JPH02151027A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH02151027A JPH02151027A JP30522088A JP30522088A JPH02151027A JP H02151027 A JPH02151027 A JP H02151027A JP 30522088 A JP30522088 A JP 30522088A JP 30522088 A JP30522088 A JP 30522088A JP H02151027 A JPH02151027 A JP H02151027A
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- JP
- Japan
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- processing chamber
- process gas
- flow rate
- vacuum processing
- mass flow
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にドライエツ
チング装置やＣＶＤ装置などの真空を利用する装置のプ
ロセスガス導入機構に関する。
チング装置やＣＶＤ装置などの真空を利用する装置のプ
ロセスガス導入機構に関する。
従来、ドライエツチング装置やＣＶＤ装置のプロセスガ
ス導入機構は、第５図に示すように、半導体ウェーハ（
以下単にウェーハという）４を下部電極３上に載置し処
理する真空処理室１と、上部電極２を介して真空処理室
１内に導入されるプロセスガスの流量を制御するための
マスフローコントローラ５と、排気装置７に接続され真
空処理室１内の圧力調整を行うためのバリアブルオリフ
ィス６とから主に構成されており、プロセスガス導入時
にマスフローコントローラ５のバルブを開けてガスを導
入し、２〜３秒後に所定流量に安定されるいわゆるソフ
トスタート機能を有していた。尚、第５図において８は
バリアブルオリフィス６を動作させる圧力調整器、１１
はマスフローコントローラを制御する流量設定ユニット
である。
ス導入機構は、第５図に示すように、半導体ウェーハ（
以下単にウェーハという）４を下部電極３上に載置し処
理する真空処理室１と、上部電極２を介して真空処理室
１内に導入されるプロセスガスの流量を制御するための
マスフローコントローラ５と、排気装置７に接続され真
空処理室１内の圧力調整を行うためのバリアブルオリフ
ィス６とから主に構成されており、プロセスガス導入時
にマスフローコントローラ５のバルブを開けてガスを導
入し、２〜３秒後に所定流量に安定されるいわゆるソフ
トスタート機能を有していた。尚、第５図において８は
バリアブルオリフィス６を動作させる圧力調整器、１１
はマスフローコントローラを制御する流量設定ユニット
である。
上述した従来の半導体装置の製造装置におけるプロセス
ガス導入機構のソフトスタート機能では、プロセスガス
は第２図の曲線Ｂ１で示されるように、数秒のうちに所
定流量に達して安定してしまうが、急激にガスが導入さ
れるため、真空処理室内１のごみがまき上げられ、ウェ
ーハへのごみの付着をおこし、結果的に半導体装置の歩
留りの低下の原因となるという欠点がある。
ガス導入機構のソフトスタート機能では、プロセスガス
は第２図の曲線Ｂ１で示されるように、数秒のうちに所
定流量に達して安定してしまうが、急激にガスが導入さ
れるため、真空処理室内１のごみがまき上げられ、ウェ
ーハへのごみの付着をおこし、結果的に半導体装置の歩
留りの低下の原因となるという欠点がある。
また、プロセスガスがソフトスタートによりオーバーシ
ュートなしに導入されても、圧力調整器８により制御さ
れるバリアブルオリフィス６が全閉状態になっているた
め、プロセスガスの導入により一時的に真空処理室１内
の圧力が第３図の曲線Ｂ２で示されるように高くなり、
ごみをまき上げる要素となっていた。
ュートなしに導入されても、圧力調整器８により制御さ
れるバリアブルオリフィス６が全閉状態になっているた
め、プロセスガスの導入により一時的に真空処理室１内
の圧力が第３図の曲線Ｂ２で示されるように高くなり、
ごみをまき上げる要素となっていた。
本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板を載置し
処理するための真空処理室と、前記真空処理室に導入さ
れるプロセスガスの流量制御用マスフローコントローラ
のバルブを徐々に開けるための手段と、前記真空処理室
の圧力調整用バリアブルオリフィスを規定時間後に閉め
るための手段とを含んで構成される。
処理するための真空処理室と、前記真空処理室に導入さ
れるプロセスガスの流量制御用マスフローコントローラ
のバルブを徐々に開けるための手段と、前記真空処理室
の圧力調整用バリアブルオリフィスを規定時間後に閉め
るための手段とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例のブロック図である。
第１図において半導体装置の製造装置は、ウェーハ４を
載置する下部電極３とこれに対向する上部電極２とが設
けられた真空処理室１と、この真空処理室１に導入され
るプロセスガスの流量を制御するためのマスフローコン
トローラ５と、このマスフローコントローラ５のバルブ
を規定時間を用いて徐々に開けるための手段としての、
流量設定ユニット１１とマスフローコントローラ５間に
