WO2005059976A1 - 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
WO2005059976A1
WO2005059976A1 PCT/JP2004/018176 JP2004018176W WO2005059976A1 WO 2005059976 A1 WO2005059976 A1 WO 2005059976A1 JP 2004018176 W JP2004018176 W JP 2004018176W WO 2005059976 A1 WO2005059976 A1 WO 2005059976A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chamber
substrate
resist film
ozone
substrate processing
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/018176
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takayuki Toshima
Tadashi Iino
Yusuke Saito
Mitsunori Nakamori
Noritaka Uchida
Takehiko Orii
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to US10/579,423 priority Critical patent/US7731799B2/en
Priority to JP2005516291A priority patent/JPWO2005059976A1/ja
Priority to AT0941404A priority patent/AT501775B1/de
Publication of WO2005059976A1 publication Critical patent/WO2005059976A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching

Definitions

  • Substrate processing method substrate processing apparatus, and computer-readable recording medium
  • the present invention relates to a substrate processing method for peeling a hard-to-peel film such as an ArF resist, an antireflection film, or a high-dose ion implantation film provided on a substrate, and a method for performing the substrate processing method.
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a computer-readable recording medium.
  • the wavelength of light used in the photolithography process is being reduced for the purpose of high integration of semiconductor devices.
  • ArF excimer lasers have been used. Light source technology is about to be put to practical use.
  • the photolithography process using this ArF excimer laser is similar to the conventional photolithography process using g-line, i-line, etc. This is performed by exposing the ArF resist film using a reticle on which a predetermined circuit pattern is formed, followed by development.
  • JP-A-2002-184741 discloses a method in which a resist film is modified to be water-soluble in an atmosphere of water vapor and ozone gas, and the resist changed to be water-soluble. A method for removing the membrane by a water washing treatment is disclosed.
  • the present invention has been made in view of vigorous circumstances, and has been described in connection with a hard-to-remove resist film formed in a photolithography process and unnecessary after an etching process, an ion implantation process, a conductor film forming process, or the like.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing method capable of easily removing an anti-reflection film or the like.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus for executing such a substrate processing method, and a computer-readable recording medium used for controlling the substrate processing apparatus.
  • a substrate processing method for removing an ArF resist film from a substrate with an ArF resist film is provided.
  • the antireflection film when the substrate further has an antireflection film corresponding to ArF rays, the antireflection film is irradiated with ultraviolet light together with the ArF resist film, and is water-soluble with ozone gas and water vapor together with the ArF resist film. It is also preferable to remove the ArF resist film together with the ArF resist film from the substrate using pure water.
  • a substrate processing method for removing an anti-reflection film with a substrate having an anti-reflection film is provided.
  • a substrate processing method for removing a resist film with a resist film subjected to an ion implantation treatment at a high dose comprising:
  • the substrate processing method according to the third aspect is suitably used when the dose in the ion implantation processing is 1 ⁇ 10 15 Zcm 2 or more.
  • the ArF resist film, the antireflection film, and the high-dose ion-implanted film are supplied with water vapor and ozone to the chamber containing the substrate.
  • the step of denaturing it is preferable to reduce the supply amount of ozone to the water vapor while supplying the water vapor to the chamber at a constant flow rate so as to prevent dew condensation on the substrate. Thereby, the denaturation of the film such as the ArF resist film can be promoted, and the peeling with pure water becomes easy.
  • a supply mode of ozone in such a processing method it is preferable to use a method of periodically stopping the supply of ozone to the chamber.
  • the pressure at which dew condensation occurs in the chamber is determined in advance when the chamber is kept at a predetermined temperature and the amount of water vapor supplied to the chamber is constant.
  • it is preferable to use a method of controlling the supply amount of ozone while measuring the pressure in the chamber so that the measured pressure does not exceed the previously determined pressure at which dew condensation occurs! Can be
  • the substrate processing methods according to the first to third aspects cannot remove the ArF resist film or the like.
  • the productivity is reduced due to the squid or the long release rate. Therefore, in order to improve the peeling rate of a film having such a material strength, the present invention provides a substrate processing method according to the following fourth to sixth aspects.
  • the substrate glass with an ArF resist film has
  • a substrate processing method for removing the anti-reflection film with an anti-reflection film is provided.
  • a substrate processing method for removing a resist film with a resist film subjected to an ion implantation treatment at a high dose there is provided a substrate processing method for removing a resist film with a resist film subjected to an ion implantation treatment at a high dose
  • the substrate processing method according to the fourth to sixth aspects is the substrate processing method according to the first to third aspects, wherein the substrate is treated with steam and ozone, and then the alkaline chemical is used instead of pure water. Is used to peel off the denatured film.
  • the alkaline chemical an APM solution, an aqueous solution of ammonium hydroxide, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and the like are preferably used.
  • an ultraviolet lamp or an excimer laser having a wavelength of 172 nm to 193 nm is preferably used for ultraviolet irradiation.
  • a substrate processing apparatus for performing the substrate processing method according to the first to sixth aspects. That is, according to the seventh aspect of the present invention, an ultraviolet irradiator that irradiates a substrate provided with any one of an ArF resist film, an antireflection film, and a high-dose ion-implanted resist film with ultraviolet light,
  • a steam supply unit for supplying steam to the chamber
  • An ozone supply unit that supplies ozone to the chamber
  • the chamber, the steam supply unit, and the ozone supply unit are controlled such that the inside of the chamber in which the substrate is stored is maintained at a predetermined temperature, and steam and ozone are supplied at a predetermined flow rate into the chamber.
  • a substrate processing apparatus comprising:
  • the control unit performs control to reduce the amount of ozone supplied into the chamber so as to prevent dew condensation on the substrate in the chamber while supplying steam at a constant flow rate into the chamber.
  • the supply of ozone to the chamber is periodically stopped.
  • the substrate processing apparatus further includes a liquid processing unit for performing liquid processing on the substrate using pure water, an APM solution, an aqueous solution of ammonium hydroxide, or an aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH). Since it is preferable that the substrate is provided, the treatment of the substrate with water vapor and ozone and the subsequent liquid treatment can be performed smoothly.
  • a computer-readable recording medium on which a program for controlling a substrate processing apparatus is recorded. That is, according to the eighth aspect of the present invention, A computer that controls a substrate processing apparatus that processes a substrate housed in a chamber equipped with a heating mechanism with water vapor and ozone.
  • a computer that controls a substrate processing apparatus that processes a substrate housed in a chamber equipped with a heating mechanism with water vapor and ozone.
  • An ArF resist film that has been subjected to ultraviolet irradiation treatment, an antireflection film, and high-dose ions.
  • a substrate provided with any of the injection resist films is accommodated in the chamber, (b) the inside of the chamber is maintained at a predetermined temperature, and (c) water vapor is supplied into the chamber at a constant flow rate.
  • a hard-to-remove film such as an ArF resist film, an antireflection film, or a resist film subjected to a high-dose ion-implantation treatment damages portions other than the object to be peeled. It can be peeled off.
  • the amount of ozone with respect to water vapor is reduced to create a state in which there is a large amount of water vapor in the chamber, so that the peeling rate of the hardly peelable film can be improved.
  • an alkaline chemical solution in the liquid treatment after treating the substrate with water vapor and ozone it is possible to more easily peel off a film that is difficult to peel, thereby further reducing the throughput of the apparatus. it can.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a film removal system.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of an ultraviolet irradiation unit (UV).
  • UV ultraviolet irradiation unit
  • FIG. 3 is a schematic sectional view of a membrane denaturing unit (VOS).
  • VOS membrane denaturing unit
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a control system in the film removal system.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a method for removing an ArF resist film and an antireflection film.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing a process of removing an ArF resist film.
  • FIG. 6B is a cross-sectional view schematically showing a process of removing the ArF resist film.
  • FIG. 6C is a cross-sectional view schematically showing a removal process of the ArF resist film.
  • FIG. 6D is a sectional view schematically showing a removal process of the ArF resist film.
  • FIG. 6E is a cross-sectional view schematically showing a process of removing the ArF resist film.
  • FIG. 7 is a graph showing a comparison between a peeling rate of an example and a peeling rate of a comparative example.
  • FIG. 8 is a flowchart showing another method for removing the ArF resist film and the antireflection film.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a film removal system 100 for removing a film or the like.
  • the carrier C containing the wafer W is also loaded with another processing system or the like, and conversely, the carrier C containing the wafer W processed by the film removal system 100 is next.
  • a carrier station 4 for carrying out to a processing system or the like for performing the above-mentioned processing, and a processing station 2 having a plurality of processing units for performing a denaturing process of the ArF resist film or the like provided on the wafer W and a subsequent removal process.
  • Transfer station 3 for transferring wafers W between processing station 2 and carrier station 4, and chemical station for manufacturing, preparing, and storing chemicals, pure water, gas, etc. used in processing station 2. 5 is provided.
  • the carrier station 4 has a mounting table 6 on which the carrier C can be mounted at three locations along the Y direction in the figure. Inside the carrier C, the wafers W are accommodated in a substantially horizontal posture at regular intervals in the vertical direction (Z direction).
  • a control unit (computer) for controlling the processing of the wafer W in the film removal system 100 is incorporated in a space below the mounting table 6.
  • the transfer station 3 transfers the wafers and W between the carrier C mounted on the mounting table 6 of the carrier station 4 and a wafer mounting unit (TRS) 18a '18b described later provided at the processing station 2.
  • TRS wafer mounting unit
  • FIG. 2 is a vertical sectional view showing a schematic structure of the ultraviolet irradiation unit (UV) 19.
  • the ultraviolet irradiation unit (UV) 19 is mounted on a stage 22 on which a wafer W is placed, a heater 23 for heating the stage 22, and a stage 22 inside a box 21 having one side open. And a UV light source 25 for irradiating the surface of the wafer W with UV light.
  • the ultraviolet light source 25 it is more preferable to use an ultraviolet lamp having an emission wavelength of 172 nm to 193 nm or an ArF excimer laser, preferably an excimer laser. This is because the molecular structure of the ArF resist film or the like is easily changed because the emission wavelength of the ultraviolet light source 25 is close to or the same as the exposure wavelength.
