JPS6082668A - ガス流量制御装置 - Google Patents
ガス流量制御装置Info
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- JPS6082668A JPS6082668A JP18690183A JP18690183A JPS6082668A JP S6082668 A JPS6082668 A JP S6082668A JP 18690183 A JP18690183 A JP 18690183A JP 18690183 A JP18690183 A JP 18690183A JP S6082668 A JPS6082668 A JP S6082668A
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- Japan
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- flow rate
- gas
- secondary side
- orifice
- heater
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発ＢＡは安定したガス流量の制御を可能にした流量制
御装置に関するものである。
御装置に関するものである。
半導体装置の製造技術の一つに所謂ＣＶＤ法があシ、半
導体ウェーッ・の表面に薄膜を形成する。
導体ウェーッ・の表面に薄膜を形成する。
この、ＣＶＤ法は１種又は複数種のガスをチャンバ内に
おいて反応させることにより反応生成物をウェーハ上に
堆積して薄膜を形成す不ものであるが、薄膜を所要の組
成とするためＫはチャンバ内に供給する〜ガス流量を所
要の値に維持しなければならない。このため、この種の
装置のガス供給系には流量側・御用マスフロコントロー
ラが必要とされているが、これには次のような問題点が
あった。
おいて反応させることにより反応生成物をウェーハ上に
堆積して薄膜を形成す不ものであるが、薄膜を所要の組
成とするためＫはチャンバ内に供給する〜ガス流量を所
要の値に維持しなければならない。このため、この種の
装置のガス供給系には流量側・御用マスフロコントロー
ラが必要とされているが、これには次のような問題点が
あった。
（１） ガスの流量制御をガス通路の迷電に設けたオリ
フィスの前（一次側）と後（二次側）との差圧を利用し
て行なっているので、二次側では一次側に較べて低圧と
され、ガスが液化されてし甘うことがある。ガスが液化
されると、差圧を利用した正確な流量制御が不可能にカ
リ、マスフロコントローラの機能が損なわれる。
フィスの前（一次側）と後（二次側）との差圧を利用し
て行なっているので、二次側では一次側に較べて低圧と
され、ガスが液化されてし甘うことがある。ガスが液化
されると、差圧を利用した正確な流量制御が不可能にカ
リ、マスフロコントローラの機能が損なわれる。
（２）液化されたガスは高い反応性を示し易いため、周
囲を気密保持しているＯリングが腐蝕され、マスフロコ
ントローラの外部に漏れて危険である。
囲を気密保持しているＯリングが腐蝕され、マスフロコ
ントローラの外部に漏れて危険である。
（３）マスフロコントローラ内部ガスを排気するために
不活性ガスを送入するが、一度液化されると復帰するま
でに長時間を要する。
不活性ガスを送入するが、一度液化されると復帰するま
でに長時間を要する。
（４）二次側は反応管に連通しておシ、この反応管は真
空ポンプによって真空引きされているため、前記腐蝕物
や漏れによる空気との反応物が反応管内に引かれ、ウェ
ーハ等の製品上に付着して不良を発生する。
空ポンプによって真空引きされているため、前記腐蝕物
や漏れによる空気との反応物が反応管内に引かれ、ウェ
ーハ等の製品上に付着して不良を発生する。
これらの問題に対しては現在の段階では良好な対策はな
く、製品の歩留低下は避けられないのが現状である。
く、製品の歩留低下は避けられないのが現状である。
本発明の目的はオリフィス二次側におけるガスの液化を
防止し、これにより正確な流量制御を可能にする一方で
、腐蝕やこれに伴なう製品歩留りの低下、安全性の低下
等の不具合を解消することのできるガス流量制御装置を
提供することにある。
防止し、これにより正確な流量制御を可能にする一方で
、腐蝕やこれに伴なう製品歩留りの低下、安全性の低下
等の不具合を解消することのできるガス流量制御装置を