設けられた演算回路１０と、真空処理室１の圧力調整を
行うためのバリアブルオリフィス６と、このバリアブル
オリフィス６と圧力調整の間に設けられたタイマー１３
とにより主に構成されている。尚第１図において７は排
気装置、９はＲＦ電源である。
載置する下部電極３とこれに対向する上部電極２とが設
けられた真空処理室１と、この真空処理室１に導入され
るプロセスガスの流量を制御するためのマスフローコン
トローラ５と、このマスフローコントローラ５のバルブ
を規定時間を用いて徐々に開けるための手段としての、
流量設定ユニット１１とマスフローコントローラ５間に
設けられた演算回路１０と、真空処理室１の圧力調整を
行うためのバリアブルオリフィス６と、このバリアブル
オリフィス６と圧力調整の間に設けられたタイマー１３
とにより主に構成されている。尚第１図において７は排
気装置、９はＲＦ電源である。
次に、このように構成された第１の実施例の動作につい
て説明する。
て説明する。
ますウェーハ４を真空処理室１内の下部電極３上に搬送
した後、流量設定ユニット１１よりプロセスガスの所定
の流量に比例した電圧Ｖｓを演算回路１０に入力させる
。演算回路１０はある設定された時間内（例えば６０秒
）内で零からＶＳになるまでの出力Ｖｖを徐々にマスフ
ローコントローラ５に印加する。この出力ｖｖの増加速
度はマスフローコントローラ５の追従能力を越えないよ
うにする。この出力ｖｖによりマスフローコントローラ
５のバルブは徐々に開き、プロセスガスの流量は第２図
の曲線ＡＩのように増加する。そしてガス流層がある程
度まで増加した時、遅延ユニットを構成するタイマー１
３により圧力調整器８が働き始め、全開となっていたバ
リアブルオリフィス６を徐々に閉め、真空処理室１内の
圧力の制御を行う。
した後、流量設定ユニット１１よりプロセスガスの所定
の流量に比例した電圧Ｖｓを演算回路１０に入力させる
。演算回路１０はある設定された時間内（例えば６０秒
）内で零からＶＳになるまでの出力Ｖｖを徐々にマスフ
ローコントローラ５に印加する。この出力ｖｖの増加速
度はマスフローコントローラ５の追従能力を越えないよ
うにする。この出力ｖｖによりマスフローコントローラ
５のバルブは徐々に開き、プロセスガスの流量は第２図
の曲線ＡＩのように増加する。そしてガス流層がある程
度まで増加した時、遅延ユニットを構成するタイマー１
３により圧力調整器８が働き始め、全開となっていたバ
リアブルオリフィス６を徐々に閉め、真空処理室１内の
圧力の制御を行う。
このように第１の実施例によれば、演算回路１０を設け
ることにより、マスフローコントローラ５に印加される
電圧は徐々に増加するため、第２図の曲線Ａ１で示した
ように、プロセスガスを漸近的にゆっくりと真空処理室
１に導入することができる。また、真空処理室１内の圧
力変動は第３図の曲線Ａ２で示されるように、オーバー
シュートすることなしに徐々に設定値迄増加させること
ができる。従って真空処理室１内のごみの舞い上りを抑
え、ウェーハ４に付着するごみの数を低減できる。
ることにより、マスフローコントローラ５に印加される
電圧は徐々に増加するため、第２図の曲線Ａ１で示した
ように、プロセスガスを漸近的にゆっくりと真空処理室
１に導入することができる。また、真空処理室１内の圧
力変動は第３図の曲線Ａ２で示されるように、オーバー
シュートすることなしに徐々に設定値迄増加させること
ができる。従って真空処理室１内のごみの舞い上りを抑
え、ウェーハ４に付着するごみの数を低減できる。
第４図は本発明の第２の実施例のブロック図である。
流量設定ユニット１１は装置のシステムコントローラー
１２により制御され、所定の流量に比例した出力ＶＳに
なる迄徐々に出力Ｖｖをマスフローコントローラー５に
印加する。マスフローコントローラー５は流量設定ユニ
ット１１からの出力■９に応じてバルブを開き流量を増
加させる。
１２により制御され、所定の流量に比例した出力ＶＳに
なる迄徐々に出力Ｖｖをマスフローコントローラー５に
印加する。マスフローコントローラー５は流量設定ユニ
ット１１からの出力■９に応じてバルブを開き流量を増
加させる。
さらにシステムコントローラー１２により圧力調整器８
も連動して制御され、バリアブルオリフィス７を閉める
ように動作する。
も連動して制御され、バリアブルオリフィス７を閉める
ように動作する。
水弟２の実施例によれば、プロセスガスの流量及び真空
処理室の圧力をシステムコントローラーにより同時に制
御できるため、より幅の広い制御が可能である。
処理室の圧力をシステムコントローラーにより同時に制
御できるため、より幅の広い制御が可能である。
以上説明したように本発明は、半導体装置の製造装置に
プロセスガスの流量制御用マスフローコントローラのバ
ルブを徐々に開けるための手段と、圧力調整用バリアブ
ルオリフィスを規定時間後に閉めるための手段とを設け
ることにより、真空処理室内に急激にプロセスガスを導
入することによるごみの舞い上がりを抑え、ウェーハに
付着するごみの数を低減できる効果がある。特に処理前
のごみの付着を抑えることができるので半導体装置の歩
留りは向上したものとなる。
プロセスガスの流量制御用マスフローコントローラのバ
ルブを徐々に開けるための手段と、圧力調整用バリアブ
ルオリフィスを規定時間後に閉めるための手段とを設け
ることにより、真空処理室内に急激にプロセスガスを導
入することによるごみの舞い上がりを抑え、ウェーハに
付着するごみの数を低減できる効果がある。特に処理前
のごみの付着を抑えることができるので半導体装置の歩
留りは向上したものとなる。