  • the temperature of the ueno and W is made uniform in the plane, and the molecular structure of the ArF resist film and the like caused by the irradiation of ultraviolet rays is uniformly changed. Can be.
  • the stage 22 is slidable horizontally left and right, and the ultraviolet light source 25 irradiates the ultraviolet power stage 22 side in a linear or band shape with the direction perpendicular to the paper as a longitudinal direction.
  • the ultraviolet light source 25 irradiates the ultraviolet power stage 22 side in a linear or band shape with the direction perpendicular to the paper as a longitudinal direction.
  • VOS film modification units
  • FIG. 3 is a vertical sectional view showing a schematic structure of the membrane modification unit (VOS) 15a.
  • the membrane modification unit (VOS) 15a has a chamber 30 for accommodating the wafer W, and the chamber 30 is composed of a fixed lower container 41a and a lid 41b covering the upper surface of the lower container 41a.
  • the 4 lb body can be moved up and down by a cylinder 43 fixed to a frame 42 of a membrane modification unit (VOS) 15a.
  • An O-ring 51 is arranged on the upper surface of the raised portion around the lower container 41a.
  • the lid 43b is lowered by driving the cylinder 43, the periphery of the back surface of the lid 41b is set upright on the periphery of the lower container 41a.
  • the O-ring 51 is compressed in contact with the upper surface of the raised portion to form a sealed processing space in the chamber 30.
  • the lower container 41a is provided with a stage 33 on which the wafer W is placed. On the surface of the stage 33, a plurality of proximity pins 44 supporting the wafer W are provided. A heater 45a is buried inside the stage 33, and a heater 45b is buried in the lid 41b, so that the stage 33 and the lid 41b can be respectively maintained at a predetermined temperature. In this way, the inside of the chamber 30 is maintained at a predetermined temperature, and the temperature of the wafer W can be kept constant.
  • the lid 41b On the back surface of the lid 41b, for example, three claw members 46 for holding the wafer W are provided at three places (only two places are shown in FIG. 3).
  • the main wafer transfer device 14 delivers and receives the power to the claw member 46.
  • the wafer W is transferred to the proximity pins 44 provided on the stage 33 during the lowering.
  • the gas outlet 34b for exhausting the three gases and water vapor to the outside is provided in the lower container 41a.
  • the height positions of the gas inlets 34a and the gas outlets 34b are shown below the height of the wafer W placed on the proximity pins 44.
  • the gas outlet 34b may be provided at a higher position.
  • O gas and water vapor are supplied to chamber 30 by being connected to gas inlet 34a of chamber 30.
  • the processing gas supply device 16 converts the oxygen gas (O gas) generated by oxidizing the oxygen gas (O gas) into a gas.
  • a steam supply unit 28 for sending to 30. For example, from the O gas supply unit 27 to the chamber
  • the supply of O gas to 30 is controlled by opening and closing valve 27a provided on the supply line.
  • An exhaust device 32 connected to the gas exhaust port 34b for exhausting the inside of the chamber 30 adjusts the flow rate of gas exhausted from the chamber 30 with a device for performing forced exhaust such as a vacuum pump or an aspirator. It has a variable valve for When maintaining the positive pressure in the chamber 30 while the gas is continuously supplied into the chamber 30, only the adjustment of the variable valve without driving the vacuum pump or the like is required.
  • a pressure sensor 48 for measuring the exhaust pressure (same as the pressure in the chamber 30) is attached to the gas outlet 34b provided in the chamber 30.
  • the mounting position of the pressure sensor 48 is not limited to this, but may be any place where the internal pressure of the chamber 30 can be measured.
  • the processing of the wafer W with the processing gas be performed while the inside of the chamber 30 is maintained at a constant positive pressure.
  • the sealing between the lower container 41a and the lid 4 lb is reduced by the pressing force of the cylinder 43 so that the processing gas does not flow from the inside of the chamber 30 to the outside through the space between the lower container 41a and the lid 41b.
  • This is performed by fastening the lower container 41a and the protrusions 47a'47b provided on the end surfaces of the lid 41b, which are only dependent on each other, by the lock mechanism 35.
  • One set of protrusions 47a'47b overlaps in the vertical direction.
  • four sets of protrusions 47a'47b are provided at equal intervals on the outer periphery of the chamber 30 , and a gap is provided between each set. 49 (see the right part of FIG. 3).
  • the locking mechanism 35 is a force for holding the lower container 41a and the lid 41b in close contact with each other by sandwiching the projection 47a'47b between the rollers 59a'59b. When the rollers 59a'59b are moved to the position of the gap 49, the lid is moved. 41b can be moved up and down freely.
  • liquid processing units (LCU) 12a to 12d for performing liquid processing on the wafers W that have been processed in the film modification units (VOS) 15a to 15h are arranged in two rows and two stages. (12b is located below 12a and 12d is located below 12c). Although the detailed structure of these liquid processing units (LCUs) 12a to 12d is not shown, a rotatable spin chuck for holding the wafer W, a cup surrounding the spin chuck, and a surface of the wafer W held by the spin chuck are provided. Nozzle for supplying alkaline chemical to the nozzle, Pure water nozzle for supplying pure water, and dry gas for wafer W during spin drying after rinsing with pure water And a gas injection nozzle for injecting.
  • the chemical station 5 includes the processing gas supply device 16 described above, N gas for purging the inside of the chamber 30 provided in the membrane modification units (VOS) 15a to 15h, and liquid processing.
  • VOS membrane modification units
  • N gas for supplying to the gas injection nozzle provided in the unit (LCU) 12a-12d is
  • a treatment liquid supply device 17 for supplying pure water or an alkaline chemical liquid to d is provided.
  • the O gas and water vapor from the processing gas supply device 16 to the chamber 30 the O gas
  • a predetermined amount of N gas may be supplied to the chamber 30 at the same time.
  • FIG. 4 shows a schematic configuration of a control system of the film removal system 100.
  • a control unit (that is, a computer) 110 for controlling the processing of the wafer W by the film removal system 100 includes a process controller (CPU) 111 and a command for a process manager to determine processing conditions and the like of the wafer W.
  • the data input / output unit 112 having a display for visualizing and displaying the operation results of the keyboard and the process controller (CPU) 111 for performing input operations and the progress of the cleaning process, etc., and the film removal system 100
  • a recording unit 113 in which data related to the program, recipe, executed processing, and the like are recorded.
  • the recording unit 113 includes, specifically, a UV irradiation treatment, a film denaturation treatment with O gas and water vapor, and a film stripping treatment with pure water or an alkaline chemical solution, which will be described later in detail.
  • Program 115 to execute the process, time distribution in a series of processing of wafer W, transfer route, selection and supply flow and time of pure water or alkaline chemical, supply of N gas
  • These processing programs 115 ⁇ recipes 116 include, for example, a fixed storage medium such as a hard disk (HD), a memory (RAM, etc.), a CD-ROM (or CD-R, etc.), a DVD-ROM (or DVD-R, etc.) It is recorded on various portable recording media such as a MO disk and the like, and is recorded so as to be readable by the process controller (CPU) 111.
  • the recording unit 113 stores data relating to the processing executed by the film removal system 100, for example, the lot number of the wafer w, the processing recipe used, the processing date and time, and the malfunction of various driving mechanisms during processing. It is possible to record execution data 117 such as presence / absence. Such execution data 117 can be copied and transferred to various portable recording media such as CD-R and MO disks!
  • the process controller (CPU) 111 reads the processing program 115 and the recipe 116, and sends, for example, a control signal for transferring the wafer W to the wafer transfer device 7 or the main wafer transfer device 14, Lit Control signal for turning off Z to ultraviolet irradiation unit (UV) 19, Control signal for opening and closing chamber 30 provided in membrane modification unit (VOS) 15a-15h to cylinder 43, O to chamber 30 For gas and steam supply and shutdown
  • Control signals are sent to the O gas supply unit 27 and the water vapor supply unit 28, and the liquid processing unit (LCU) 12a-1
  • a control signal for adjusting the supply flow rate of the pure water or the chemical solution to the wafer W in 2d is transmitted to the processing liquid supply device 17.
  • CPU central processing unit
  • CPU 111 preferably monitors the processing based on the measurement value of the pressure sensor 48, and issues a warning when an abnormality occurs.
  • bidirectional communication is performed in which data indicating execution of the operation of various mechanisms constituting the film removal system 100 is fed back to the process controller (CPU) 111.
  • FIG. 3 shows only main mechanisms and the like controlled by the process controller (CPU) 111, and does not show all of them.
  • FIG. 5 shows a schematic flowchart of the first method.
  • 6A to 6E are cross-sectional views schematically showing a process of removing the ArF resist film 66.
  • FIG. 6A shows an insulating film 60 on which a lower wiring (for example, copper wiring) 62 is formed via a noria metal layer 61, a stopper film (for example, a SiN film, a SiC film) 63, and an insulating film (for example, For example, SiO Wafer), an antireflection film 65 corresponding to ArF, and an ArF resist film 66
  • a circuit pattern similar to that of the ArF resist film 66 is formed on the insulating film 64 by, for example, a dry etching process.
  • the carrier C containing the wafer is mounted on a mounting table 6 provided in the carrier station 2 of the film removing system 100 by an operator or an automatic transfer device (Step 1).
  • a predetermined wafer is also taken out of the carrier C force by the main wafer transfer device 14 and transferred to the wafer mounting unit (TRS) 18b. Placed on top (step 2).
  • UV ultraviolet irradiation unit
  • the ultraviolet light source 25 irradiates the stage 22 with ultraviolet rays, and at this time, the stage 22 is horizontally scanned at a predetermined speed to be placed on the stage 22. Irradiate UV light uniformly on the entire surface of the wafer (Step 3).
  • the ArF resist film formed on the wafer is easily changed to water-soluble by the reaction between O gas and water vapor, which is performed later!
  • FIG. 6B schematically shows the state after the process of step 3.
  • the intensity of the ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source 25 may be increased, the scanning speed of the stage 22 may be reduced, or the number of times of scanning the wafer may be increased.
  • the wafer that has been subjected to the ultraviolet irradiation processing is transferred from the ultraviolet irradiation unit (UV) 19 to the film modification unit (VOS) 15a (or any force of 15b to 15h) by the main wafer transfer device 14 (step).
  • the heaters 45a and 45b provided in the chamber 30 are constantly generating heat, and after the temperature distribution of the wafer W accommodated in the chamber 30 becomes constant, the O gas is supplied first Only O gas from section 27 into chamber 30
  • the chamber 30 is supplied to purge the inside of the chamber 30, and the internal pressure of the chamber 30 is set to a predetermined positive pressure (that is, higher than the external pressure (normally, atmospheric pressure) of the chamber 30).
  • the temperature of the lid 41b is set to be higher than the temperature of the stage 33 by a predetermined temperature, when the steam is supplied into the chamber 30 later, the density of the water vapor in the chamber 30 is reduced.
  • the pressure is higher on the stage 33 side than on the 41b side, and the steam can be efficiently applied to the wafer W.
  • Step 5 the supply amount of O gas and water vapor to chamber 30 and the
  • the amount of exhaust from the nozzle 30 is adjusted so that dew does not occur in the chamber 30 and the inside of the chamber 30 has a predetermined positive pressure.
  • the O gas and water vapor form the wafer.