提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からききらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からききらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、ガス流量制御装置のオリフィス二次側部位に
ヒータ手段を設け、オリフィス二次側におけるガスに熱
エネルギを付与することにより、ガスの液化を防止して
正常な流量制御を可能とし、合わせて液化に伴なう種々
の不具合を防止しようとするものである。
ヒータ手段を設け、オリフィス二次側におけるガスに熱
エネルギを付与することにより、ガスの液化を防止して
正常な流量制御を可能とし、合わせて液化に伴なう種々
の不具合を防止しようとするものである。
第１図ないし第３図は本発明をＣＶＤ装置に適用した実
施例であシ、牛導体ウェーハ表面に形成するシリコン窒
化膜（ｓｉ３Ｎ、）の反応カス、つｔリジクロルシラン
（Ｓ ｉＨ２ｃ４ ）およびアンモニア（ＮＴ（３）の
各ガスの流ｔ【制御に用いた例である。
施例であシ、牛導体ウェーハ表面に形成するシリコン窒
化膜（ｓｉ３Ｎ、）の反応カス、つｔリジクロルシラン
（Ｓ ｉＨ２ｃ４ ）およびアンモニア（ＮＴ（３）の
各ガスの流ｔ【制御に用いた例である。
第１図において、ジクロルシランガス供給系人け、ジク
ロルシランガス源１に接続されたボールパル７’４．
圧力計５ｔ エアパルプ６、ポールバルフ７．フィルタ
８．マス７０コントローラ９．フィルタ１０．ボールバ
ルブ１１．エアパル７”１２゜フィルタ１３．バルブ１
４．圧力計１５を経てＣＶＤ処理用の反応管１６に連通
している。また、エアパルプ１７．チェックバルブ１８
を経てスクラバ（図示せず）に導かられている。エアパ
ルプ１２．１７は一方が開のとき他方が閉となシ、図の
場合にはエアパルプ１２が閉、１７が開の状態である。
ロルシランガス源１に接続されたボールパル７’４．
圧力計５ｔ エアパルプ６、ポールバルフ７．フィルタ
８．マス７０コントローラ９．フィルタ１０．ボールバ
ルブ１１．エアパル７”１２゜フィルタ１３．バルブ１
４．圧力計１５を経てＣＶＤ処理用の反応管１６に連通
している。また、エアパルプ１７．チェックバルブ１８
を経てスクラバ（図示せず）に導かられている。エアパ
ルプ１２．１７は一方が開のとき他方が閉となシ、図の
場合にはエアパルプ１２が閉、１７が開の状態である。
また、エアパルプ６も後述のように不活性ガス供給系の
エアパルプ３８と交互に開閉される。
エアパルプ３８と交互に開閉される。
アンモニアガス供給系Ｂは、アンモニアガス源２に接続
されたボールバルブ１９．圧力計２０゜エアパルプ２１
．ボールバルブ２２．フィルタ２３゜マスフロコントロ
ーラ２４．フィルタ２５．ボールバルブ２６．流量計２
７．エアパルプ２８．ボールバルブ２９を経て反応管１
６に連通している。
されたボールバルブ１９．圧力計２０゜エアパルプ２１
．ボールバルブ２２．フィルタ２３゜マスフロコントロ
ーラ２４．フィルタ２５．ボールバルブ２６．流量計２
７．エアパルプ２８．ボールバルブ２９を経て反応管１
６に連通している。
１だ、前記エアパルプ２８と交互に開閉されるエアパル
プ３０．チェックバルブ３１を経てスクラバ（図示せず
）へ連通している。
プ３０．チェックバルブ３１を経てスクラバ（図示せず
）へ連通している。
更に、Ｎ２ガス供給系Ｃは、Ｎ２ガス源３に接続された
ボールバルブ３２，７，１ルタ３３．レギュレータ３４
．圧力計３５．マスフロメータ３６゜チェックバルブ３
７．前記ジクロルシランガス供給系Ａのエアパルプ６と
交互に開閉されるエアパルプ３８を経て前記マスフロコ
ントローラ９よりも上流側に連通している。また、Ｎ２
ガス供給系Ｃは、圧力計３５の下流から圧力スイッチ３
９を経て流量計４０とエアパルプ４１および流量計４２
とエアパルプ４３の側にも分岐しており、両エアパルプ
４１，４３は交互に開閉される。
ボールバルブ３２，７，１ルタ３３．レギュレータ３４
．圧力計３５．マスフロメータ３６゜チェックバルブ３
７．前記ジクロルシランガス供給系Ａのエアパルプ６と
交互に開閉されるエアパルプ３８を経て前記マスフロコ
ントローラ９よりも上流側に連通している。また、Ｎ２
ガス供給系Ｃは、圧力計３５の下流から圧力スイッチ３
９を経て流量計４０とエアパルプ４１および流量計４２
とエアパルプ４３の側にも分岐しており、両エアパルプ
４１，４３は交互に開閉される。
なお、符号４４は反応管１６の排気系であり、排気用の
回転ポンプ等を含んでいる。
回転ポンプ等を含んでいる。
前記マスフロコントローラ９（２４も同じ）を第２図、
第３図に示す。本体５０には図示左側に入口５１．右側