構成図である。
１・・・真空処理室、２・・・上部電極、３・・・下部
電極、４・・・ウェーハ、５・・・マスフローコントロ
ーラ、６・・・バリアブルオリフィス、７・・・排気装
置、８・・・圧力調整器、９・・・ＲＦ電源、１０・・
・演算回路、１１・・・流量設定ユニット、１２・・・
システムコントローラー １３・・・タイマー
電極、４・・・ウェーハ、５・・・マスフローコントロ
ーラ、６・・・バリアブルオリフィス、７・・・排気装
置、８・・・圧力調整器、９・・・ＲＦ電源、１０・・
・演算回路、１１・・・流量設定ユニット、１２・・・
システムコントローラー １３・・・タイマー
Claims (1)
- 半導体基板を載置し処理するための真空処理室と、前記
真空処理室に導入されるプロセスガスの流量制御用マス
フローコントローラのバルブを徐々に開けるための手段
と、前記真空処理室の圧力調整用バリアブルオリフィス
を規定時間後に閉めるための手段とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30522088A JPH02151027A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30522088A JPH02151027A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02151027A true JPH02151027A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17942488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30522088A Pending JPH02151027A (ja) | 1988-12-01 | 1988-12-01 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02151027A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955369A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法 |
| US7017637B2 (en) * | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
| KR100608705B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2006-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 스크롤 압축기의 진공 방지 장치 |
| KR20140035820A (ko) | 2012-09-14 | 2014-03-24 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 유량 제어 장치 및 유량 제어 장치용 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| JP2016219578A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-12-01 JP JP30522088A patent/JPH02151027A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955369A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法 |
| US7017637B2 (en) * | 2001-09-25 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Thin film forming apparatus and thin film forming method |
| KR100608705B1 (ko) * | 2005-04-18 | 2006-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 스크롤 압축기의 진공 방지 장치 |
| KR20140035820A (ko) | 2012-09-14 | 2014-03-24 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 유량 제어 장치 및 유량 제어 장치용 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| US9459629B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-10-04 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Flow rate controller and recording medium recorded with program for flow rate controller |
| JP2016219578A (ja) * | 2015-05-19 | 2016-12-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
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