  • the polymer residue (for example, a polymer residue generated after the etching process) attached to the ArF resist film 66 and the wafer can be modified to be water-soluble. If dew condensation occurs on the surface of the wafer W, dissolution of the resist by water starts at the droplet generation portion, and the denatured state becomes non-uniform, resulting in a resist residue.
  • FIG. 6C schematically shows a state in which the ArF resist film has been denatured after the processing of Step 5 is completed.
  • the ArF resist film is modified to be water-soluble means that the ArF resist film changes to a property that is easily dissolved in pure water while remaining on the wafer.
  • the O gas and water vapor also damage the ArF resist film 66 and the force insulating film 64 that denatures the polymer residue.
  • the inside of the chamber 30 is purged. At this time, if a large amount of N gas is suddenly supplied into the chamber 30,
  • the supply flow rate of the nitrogen gas should be set relatively small at first, and a certain amount of N
  • the wafer W is unloaded from the film modification unit (VOS) 15a by the main wafer transfer unit 14, and the liquid treatment unit (LCU) 12a (or 12b—12d) (!, ⁇ ⁇ ) (Step 6).
  • VOS film modification unit
  • LCU liquid treatment unit
  • the wafer force ArF resist film 66 is removed by rotating the wafer while supplying a fixed amount of pure water to the surface of the wafer held in a substantially horizontal posture.
  • FIG. 6D schematically shows the state after the processing in step 7.
  • the polymer residue is also removed from the wafer.
  • the wafer W is rotated at a high speed to spin dry the wafer W (Step 8).
  • the process in step 8 is performed while blowing N gas on the surface of the wafer W.
  • the antireflection film 65 remains on the insulating film 64. Therefore, in order to remove the antireflection film 65, the process previously performed on the ArF resist film is repeated. That is, the wafer W after the processing in step 8 is transferred to the ultraviolet irradiation unit (UV) 19 (step 9), where the antireflection film 65 is irradiated with ultraviolet light (step 10). (UV) 19 to the membrane modification unit (V OS) 15a (step 11), where the O-reflection film 65 is
  • FIG. 6E schematically shows the state after the processing in step 15.
  • the wafer W from which the ArF resist film 66 and the antireflection film 65 have been removed in this way is carried out of the liquid processing unit (LCU) 12a by the main wafer transfer device 14, and the wafer mounting kit. (TRS) 18a, from which it is returned to the carrier C by the wafer transfer device 7 (step 16).
  • LCU liquid processing unit
  • TRS wafer mounting kit.
  • the carrier C force is also carried out and all wafers W that have been processed in the film removal system 100 are returned to the carrier C, the carrier C is transported to a device for performing the next process on the wafer W ( Step 17).
  • the antireflection film when the antireflection film is exposed on the surface of the wafer W, Clearly, it can be used to remove only the anti-reflective coating.
  • the antireflection film is not limited to the antireflection film corresponding to ArF, but may be a film corresponding to KrF line or g line.
  • the antireflection film corresponding to the KrF line or the g line can be removed in a short time according to the first method described above. be able to.
  • a total processing time, a processing cost, and a device cost can be reduced.
  • a spin-drying process was performed, and the removal rate of the resist film and the like was examined.
  • the processing conditions in the ultraviolet irradiation unit (UV) 19 are such that an excimer laser having an emission wavelength of 172 nm is used as the ultraviolet light source 25, the discharge frequency is set to 2000 kHz or 150 kHz, and the temperature of the wafer is set to room temperature (25 ° C.). C) or at 100 ° C. and scanning the wafer.
  • the processing conditions in the membrane modification unit (VOS) 15a-15h are as follows: ozone concentration: 200 g ZNm 3 , O gas flow rate: 4 LZmin, chamber temperature: 115 ° C, chamber pressure: 75 kPa, water
  • Qi supply time 60 seconds. Also, the N gas is supplied to the chamber 30 simultaneously with the supply of the O gas.
  • a wafer on which an ArF resist film was formed was processed in a film modification unit (VOS) 15a-15h without performing ultraviolet irradiation treatment under the same conditions as in the example, and further, a liquid processing unit ( In LCU) 12a-12d, water washing and spin drying were performed, and the stripping rate of the resist film and the like was examined.
  • VOS film modification unit
  • In LCU liquid processing unit
  • FIG. 7 shows a graph comparing the peeling rates of the example and the comparative example.
  • the measurement of the peeling rate was performed twice in each of the examples and the comparative examples.
  • the peeling rate is extremely low in the comparative example in which the ultraviolet irradiation treatment is not performed, the processing method in the comparative example cannot be practically used in the manufacturing process of the semiconductor device.
  • the wafer temperature has almost no effect on the peeling rate, but the peeling rate tends to increase when the discharge frequency is high, and a peeling rate about 35 to 50 times that of the comparative example is obtained. Have been. From this, the ArF resist film becomes O
  • the processing method of this embodiment can be sufficiently used in a semiconductor device manufacturing process.
  • the antireflection film 65 and the ArF resist film 66 are separately removed.
  • the antireflection film 65 and the ArF resist film 66 are simultaneously peeled off.
  • the processing is performed in the order of Steps 18 to 16 and 17 shown in FIG. 5, and the amount of ultraviolet irradiation (intensity This is done by increasing).
  • This second method can be used when there is no damage due to the irradiation of ultraviolet rays in portions other than the antireflection film 65 and the ArF resist film 66.
  • FIG. 8 shows a flowchart of a schematic removal process of the ArF resist film and the antireflection film of the third method.
  • the ArF resist film having a predetermined circuit pattern formed on the surface of the layer to be etched and the antireflection film are separately removed, but the film modification unit (VOS ) There is a difference in the treatment method of wafer W with O gas and water vapor at 15a.
  • the wafer W having been subjected to the ultraviolet irradiation treatment on the ArF resist film is carried into the film modification unit (VOS) 15a. I do.
  • the O gas is supplied into the chamber 30 at a constant flow rate, and the inside of the chamber 30 is pressurized (step 25).
  • step 26 the amount of exhaust from the chamber 30 is adjusted so that dew condensation does not occur in the chamber 30, and the inside of the chamber 30 is maintained at a constant pressure. This is because if dew forms on the surface of the wafer W, the resist dissolution starts at the area where water droplets are generated. This is because the state becomes non-uniform and a resist residue is generated.
  • the prevention of dew condensation is performed as follows. That is, the pressure at which dew condensation occurs in the chamber 30 when the inside of the chamber 30 is maintained at a predetermined temperature and the amount of steam supplied to the chamber 30 is constant is determined in advance, and the pressure is set to a value smaller than this pressure value. The processing pressure values are set, and these are added to the information of the recipe 116. Then, the process controller (CPU) 111 refers to the measurement value of the pressure sensor 48 so that the pressure in the chamber 30 does not exceed the pressure at which dew condensation occurs and is maintained at the set pressure value. To control the exhaust flow from.
  • step 27 By stopping, a large number of water molecules are periodically created in the chamber 30 (step 27). For example, when 15 seconds have elapsed since the start of steam supply,
  • step 27 the force that changes the total amount of gas supplied to the chamber 30 periodically is controlled by controlling the exhaust flow rate from the chamber 30 while referring to the measurement value of the pressure sensor 48 as described above.
  • the inside of the chamber 30 is maintained at a constant pressure.
  • step 27 it is preferable that the process of step 27 be completed in a state where the amount of water vapor in the chamber 30 is small, from the viewpoint of preventing the occurrence of dew condensation. Therefore, O gas and water
  • Step 28 After the completion of the processing in step 28, the wafer W is moved from the film modification unit (VOS) 15a to the cleaning unit (CLN) 12a (or in order to perform a water washing treatment for removing the water-soluble denatured ArF resist film from the wafer W. 12b—any of 12d) (Step 29).
  • VOS film modification unit
  • CLN cleaning unit
  • Step 32 the same processing as in Steps 22 to 31 is repeated for the anti-reflection film (Step 32), and the wafer W whose anti-reflection film has been peeled off is returned to the carrier C (Step 33).
  • the wafer W is transferred to an apparatus for performing the next processing (step 34).
  • a resist film is formed on each of two wafers W using the same resist material, and one is processed by the first method, and the other is processed by the third method.
  • the treatment time of the third method was less than 80% of that of the first method. This is presumed to be due to the fact that by creating an atmosphere with many water molecules, many portions of the resist film that are easily modified are created. If the inside of the chamber 30 is always kept high in water vapor, dew condensation tends to occur.However, if the supply of O gas is periodically stopped, dew condensation may occur.
  • the gas is not wasted and the efficiency of modifying the resist film is increased.
  • step 27 of the third method the supply of O gas is periodically completed as described above.
  • the cycle for stopping or reducing the gas supply does not need to be constant.
  • the first supply stop time and the subsequent supply stop time may be different.
  • the fourth method is similar to the first method described above except that the ArF resist film and the antireflection film are simultaneously separated from each other by the second method.
  • the ArF resist film and the antireflection film are simultaneously removed by increasing the amount (intensity) of ultraviolet irradiation.
  • the ultraviolet irradiation treatment and the subsequent treatment with O gas and water vapor are used.
  • the fifth method is a washing process performed in each of the first to fourth methods described above.
  • This is a treatment method in which the treatment is changed to a treatment using an alkaline chemical solution, and the other treatments are not changed.
  • an alkaline chemical solution is supplied to Ueno and W in a liquid processing unit (LCU) 12a to remove a resist film or an anti-reflection film to be removed.
  • LCU liquid processing unit
  • a rinsing process is performed to wash out the alkaline chemical solution with pure water, and then the wafer W is spin-dried.
  • Examples of the alkaline chemical solution used in the fifth method include an APM solution (aqueous ammonium hydrogen peroxide solution), an aqueous ammonium hydroxide solution (aqueous ammonia), and a tetramethyl ammonium hydroxide solution.
  • An aqueous solution of oxide (TMAH) is preferably used.
  • the alkaline chemical is not limited to an aqueous solution, but may be an organic one.
  • dew condensation is generated on the wafer W in the treatment with gas and water vapor.
  • the resist film hardened by the ion implantation process particularly The resist film that has been ion-implanted to have a density of 10 15 Zcm 2 or more can be removed at a high peeling rate.
  • the resist film is not limited to the ArF resist film, but may be a g-line or KrF line-compatible resist film.
  • resist films that have been subjected to high dose ion implantation must be removed by dry assing. In this case, the circuit pattern may be damaged at this time.
  • the use of water and the use of an alkaline chemical may be selected depending on the ion dose and the solubility of the resist film in each liquid.
  • a force indicating a configuration in which a unit for processing wafers W one by one is arranged in the processing station 2 thereof. Is more than one at a time (for example, 25
  • notch type unit for processing a single wafer w.
  • a semiconductor wafer is illustrated as the substrate, but the substrate is not limited to this, and may be a glass substrate for a flat panel display (FPD).
  • FPD flat panel display
  • the steam and steam may contain other components, such as hydrogen peroxide.
  • the present invention is suitable for a manufacturing process of a semiconductor device or a flat panel display, and an apparatus therefor.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

　ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。

Description

明 細 書
基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒 体
技術分野
[0001] 本発明は、基板に設けられた ArFレジストや反射防止膜、高ドーズイオン注入膜等 の難剥離性膜を基板から剥離するための基板処理方法、その基板処理方法を実行 するための基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。 背景技術
[0002] 半導体装置の製造工程にお 、ては、半導体装置の高集積化を目的として、フォトリ ソグラフィー工程で用いられる光の短波長化が進行しており、近時、 ArFエキシマレ 一ザを光源とする技術が実用化目前となっている。この ArFエキシマレーザを用いた フォトリソグラフィー工程は、従来の g線や i線等を用いたフォトリソグラフィー工程と同 様に、 ArFエキシマレーザの光に選択的に感光するレジスト膜 (以下「ArFレジスト膜 」という）を形成し、この ArFレジスト膜を所定の回路パターンが形成されたレチクルを 用いて露光し、その後に現像することにより、行われる。
[0003] このようにしてパター-ングされた ArFレジスト膜をマスクとして用いて、エッチング 処理や CVD法による金属材料の埋込処理、イオン注入処理等の種々溝配線要素の 形成処理が行われる。そして、このような処理が行われた後には、不要となった ArF レジスト膜を除去しなければならない。従来、不要となったレジスト膜の除去方法とし ては、例えば、特開 2002— 184741号公報には、水蒸気とオゾンガスの雰囲気でレ ジスト膜を水溶性に変性させ、この水溶性に変化したレジスト膜を水洗処理によって 除去する方法が開示されている。
[0004] し力しながら、 ArFレジスト膜のオゾンと水蒸気を用いた処理による剥離レートは極 めて小さい。そのため、 ArFレジスト膜を用いた生産プロセスにこの方法を採用するこ とは困難である。また、一般的に、 ArFレジスト膜の下地には ArFエキシマレーザの 反射を防止するための反射防止膜 (BARC)が形成されるが、この反射防止膜もまた オゾンと水蒸気を用いた処理による除去は困難である。さらに、 ArFレジスト膜に限ら ず、高ドーズ量でイオン注入処理されたレジスト膜は注入イオンによって硬化するた め、やはりオゾンと水蒸気を用いた処理のみによる除去が困難である。
発明の開示
[0005] 本発明は力かる事情に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィー工程で形成 され、エッチング処理やイオン注入処理、導体膜形成処理等の後に不要となった難 剥離性のレジスト膜や反射防止膜等の除去を容易に行うことができる基板処理方法 を提供することを目的とする。また、本発明は、このような基板処理方法を実行するた めの基板処理装置、その基板処理装置の制御に用いられるコンピュータ読み取り可 能な記録媒体を提供することを目的とする。
[0006] 本発明の第 1の観点によれば、 ArFレジスト膜を伴った基板カゝら前記 ArFレジスト 膜を除去するための基板処理方法であって、
前記 ArFレジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された ArFレジスト膜を水溶性に変性させる工程と、
水溶性に変性した ArFレジスト膜に純水を供給して、前記 ArFレジスト膜を基板か ら剥離する工程と、
を有する基板処理方法、が提供される。
[0007] この基板処理方法において、基板がさらに ArF線対応の反射防止膜を伴う場合、 この反射防止膜に ArFレジスト膜とともに紫外線を照射し、オゾンガスと水蒸気によつ て ArFレジスト膜とともに水溶性とし、純水によって ArFレジスト膜とともに基板から一 括して剥離する方法も好ま 、。
[0008] 本発明の第 2の観点によれば、反射防止膜を伴った基板力 前記反射防止膜を除 去するための基板処理方法であって、
前記反射防止膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された反射防止膜を水溶性に変性させる工程と、
水溶性に変性した反射防止膜に純水を供給して、前記反射防止膜を基板から剥 離する工程と、 を有する基板処理方法、が提供される。
[0009] 本発明の第 3の観点によれば、高ドーズでイオン注入処理されたレジスト膜を伴つ た基板力 前記レジスト膜を除去するための基板処理方法であって、
前記レジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射されたレジスト膜を水溶性に変性させる工程と、
水溶性に変性したレジスト膜に純水を供給して、前記レジスト膜を基板から剥離す る工程と、
を有する基板処理方法、が提供される。
この第 3の観点に係る基板処理方法は、イオン注入処理におけるドーズ量は 1 X 1 015Zcm2以上の場合に好適に用いられる。
[0010] これら第 1から第 3の観点に係る基板処理方法においては、基板が収容されたチヤ ンバに水蒸気とオゾンを供給して ArFレジスト膜や反射防止膜、高ドーズイオン注入 膜を水溶性に変性させる工程では、基板に結露が生じないようにチャンバへ水蒸気 を一定流量で供給しながら水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させることが好まし い。これにより、 ArFレジスト膜等の膜の変性を促進することができ、純水による剥離 が容易となる。このような処理方法におけるオゾンの供給態様としては、チャンバへの オゾンの供給を周期的に停止する方法を用いることが好ましい。チャンバ内での結露 を防止する方法としては、チャンバを所定の温度に保持してチャンバに供給する水 蒸気量を一定としたときに、チャンバ内で結露が生ずる圧力を予め求めておいて、実 際の基板の処理では、チャンバ内の圧力を測定しながら、その測定圧力が先に求め られた結露の生ずる圧力を超えな!/ヽように、オゾンの供給量を制御する方法が好適 に用いられる。
[0011] これらの基板処理方法において、チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チ ヤンバ内が一定の陽圧に保持されるようにチャンバから排気を行うことが好ましい。こ れにより ArFレジスト膜等の変性を促進することができる。
[0012] ところで、近時、 ArFレジスト膜等の材料は著しく変化 (進歩）しており、そのために 、上記第 1から第 3の観点に係る基板処理方法では、 ArFレジスト膜等を剥離できな いか、または剥離レートが長くなつて生産性が低下する問題が新たに生じてきている 。そこで、そのような材料力もなる膜の剥離レートを向上させるために、本発明は、以 下の第 4から第 6の観点に係る基板処理方法を提供する。
[0013] すなわち、本発明の第 4の観点によれば、 ArFレジスト膜を伴った基板カゝら前記 Ar
Fレジスト膜を除去するための基板処理方法であって、
前記 ArFレジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された ArFレジスト膜を所定の薬液に可溶となるように変性させる工程と 変性した ArFレジスト膜に前記薬液を供給して、前記 ArFレジスト膜を基板力ゝら剥 離する工程と、
を有する基板処理方法、が提供される。
[0014] 本発明の第 5の観点によれば、反射防止膜を伴った基板力 前記反射防止膜を除 去するための基板処理方法であって、
前記反射防止膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された反射防止膜を所定の薬液に可溶となるように変性させる工程と、 変性した反射防止膜に前記薬液を供給して、前記反射防止膜を基板力 剥離する 工程と、
を有する基板処理方法、が提供される。
[0015] 本発明の第 6の観点によれば、高ドーズでイオン注入処理されたレジスト膜を伴つ た基板力 前記レジスト膜を除去するための基板処理方法であって、
前記レジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射されたレジスト膜を所定の薬液に可溶となるように変性させる工程と、 変性したレジスト膜に前記薬液を供給して、前記レジスト膜を基板カゝら剥離するェ 程と、
を有する基板処理方法、が提供される。 [0016] これら第 4一第 6の観点に係る基板処理方法は、第 1一第 3の観点に係る基板処理 方法において、基板を水蒸気とオゾンで処理した後に、純水に代えてアルカリ性薬 液を用いて変性した膜を剥離するものである。このアルカリ性薬液としては、 APM溶 液、水酸ィ匕アンモ-ゥム水溶液、テトラメチルアンモ -ゥムハイド口オキサイド (TMA H)水溶液等が好適に用いられる。
[0017] 上記第 1一第 6の観点に係る基板処理方法においては、紫外線の照射には、波長 が 172nm— 193nmの紫外線ランプまたはエキシマレーザが好適に用いられる。
[0018] 本発明によれば、上記第 1一第 6の観点に係る基板処理方法を実行するための基 板処理装置が提供される。すなわち、本発明の第 7の観点によれば、 ArFレジスト膜 、反射防止膜、高ドーズイオン注入レジスト膜のいずれかの膜を備えた基板に紫外 線を照射する紫外線照射部と、
紫外線が照射された基板を収容する、加熱機構を備えたチャンバと、
前記チャンバに水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記チャンバにオゾンを供給するオゾン供給部と、
前記基板が収容されたチャンバの内部が所定の温度に保持され、前記チャンバ内 に所定流量で水蒸気とオゾンが供給されるように、前記チャンバと前記水蒸気供給 部と前記オゾン供給部とを制御する制御部と、
を具備する基板処理装置、が提供される。
[0019] この基板処理装置においては、制御部が、チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給 しながら、チャンバ内の基板に結露が生じないようにチャンバ内へのオゾン供給量を 減少させる制御を行う構成とすることが、好ましぐ例えば、チャンバへのオゾンの供 給を周期的に停止させる。この基板処理装置は、純水、 APM溶液、水酸化アンモ- ゥム水溶液、テトラメチルアンモ -ゥムハイド口オキサイド (TMAH)水溶液の!/、ずれ かを用いて基板を液処理する液処理部をさらに備えた構成とすることが好ましぐこ れにより、基板の水蒸気とオゾンによる処理と、その後の液処理とを、スムーズに行う ことができる。
[0020] 本発明によれば、基板処理装置を制御するためのプログラムを記録したコンビユー タ読み取り可能な記録媒体が提供される。すなわち、本発明の第 8の観点によれば、 加熱機構を備えたチャンバ内に収容された基板を、水蒸気とオゾンで処理する基板 処理装置を制御するコンピュータに、 (a)紫外線照射処理が施された ArFレジスト膜 、反射防止膜、高ドーズイオン注入レジスト膜のいずれかの膜を備えた基板を前記チ ヤンバに収容し、（b)前記チャンバの内部を所定の温度に保持し、（c)前記チャンバ 内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記基板に結露が生じな 、ように前記チヤ ンバ内へのオゾン供給量を減少させて、前記膜を所定の処理液に可溶となるように 変性させる、処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能 な記録媒体、が提供される。
[0021] これら本発明によれば、 ArFレジスト膜や反射防止膜、高ドーズ量のイオン注入処 理がされたレジスト膜等の難剥離性膜を、剥離対象物以外の部分にダメージを与え ることなぐ剥離することができる。また、基板を水蒸気とオゾンで処理する際に、水蒸 気に対するオゾン量を減少させてチャンバ内に水蒸気が多い状態を作り出すことに より、難剥離成膜の剥離レートを向上させることができる。さらに、基板を水蒸気とォゾ ンで処理した後の液処理においてアルカリ性薬液を用いることにより、難剥離成膜を より容易に剥離することができるようになり、さらに装置のスループットを短縮すること ができる。
図面の簡単な説明
[0022] [図 1]図 1は膜除去システムの概略平面図である。
[図 2]図 2は紫外線照射ユニット (UV)の概略断面図である。
[図 3]図 3は膜変性ユニット (VOS)の概略断面図である。
[図 4]図 4は膜除去システムにおける制御システムの概略構成を示す図である。
[図 5]図 5は ArFレジスト膜と反射防止膜の除去方法を示すフローチャートである。
