の
際には金型の型締め圧力等に左右されないので、広い条
件下のもとでモールド成型でき、ひいては、面実装する
際のハンダつけ不良をなくすことができるこの種の小型
面実装用光半導体装置の生産における歩留まりを格段に
高めることができる。

【００４２】図４及び図５は、本発明の第３実施形態で
あり、光学素子３を基板１に搭載し、金配線５にて接続
した後トランスファーモールド成型する工程の前に、前
記一対のスルーホール６ａ，６ｂを閉塞する方法とし
て、前述のようなスルーホール６ａ，６ｂ内部を閉塞部
８により閉塞する代わりに、基板１の表面側または裏面
側にてスルーホール６ａ，６ｂに蓋状閉塞部９，１０を
形成して蓋をするように閉塞する方法である。

【００４３】すなわち、基板１における前記一対のスル
ーホール６ａ，６ｂがある部分に、レジスト等の樹脂成
分を含む材料をスクリーン印刷等の印刷法により、蓋状
閉塞部９を形成することで、図４及び図５に示すよう
に、スルーホール６ａ，６ｂに簡単に蓋をするように閉
塞することができる。なお、図４は基板１の表面側に蓋
状閉塞部９を形成したもの、図５は基板１の裏面側に蓋
状閉塞部１０をしたものであり、このように蓋状閉塞部
９，１０を形成した後に、トランスファーモールド成型
にて光学素子３及びスルーホール６ａ，６ｂを透光性樹
脂で覆って透光性モールド体４を形成しても、金型３８
のキャビティ３９（図１６参照）に注入された透光性樹
脂が該スルーホール６ａ，６ｂを通じて基板１の裏側に
漏れ出すことがなく、基板１裏面の該部分にあるメッキ
配線２ａ，２ｂのパターン上に付着しないので、メッキ
配線２ａ，２ｂは基板１裏面において良好な裏面端子電
極となる。

【００４４】なお、蓋状閉塞部９，蓋状閉塞部１０の材
料としては、レジスト等の絶縁性材料に限定させるもの
ではなく、樹脂成分を含むようなスクリーン印刷等の印
刷法により容易に蓋状閉塞部９，蓋状閉塞部１０を形成
できるものであれば、導電性材料でも良い。

【００４５】そして、前述の第１，２実施形態と同様に
単品に分離することにより、図示しないが、表面に１対
の電極配線２ａ，２ｂが配置されると共に、１対の電極
配線２ａ，２ｂのそれぞれがスルーホール６ａ，６ｂを
介して裏面配線に接続される絶縁基板１と、１対の電極
配線２ａ，２ｂのそれぞれに接続されて絶縁基板１に搭
載される光学素子３と、絶縁基板１表面にて光学素子３
及びスルーホール６ａ，６ｂを覆う透光性樹脂４と、絶
縁基板１の表面側にてスルーホール６ａ，６ｂを塞ぐ蓋
状閉塞部９、又は絶縁基板１の裏面側にてスルーホール
６ａ，６ｂを塞ぐ蓋状閉塞部１０とを備えた構成の面実
装用光半導体装置が得られる。

【００４６】なお、上記実施形態において、樹脂注入に
より閉塞部８を形成したもの又は絶縁基板１の裏面側に
蓋状閉塞部１０を形成したものにおいて、絶縁基板１の
裏面側に閉塞部８又は蓋状閉塞部１０が多少突き出たよ
うになっても、透光性樹脂のトランスファーモールド成
型時に、金型の押圧力により押し潰されるようにして平
坦化されるので、問題はない。

【００４７】さらに、図６は本発明の第４実施形態で、
前記一対のスルーホール６ａ，６ｂに蓋をするようにし
て閉塞する方法として、基板１の裏面側全面にカプトン
等の高耐熱性テープ１１を閉塞部として貼り付けている
ものである。このようにしても、金型３８のキャビティ
３９（図１６参照）に注入された透光性樹脂が該スルー
ホール６ａ，６ｂを通じて基板１の裏側に漏れ出すこと
がなく、透光性モールド体４が形成された後に該高耐熱
性テープ１１を除去すれば、メッキ配線２ａ，２ｂは基
板１裏面において良好な裏面端子電極となる。

【００４８】そして、前述の第１，２実施形態と同様に
分離することにより、単品の面実装用光半導体装置が得
られる。

【００４９】なお、詳述はしていないが、本発明を図１
０，図１１，図１２に示すものに応用しても、まったく
同様の効果を奏することは、言うまでもない。

【００５０】なお、以上の説明において、各図中、同一
符号は同一または相当部分を示す。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明における面
実装用光半導体装置及びその製造方法によれば、特に、
トランスファーモールド成型の際には金型の型締め圧力
等に左右されずに広い条件下のもとでモールド成型で
き、さらに、良好な裏面端子電極を持つ面実装用光半導
体装置を製造できる。ひいては、面実装する際のハンダ
つけ不良をなくすことができるこの種の小型面実装用光
半導体装置の生産における歩留まりを格段に高め、大幅
なコストアップなしに、該小型面実装用光半導体装置を
大量生産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態よりなる面実装用光半導
体装置の概略図を示し、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面
図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図である。

【図２】本発明の一実施の形態よりなる図１における面
実装用光半導体装置の製造工程途中の概略図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。

