JPS60176544U - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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Publication number
JPS60176544U
JPS60176544U JP6344184U JP6344184U JPS60176544U JP S60176544 U JPS60176544 U JP S60176544U JP 6344184 U JP6344184 U JP 6344184U JP 6344184 U JP6344184 U JP 6344184U JP S60176544 U JPS60176544 U JP S60176544U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
valve
film forming
pipe
gas introduction
Prior art date
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Pending
Application number
JP6344184U
Other languages
English (en)
Inventor
岩渕　俊之
章 内山
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS60176544U publication Critical patent/JPS60176544U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例を説明するための薄膜形成
装置の構成を示す路線図、第２図は従来の薄膜形成装置
を説明するための線図である。 １１．２１・・・反応炉、１２．２２・・・反応ガス導
入管、１３．２３・・・流量調整器、１４．２４・・・
排気管、１４ａ、１４ｂ・・・（排気管の）分岐管、１
５．２５・・・低真空排気ポンプ、１６．２６・・・高
真空排気ポンプ、１７・・・パージ管、１８・・・エッ
チンク管、１９・・・バイパス管、１９　ａ、　　１９
　ｂ・・・（バイパス管の）分岐管、２７・・・リーク
管、ｖｌ、■へ８・・・反応ガス導入バルブ、■２．■
９・・・（排気バルブ）低真空排気バルブ、Ｖ３．ＶＩ
Ｏ・・・（排気バルブ）高真空排気バルブ、Ｖ４・・・
パージバルブ、Ｖ５・・・・エツチングバルブ、Ｖ６・
・・（開閉バルブ）低真空バイパスバルブ、■７・・・
（開閉バルブ）高真空バイパスバルブ、■１１・・・リ
ークバルブ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応炉と、該反応炉に反応ガス導入バルブを経て反応ガ
    スを導入するための反応ガス導入管と、該反応炉を排気
    バルブを経て排気するための排気管とを具え、前記反応
    炉内で薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記反応
    ガス導入管の、反応ガス導入バルブに対し前記反応炉と
    は反対側の部分と、前記排気管の、排気バルブに対し前
    記反応炉とは反対側の部分とを、開閉バルブを経て、結
    ”　　合させるバイパス管を具えることを特徴とする薄
    膜形成装置。
JP6344184U 1984-04-28 1984-04-28 薄膜形成装置 Pending JPS60176544U (ja)

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JPS60176544U true JPS60176544U (ja) 1985-11-22

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0864578A (ja) * 1994-08-22 1996-03-08 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置及び半導体製造装置のクリーニング方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158420A (en) * 1980-05-12 1981-12-07 Mitsubishi Electric Corp Vapor growth device
JPS6024017A (ja) * 1983-07-20 1985-02-06 Hitachi Ltd 処理ガス圧力調整方法

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