[図 6A]図 6Aは ArFレジスト膜の除去プロセスを模式的に示す断面図である。
[図 6B]図 6Bは ArFレジスト膜の除去プロセスを模式的に示す断面図である。
[図 6C]図 6Cは ArFレジスト膜の除去プロセスを模式的に示す断面図である。
[図 6D]図 6Dは ArFレジスト膜の除去プロセスを模式的に示す断面図である。
[図 6E]図 6Eは ArFレジスト膜の除去プロセスを模式的に示す断面図である。
[図 7]図 7は実施例と比較例の剥離レートを比較して示すグラフである。 [図 8]図 8は ArFレジスト膜と反射防止膜の別の除去方法を示すフローチャートである 発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について具体的に説明する。
図 1は、半導体装置の製造工程で不用となった ArFレジスト膜や ArF線対応の反射 防止膜 (BARC)、高ドーズ量でイオン注入されたレジスト膜 (以下「ArFレジスト膜等 」と 、う）等を除去するための膜除去システム 100の概略構造を示す平面図である。
[0024] この膜除去システム 100は、ウェハ Wが収容されたキャリア Cが他の処理システム等 力も搬入され、逆に膜除去システム 100での処理が終了したウェハ Wが収容された キャリア Cを次の処理を行う処理システム等へ搬出するためのキャリアステーション 4と 、ウェハ Wに設けられた ArFレジスト膜等の変性処理およびその後の除去処理等を 行うための複数の処理ユニットを有する処理ステーション 2と、処理ステーション 2とキ ャリアステーション 4との間でウェハ Wの搬送を行う搬送ステーション 3と、処理ステー シヨン 2で使用する薬液や純水、ガス等の製造、調製、貯留を行うケミカルステーショ ン 5と、を具備している。
[0025] キャリアステーション 4は、図中 Y方向に沿って 3箇所にキャリア Cを載置できる載置 台 6を有している。キャリア Cの内部において、ウェハ Wは略水平姿勢で鉛直方向（Z 方向）に一定の間隔で収容されている。この載置台 6の下側のスペースに、膜除去シ ステム 100におけるウェハ Wの処理を制御するための制御部（コンピュータ）が組み 込まれている。搬送ステーション 3には、キャリアステーション 4の載置台 6に載置され たキャリア Cと処理ステーション 2に設けられた後述するウェハ載置ユニット (TRS) 18 a' 18bとの間でウエノ、 Wを搬送するウェハ搬送装置 7が配置されている。
[0026] 処理ステーション 2の搬送ステーション 3側には、上下 2段に積層されたウェハ載置 ユニット (TRS) 18a' 18b (18bは 18aの下側に配置）が配置されている。また、処理 ステーション 2の略中央部には、処理ステーション 2内においてウェハ Wを搬送する 主ウェハ搬送装置 14が設けられて 、る。処理ステーション 2のケミカルステーション 5 側には、ウェハ Wの表面に形成された ArFレジスト膜等に紫外線照射処理を施す紫 外線照射ユニット (UV) 19が配置されて ヽる。 [0027] 図 2に、紫外線照射ユニット (UV) 19の概略構造を示す垂直断面図を示す。この 紫外線照射ユニット (UV) 19は、一側面が開口された箱体 21の内部に、ウェハ Wを 載置するステージ 22と、このステージ 22を加熱するヒータ 23と、ステージ 22に載置さ れたウェハ Wの表面に紫外線を照射する紫外線光源 25と、を備えて 、る。
[0028] 紫外線光源 25としては、発光波長は 172nm— 193nmの紫外線ランプまたはェキ シマレーザを用いることが好ましぐ ArFエキシマレーザを用いることがより好ましい。 これは紫外線光源 25の発光波長が露光波長に近ぐまたは同じために、 ArFレジス ト膜等の分子構造を変化させやすいからである。ヒータ 23を加熱し、ステージ 22を介 してウエノ、 Wを加熱することにより、ウエノ、 Wの温度を面内で均一とし、紫外線照射 による ArFレジスト膜等の分子構造変化を均一に生じさせることができる。
[0029] ステージ 22は左右に水平にスライド自在であり、また、紫外線光源 25からは紙面に 垂直な方向を長手方向として線状または帯状に紫外線力ステージ 22側に照射され るようになっており、紫外線光源 25からステージ 22に向けて紫外線を照射しながら、 ステージ 22を左右にスライドさせることによって、ステージ 22に載置されたウェハ W の表面に紫外線を照射することができる。なお、箱体 21の内部の酸素濃度を低下さ せることができように、箱体 21内には窒素ガス (Nガス）を供給することができるように
2
なっている。
[0030] 処理ステーション 2の背面側には、紫外線照射処理が終了したウェハ Wに、オゾン ガス (Oガス）と水蒸気による処理を行う 8台の膜変性ユニット (VOS) 15a— 15hが 2
3
列 4段で配置されて!、る（ 15b— 15dは 15aの下に積み重ねられ、 15f— 15hは 15e の下に積み重ねられて、配置されている）。
[0031] 図 3に膜変性ユニット (VOS) 15aの概略構造を示す垂直断面図を示す。膜変性ュ ニット（VOS) 15aは、ウェハ Wを収容するチャンバ 30を有しており、チャンバ 30は固 定された下部容器 41aと、下部容器 41aの上面を覆う蓋体 41bから構成され、蓋体 4 lbは膜変性ユニット (VOS) 15aのフレーム 42に固定されたシリンダ 43によって昇降 自在である。
[0032] 下部容器 41a周縁の立起部の上面には Oリング 51が配置されている。シリンダ 43 を駆動して蓋体 41bを降下させると、蓋体 41bの裏面周縁が下部容器 41a周縁の立 起部の上面に当接し、 Oリング 51が圧縮されてチャンバ 30内に密閉された処理空間 が形成される。
[0033] 下部容器 41aにはウェハ Wを載置するステージ 33が設けられており、このステージ 33の表面には、ウェハ Wを支持するプロキシミティピン 44が複数箇所に設けられて いる。また、ステージ 33の内部にはヒータ 45aが埋設され、蓋体 41bにはヒータ 45b が埋設されており、ステージ 33と蓋体 41bをそれぞれ所定温度で保持することができ る。こうしてチャンバ 30内を所定温度に保持し、ウェハ Wの温度を一定に保持するこ とがでさる。
[0034] 蓋体 41bの裏面には、ウェハ Wを保持する爪部材 46が、例えば 3箇所（図 3では 2 箇所のみ図示）に設けられている。主ウェハ搬送装置 14はこの爪部材 46に対してゥ エノ、 Wの受け渡しを行う。爪部材 46がウェハ Wを保持した状態で蓋体 41bを降下さ せると、その降下途中でウェハ Wは、ステージ 33に設けられたプロキシミティピン 44 に受け渡しされる。
[0035] チャンバ 30の内部において Oガスと水蒸気が略水平方向に流れるように、 Oガス
3 3 と水蒸気を内部に導入するガス導入口 34aと O
3ガスと水蒸気を外部へ排気するガス 排出口 34bは、下部容器 41aに設けられている。なお、図 3では、ガス導入口 34aお よびガス排出口 34bの高さ位置がプロキシミティピン 44に載置されたウェハ Wの高さ よりも下側で示されている力 ガス導入口 34aおよびガス排出口 34bはこれよりも高い 位置に設けてもよい。
[0036] チャンバ 30のガス導入口 34aに接続され、 Oガスと水蒸気をチャンバ 30に供給す
3
る処理ガス供給装置 16は、酸素ガス (Oガス）をオゾンィ匕して生成させた Oガスをチ
2 3 ヤンバ 30へ送る Oガス供給部 27と、純水を気化させて水蒸気を発生させ、チャンバ
3
30へ送る水蒸気供給部 28と、を有している。例えば、 Oガス供給部 27からチャンバ
3
30への Oガス供給は、供給ラインに設けられた開閉バルブ 27aの開閉を操作するこ
3
と〖こよって行われる。同様に、水蒸気供給部 28からチャンバ 30へ水蒸気供給は供給 ラインに設けられた開閉バルブ 28aの開閉を操作することによって行われる。よって、 開閉バルブ 28aを開いて、開閉バルブ 27aを閉じれば、水蒸気のみが膜変性ュ-ッ ト（VOS) 15a— 15hに設けられたチャンバ 30へ供給される。 [0037] チャンバ 30内を排気するためにガス排出口 34bに接続された排気装置 32は、真 空ポンプまたはァスピレータ等の強制排気を行うための装置と、チャンバ 30から排気 されるガス流量を調整するための可変バルブを備えている。チャンバ 30内に連続し てガスが供給されている状態で、チャンバ 30内の陽圧に保持する場合には、真空ポ ンプ等を駆動することなぐ可変バルブの調整のみ行えばよ!、。
[0038] チャンバ 30に設けられたガス排出口 34bには、排気圧（チャンバ 30内の圧力に同 じ)を測定するための圧力センサ 48が取り付けられている。圧力センサ 48の取り付け 位置はこれに限定されるものではなぐチャンバ 30の内圧を測定することができる場 所であればよい。
[0039] 後述するように、ウェハ Wの処理ガスによる処理は、チャンバ 30の内部を一定の陽 圧に保持して行うことが好ましい。このため、チャンバ 30の内部から下部容器 41aと 蓋体 41bとの間を通って外部に処理ガスが流出しないように、下部容器 41aと蓋体 4 lbとの密閉を、シリンダ 43による押圧力に依存するだけでなぐ下部容器 41aと蓋体 41bの端面に設けられた突起部 47a'47bどうしをロック機構 35によって締め付けるこ とによって行う。
[0040] 1組の突起部 47a '47bは鉛直方向で重なっており、例えば 4組の突起部 47a '47b がチャンバ 30の外周に等間隔に設けられており、各組の間には間隙部 49 (図 3の右 側部分参照）が形成されている。ロック機構 35はローラ 59a' 59bで突起部 47a '47b を挟み込むことによって下部容器 41aと蓋体 41bとを密着させる力 間隙部 49の位 置にローラ 59a' 59bが移動している状態では蓋体 41bの昇降を自由に行うことがで きる。
[0041] 処理ステーション 2の正面側には、膜変性ユニット（VOS) 15a— 15hにおける処理 の終了したウェハ Wを液処理する液処理ユニット（LCU) 12a— 12dが 2列 2段で配 置されている（12bは 12aの下に配置され、 12dは 12cの下に配置されている）。これ ら液処理ユニット（LCU) 12a— 12dの詳細な構造は図示しないが、ウェハ Wを保持 する回転自在なスピンチャックと、スピンチャックを囲繞するカップと、スピンチャックに 保持されたウェハ Wの表面にアルカリ性薬液を供給する薬液ノズルと、純水を供給 する純水ノズルと、純水によるリンス処理の後のスピン乾燥時にウェハ Wに乾燥ガス を噴射するガス噴射ノズルと、を有している。
[0042] ケミカルステーション 5には、先に説明した処理ガス供給装置 16と、膜変性ユニット（ VOS) 15a— 15hに設けられたチャンバ 30内をパージするための Nガスや、液処理
2
ユニット（LCU) 12a— 12dに設けられたガス噴射ノズルに供給するための Nガスを、
2 各ユニットに供給するための Nガス供給装置 29と、液処理ユニット (LCU) 12a— 12
2
dへ純水やアルカリ性薬液を供給する処理液供給装置 17が設けられて ヽる。なお、 処理ガス供給装置 16から Oガスと水蒸気をチャンバ 30に供給する際には、 Oガス
3 3 と水蒸気による ArFレジスト膜等の変性に悪影響がない範囲で、 Nガス供給装置 29
2
から所定量の Nガスを同時にチャンバ 30に供給してもよ 、。
2
[0043] 図 4に膜除去システム 100の概略の制御システムの構成を示す。膜除去システム 1 00によるウェハ Wの処理を制御するための制御部（つまり、コンピュータ） 110は、プ ロセスコントローラ (CPU) 111と、工程管理者がウェハ Wの処理条件等を決定する ためのコマンド入力操作等を行うキーボードやプロセスコントローラ（CPU) 111によ る演算結果、洗浄処理の進行状態等を可視化して表示するディスプレイ等を有する データ入出力部 112と、膜除去システム 100を制御するためのプログラムやレシピ、 実行された処理に関係するデータ等が記録された記録部 113と、を有している。
[0044] 記録部 113には、具体的には、後に詳細に説明する、ウェハ Wに対して紫外線照 射処理、 Oガスと水蒸気による膜変性処理、純水またはアルカリ性薬液による膜剥
3
離のための液処理に至る一連の処理を施すために、膜除去システム 100におけるゥ エノ、 Wの搬送、各処理ユニットを構成する各種の電装品や機械駆動のための機構、 Oガスと水蒸気や純水等の供給と停止等の制御をプロセスコントローラ（CPU) 111