に出口５２を有し、これら人口５１と出口５２とを主通
路５３にて連通ずる一方、主通路５３に臨んでセンサ部
５４．バイパス部５５およびサーマルバルブ５６を配設
している。センサ部５４は主通路５３のガス一部が通流
されるように内径０．０１インチの細管５７を有し、こ
の細管５７の上流側、下流側には夫々サーモンレジスタ
５８．５９を巻き付けている。これらのサーモンレジス
タ５８，５９け基板６０とブリッジ回路を構成する一方
でセンサを加熱するヒータも兼ねており、ガス通流に伴
なう熱の移動量によって平衡状ｊ涙が崩れることを利用
してブリッジ回路からガス流量に関係した信号を出力す
る。
第３図に示す。本体５０には図示左側に入口５１．右側
に出口５２を有し、これら人口５１と出口５２とを主通
路５３にて連通ずる一方、主通路５３に臨んでセンサ部
５４．バイパス部５５およびサーマルバルブ５６を配設
している。センサ部５４は主通路５３のガス一部が通流
されるように内径０．０１インチの細管５７を有し、こ
の細管５７の上流側、下流側には夫々サーモンレジスタ
５８．５９を巻き付けている。これらのサーモンレジス
タ５８，５９け基板６０とブリッジ回路を構成する一方
でセンサを加熱するヒータも兼ねており、ガス通流に伴
なう熱の移動量によって平衡状ｊ涙が崩れることを利用
してブリッジ回路からガス流量に関係した信号を出力す
る。
バイパス部５５は、ガス測定流量範囲内全域においてセ
ンサ部５４とバイパス部５５のガス流量が層流となるよ
うな特殊な構造をしており、これによりセンサ部５４か
らの前記出力信号はトータルガス流量に対してリニアな
特性が得られる。そして、との出力信号は、比較回路（
図示せず）において設定信号と電圧比較され、その差信
号を制御回路に出力した上でサーマルバルブ５６をコン
トロールして流量を制御する。
ンサ部５４とバイパス部５５のガス流量が層流となるよ
うな特殊な構造をしており、これによりセンサ部５４か
らの前記出力信号はトータルガス流量に対してリニアな
特性が得られる。そして、との出力信号は、比較回路（
図示せず）において設定信号と電圧比較され、その差信
号を制御回路に出力した上でサーマルバルブ５６をコン
トロールして流量を制御する。
前記サーマルバルブ５６は、第３図のように主通路５３
内に内筒６１と外筒６２を取着して主通路一部を内、外
筒間および内筒６１内に形成し、この内筒６１の下端に
シート部６３．シート押え０リング６４．シート押え金
具６５を取着している。また、内、外筒６１，６２の上
端にはヒータカバー６６、ベローズ６７をバルブナツト
６８にて固着し内筒６１内にアクチュエータ６９を垂架
している。アクチュエータ６９は先端にボール７０を固
着し、内蔵したヒータ部７１の温度に応じて伸縮するこ
とによりポール７０と前記シート部６３との間に形成す
るオリアイス径を変化できる。そして、このオリフィス
の下流側、即ち二次側に対応する本体内には主通路５３
を加熱するためのヒータ７２を埋設している。図中、７
３はアウタ０リング、７４はインナＯリングである。
内に内筒６１と外筒６２を取着して主通路一部を内、外
筒間および内筒６１内に形成し、この内筒６１の下端に
シート部６３．シート押え０リング６４．シート押え金
具６５を取着している。また、内、外筒６１，６２の上
端にはヒータカバー６６、ベローズ６７をバルブナツト
６８にて固着し内筒６１内にアクチュエータ６９を垂架
している。アクチュエータ６９は先端にボール７０を固
着し、内蔵したヒータ部７１の温度に応じて伸縮するこ
とによりポール７０と前記シート部６３との間に形成す
るオリアイス径を変化できる。そして、このオリフィス
の下流側、即ち二次側に対応する本体内には主通路５３
を加熱するためのヒータ７２を埋設している。図中、７
３はアウタ０リング、７４はインナＯリングである。
次に、以上の構成の作用を説明する。通常のデポジショ
ンを行なう場合、ジクロルシランガス源１からジクロル
シランガス、またアンモニアガス源２からアンモニアガ
スを夫々のガス供給系Ａ。
ンを行なう場合、ジクロルシランガス源１からジクロル
シランガス、またアンモニアガス源２からアンモニアガ
スを夫々のガス供給系Ａ。
Ｂを経て反応管１６の中に供給し、反応管内のウェーハ
にシリコン窒化膜を形成する。このとき、各ガス供給系
のガス流量は夫々マス７０コントローラ９，２４によシ
制御される。
にシリコン窒化膜を形成する。このとき、各ガス供給系
のガス流量は夫々マス７０コントローラ９，２４によシ
制御される。
即ち、マス７０コントローラ９では、入口５１から入っ
たガスの一部はセンサ部５４に通流され、ここでその流
