JP4059216B2 - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents
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Description
(実施例1)
処理液6として純水を用い、水蒸気を発生させて処理室1内に導入した。被処理物5として酸化アルミニウムの薄板を加熱プレート4上に載置し、該薄板の表面温度を約200℃として5分間処理を行った。前記酸化アルミニウム薄板表面の接触角を接触角計によって測定した結果、処理前は64°であったが、処理後に6°となり、水に対する濡れ性を向上させることができた。
更に処理液6をエチルアルコールに変えて同様の実験を行ったところ、同様に酸化アルミニウム薄板表面の濡れ性を向上させる表面改質を行うことができた。
上記実施例1と同様に、処理液6として純水を用い、水蒸気を発生させて処理室1内に導入した。被処理物5として有機物であるレジストを塗布したシリコン板を加熱プレート4上に載置し、該レジスト板の表面温度を約200°として10分間処理した。その結果、前記シリコン板表面からレジストを除去することができた。
更に処理液6を過酸化水素水に変えて同様の実験を行ったところ、同様にシリコン板のレジストを除去するアッシングを行うことができた。
処理液6としてフッ化水素を用い、その蒸気を発生させて処理室1内に導入した。被処理物5として水晶板を加熱テーブル4上に載置し、その表面温度を100℃として60分間処理した。その結果、前記水晶板の表面をエッチングすることができた。
図2には、図1の表面処理装置の変形例の構造が概略的に示されている。この変形例は、被処理物5を加熱する手段として、加熱プレートに変えて温風送風器12が被処理室1の上部に下向きに温風を吹き出すように設けられている。
複数の板状の被処理物5が、温風が当たり易くなるように、搬送テーブル3上の取付台13に垂直に配列されている。このように温風送風器12を用いることにより、複数の被処理物5及び処理室1内部の全体を略均等に加熱することができるので、バッチ処理に有利である。
処理液6として純水を、補助ガスとして酸素ガスをそれぞれ使用し、それらの混合ガスを処理室1に導入した。被処理物5として酸化アルミニウムの薄板を加熱プレート4上に載置し、前記混合ガスに曝露して表面処理を行った。これにより、前記酸化アルミニウム薄板表面の濡れ性を向上させることができた。
処理液6を過酸化水素水に変えて、かつ同様に酸素ガスを用いて同様の実験を行ったところ、同様に濡れ性を向上させる表面改質を行うことができた。
また、処理液6をエチルアルコールに、かつ補助ガスを窒素ガスに変えて同様の実験を行った場合にも、同様に濡れ性を向上させることができた。
処理液6として過酸化水素水を、補助ガスとして酸素ガスをそれぞれ使用し、それらの混合ガスを処理室1に導入した。被処理物5として有機物であるレジストを塗布したシリコン板を加熱プレート4上に載置し、表面処理を行った。その結果、前記シリコン板表面からレジストが除去され、アッシングを行うことができた。
図5には、本発明による表面処理装置の第3実施例の構造が概略的に示されている。この表面処理装置は、処理液6を入れた容器7が処理室1内に加熱プレート4上に配置され、かつ外部から選択したガスを補助的に供給するためのガス導入口16がハウジング2に直接接続されている点において、上記第1及び第2実施例の装置と異なる。本実施例によれば、このように構成して処理液6の蒸気を処理室1内で直接発生させることにより、上記第1及び第2実施例のように前記蒸気が管路10を通過する間に冷却される虞が無いので、より効率的な表面処理が可能になる。
また、特に被処理物表面に除去すべき有機物が多量に付着している場合には、2回以上のアッシング工程を行うことが好ましい。このとき、最初の方のアッシング工程ではアッシングレートの高い方法を使用して、大部分の有機物を短時間で取り除き、かつ少なくとも最後のアッシング工程で上述した本発明のいずれかの表面処理方法を採用することにより、除去しきれなかった有機物残渣を被処理物表面から完全に取り除くことができる。これにより、全体として被処理物表面を比較的簡単にかつ効率よく完全にアッシングすることが可能になる。
Claims (10)
- 処理液を加熱して蒸気を発生させる蒸気発生装置と、前記処理液の蒸気を含む雰囲気を画定するハウジングと、被処理物を加熱する加熱装置とからなり、
前記ハウジング内に前記被処理物を配置し、前記被処理物を加熱し、その表面を前記蒸気に曝露して前記被処理物の表面の濡れ性を向上させる工程を有する表面処理方法であって、
前記工程において、前記ハウジングを加熱すると共に、前記被処理物の所定部分を部分的に加熱することにより当該所定部分に局所的に処理を行うことを特徴とする表面処理方法。 - 処理液を加熱して蒸気を発生させる蒸気発生装置と、前記処理液の蒸気を含む雰囲気を画定するハウジングと、被処理物を加熱する加熱装置とからなり、
前記ハウジング内に前記被処理物を配置し、前記被処理物を加熱し、その表面を前記蒸気に曝露して前記被処理物の表面をアッシングする工程を有する表面処理方法であって、