3
に実行させるための処理プログラム 115や、ウェハ Wの一連の処理における時間配 分、搬送ルート、純水やアルカリ性薬液の選択と供給流量および時間、 Nガスの供
2 給量等が記録されたレシピ 116が記録されて 、る。これらの処理プログラム 115ゃレ シピ 116は、例えば、ハードディスク（HD)、メモリー (RAM等）の固定記憶媒体や、 CD-ROM (または CD— R等）、 DVD— ROM (または DVD— R等）、 MOディスク等の 可搬性のある各種記録媒体に記録されており、プロセスコントローラ (CPU) 111によ つて読み取り可能に記録されている。 [0045] また、記録部 113には、膜除去システム 100で実行された処理に関するデータ、例 えば、ウェハ wのロット番号、用いられた処理レシピ、処理日時、処理中の各種駆動 機構の動作不良の有無等の実行データ 117を記録することができるようになつている 。このような実行データ 117は、 CD— Rや MOディスク等の可搬性のある各種記録媒 体にコピーや移し替えできるようになって!/、る。
[0046] プロセスコントローラ（CPU) 111は、処理プログラム 115とレシピ 116を読み取って 、例えば、ウェハ Wの搬送のための制御信号をウェハ搬送装置 7や主ウェハ搬送装 置 14へ、紫外線光源 25の点灯 Z消灯のための制御信号を紫外線照射ユニット (U V) 19へ、膜変性ユニット（VOS) 15a— 15hに設けられたチャンバ 30の開閉のため の制御信号をシリンダ 43へ、チャンバ 30への Oガスと水蒸気の供給と停止のための
3
制御信号を Oガス供給部 27と水蒸気供給部 28へ、液処理ユニット (LCU) 12a— 1
3
2dにおけるウェハ Wへの純水や薬液の供給流量を調整するための制御信号を処理 液供給装置 17へ、送信する。
[0047] なお、膜変性ユニット（VOS) 15a— 15hでの処理においては、プロセスコントローラ
(CPU) 111は、圧力センサ 48の測定値に基づいて、処理を監視し、異常が生じた 場合に警報を発令する構成とすることが好ましい。また、膜除去システム 100を構成 する各種機構等力もその動作の実行を示すデータがプロセスコントローラ (CPU) 11 1にフィードバックされる双方向通信が行われる構成も好ましい。なお、図 3には、プロ セスコントローラ（CPU) 111によって制御される主な機構等のみを示しており、全て を示してはいない。
[0048] 次に、上述した膜除去システム 100を用いてウェハ Wに形成された ArFレジスト膜 等を除去する方法について、第 1一第 5の方法を例示して説明する。まず、第 1の方 法では、エッチング対象層の表面に形成された所定の回路パターンを有する ArFレ ジスト膜および反射防止膜を別々に除去する。図 5に、第 1の方法の概略のフローチ ヤートを示す。また、図 6A—図 6Eは ArFレジスト膜 66の除去過程を模式的に示す 断面図である。
[0049] 図 6Aには、ノリアメタル層 61を介して下部配線 (例えば、銅配線) 62が形成されて いる絶縁膜 60と、ストッパー膜 (例えば、 SiN膜、 SiC膜) 63と、絶縁膜 (例えば、 SiO 膜) 64と、 ArF対応の反射防止膜 65と、 ArFレジスト膜 66と、有するウェハ（ウェハ
2
自体は図示しない）が示されている。ここで絶縁膜 64には、例えばドライエッチング処 理により、 ArFレジスト膜 66と同様の回路パターンが形成されている。
[0050] このウェハを収容したキャリア Cが、オペレータまたは自動搬送装置によって膜除去 システム 100のキャリアステーション 2に設けられた載置台 6に載置される（ステップ 1) 。主ウェハ搬送装置 14によってキャリア C力も所定のウェハが取り出されてウェハ載 置ユニット (TRS) 18bへ搬送され、そこ力も主ウェハ搬送装置 14によって紫外線照 射ユニット (UV) 19に搬送され、ステージ 22上に載置される (ステップ 2)。
[0051] 紫外線照射ユニット (UV) 19では、 Nガスを箱体 21内に供給して箱体 21の内部
2
の酸素濃度を所定値以下に低減した状態において、紫外線光源 25からステージ 22 側に紫外線を照射し、このときにステージ 22を所定の速度で水平方向にスキャンさ せることにより、ステージ 22に載置されたウェハの表面全体に均一に紫外線を照射 する (ステップ 3)。
[0052] この紫外線照射処理によって、ウェハに形成されている ArFレジスト膜は、後に行 われる Oガスと水蒸気との反応によって水溶性へと変化しやす!/ヽ性質に変化する。
3
図 6Bはステップ 3の処理後の状態を模式的に示している。なお、ウェハへの紫外線 照射量を多くしたい場合には、紫外線光源 25から照射される紫外線強度を高め、ま たはステージ 22のスキャン速度を遅くし、或いはウェハのスキャン回数を増やせばよ い。
[0053] 紫外線照射処理が終了したウェハは、主ウェハ搬送装置 14によって、紫外線照射 ユニット（UV) 19から膜変性ユニット（VOS) 15a (または 15b— 15hのいずれ力、）に 搬送される (ステップ 4)。膜変性ユニット (VOS) 15aでは、チャンバ 30に設けられた ヒータ 45a · 45bを常時発熱させており、チャンバ 30に収容されたウェハ Wの温度分 布が一定となった後に、最初に Oガス供給部 27から Oガスのみをチャンバ 30内に
3 3
供給してチャンバ 30の内部をパージし、チャンバ 30の内圧を所定の陽圧（つまり、チ ヤンバ 30の外圧 (通常、大気圧)より高い状態）とする。
[0054] なお、蓋体 41bの温度をステージ 33の温度よりも所定温度高く設定すると、後にチ ヤンバ 30内に水蒸気を供給した際に、チャンバ 30内における水蒸気の密度が蓋体 41b側よりもステージ 33側で高くなり、水蒸気を効率的にウェハ Wにあてることができ る。
[0055] その後、 Oガスの供給を継続したまま、水蒸気供給部 28から水蒸気をチャンバ 30
3
に供給する（ステップ 5)。この間、チャンバ 30への Oガスと水蒸気の供給量とチャン
3
ノ 30からの排気量は、チャンバ 30内で結露が生じないように、かつ、チャンバ 30内 が所定の陽圧となるように、調整される。この Oガスと水蒸気によってウェハに形成さ
3
れて 、る ArFレジスト膜 66とウェハに付着して!/、るポリマー残渣（例えば、エッチング 処理後に生ずるポリマー残渣)を水溶性へと変性させることができる。ウェハ Wの表 面で結露が生じてしまうと、その液滴発生部分に水によるレジストの溶解が始まってし まうために変性状態が不均一となり、レジスト残渣が生ずるからである。
[0056] 図 6Cは、ステップ 5の処理が終了して、 ArFレジスト膜が変性した状態を模式的に 示している。なお、「ArFレジスト膜が水溶性へ変性する」とは、 ArFレジスト膜がゥェ ハ上に残った状態で純水に溶解し易い性質に変化することを意味する。また、この O ガスと水蒸気は、 ArFレジスト膜 66とポリマー残渣を変性させる力 絶縁膜 64にダメ
3
ージを与えることはない。
[0057] ウェハ Wの Oガスと水蒸気による処理が終了したら、チャンバ 30への Oガスと水蒸
3 3 気の供給を停止して、 Nガス供給装置 29からチャンバ 30内に Nガスを供給し、チヤ
2 2
ンバ 30内をパージする。このとき、大量の Nガスを急にチャンバ 30内に供給すると、
2
チャンバ 30内での急激な圧力変化によってウエノ、 Wに結露が生じるおそれがあるの で、最初は窒素ガスの供給流量を比較的小さく設定し、チャンバ 30内に一定量の N
2 ガスが供給された後に、 Nガス供給流量を増大させるとともに、排気流量を多くする
2
ことが好ましい。これにより Nガスによるパージ時間を短縮することもできる。なお、こ
2
の Nガスパージでは、後にチャンバ 30を開いたときに排気装置 32から Oガスが逆
2 3 流して Oガスがチャンバ 30から排出されないように、排気装置 32内からも Oガスを
3 3 完全に排出する。
[0058] チャンバ 30の Nガスパージが終了したら、チャンバ 30の内圧が外気圧と同じであ
2
ることを確認してチャンバ 30を開く。ステップ 5の処理後には、 ArFレジスト膜は水溶 性に変性している力 ウェハ Wから剥離はしていない。そのため、変性した ArFレジ スト膜を水洗してウェハ wから剥離（除去)するために、ウェハ Wを主ウェハ搬送装置 14によって膜変性ユニット (VOS) 15aから搬出し、液処理ユニット (LCU) 12a (また は 12b— 12dの!、ずれか）へ搬入する（ステップ 6)。
[0059] 液処理ユニット (LCU) 12aでは、例えば、略水平姿勢に保持されたウェハの表面 に一定量の純水を供給しながらウェハを回転させることにより、ウェハ力 ArFレジス ト膜 66を除去する (ステップ 7)。図 6Dは、ステップ 7の処理後の状態を模式的に示し ている。ステップ 7の処理においては、ポリマー残渣もウェハから除去される。ステップ 7の水洗処理が終了したら、ウェハ Wを高速回転させて、ウェハ Wをスピン乾燥させ る（ステップ 8)。このステップ 8の処理は、ウェハ Wの表面に Nガスを吹き付けながら
2
行うことも好まし 、。
[0060] このステップ 8の処理が終了した時点で、絶縁膜 64上には反射防止膜 65が残って いる。そこで、この反射防止膜 65を除去するために、先に ArFレジスト膜に対して行 つたプロセスを繰り返す。すなわち、ステップ 8の処理が終了したウェハ Wを、紫外線 照射ユニット (UV) 19へ搬送し (ステップ 9)、そこで反射防止膜 65に紫外線を照射し (ステップ 10)、次いでウェハ Wを紫外線照射ユニット (UV) 19から膜変性ユニット (V OS) 15aへ搬送し (ステップ 11)、そこで Oガスと水蒸気によって反射防止膜 65を水
3
溶性に変性させ (ステップ 12)、続いてウェハ Wを膜変性ユニット (VOS) 15aから液 処理ユニット（LCU) 12aへ搬送し (ステップ 13)、そこでウェハ Wを水洗処理して変 性した反射防止膜 65を除去し (ステップ 14)、ウェハ Wをスピン乾燥させる (ステップ 15)。こうして、反射防止膜 65を絶縁膜 64上から除去することができる。図 6Eは、ス テツプ 15の処理後の状態を模式的に示して 、る。
[0061] このようにして ArFレジスト膜 66と反射防止膜 65が除去されたウェハ Wは、主ゥェ ハ搬送装置 14によって液処理ユニット（LCU) 12aから搬出されて、ウェハ載置ュ- ット (TRS) 18aに搬送され、そこからウェハ搬送装置 7によってキャリア Cに戻される（ ステップ 16)。キャリア C力も搬出され、膜除去システム 100での処理が終了したゥェ ハ Wが全てキャリア Cに戻されたら、キャリア Cはウェハ Wに対して次の処理を行う装 置等へ搬送される (ステップ 17)。
[0062] この第 1の方法は、ウェハ Wの表面に反射防止膜が露出して 、る場合には、その 反射防止膜のみを除去するために用いることができることは、明らかである。その場 合に、反射防止膜は ArF対応の反射防止膜に限定されるものではなぐ KrF線や g 線に対応したものであってもよい。このような KrF線や g線対応の反射防止膜は、従 来、 CMP法やドライアツシング処理によって除去されていた力 上述した第 1の方法 によれば、短時間で反射防止膜を除去することができる。また、ウェハ Wを CMP処理 やドライアツシング処理を行う装置に搬送する必要がな 、ために、トータルで処理時 間や処理コスト、装置コストを低減することができる。
[0063] 次に、この第 1の方法による実施例と比較例について説明する。 ArFレジスト膜が 形成されたウェハを複数準備した。実施例では、これらのウェハに、紫外線照射ュ- ッ HUV) 19における紫外線照射処理と、膜変性ユニット (VOS) 15a— 15hにおける Oガスと水蒸気による処理と、液処理ユニット (LCU) 12a— 12dにおける水洗処理と
3
スピン乾燥処理を行 ヽ、レジスト膜等の剥離レートを調べた。
[0064] ここで、紫外線照射ユニット (UV) 19における処理条件は、紫外線光源 25として発 光波長 172nmのエキシマレーザを用い、この放電周波数を 2000kHzまたは 150k Hzとし、ウェハの温度を室温（25°C)または 100°Cとし、ウェハをスキャンして行った 。また、膜変性ユニット (VOS) 15a— 15hにおける処理条件は、オゾン濃度： 200g ZNm3、 Oガス流量： 4LZmin、チャンバ温度： 115°C、チャンバ圧力： 75kPa、水