【図３】本発明の一実施の形態よりなる図１における面
実装用光半導体装置の製造工程途中の、図２より後工程
における概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

【図４】本発明の別の実施の形態よりなる面実装用光半
導体装置の製造工程途中の断面概略図であり、（ｂ）は
（ａ）より後工程における断面概略図である。

【図５】本発明の、さらに別の実施の形態よりなる面実
装用光半導体装置の製造工程途中の断面概略図であり、
（ｂ）は（ａ）より後工程における断面概略図である。

【図６】本発明の、さらに別の実施の形態よりなる面実
装用光半導体装置の製造工程途中の断面概略図であり、
（ｂ）は（ａ）より後工程における断面概略図である。

【図７】特開平１１−２６６４７号公報における、面実
装用光半導体装置の概略図であり、（ａ）は底面図、
（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図であ
る。

【図８】図７における面実装用光半導体装置の製造工程
途中の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ断面図である。

【図９】図７における面実装用光半導体装置の製造工程
途中の、図８より後工程における概略図であり、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

【図１０】特開平１１−２６６４７号公報における、面
実装用光半導体装置の概略図であり、（ａ）は底面図、
（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は断面図であ
る。

【図１１】図１０における面実装用光半導体装置の製造
工程途中の概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

【図１２】図１０における面実装用光半導体装置の製造
工程途中の、図１１より後工程における概略図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。

【図１３】従来の面実装用光半導体装置の概略図を示
し、（ａ）は底面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面
図、（ｄ）は断面図である。

【図１４】図１３（従来）における面実装用光半導体装
置の製造工程途中の概略図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。

【図１５】図１３（従来）における面実装用光半導体装
置の製造工程途中の、図１４より後工程における概略図
であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面
図である。

【図１６】図１３（従来）における面実装用光半導体装
置の製造工程途中の、トランスファーモールド成型の際
の基板と金型との関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２，２ａ，２ｂ メッキ配線 ３ 光学素子 ４ 透光性モールド体（透光性樹脂） ６ａ，６ｂ スルーホール ８ 閉塞部 ９、１０ 蓋状閉塞部 １１ 高耐熱性テープ ３８ 金型 ３９ キャビティ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F206 AH73 JA02 JB17 JQ81 4M109 AA01 BA04 CA12 CA21 DA07 DB16 EA01 EC11 5F041 AA31 AA41 DA20 DA39 DA43 DA59 5F061 AA01 BA03 CA12 CA21 CB13 DE03 FA01

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に１対の電極配線が配置されると共
   に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して
   裏面配線に接続される絶縁基板と、 前記１対の電極配線のそれぞれに接続されて前記絶縁基
   板に搭載される光学素子と、 前記絶縁基板表面にて前記光学素子及び前記スルーホー
   ルを覆う透光性樹脂と、 前記スルーホールを塞ぐ閉塞部とを備えたことを特徴と
   する面実装用光半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の面実装用光半導体装置
   において、前記閉塞部が、前記スルーホールの内部に配
   置されたことを特徴とする面実装用光半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の面実装用光半導体装置
   において、前記閉塞部が、前記スルーホールの前記絶縁
   基板の表面側又は裏面側に配置されたことを特徴とする
   面実装用光半導体装置。
4. 【請求項４】 表面に１対の電極配線が配置されると共
   に該１対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介して
   裏面配線に接続される絶縁基板上に、光学素子を前記１
   対の電極配線のそれぞれに接続して搭載し、前記光学素
   子を透光性樹脂により覆う面実装用光半導体装置の製造
   方法において、 前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁基板表面に
   て前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂によ
   り覆うことを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 表面に複数対の電極配線が配置されると
   共に該複数対の電極配線のそれぞれがスルーホールを介
   して裏面配線に接続される絶縁基板上に、複数の光学素
   子を前記複数対の電極配線のそれぞれに接続して搭載
   し、前記複数の光学素子のそれぞれを透光性樹脂により
   覆い、前記絶縁基板を切断して単品に分離する面実装用
   光半導体装置の製造方法において、 前記スルーホールを閉塞してから、前記絶縁基板表面に
   て前記光学素子及び前記スルーホールを透光性樹脂によ
   り覆うことを特徴とする面実装用光半導体装置の製造方
   法。
6. 【請求項６】 請求項４又は５に記載の面実装用光半導
   体装置の製造方法において、 前記スルーホールを閉塞するのに、スルーホール内部を
   メッキすることにより閉塞することを特徴とする面実装
   用光半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項４又は５に記載の面実装用光半導
   体装置の製造方法において、 前記スルーホールを閉塞するのに、スルーホール内部へ
   の樹脂注入により閉塞することを特徴とする面実装用光
   半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項４又は５に記載の面実装用光半導
   体装置の製造方法において、 前記スルーホールを閉塞するのに、前記絶縁基板表面又
   は裏面にてスルーホールを閉塞する閉塞部の形成により
   閉塞することを特徴とする面実装用光半導体装置の製造
   方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の面実装用光半導体装置
   の製造方法において、 前記閉塞部を印刷法により形成することを特徴とする面
   実装用光半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載の面実装用光半導体装
    置の製造方法において、 前記閉塞部をシート状材料の貼付により形成することを
    特徴とする面実装用光半導体装置の製造方法。