量がセンサされる。そして、このセンス信号によりサー
マルバルブ５６のアクチュエータ６９温度をコントロー
ルすれば、アクチェエータ６９はボールア０位置を所定
の高さ位置に設定し、シート部６３との間に所定径のオ
リフィスを形成する。これにより、出口５２からのガス
流量は所望の量にコントロールされる。し、かるに、こ
のときオリフィスの二次側では低圧状態とされガスの液
化が心配されるが、ヒータ７２により二次側部位を加熱
しているため二次側に通流されたガスは熱エネルギが供
給され、したがって圧力の低下にも拘らず液化されるこ
とはない。
たガスの一部はセンサ部５４に通流され、ここでその流
量がセンサされる。そして、このセンス信号によりサー
マルバルブ５６のアクチュエータ６９温度をコントロー
ルすれば、アクチェエータ６９はボールア０位置を所定
の高さ位置に設定し、シート部６３との間に所定径のオ
リフィスを形成する。これにより、出口５２からのガス
流量は所望の量にコントロールされる。し、かるに、こ
のときオリフィスの二次側では低圧状態とされガスの液
化が心配されるが、ヒータ７２により二次側部位を加熱
しているため二次側に通流されたガスは熱エネルギが供
給され、したがって圧力の低下にも拘らず液化されるこ
とはない。
これにより、正確なガス流量のコントロールが可能にさ
れると共に、液化に伴なう０リング等の腐蝕の防止を図
り、また外部への漏れを防止して安全性の向上を図るこ
とができる。更に、反応管１６への異物の侵入を防止し
て製品歩留りの向上を達成できる。
れると共に、液化に伴なう０リング等の腐蝕の防止を図
り、また外部への漏れを防止して安全性の向上を図るこ
とができる。更に、反応管１６への異物の侵入を防止し
て製品歩留りの向上を達成できる。
なお、ヒータを埋設する代シに第４図のように、オリフ
ィス二次側に対応する本体の一部をヒータ７５にて構成
するようにしてもよい。
ィス二次側に対応する本体の一部をヒータ７５にて構成
するようにしてもよい。
（ｇ ガス主通路に設けたサーマルバルブ、即チオリア
イスの二次側に近接してヒータを設け、オリフィス二次
側のガスに熱エネルギを供給しているので、二次側にお
けるガスの液化を防止でき、正確な流量制御を行なうこ
とができる。
イスの二次側に近接してヒータを設け、オリフィス二次
側のガスに熱エネルギを供給しているので、二次側にお
けるガスの液化を防止でき、正確な流量制御を行なうこ
とができる。
（２） ガスの液化を防止できるので、高い反応性が示
されることはなく０リング等の腐蝕防止を図ると共に、
外部に漏れが生じることがかく安全性を確保できる。
されることはなく０リング等の腐蝕防止を図ると共に、
外部に漏れが生じることがかく安全性を確保できる。
（３１０１Ｊング等の腐蝕防止や外部への漏れが防止で
きるので、反応管内への異物の侵入を防止して製品歩留
の向上が達成できる。
きるので、反応管内への異物の侵入を防止して製品歩留
の向上が達成できる。
（４）液化ガスが存在しないので内部排気を容易かつ迅
速に行なうことができる。
速に行なうことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明（７たが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば前例以外の
ガスの流量制御に使用でき、捷たヒータ手段の構造は適
宜に変化させることができる。
具体的に説明（７たが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。たとえば前例以外の
ガスの流量制御に使用でき、捷たヒータ手段の構造は適
宜に変化させることができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＣＶＤ装置のマスフ
ロコントローラに適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、ガス流量をオリフィスに
てコントロールする方式の流量制御装置全般に適用でき
る。
をその背景となった利用分野であるＣＶＤ装置のマスフ
ロコントローラに適用した場合について説明したが、そ
れに限定されるものではなく、ガス流量をオリフィスに
てコントロールする方式の流量制御装置全般に適用でき
る。
第１図は本発明の一実施例をＣＶＤ装置に適用［−だガ
ス系統図、 第２図はマスクロコントローラの破断斜視図、第３図ａ
サーマルバルブ近傍の断面図、第４図は変形例の外観斜
視図である。 Ａ゛・・ジクロル７ランガス供給系、Ｂ・・・アンモニ
アガス供給系、Ｃ・・・Ｎ２ガス供給系、９・・・マス