3
蒸気流量： 8mLZmin、水蒸気温度： 120°C、水蒸気圧力： 95kPa、 Oガスと水蒸
3
気の供給時間： 60秒、とした。また、チャンバ 30には、 Oガスの供給と同時に Nガス
3 2 を 4mLZminで供給した。
[0065] 比較例として、 ArFレジスト膜が形成されたウェハを、紫外線照射処理を行うことな ぐ膜変性ユニット (VOS) 15a— 15hにおいて実施例と同条件で処理し、さらに液処 理ユニット（LCU) 12a— 12dにおいて水洗処理とスピン乾燥処理を行い、レジスト膜 等の剥離レートを調べた。
[0066] 図 7に実施例と比較例の剥離レートを比較したグラフを示す。剥離レートの測定は、 実施例および比較例ともに 2回ずつ行っている。図 7から明らかなように、紫外線照射 処理を行っていない比較例では剥離レートが極めて小さいために、事実上、比較例 の処理方法は、半導体装置の製造プロセスには採用できない。これに対して、実施 例では、ウェハの温度は剥離レートに殆ど影響を及ぼしていないが、放電周波数が 高い場合に剥離レートが向上する傾向が現れており、比較例の約 35倍一 50倍の剥 離レートが得られている。このことから、紫外線照射処理によって ArFレジスト膜が O
3 ガスと水蒸気による処理によって水溶性に変性しやすい性質に変化したものと考えら れる。しかしながら、紫外線照射処理による ArFレジスト膜の変性の原理は明らかで はない。このような実施例の処理方法は、十分に半導体装置製造プロセスに用いるこ とがでさる。
[0067] 上記第 1の方法では、反射防止膜 65と ArFレジスト膜 66とを別々に除去したが、第 2の方法では、反射防止膜 65と ArFレジスト膜 66とを同時に剥離させる。この第 2の 方法では、先に図 5に示したステップ 1一 8, 16, 17の順に処理を行い、そのときのス テツプ 3の処理にぉ 、て、紫外線照射処理における紫外線照射量 (強度）を増やすこ とによって、実行される。この第 2の方法は、反射防止膜 65と ArFレジスト膜 66以外 の部分で、紫外線照射によるダメージがない場合に用いることができる。
[0068] 次に第 3の方法について説明する。図 8に、第 3の方法の ArFレジスト膜と反射防止 膜の概略の除去プロセスのフローチャートを示す。この第 3の方法では、第 1の方法と 同様に、エッチング対象層の表面に形成された所定の回路パターンを有する ArFレ ジスト膜および反射防止膜を別々に除去するが、膜変性ユニット (VOS) 15aにおけ るウェハ Wの Oガスと水蒸気による処理方法に相違があるので、その点について詳
3
しく説明する。
[0069] 先に図 5に示したステップ 1一 4と同じ処理のステップ 21— 24にしたがって、 ArFレ ジスト膜への紫外線照射処理が終了したウェハ Wを膜変性ユニット (VOS) 15aに搬 入する。次に、チャンバ 30に収容されたウエノ、 Wの温度分布がほぼ一定となったら、 チャンバ 30内へ Oガスを一定流量で供給し、チャンバ 30内を加圧する（ステップ 25
3
) o次いで、 Oガスを一定流量で供給しながら、水蒸気をチャンバ 30内^
3 ^一定流量 で供給する (ステップ 26)。
[0070] ステップ 26では、チャンバ 30内で結露が生じな!/、ように、チャンバ 30からの排気量 を調整し、チャンバ 30内を一定の圧力に保持する。これは、ウェハ Wの表面で結露 が生じてしまうと、水滴が発生した部分でのレジスト溶解が始まってしまうために変性 状態が不均一となり、レジスト残渣が生ずるからである。
[0071] この結露防止は、より具体的には、次のようにして行われる。すなわち、予めチャン バ 30内を所定温度に保持してチャンバ 30に供給する水蒸気量を一定としたときにチ ヤンバ 30内で結露が生ずる圧力を求めておいて、この圧力値よりも小さい値に処理 圧力値を設定し、これらをレシピ 116の情報にカ卩えておく。そして、プロセスコントロー ラ（CPU) 111が、圧力センサ 48の測定値を参照しながら、チャンバ 30内の圧力が 結露の生ずる圧力を超えず、設定された圧力値で維持されるように、チャンバ 30から の排気流量を制御する。
[0072] 次に、チャンバ 30内への水蒸気の供給を継続しながら、 Oガスの供給を周期的に
3
停止することによって、チャンバ 30内に水分子の多 、状態を周期的に作り出す (ステ ップ 27)。例えば、水蒸気の供給を開始してから 15秒が経過したときに Oガスの供
3 給を停止して 5秒間保持し、続いてオゾンの供給を再開して 15秒間保持した後、再 びオゾンの供給を停止して 5秒間保持する、という処理を、複数回繰り返す。このステ ップ 27では、周期的にチャンバ 30へ供給されるガスの総量が変化する力 上述した ように、圧力センサ 48の測定値を参照しながら、チャンバ 30からの排気流量を制御 することにより、チャンバ 30内は一定の圧力に保持される。
[0073] このステップ 26, 27の処理において、 Oガスと水の分子は、 ArFレジスト膜を構成
3
する炭素原子 (レジスト材料の炭素原子)を攻撃して、 ArFレジスト膜を水溶性へと変 化させる。
[0074] ステップ 27の処理は、チャンバ 30内の水蒸気量が少ない状態で終了することが、 結露の発生を防止する観点から好ましい。したがって、チャンバ 30内に Oガスと水
3 蒸気が供給されている状態で Oガスと水蒸気の双方のチャンバ 30内への供給を停
3
止するととも〖こ、チャンノ 30内に Nガスを導入し、チャンノ 30内を Nガスでパージ
2 2
する（ステップ 28)。ステップ 28の処理終了後は、ウェハ Wから水溶性に変性した Ar Fレジスト膜を除去する水洗処理を行うために、ウェハ Wを膜変性ユニット (VOS) 15 aから洗浄ユニット（CLN) 12a (または 12b— 12dのいずれか）に搬送する（ステップ 2 9)。
[0075] その後は、先に説明した第 1の方法におけるステップ 7, 8と同じ処理であるステップ 30の水洗処理、ステップ 31の乾燥処理を行う。次に、反射防止膜についてステップ 22— 31と同じ処理を繰り返し (ステップ 32)、こうして反射防止膜も剥離処理されたゥ ェハ Wは、キャリア Cに戻され (ステップ 33)、さらにキャリア Cはウェハ Wに対して次 の処理を行う装置等へ搬送される (ステップ 34)。
[0076] 同じレジスト材料を用いて 2枚のウェハ Wにそれぞれレジスト膜を形成し、一方を第 1の方法で処理し、他方を第 3の方法で処理した場合に、水洗処理によって完全にレ ジスト膜を除去することができるオゾンと水蒸気による処理時間を調べた結果、第 3の 方法では第 1の方法に比べて 80%以下の処理時間で足りることがわ力つた。これは 、水分子が多い雰囲気を作り出すことによって、レジスト膜に変性しやすい部分が多 く作り出されるためと推測される。常にチャンバ 30内を水蒸気の多い状態に維持する と結露が生じやすくなるが、 Oガスの供給を周期的に停止する方法では、結露の発
3
生が抑制され、また、変性に必要な Oガスは不足しないようにチャンバ 30に供給さ
3
れるので、 oガスは無駄に消費されず、し力もレジスト膜を変性させる効率が高めら
3
れる。
[0077] この第 3の方法のステップ 27においては、上述のように Oガスの供給を周期的に完
3
全に停止するのではなぐ oガスの流量を周期的に低減する方法を採ってもよい。ま
3
た、 oガスの供給を停止または流量低減する場合の周期は、一定である必要はなく
3
、例えば、最初の供給停止時間とその次の供給停止時間とが異なっていてもよい。
[0078] 第 4の方法は、先に説明した第 1の方法を ArFレジスト膜と反射防止膜を同時に剥 離させる第 2の方法に変更したのと同様にして、上述した第 3の方法における紫外線 照射処理において、紫外線照射量 (強度)を増すことにより、 ArFレジスト膜と反射防 止膜を同時に剥離させる方法である。
[0079] 上述した第 1一第 4の方法は、紫外線照射処理とその後の Oガスと水蒸気による処
3
理によって、剥離対象である膜が水溶性に変化する場合に用いられるものであるが、 ArFレジスト膜や反射防止膜の中には、これらの方法では、ウェハ Wから容易に剥離 できな 、か、または剥離できるとしても長 、処理時間を必要として実用的でな 、もの がある。そこで、第 5の方法では、そのような膜を容易にウェハ Wから剥離させる。
[0080] この第 5の方法は、上述した第 1一第 4のそれぞれの方法において行われる水洗処 理を、アルカリ性薬液を用いた処理に変更した処理方法であり、それ以外の処理は 変更しないものである。この第 5の方法では、液処理ユニット（LCU) 12aにおいて、 ウエノ、 Wにアルカリ性薬液を供給して剥離対象のレジスト膜や反射防止膜を剥離し、 次！、で純水でアルカリ性薬液を洗い出すリンス処理を行 、、その後にウェハ Wをスピ ン乾燥させる。
[0081] この第 5の方法において用いられるアルカリ性薬液としては、 APM溶液 (アンモ- ァ一過酸ィ匕水素水溶液）、水酸ィ匕アンモ-ゥム水溶液 (アンモニア水）、テトラメチルァ ンモ -ゥムハイド口オキサイド (TMAH)水溶液が好適に用いられる。これらアルカリ 性水溶液に含まれ、純水には実質的に含まれていないアルカリ性基 (NH +
4、K+等） 力 オゾンと水蒸気によって変性したレジスト膜の分子と容易に結合し、溶解させるも のと推測される。アルカリ性薬液は水溶液に限られるものではなぐ有機系のものでも よい。
[0082] この第 5の方法を用いる場合にぉ 、て、処理面にタングステン等の金属が露出して Vヽる場合には、金属がダメージを受けな ヽアルカリ性水溶液を選択することが必要で ある。このような水溶液としては、水酸ィ匕アンモ-ゥム水溶液と ΤΜΑΗ液が好適であ る。なぜなら、 ΑΡΜ水溶液は過酸ィ匕水素を含んでいるために、これによつて金属が ダメージを受ける力 である。
[0083] この第 5の方法でも、 Οガスと水蒸気による処理においては、ウェハ Wに結露を生
3
じさせないように、水蒸気供給量等の条件を調整する。これは、この第 5の方法では、 剥離対象である膜は、 Οガスと水蒸気による処理において結露が発生すると、その
3
水滴の直下の部分を変性させることができなくなり、後のアルカリ性水溶液による処 理後にレジスト残渣が生ずるからである。
[0084] 以上、 ArFレジスト膜と反射防止膜をウェハ Wから剥離する方法について説明した 1S 上記第 1一第 5の方法によれば、イオン注入処理によって硬化したレジスト膜、特 にイオンドーズ量が 1015Zcm2以上となるようにイオン注入処理されたレジスト膜を、 高い剥離レートで除去することができる。この場合、レジスト膜は ArFレジスト膜に限ら れず、 g線対応や KrF線対応のレジスト膜であっても構わない。高ドーズ量のイオン 注入処理が行われたレジスト膜は、従来はドライアツシング処理によって除去しなけ ればならず、このときに回路パターンがダメージを受ける場合があった。しかし、第 1 一第 5の方法によれば、回路パターンへのダメージを抑制して、高ドーズ量でイオン 注入されたレジスト膜を除去することができる。 Oガスと水蒸気による処理の後に、純
3
水を用いる力、アルカリ性薬液を用いるかは、イオンドーズ量やレジスト膜の各液体 への溶解性に応じて、選択すればよい。
[0085] 以上、本発明の実施の形態について説明した力 本発明はこのような形態に限定 されるものではない。例えば、膜除去システム 100として、その処理ステーション 2に、 ウェハ Wを 1枚ずつ処理するユニット (所謂、枚葉式ユニット）を配置した構成を示し た力 例えば、 Oガスと水蒸気による処理や水洗処理は、一度に複数 (例えば、 25
3
枚）のウェハ wを処理するユニット（所謂、ノ ツチ式ユニット）を配置してもよい。また、 上記説明においては、基板として半導体ウェハを例示したが、基板はこれに限定さ れず、フラットパネルディスプレイ（FPD)用のガラス基板であってもよい。なお、 Oガ
3 スと水蒸気には、それ以外の別の成分、例えば、過酸ィ匕水素等を含有させてもよい。
[0086] 以上説明した実施の形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにすることを 意図するものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるもので はなぐ本発明の精神とクレームに述べる範囲で、種々に変更して実施することがで きるものである。
産業上の利用可能性
[0087] 本発明は、半導体装置やフラットパネルディスプレイの製造プロセス、およびそのた めの装置に好適である。

