JPH01268029A - 半導体製造装置の圧力制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置の圧力制御方法に係り、特に
エツチングに好適な半導体製造装置の圧力制御方法に関
するものである。

〔従来の技術〕

従来の半導体製造＊置は、例えば、特開昭５９−７１８
９４号公報に記載のような排気系を有し、該排気系によ
り反応処理室の圧力制御が実施されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は１反応処理室の圧力が収束しなかった場
合に処理を継続させるといった点について配慮がされて
おらず、自動化・省力化対応時の稼動率の低下の問題が
あった。

本発明の目的は、圧力制御において圧力が収束しなくて
も、制御の定数を変更し再実行させることにより装置稼
動率を低下さセない半導体製造装置の圧力制御方法を提
供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

反応ガスの導入量、真空排気能力に応じて系の時定数が
変化するが、可変コンダクタンスの変化量および変化さ
せる間隔（動作間隔）を系に応じて変更させることによ
りより収束性のよい圧力制御を行なうことができる。

したがりて、上記目的は、圧力が一定時間内で収束しな
かった場合に該パラメータを変更して再実行することに
より達成される。

〔作　　用〕

処理室圧力が収束しない場合を分類すると、一つは、コ
ンダクタンスの変化が多すぎて圧力がオーバーシュート
し、ハンチング現象となる場合、もう一つが、コンダク
タンスの変化が少なすぎて所定時間内に目標圧力に到達
できない場合の二通りに分けられる。このどちらに属す
るかは、圧力のモニター結果で容易に判別できる。そし
て、ハンチングの場合は、コンダクタンスの変化量を小
さく、また、到達できない場合は、コンダクタンスの変
化量な大き４すれば収束性は改善される。

〔実　施　例〕

以下１本発明の一実施例を第１図〜第４図を用いて説明
する。第１図は、ドライエツチング装置を示したもので
ある。反応ガス供給手段２より反応処理室ｌに反応ガス
が供給される。また供給と同時に真空排気手段３により
真空排気する。この時、圧力モニター手段５により処理
室内の圧力をモニターしながら、制御手段７によりモー
ター６にて可変コンダクタンスバルブ４のコンダクタン
スを変えることにより、所定の圧力に調節し、高周波電
＃ＩＯにより放電させる。

第２図は、制御手段７の内部を示したものである。圧力
モニター手段５からの信号を増幅手段８により増幅し、
サンプリング手段８によりサンプリングし、サンプリン
グ値記憶手段９に記憶すると同時に比較手段１０により
目標圧力と一致しているかどうかを比較する。一致して
いれば、終了信号１７を出力する。もし一致していなけ
れば定数計算手段校からのデータとサンプリングデータ
をもとに変化量計算手段１１により可変コンダクタンス
バルブのコンダクタンス変化量を算出し、モータドライ
バ巧を介してモータ６を回転させる。これらの系へのス
ター、トは信号１６により指令される。

スタート時は、定数の中の初期設定値に従い、コンダク
タンスバルブを初期設定させる。また、経過時間監視手
段１３にて、制限時間又に圧力制御が収束したかどうか
を監視する。収束できずに、リトライ時には、サンプリ
ング値記憶手段にて記憶していた情報により、定数計算
手段１４にて計算の後定数サンプリング間隔を変更する
。

第３は、（ａ）が、圧力がハンチングして収束しなかっ
た例、（ｂ）が、所定の時間を経過しても目　　。

標圧力に収束しなかった例、（Ｃ）が正常に収束した例
を示す。

第４図は、制御手段内の処理内容をフローチャートで示
したものである。

本実施例によれば、圧力制御により処理室圧力が目標圧
力に卸達できなくても、自動的に制御定数を修正変更後
、再実行するので以下のような効果がある。

（１）最初の制御定数がもし誤っていても自動修正され
る。

（２）処理ウェーハの品性に対応したプロセス条件の違
いにも容易に対応できる（条件が頻繁に変わりだ場合で
も）。

（３１装置を停止状態にすることなく自動復帰できるの
で稼動率が向上し、省力化が図れる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、圧力制御において圧力が収束しなくと
も処理を継続させることができるので、装置稼動率゛を
低下させないですむ効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体製造装置のｇｔ［概
略図、第２図は！Ｊ１図の要部詳細図、第３図は圧力の
モニター例を示す模式図、第４図は第２図での部分の処
理フロー図である。 ｌ・・・・・・反応処理室、２・・・・・・反応ガス供
給手段。 ３・・・・・・真空排気手段、４・・・・・・可変コン
ダクタンスバルブ、５・・・・・・圧力モニター手段、
６・・・・・・モータ。 ７・・・・・・制御手段、８・・−・・サンプリング手
段、９・・・サンプリング値記憶手段、１０・・・・・
・比較手段、１１・・・変化量計算手段、１２・・・・
・・定数記憶手段、１３・・・・・・経過時間監視手段
、１４・・・・・・定数計算手段、１５・・・・・・モ
−タ駆動ドライバー、１６・・・・・・開始信号、１７
・・・・・・終了信号 オ　Ｉ　図 ４２　口 ７−−−４８号多Ｂ鯖段Ｗ−づｔ車（十Ｊ又　　／３−
一一お→秒乍司法脈第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、反応処理室と、反応ガス導入手段と、真空排気手段
   と、可変コンダクタンスと、前記反応処理室圧力のモニ
   タ手段と、前記可変コンダクタンスの制御手段とを有す
   る半導体製造装置において所定の時間内に、前記制御手
   段による前記反応処理室の圧力制御が収束しなかった場
   合に圧力又は圧力変化の傾向により前記可変コンダクタ
   ンスの制御定数を変更させることを特徴とする半導体製
   造装置の圧力制御方法。 ２、再実行の後、圧力が収束した場合に再実行の回数の
   最大値を決めその回数以内で収束した場合その制御定数
   を記憶し以後記憶した制御定数を使用して圧力制御を実
   行する第１請求項に記載の半導体製造装置の圧力制御方
   法。