７０コントローラ、１６・・・反応Ｗ、２４・・・マス
７０コントローラ、５ｏ・・・本体、５３・・・主通路
、５４・・・センサ部、５５・・・バイパス部、５６・
・・サーマルバルブ、６３・・・シート部、６９・・・
アクチュエータ、７０・・・ボール、７２・・・ヒータ
、７３・・・ヒータ。 代理人 弁理士 高 措 明 夫゛） 、／ 第 ２ 図 第 ３ 図
ス系統図、 第２図はマスクロコントローラの破断斜視図、第３図ａ
サーマルバルブ近傍の断面図、第４図は変形例の外観斜
視図である。 Ａ゛・・ジクロル７ランガス供給系、Ｂ・・・アンモニ
アガス供給系、Ｃ・・・Ｎ２ガス供給系、９・・・マス
７０コントローラ、１６・・・反応Ｗ、２４・・・マス
７０コントローラ、５ｏ・・・本体、５３・・・主通路
、５４・・・センサ部、５５・・・バイパス部、５６・
・・サーマルバルブ、６３・・・シート部、６９・・・
アクチュエータ、７０・・・ボール、７２・・・ヒータ
、７３・・・ヒータ。 代理人 弁理士 高 措 明 夫゛） 、／ 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ガス通流路に設けたオリフィスによりガス流量を
コントロールし得る流量制御装置において、前記オリフ
ィスの二次側部位にヒータ手段を付設置−、オリフィス
二次側の連成ガスに熱エネルギを供給し得るように構成
したことを特徴とするガス流分制御装置。 ２、流量制御装置のオリフィス二次側近傍の装置本体内
にヒータを埋設してなる特許請求の範囲第１項記載のガ
ス流量制御装置。 ゛ ３、オリフィス二次側のカス通路を包囲する装置本
体の一部をヒータにて構成してなる特許請求の範囲第１
項記載のガス流量制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18690183A JPS6082668A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | ガス流量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18690183A JPS6082668A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | ガス流量制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6082668A true JPS6082668A (ja) | 1985-05-10 |
Family
ID=16196658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18690183A Pending JPS6082668A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | ガス流量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6082668A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437464U (ja) * | 1987-07-27 | 1989-03-07 | ||
| JPH0250421A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Corp | ガス供給装置 |
| US5313982A (en) * | 1988-07-08 | 1994-05-24 | Tadahiro Ohmi | Gas supply piping device for a process apparatus |
| US5591267A (en) * | 1988-01-11 | 1997-01-07 | Ohmi; Tadahiro | Reduced pressure device |
| US5789086A (en) * | 1990-03-05 | 1998-08-04 | Ohmi; Tadahiro | Stainless steel surface having passivation film |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP18690183A patent/JPS6082668A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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