Claims

請求の範囲
[1] ArFレジスト膜を伴った基板カゝら前記 ArFレジスト膜を除去するための基板処理方 法であって、
前記 ArFレジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された ArFレジスト膜を水溶性に変性させる工程と、
水溶性に変性した ArFレジスト膜に純水を供給して、前記 ArFレジスト膜を基板か ら剥離する工程と、
を有する基板処理方法。
[2] 請求項 1に記載の基板処理方法にお!、て、前記基板はさらに ArF線対応の反射防 止膜を伴い、
前記反射防止膜は、前記 ArFレジスト膜とともに紫外線を照射され、前記オゾンガ スと水蒸気によって水溶性となり、前記純水によって前記 ArFレジスト膜とともに基板 力 一括して剥離される。
[3] 反射防止膜を伴った基板力 前記反射防止膜を除去するための基板処理方法で あって、
前記反射防止膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された反射防止膜を水溶性に変性させる工程と、
水溶性に変性した反射防止膜に純水を供給して、前記反射防止膜を基板から剥 離する工程と、
を有する基板処理方法。
[4] 高ドーズでイオン注入処理されたレジスト膜を伴った基板カゝら前記レジスト膜を除去 するための基板処理方法であって、
前記レジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射されたレジスト膜を水溶性に変性させる工程と、
水溶性に変性したレジスト膜に純水を供給して、前記レジスト膜を基板から剥離す る工程と、
を有する基板処理方法。
[5] 請求項 4に記載の基板処理方法において、前記イオン注入処理におけるドーズ量 は 1 X 1015Zcm2以上である。
[6] 請求項 1から請求項 5に記載の基板処理方法において、前記チャンバに水蒸気と オゾンを供給する際には、前記チャンバ内に収容された基板に結露が生じないように
、前記チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、前記水蒸気に対するオゾンの 供給量を減少させる。
[7] 請求項 6に記載の基板処理方法において、前記チャンバへのオゾンの供給を周期 的に停止する。
[8] 請求項 6または請求項 7に記載の基板処理方法において、前記チャンバ内を所定 の温度に保持して前記チャンバに供給する水蒸気量を一定としたときに前記チャン バ内で結露が生ずる圧力を予め求め、
前記チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、前記チャンバ内の圧力を測定 しながら、その測定圧力が前記結露の生ずる圧力を超えないように、前記オゾンの供 給量を制御する。
[9] 請求項 1から請求項 8の 、ずれか 1項に記載の基板処理方法にお!、て、前記チヤ ンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、前記チャンバ内が一定の陽圧に保持され るように前記チャンノくから排気を行う。
[10] ArFレジスト膜を伴った基板カゝら前記 ArFレジスト膜を除去するための基板処理方 法であって、
前記 ArFレジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された ArFレジスト膜を所定の薬液に可溶となるように変性させる工程と 変性した ArFレジスト膜に前記薬液を供給して、前記 ArFレジスト膜を基板力ゝら剥 離する工程と、
を有する基板処理方法。
[11] 請求項 10に記載の基板処理方法において、前記基板はさらに ArF線対応の反射 防止膜を伴い、
前記反射防止膜は、前記 ArFレジスト膜とともに紫外線を照射され、前記オゾンガ スと水蒸気によって変性し、前記薬液によって前記 ArFレジスト膜とともに基板から一 括して剥離される。
[12] 反射防止膜を伴った基板力 前記反射防止膜を除去するための基板処理方法で あって、
前記反射防止膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射された反射防止膜を所定の薬液に可溶となるように変性させる工程と、 変性した反射防止膜に前記薬液を供給して、前記反射防止膜を基板力 剥離する 工程と、
を有する基板処理方法。
[13] 高ドーズでイオン注入処理されたレジスト膜を伴った基板カゝら前記レジスト膜を除去 するための基板処理方法であって、
前記レジスト膜に所定波長の紫外線を照射する工程と、
前記基板をチャンバに収容し、前記チャンバにオゾンガスと水蒸気を供給して、紫 外線が照射されたレジスト膜を所定の薬液に可溶となるように変性させる工程と、 変性したレジスト膜に前記薬液を供給して、前記レジスト膜を基板カゝら剥離するェ 程と、
を有する基板処理方法。
[14] 請求項 13に記載の基板処理方法において、前記イオン注入処理におけるドーズ 量は 1 X 1015Zcm2以上である。
[15] 請求項 10から請求項 14の 、ずれか 1項に記載の基板処理方法にお!、て、前記チ ヤンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、前記チャンバに収容された基板に結露 が生じないように、前記チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら前記水蒸気に 対するオゾンの供給量を減少させる。
[16] 請求項 15に記載の基板処理方法において、前記チャンバへのオゾンの供給を周 期的に停止する。
[17] 請求項 15または請求項 16のいずれか 1項に記載の基板処理方法において、前記 チャンバ内を所定の温度に保持して前記チャンバに供給する水蒸気量を一定とした ときに前記チャンバ内で結露が生ずる圧力を予め求め、
前記チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、前記チャンバ内の圧力を測定 しながら、その測定圧力が前記結露の生ずる圧力を超えないように、前記オゾンの供 給量を制御する。
[18] 請求項 10から請求項 17のいずれか 1項に記載の基板処理方法において、前記チ ヤンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、前記チャンバ内が一定の陽圧に保持さ れるように前記チャンバから排気を行う。
[19] 請求項 10から請求項 18のいずれか 1項に記載の基板処理方法において、前記薬 液はアルカリ性薬液である。
[20] 請求項 19に記載の基板処理方法にお 、て、前記アルカリ性薬液は、 APM溶液、 水酸化アンモ-ゥム水溶液、テトラメチルアンモ -ゥムハイド口オキサイド (TMAH) 水溶液のいずれかである。
[21] 請求項 1から請求項 20のいずれ力 1項に記載の基板処理方法において、紫外線 の照射には、波長が 172nm— 193nmの紫外線ランプまたはエキシマレーザを用い る。
[22] ArFレジスト膜、反射防止膜、高ドーズイオン注入レジスト膜の 、ずれかの膜を備え た基板に紫外線を照射する紫外線照射部と、
紫外線が照射された基板を収容する、加熱機構を備えたチャンバと、
前記チャンバに水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
前記チャンバにオゾンを供給するオゾン供給部と、
前記基板が収容されたチャンバの内部が所定の温度に保持され、前記チャンバ内 に所定流量で水蒸気とオゾンが供給されるように、前記チャンバと前記水蒸気供給 部と前記オゾン供給部とを制御する制御部と、
を具備する基板処理装置。
[23] 請求項 22に記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記チャンバに水蒸 気とオゾンを供給する際には、前記チャンバ内に水蒸気を一定流量で供給しながら 、前記基板に結露が生じな 、ように前記チャンバ内へのオゾン供給量を減少させる。
[24] 請求項 23に記載の基板処理装置において、前記制御部は、前記チャンバに水蒸 気とオゾンを供給する際には、前記チャンバへのオゾンの供給を周期的に停止させ る。
[25] 請求項 22から請求項 24のいずれか 1項に記載の基板処理装置において、前記チ ヤンバの内圧を測定する圧力センサをさらに具備し、
前記制御部は、前記チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、前記圧力セン サによる測定値が、前記チャンバ内を所定の温度に保持して前記チャンバに供給す る水蒸気量を一定としたときに前記チャンバ内で結露が生ずる際の事前測定された 圧力を超えないように、オゾンの供給量を調整する。
[26] 請求項 25に記載の基板処理方法において、前記制御部は、前記チャンバに水蒸 気とオゾンを供給する際には、前記チャンバ内が一定の陽圧に保持されるように前記 チャンバから排気を行う。
[27] 請求項 22から請求項 26のいずれか 1項に記載の基板処理装置において、前記チ ヤンバ内に収容されて水蒸気とオゾンによって処理された基板を、純水、 APM溶液 、水酸化アンモ-ゥム水溶液、テトラメチルアンモ -ゥムハイド口オキサイド (TMAH) 水溶液の ヽずれかを用いて処理する液処理部をさらに具備する。
[28] 請求項 22から請求項 27のいずれか 1項に記載の基板処理装置において、前記紫 外線照射部は、紫外線光源として、波長が 172nm— 193nmの紫外線ランプまたは エキシマレーザを具備する。
[29] 加熱機構を備えたチャンバ内に収容された基板を、水蒸気とオゾンで処理する基 板処理装置を制御するコンピュータに、 (a)紫外線照射処理が施された ArFレジスト 膜、反射防止膜、高ドーズイオン注入レジスト膜のいずれかの膜を備えた基板を前記 チャンバに収容し、（b)前記チャンバの内部を所定の温度に保持し、（c)前記チャン バ内に水蒸気を一定流量で供給しながら、前記基板に結露が生じないように前記チ ヤンバ内へのオゾン供給量を減少させて、前記膜を所定の処理液に可溶となるように 変性させる、処理を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能 な記録媒体。
請求項 29に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、前記プロダラ ムは前記コンピュータに、前記チャンバへのオゾンの供給を周期的に停止するように 、前記基板処理装置を制御させる。
PCT/JP2004/018176 2003-12-18 2004-12-07 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 WO2005059976A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/579,423 US7731799B2 (en) 2003-12-18 2004-12-07 Substrate processing method, substrate processing apparatus and computer-readable memory medium
JP2005516291A JPWO2005059976A1 (ja) 2003-12-18 2004-12-07 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
AT0941404A AT501775B1 (de) 2003-12-18 2004-12-07 Verfahren zum entfernen eines resistfilms, substrat-behandlungsvorrichtung und computer-lesbares aufzeichnungsmedium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003420785 2003-12-18
JP2003-420785 2003-12-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005059976A1 true WO2005059976A1 (ja) 2005-06-30

Family

ID=34697261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/018176 WO2005059976A1 (ja) 2003-12-18 2004-12-07 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7731799B2 (ja)
JP (2) JPWO2005059976A1 (ja)
KR (1) KR100728547B1 (ja)
AT (1) AT501775B1 (ja)
TW (1) TWI281207B (ja)
WO (1) WO2005059976A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007037305A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Tokyo Electron Limited 基板処理方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4459774B2 (ja) * 2004-10-12 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム
EP2166564B1 (en) * 2008-09-19 2017-04-12 Imec Method for removing a hardened photoresist from a semiconductor substrate
JP5454449B2 (ja) * 2010-10-19 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 レジスト除去方法、レジスト除去装置及び記憶媒体
US9153464B2 (en) 2011-05-31 2015-10-06 Semes Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102394994B1 (ko) * 2013-09-04 2022-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US20150136186A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-21 Tokyo Electron Limited System for processing substrates with two or more ultraviolet light sources that provide different wavelengths of light
US9740104B2 (en) * 2014-05-02 2017-08-22 Lam Research Corporation Plasma dry strip pretreatment to enhance ion implanted resist removal
JP6428466B2 (ja) * 2014-06-23 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体
KR101506213B1 (ko) * 2014-11-18 2015-03-27 주식회사 엘피케이 매엽식 감광성 수지막 제거장치
JP6354539B2 (ja) * 2014-11-25 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体
KR101571089B1 (ko) * 2015-05-28 2016-07-20 주식회사 엘피케이 포토레지스트막 제거장치
DE102017108076A1 (de) * 2017-04-13 2018-10-18 Ist Metz Gmbh Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Objekten
JP7525338B2 (ja) 2020-08-31 2024-07-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223206A (ja) * 1999-12-03 2001-08-17 Mitsubishi Electric Corp 基板処理方法および装置
JP2002018379A (ja) * 2000-07-04 2002-01-22 Seiko Epson Corp 薄膜剥離方法、薄膜剥離装置及び電子デバイスの製造方法
JP2002134401A (ja) * 2000-07-04 2002-05-10 Seiko Epson Corp 基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法
JP2002231696A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp レジスト除去方法とその装置
JP2003273085A (ja) * 2002-03-18 2003-09-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2003332322A (ja) * 2002-03-08 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5130552A (en) * 1990-12-17 1992-07-14 Applied Materials, Inc. Improved ion implantation using a variable mass resolving system
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
DE10036867B4 (de) * 1999-07-30 2006-04-13 Tokyo Electron Ltd. Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4014127B2 (ja) 2000-10-04 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2002353184A (ja) * 2001-05-28 2002-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
KR100863782B1 (ko) * 2002-03-08 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001223206A (ja) * 1999-12-03 2001-08-17 Mitsubishi Electric Corp 基板処理方法および装置
JP2002018379A (ja) * 2000-07-04 2002-01-22 Seiko Epson Corp 薄膜剥離方法、薄膜剥離装置及び電子デバイスの製造方法
JP2002134401A (ja) * 2000-07-04 2002-05-10 Seiko Epson Corp 基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法
JP2002231696A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp レジスト除去方法とその装置
JP2003332322A (ja) * 2002-03-08 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003273085A (ja) * 2002-03-18 2003-09-26 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007037305A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Tokyo Electron Limited 基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
AT501775A2 (de) 2006-11-15
JP2008294453A (ja) 2008-12-04
JPWO2005059976A1 (ja) 2007-07-12
TW200524032A (en) 2005-07-16
TWI281207B (en) 2007-05-11
AT501775B1 (de) 2009-01-15
US20070074747A1 (en) 2007-04-05
US7731799B2 (en) 2010-06-08
JP4811877B2 (ja) 2011-11-09
AT501775A5 (de) 2008-10-15
KR20060009232A (ko) 2006-01-31
KR100728547B1 (ko) 2007-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4811877B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101057289B1 (ko) 기판처리방법 및 기억매체
JP4952375B2 (ja) レジスト除去方法及びその装置
JP2007134689A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20090057065A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US7693597B2 (en) Computer readable storage medium for controlling substrate processing apparatus
JP3150509B2 (ja) 有機物除去方法及びその方法を使用するための装置
JP2009218548A (ja) 高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法及びレジスト除去装置
JP3756092B2 (ja) 基板処理装置
JPH09306892A (ja) クリーニング方法および半導体製造装置
JP4299638B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4405236B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2018173525A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2579346Y2 (ja) レジスト膜のアッシング装置
JP2010129837A (ja) レジストの除去方法
WO2024180821A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
WO2024053386A1 (ja) 基板処理システム
WO2024090473A1 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP3544336B2 (ja) 基板処理方法
JP3544326B2 (ja) 基板処理方法
JP2003077824A (ja) 基板処理装置
JPS63266835A (ja) 気相反応装置
JPS6370429A (ja) アツシング装置
TW202435305A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2022183683A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005516291

Country of ref document: JP

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057012922

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057012922

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007074747

Country of ref document: US

Ref document number: 10579423

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 94142004

Country of ref document: AT

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: A9414/2004

Country of ref document: AT

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020057012922

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10579423

Country of ref document: US