前記工程において、前記ハウジングを加熱すると共に、前記被処理物の所定部分を部分的に加熱することにより当該所定部分に局所的に処理を行うことを特徴とする表面処理方法。 - 前記処理液が、水、酸性水又はアルカリ水であることを特徴とする請求項1または、請求項2記載の表面処理方法。
- 酸化性液を加熱して蒸気を発生させ、その蒸気に酸化性気体を混合し、その混合ガスに加熱した被処理物の表面を曝露して、前記被処理物表面を酸化処理する工程を有する表面処理方法であって、
前記工程において、前記混合ガスを画定するハウジングを加熱すると共に、前記被処理物の所定部分を部分的に加熱することにより当該所定部分に局所的に処理を行うことを特徴とする表面処理方法。 - 酸化性液を加熱して蒸気を発生させ、その蒸気に酸化性気体を混合し、その混合ガスに加熱した被処理物の表面を曝露して、前記被処理物表面の濡れ性を向上させる工程を有する表面処理方法であって、
前記工程において、前記混合ガスを画定するハウジングを加熱すると共に、前記被処理物の所定部分を部分的に加熱することにより当該所定部分に局所的に処理を行うことを特徴とする表面処理方法。 - 前記酸化性気体が、酸素、過酸化水素水又はオゾンであることを特徴とする請求項4または請求項5記載の表面処理方法。
- 被処理物表面をアッシングするために2回以上のアッシング工程を有する表面処理方法であって、少なくとも最後の前記アッシング工程が、請求項2記載の方法からなることを特徴とする表面処理方法。
- 請求項1、請求項2、請求項4または請求項5いずれかに記載の表面処理方法において、蒸気が液化しないように加熱される室内に導入し、前記室内で加熱した被処理物の表面を前記蒸気に曝露することを特徴とする表面処理方法。
- 処理液を加熱して蒸気を発生させる蒸気発生装置と、前記処理液の蒸気を含む雰囲気を画定するハウジングと、被処理物を赤外線又は紫外線の照射により加熱する加熱装置と、前記被処理物における所定部分に対応する開口を設けたマスクと、を備え、
前記ハウジング内に前記被処理物を配置し、前記被処理物の前記所定部分のみが加熱されるように前記赤外線又は紫外線を照射し、その表面を前記蒸気に曝露して表面の前記所定部分を局所的に処理するとき、前記ハウジングを加熱するようにしたことを特徴とする表面処理装置。 - 請求項9記載の表面処理装置において、処理液の蒸気に混合する酸化性気体を供給するためのガス供給装置を更に備えることを特徴とする表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004064242A JP4059216B2 (ja) | 1997-02-24 | 2004-03-08 | 表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3957997 | 1997-02-24 | ||
JP2004064242A JP4059216B2 (ja) | 1997-02-24 | 2004-03-08 | 表面処理方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53648098A Division JP3653735B2 (ja) | 1997-02-24 | 1998-02-16 | 表面処理方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004235658A JP2004235658A (ja) | 2004-08-19 |
JP4059216B2 true JP4059216B2 (ja) | 2008-03-12 |
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ID=32964201
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004064242A Expired - Fee Related JP4059216B2 (ja) | 1997-02-24 | 2004-03-08 | 表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4059216B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102019216438A1 (de) * | 2019-10-25 | 2021-04-29 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von hydrophilen Oberflächen oder Oberflächenbereichen auf einem Träger |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004235658A (ja) | 2004-08-19 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060907 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061220 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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